線性電子電路試題

教育資料教育資料浙江省2003年4月高等教育自學(xué)考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題（每空1分，共20分）.利用晶體二極管的 和 特性，可以構(gòu)成整流、穩(wěn)壓、限幅等各種功能電路。.半導(dǎo)體中，由濃度差引起非平衡載流子運(yùn)動(dòng)，形成 電流，由外加電場(chǎng)引起載流子運(yùn)動(dòng)形成 電流。.已知某晶體三極管的VBE=0.7V,VCE=1.0V則該管工作在區(qū)，由材料制造。.晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，其發(fā)射結(jié)的結(jié)電容主要是 電容，集電結(jié)的結(jié)電容主要是 電容。.通常將反型層稱為增強(qiáng)型MOS管的源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道，其中由形成的溝道稱為N溝道。.場(chǎng)效應(yīng)管工作在非飽和區(qū)時(shí)，其ID和VDS之間呈 關(guān)系，故又稱該區(qū)為。.在晶體管放大器中，即能放大電壓也能放大電流的是 組態(tài)放大電路；可以放大電壓但不能放大電流的是 組態(tài)放大電路。.放大電路的失真分為 和 兩大類。.放大電路中，引入直流負(fù)反饋的作用是 ，引入交流負(fù)反饋的目的是改善放大器的 .深度負(fù)反饋條件是 ，此時(shí)反饋放大器的增益近似等于 二、單項(xiàng)選擇題（在每小題的四個(gè)備選答案中，選出一個(gè)正確答案，并將正確答案的序號(hào)填在題干的括號(hào)內(nèi)。每小題2分，共20分）.當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流（ ）漂移電流。A.大于B.小于C.等于D.近似等于.當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體相接觸時(shí)，在P型和N型半導(dǎo)體交界處，形成一個(gè)區(qū)域，下列的哪種名稱不能描述該區(qū)域?( )A.阻擋層B.耗盡層C.空間電荷區(qū)D.突變層.有四個(gè)晶體三極管：已知它們的電流放大系數(shù)B及穿透電流ICEO的值，使用時(shí)選用哪個(gè)更合適?( )A.B=200,ICEO=10rA.B=10,ICEO=0.1nAC.B=50,ICEO=0.1rAD.B=100,ICEO=10nA.常溫下，某晶體三極管在ICQ=1mA處，rbe=1.6K"B=50，則等于( )。A.200QB.300QC.400QD.500Q.某場(chǎng)效應(yīng)管的IDSS為6mA，而IDQ自漏極流出，大小為8mA，則該管是( )。A.P溝道結(jié)型管B.耗盡型PMOS管C.耗盡型NMOS1D.增強(qiáng)型PMOS管6.場(chǎng)效應(yīng)管工作在放大狀態(tài)時(shí)，其靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)設(shè)置在輸出特性曲線的( )。A.非飽和區(qū)B.飽和區(qū)C.截止區(qū)D.擊穿區(qū)7.具有相同參數(shù)的相同放大電路的兩級(jí)放大器，在組成它的各個(gè)單級(jí)放大器的截止頻率處，總的電壓放大倍數(shù)下降( )。A.3dBB.6dBC.20dBD.9dB.集成運(yùn)算放大器實(shí)質(zhì)上是一種( )。A.交流放大器B.高電壓增益的交流放大器C.高電壓增益的直接耦合放大器D.高增益的高頻放大器.多級(jí)負(fù)反饋放大電路容易引起自激振蕩的原因是( )。A.各級(jí)電路的參數(shù)很分散B.回路增益||大C.閉環(huán)增益大D.放大器的級(jí)數(shù)少10.