光電幕墻及光電屋頂設計資料

光電幕墻及光電屋頂光電幕墻（屋頂）是將傳統(tǒng)幕墻（屋頂）與光生伏打效應（光電原理）相結合的一種新型建筑幕墻（屋頂）。主要是利用太陽能來發(fā)電的一種新型的綠色的能源技術。能源是