負(fù)反饋可以改善放大器的性能，下述哪種說(shuō)法不準(zhǔn)確?( )A.減少放大器增益B.改變輸入電阻C.改變輸出電阻D.改善噪聲系數(shù)三、簡(jiǎn)答題(每小題5分，共15分).設(shè)二極管為理想，試判斷圖三(1)電路中，各二極管是否導(dǎo)通，并求VAO的值。.設(shè)圖三(2)所示電路中三極管為硅管，6=50,試通過(guò)估算判斷它的靜態(tài)工作點(diǎn)位于哪個(gè)區(qū)?.在圖三(3)所示電路中，已知MOS管的 ，VGs(th)=1.0V試%q，Vgsq，Vdsq的值。四、分析計(jì)算題(每小題9分，共45分)2.2.差動(dòng)放大電路如圖四(2)所示，已知教育資料教育資料1.1.放大器電路如圖四(1)所示，已知場(chǎng)效應(yīng)教育資料教育資料管的gm=2ms,rds忽略不計(jì)，所有電容對(duì)交流呈短路。求：⑴電壓放大倍數(shù)Av；⑵輸入電阻Ri和輸出電阻Ro；⑶只考慮CD的影響，求低端轉(zhuǎn)折頻率fL的值。IEE=1mA,所有管子特性相同，3=100, =0,1VA|二100V,求：⑴差模輸入電阻Rid和差模輸出電阻Rod；⑵差模電壓放大倍數(shù)Aud=uo/(u丁ui2)；⑶由T3管構(gòu)成的恒流源的等效內(nèi)阻ro3.3.電路如圖四(3)所示。⑴采用u01輸出時(shí)，該電路屬于何種類型與極性的反饋放大電路？⑵采用U02輸出時(shí)，該電路屬于何種類型與極性的反饋放大電路？⑶假設(shè)為深度負(fù)反饋，試求第2種情況下的電壓增益Auf=uo2/ui.教育資料教育資料4.運(yùn)放電路如圖四(4)所示，各運(yùn)放均為理想，試求(1)U03和uo(t)及U02和u03的關(guān)系；(2)寫(xiě)出口。代)和us(t)之間的關(guān)系式。5.電路如圖四⑸所示，所有運(yùn)放均為理想且最大輸出電壓為±12V,設(shè)ui1=ui2=0V時(shí)，uo=+12V⑴當(dāng)ui1=-l0V,ui2=0V時(shí)，經(jīng)過(guò)多少時(shí)間，uo由+12V跳變?yōu)?12V?⑵uo變成-12V后，ui2由0V變?yōu)?15V,求再經(jīng)過(guò)多少時(shí)間，uo由-12V跳變?yōu)?12V?⑶說(shuō)明A1、A2各為什么單元電路。浙江省2003年7月高等教育自學(xué)考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題(每小題2分，共20分).雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是由 產(chǎn)生的，少數(shù)載流子是由 產(chǎn)生的。.一般而言，擊穿電壓在6V以下的屬于 擊穿，6V以上的主要是 擊穿。.三極管工作在放大區(qū)時(shí)，各電極之間的電流關(guān)系是IC=IB，IE=IC..根據(jù)外加電壓的不同，晶體三極管的輸出特性曲線族可劃分為放大區(qū)、區(qū)、飽和區(qū)和 區(qū)。.已知場(chǎng)效應(yīng)管VGS(th)=4V，當(dāng)VGS=6V時(shí)，2=1^^，試寫(xiě)出飽和區(qū)轉(zhuǎn)移特性的表達(dá)式ID=，當(dāng)VGS=3V時(shí)，ID=。.在JFET中，溝道的導(dǎo)電能力受VGS和VDS的控制與MOS管類似，不同的是這種控制是通過(guò)改變PN結(jié) 中的 來(lái)實(shí)現(xiàn)的。.放大器中的線性失真可分為 失真和 失真兩類。.直接耦合放大電路中因溫度變化引起的漂移稱為 。采用電容耦合方式是否存在這種現(xiàn)象? 。.若希望減小放大電路從信號(hào)源索取的電流，則可采用 負(fù)反饋；若希望負(fù)載變化時(shí)輸出電壓穩(wěn)定，則應(yīng)引入 負(fù)反饋。.若引入反饋減弱了輸入信號(hào)的作用，使放大倍數(shù) ，這樣的反饋稱為 。二、單項(xiàng)選擇題(在每小題的四個(gè)備選答案中，選出一個(gè)正確答案，并將正確答案的序號(hào)填在題干的括號(hào)內(nèi)。每小題2分，共20分).當(dāng)PN結(jié)反向工作時(shí)，其結(jié)電容主要是( )。A.勢(shì)壘電容B.擴(kuò)散電容C.平板電容D.勢(shì)壘和擴(kuò)散電容并存.溫度升高時(shí)，晶體二極管的丫口(02將( )。A增大B減小C.不變D.近似不變.晶體管的混合n型等效電路模型在下列哪種情況下才能應(yīng)用?( )A.小信號(hào)，管子處在飽和區(qū)B.大信號(hào)，管子處在放大區(qū)C.小信號(hào)，管子處在放大區(qū)D.大信號(hào)，管子處在飽和區(qū).某晶體三極管的iB從20RA變化到40RA時(shí)，對(duì)應(yīng)的iC從2mA變化到5mA，則該管的B等于( )。A.100B.150C.200D.300.P溝道增強(qiáng)型MOS管工作在飽和區(qū)的條件是( )。A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)B.VGS>VGS(th),VDS<VGS-VGS(th)C.VGS<VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)D.VGS<VGS(th),VDS<VGS-VGS(th))區(qū)且限制VDS為小值時(shí)，可作為阻值受)區(qū)且限制VDS為小值時(shí)，可作為阻值受VGS控制的線性電阻器。A飽和8截止C.非飽和D擊穿.在差動(dòng)放大電路中，共模輸入信號(hào)等于兩個(gè)輸入信號(hào)的( )。A.和值B.差值C.迭加D.平均值.多級(jí)放大電路放大倍數(shù)的波特圖是( )。A.各級(jí)波特圖的疊加B.各級(jí)波特圖的乘積C.各級(jí)波特圖中通頻帶最窄者D.各級(jí)波特圖中通頻帶最寬者9.已知某一放大器的A=100，現(xiàn)要求引入反饋以后增益Af=10，問(wèn)反饋系數(shù)kf應(yīng)為多少?( )A.0.01B.0.05C.0.09D.0.10三、簡(jiǎn)答題(每小題5分，共15分)1.如圖三(1)所示電路中的二極管為理想，試畫(huà)出電路的傳輸特性曲線(v0~vi的關(guān)系曲線)，并寫(xiě)出分析過(guò)程。

2.設(shè)圖三(2.設(shè)圖三(2)所示電路中的三極管為硅管，B=50,試通過(guò)估算判斷它的靜態(tài)工作點(diǎn)位于哪個(gè)區(qū)?3.圖三(3)所示電路中，設(shè)兩管特性相同，T1管的(W/L)是T2管的5倍，二1000cm2/V?S,Cox=3X10-8F/cm2，(W/L)1=10,VGS(th)=2V，求ID2的值。四、分析計(jì)算題(每小題9分，共45分)1.放大電路如圖四(1)所示，已知晶體管的B=50,Ybb,二0。，電容對(duì)交流短路，Yb,e=5.2k。，Yce忽略不計(jì)。試求：(1)放大電路的輸入電阻Ri和輸出電阻R0；(2)電壓增益Av和源電壓增益Avs.2.圖四(2)是高輸入阻抗型場(chǎng)效應(yīng)管差分放大電路，用作高阻型集成運(yùn)放的輸入級(jí)。已知g=2ms,RL=10kQ,求：(1)差模電壓增益Avd；(2)共模電壓增益Avc,共模抑制比KCMR.3.反饋放大電路的交流通路如圖四(3)所示，試：(1)判別級(jí)間反饋的類型；⑵設(shè)滿足深度負(fù)反饋條件，計(jì)算源電壓增益Avfs=v0/vs.4.理想運(yùn)放電路如圖四⑷所示，求v0rv02、v03的值。5.遲滯電壓比較器電路如圖四⑸所示，已知穩(wěn)壓管的VZ=6.3V,VD（on）=0.7V,運(yùn)放的最大輸出電壓為±10V，V=3V，試：REF通過(guò)分析，畫(huà)出比較特性（vo~vi）曲線。浙江省2004年4月高等教育自學(xué)考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題（每小題2分，共20分）.半導(dǎo)體中，由濃度差引起非平衡載流子運(yùn)動(dòng)，形成 電流，由外電場(chǎng)引起載流子運(yùn)動(dòng)，形成 電流。.PN結(jié)具有電容特性，正偏時(shí)以電容為主，反偏時(shí)以電容為主。.晶體三極管的ICBO是指極開(kāi)路的情況下，的電流。.已知某三極管VBE=0.7V,VCE=0.3V,則該管工作在 區(qū)，是由材料制造的。.MOS管作為開(kāi)關(guān)應(yīng)用時(shí)，其工作狀態(tài)應(yīng)在 和之間轉(zhuǎn)換。.就VGS而言，增強(qiáng)型MOS管是 極性的，而耗盡型MOS管是 極性的。TOC\o"1-5"\h\z.多級(jí)直接耦合放大電路的兩個(gè)主要問(wèn)題是 和 。.放大器輸入信號(hào)為單一頻率正弦波，輸出為非正弦波，這種失真稱為 失真，這時(shí)輸出信號(hào)中將產(chǎn)生 頻率成份。9.反饋量來(lái)自放大電路的輸出電壓，而又以電流信號(hào)的形式迭加到放大電路的輸入端，稱此種類型的負(fù)反饋是 。這種反饋可以使放大電路的輸入電阻 。10.設(shè)計(jì)一個(gè)負(fù)反饋放大電路，若要穩(wěn)定輸出電壓，應(yīng)引入 負(fù)反饋，若要穩(wěn)定輸出電流應(yīng)引入 負(fù)反饋。二、單項(xiàng)選擇題（在每小題的四個(gè)備選答案中，選出一個(gè)正確答案，并將正確答案的序號(hào)填在題干的括號(hào)內(nèi)。每小題2分，共20分）1.當(dāng)半導(dǎo)體二極管的反向擊穿電壓小于6V，主要發(fā)生何種擊穿現(xiàn)象?（ ）A.雪崩擊穿B.齊納擊穿C.熱擊穿D.碰撞擊穿2一個(gè)硅二極管在正向電壓VD=0.6V時(shí)，正向電流ID為10mA，若VD增大到0.66V（即增加10%），則電流ID（ ）。A.約為11mA（也增加10%）B.約為20mA（增大1倍）C.約為100mA（增大到原先的10倍）D.仍為10mA（基本不變）)。3.如果將放大電路中的晶體三極管的基極和發(fā)射極短路，則()。A.管子深飽和B.發(fā)射結(jié)反偏C.管子截止D.集電結(jié)燒壞4.測(cè)得某放大電路中的三極管三個(gè)管腳對(duì)地電位分別是2V、2.3V、5V,則可判斷該管的材料和類型是( )。A.硅、NPNB.硅、PNPC.鍺、NPND.鍺、PNP5.場(chǎng)效應(yīng)管是一種( )。A.電壓控制器件B.電流控制器件C.雙極型器件D.少子工作的器件.若場(chǎng)效應(yīng)管的偏置電壓VGSQ=1V，則該管不可能是一個(gè)( )。A.P溝道結(jié)型管B.N溝道結(jié)型管C.P溝道耗盡型MOS管D.N溝道增強(qiáng)型MOS管.需設(shè)計(jì)一只單級(jí)晶體管放大器，要求輸入電阻很大，輸出電阻小，請(qǐng)選擇( )。A.共射放大.共基放大C.共集放大D.共源放大

8.電容耦合放大電路(8.電容耦合放大電路()。A.只能放大直流信號(hào).只能放大緩變信號(hào)C.只能放大交變信號(hào)D.既能放大直流信號(hào)又能放大交流信號(hào).要得到一個(gè)由電流控制的電壓源，應(yīng)選( )負(fù)反饋形式。A.電壓串聯(lián)B.電壓并聯(lián)C.電流串聯(lián)D.電流并聯(lián)10.深度負(fù)反饋電路的放大器增益取決于反饋系數(shù)，與基本放大器的放大倍數(shù)無(wú)關(guān)，但基本放大器( )。A.可以去掉B.不能去掉C.不一定D.并不重要三、簡(jiǎn)答題(每小題5分，共15分).已知晶體三極管的靜態(tài)工作電流ICQ=1mA,|VA|二100V,B=100, =100"試畫(huà)出低頻小信號(hào)混合n型等效電路，并求出gm,rb,e、rce的值。.電路如圖三(2)所示，設(shè)MOS管的 Cox(w/l)=40HA/V2,V^hj-IV,試求V0和ID的值。3.一電流源電路如圖三(3)所示，設(shè)T1,T2管參數(shù)相同，B=100,Vbe=-0.6V。若要使廣博，Vc2W12V7Ri=R2,試確定電阻RrR2的最大允許值。四、分析計(jì)算題(每小題9分，共45分)1.放大電路如圖四(1)所示，已知三極管的B=80,rbe=2.2kQ，求(1)放大器的輸入電阻Ri；⑵從射極輸出時(shí)的Au2和R02；⑶從集電極輸出時(shí)的Au1和R01。2.放大電路如圖四(2)所示，設(shè)各管的B=100,Vbe=0.7V, =200Q。試⑴求T2管的靜態(tài)工作點(diǎn)(ICQ2、VCQ2)；⑵估算放大器的電壓增益Av;(3)求放大器輸出電阻R0。3.放大電路如圖四(3)所示，所有電容對(duì)交流視作短路，(1)判斷級(jí)間反饋的類型和極性。⑵計(jì)算在深負(fù)反饋條件下，源電壓增益Avfs=v0/vS的表達(dá)式。(3)若要求電路參數(shù)變化時(shí)，電壓放大倍數(shù)基本不變，如何改接反饋電阻RF?并予以說(shuō)明。4.理想運(yùn)放組成的電路如圖四⑷所示，試求輸出電壓v0與輸入電壓vi的關(guān)系式，并說(shuō)明ArA2實(shí)現(xiàn)的功能。5.遲滯比較器電路如圖四(5)所示，二極管為理想器件，(1)畫(huà)出比較特性；⑵設(shè)v=6sint(V),畫(huà)出輸出波形。(畫(huà)二個(gè)周期)浙江省2004年7月高等教育自學(xué)考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題(每小題1分，共10分).半導(dǎo)體是依靠 和空穴兩種載流子導(dǎo)電的。.PN結(jié)中的反向擊穿現(xiàn)象按物理機(jī)制可分為和齊納擊穿兩大類。.當(dāng)晶體三極管工作在發(fā)射結(jié)加 、集電結(jié)加反偏的模式時(shí)，它呈現(xiàn)的主要特性是正向受控作用。.若測(cè)得晶體管的三個(gè)電極電位分別是-5V，-4.7V，-2V，則該管類型是 。.場(chǎng)效應(yīng)管的飽和區(qū)又稱放大區(qū)，它是溝道 后所對(duì)應(yīng)的工作區(qū)。.MOS管分為種類型。.三種基本組態(tài)晶體管放大電路中，共集組態(tài)具有輸入電阻高、輸出電阻 的特點(diǎn)。.在直接耦合多級(jí)放大器中存在著需要解決的兩個(gè)問(wèn)題：一是級(jí)間電平的配合；二是克服 的有害影響。.放大電路中，要穩(wěn)定輸出電壓，應(yīng)引入 負(fù)反饋。.反饋放大器是一個(gè)由基本放大器和 構(gòu)成的閉合環(huán)路。二、單項(xiàng)選擇題(在每小題的四個(gè)備選答案中，選出一個(gè)正確答案，并將正確答案的序號(hào)填在題干的括號(hào)內(nèi)。每小題2分，共30分)雜質(zhì)半導(dǎo)體中多數(shù)載流子濃度( )。與摻雜濃度和溫度無(wú)關(guān)只與摻雜濃度有關(guān)只與溫度有關(guān)與摻雜濃度和溫度都有關(guān)2.半導(dǎo)體二極管是溫度的敏感器件，當(dāng)溫度增加時(shí)，其參數(shù)IS和VD(on)都將發(fā)生變化，試選擇正確答案。( )。IS上升，VD(on)下降IS上升，VD(on)上升IS下降，VD(on)下降IS下降，VD(on)上升隨著溫度的升高，晶體三極管的( )將變小。BVBE(on)ICBOICEO晶體管的輸出特性曲線分為四個(gè)區(qū)，請(qǐng)選擇哪個(gè)區(qū)具有基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)?(飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)擊穿區(qū)N溝道耗盡型MOS管工作在非飽和區(qū)的條件是( )。A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)B.VGS>VGS(th),VDS<VGS-VGS(th)C.VGS<VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)D.VGS<VGS(th),VDS<VGS-VGS(th)以下場(chǎng)效應(yīng)管中哪個(gè)的襯底必須接在電路中的最高電位上?( )P溝道JFET管N溝道DMOS管N溝道EMOS管P溝道EMOS管設(shè)計(jì)一只單級(jí)放大器，要求輸入阻抗小，輸出阻抗大，請(qǐng)選擇( )。A.共射放大共基放大C.共集放大D.共源放大差分放大器中，用恒流源替代射極電阻Re是為了( )。A.提高AvdB.提高AvcC.提高KCMRD.提高Rod交流負(fù)反饋是指( )。只存在于電容耦合電路中的負(fù)反饋交流通路中的負(fù)反饋放大正弦波信號(hào)時(shí)才有的負(fù)反饋?zhàn)儔浩黢詈想娐分械呢?fù)反饋負(fù)反饋放大電路中，若滿足深度負(fù)反饋條件，則反饋信號(hào)和輸入信號(hào)之間應(yīng)滿足( )。f>i個(gè)if<if=1/i純凈半導(dǎo)體中加入+3價(jià)元素后，將形成( )。電子型半導(dǎo)體空穴型半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體PNP型晶體三極管工作在截止區(qū)的條件是( )。VBE>0,VCB>0VBE>0,VCB<0VBE<0,VCB>0VBE<0,VCB<013.若已知MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的IDSS=10mA,VGS(th)=-4V,VGSQ=-2V。則IDQ為( )。1.5mA2.0mA2.5mA3.0mA理想差分放大器由單端輸出改為雙端輸出時(shí)，其共模抑制比應(yīng)為( )。無(wú)窮大為單端輸出時(shí)的一半為單端輸出的2倍零對(duì)于電壓并聯(lián)負(fù)反饋而言，下列哪個(gè)回答是正確的?( )。輸入電阻變大，輸出電阻變大輸入電阻變大，輸出電阻變小輸入電阻變小，輸出電阻變大輸入電阻變小，輸出電阻變小三、簡(jiǎn)答題(每小題5分，共15分)1.判斷圖三(1)電路中各二極管是否導(dǎo)通，并求VAO的值。設(shè)二極管正向?qū)▔航禐?.7V。2.圖三(2)所示為兩級(jí)放大電路，若忽略管子的基極電流，a>1,|%(。/=0.7丫求*匕和Ic2的值。3.圖三（3）所示為某場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性，請(qǐng)說(shuō)明其屬于何溝道、何種類型?并指出它的VGS腳或VGS（off）等于何值?（圖中iD的假定正向?yàn)榱鬟M(jìn)漏極）四、分析計(jì)算題（每小題9分，共45分）.放大電路如圖四（1）所示，已知ICQ=1mA，B=100,rbb,=0,1VA|=8,電容對(duì)交流短路，試求：(1)輸入電阻Ri和輸出電阻Ro；(2)電壓增益Av和源電壓增益Avs。.差分放大電路如圖四(2)所示，已知TJ2參數(shù)對(duì)稱，B=100,rbb,=0Q,I=2mA求：(1)］的靜態(tài)工作點(diǎn)(I⑷、VCQ1)；(2)差模電壓增益Avd的值；(3)共模抑制比KCMR的值。3.反饋放大電路的交流通路如圖四(3)所示，試：(1)判別級(jí)間反饋的類型；(2)設(shè)電路滿足深度負(fù)反饋條件，計(jì)算電壓增益Ajvo/vi.電路如圖四⑷所示，運(yùn)放A是理想的，已知R2=5kQ,R3=1kQ,C1=47^F,R10.83kQ⑴若輸入為中頻正弦交流信號(hào)，求中頻增益Av=vo/vi的值；(2)電路的下限截止頻率fL=?.電路如圖四⑸所示，圖中二極管和運(yùn)放均為理想，試通過(guò)分析，繪出vo~vi的關(guān)系曲線，要求寫(xiě)出分析過(guò)程。浙江省2005年4月高等教育自學(xué)考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題（每小題2分，共20分）.P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子為，少數(shù)載流子為。.PN結(jié)的反向擊穿有和兩種擊穿。.三極管工作在飽和狀態(tài)時(shí)，其發(fā)射結(jié) ，集電結(jié) 。.當(dāng)某三極管VBE=0.7V，VCE=0.3V，則該管工作在 區(qū)，集電極電流和基極電流關(guān)系是.場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電過(guò)程僅僅取決于 載流子的運(yùn)動(dòng)；因而它又稱做 器件。6在場(chǎng)效應(yīng)管放大電路中，就VGS而言， 型MOS管是單極性的，而 型MOS管可以是雙極性的。.放大器的失真分為 失真和 失真兩大類。.在相同條件下，阻容耦合放大電路的零點(diǎn)漂移 ，而直接耦合放大電路的零點(diǎn)漂移 .共發(fā)射極放大電路輸出電壓Uo與輸入電壓Ui的相位關(guān)系是 ，共基極放大電路輸出電壓Uo與輸入電壓Ui的相位關(guān)系是 。.設(shè)計(jì)一個(gè)負(fù)反饋放大電路，要使輸入電阻增大應(yīng)引入 型負(fù)反饋，若要穩(wěn)定輸出電壓應(yīng)引入型負(fù)反饋。二、單項(xiàng)選擇題(在每小題的四個(gè)備選答案中，選出一個(gè)正確答案，并將正確答案的序號(hào)填在題干的括號(hào)內(nèi)。每小題2分，共20分)1.雜質(zhì)半導(dǎo)體中少數(shù)載流子濃度( )。A.只與溫度有關(guān)B.取決于摻雜濃度，幾乎與溫度無(wú)關(guān)0與溫度無(wú)關(guān)D.與摻雜濃度和溫度都無(wú)關(guān).判別晶體管是否工作在飽和狀態(tài)，最簡(jiǎn)單的是測(cè)量( )。A.IBB.VCEC.VBED.IC.若三極管的發(fā)射極電流為1mA，基極電流為20RA，則集電極電流為( )mA。A.0.98B.1.02C.1.2D.0.8

4.場(chǎng)效應(yīng)管是(4.場(chǎng)效應(yīng)管是()器件。A.電流控制電流B.電流控制電壓C.電壓控制電流D.電壓控制電壓5.在差動(dòng)式放大電路中，共模輸入信號(hào)等于兩個(gè)輸入端信號(hào)的( )。A.和值B.差值C.平均值D.乘積值6.由PNP管組成的共射放大電路，若測(cè)得VCEQ=-VCC,-VCC為電源電壓，則可判斷該三極管處于( )。A.放大狀態(tài)B.飽和狀態(tài)C.截止?fàn)顟B(tài)D.擊穿狀態(tài).希望放大器具有大的輸入電阻和穩(wěn)定的輸出電流，應(yīng)引入( )負(fù)反饋。A.電壓串聯(lián).電壓并聯(lián)C.電流串聯(lián)D.電流并聯(lián)8.共集電極電路信號(hào)從( )。A.基極輸入，集電極輸出B.發(fā)射極輸入，集電極輸出C.基極輸入，發(fā)射極輸出D.發(fā)射極輸入，基極輸出

9.集成運(yùn)算放大電路的輸入級(jí)通常采用（9.集成運(yùn)算放大電路的輸入級(jí)通常采用（）電路。A.共集電極放大B.共發(fā)射極放大C.差動(dòng)放大D.共基極放大三、簡(jiǎn)答題（每小題5分，共15分）.試分析圖三（1）所示各電路是否能夠放大正弦交流信號(hào)，簡(jiǎn)述理由。設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。.電路如圖三(2)所示，已知MOS管的[Cox()=250|jA/V2,VGs(th)=2.0V試求ID，VGS，VDS的值。3.圖三(3)所示為某場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性，請(qǐng)說(shuō)明其屬于何溝道、何種類型?并指出它的V或V 等于何值?(圖中i的假定正向?yàn)榱鬟M(jìn)漏極)GS(th)GS(off) D四、分析計(jì)算題(每小題9分，共45分)1.電路如圖四(1)所示，晶體管的B=80,r=1kQobe(1)求出Q點(diǎn)；⑵分別求出R「8和RL=3kQ時(shí)電路的和Ri；(3)求出Roo2.放大電路如圖四(2)所示，T1管和T2管的B均為40,rbe均為3kQ。試問(wèn)：若輸入直流信號(hào)uI1=20mv，UI2=10mv，則電路的共模輸入電壓uIC=？差模輸入電壓uId二？輸出動(dòng)態(tài)電壓△口:？3.放大電路如圖四（3）。要求：（1）指出級(jí)間反饋支路，判斷其反饋類型；（2）按深度負(fù)反饋估算其閉環(huán)放大倍數(shù)；（3）說(shuō)明輸入電阻和輸出電阻的變化趨勢(shì)。教育資料教育資料教育資料4.電路如圖四(4)所示，設(shè)圖示電路中的運(yùn)算放大器為理想的，電阻阻值在圖中已標(biāo)出。試寫(xiě)出Uo/Ui=?浙江省2006年4月高等教育自學(xué)考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題（本大題共10小題，每空1分，共20分）請(qǐng)?jiān)诿啃☆}的空格中填上正確答案。錯(cuò)填、不填均無(wú)分。.N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子為，少數(shù)載流子為。.PN結(jié)反偏，內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，空間電荷區(qū)變寬，運(yùn)動(dòng)減弱，運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)，PN結(jié)截止，電阻大。.為保證三極管工作在放大狀態(tài)UC、UB、UE之間的關(guān)系是：對(duì)NPN型：；7^NP型：.當(dāng)某三極管VBE=-0.7V，VCE=-0.3V，則該管工作在 區(qū)，是由材料制造的。.場(chǎng)效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上分成 和 兩種類型。.溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓VGS（off）為正，溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓VGS（off）為負(fù)。.多級(jí)放大電路連接（耦合）的兩個(gè)主要方式是 連接和 連接。.共漏極放大電路具有輸入電阻 輸出電阻 的特點(diǎn)。.集成運(yùn)算放大器的兩個(gè)輸入端是 輸入端和 輸入端。.為了減小放大電路的輸出電阻，應(yīng)引入 負(fù)反饋，為了增大放大電路的輸入電阻，應(yīng)引入 負(fù)反饋。二、單項(xiàng)選擇題（本大題共10小題，每小題2分，共20分）在每小題列出的四個(gè)備選項(xiàng)中只有一個(gè)是符合題目要求的，請(qǐng)將其代碼填寫(xiě)在題后的括號(hào)內(nèi)。錯(cuò)選、多選或未選均無(wú)分。1.穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在（）A.正向?qū)˙.反向截止C.齊納擊穿D.雪崩擊穿.某晶體三極管的iB從30RA變化到50RA時(shí)，對(duì)應(yīng)的iC從2mA變化到6mA,則該管的B等于（ ）A.100B.120C.200D.300.晶體三極管的反向電流IC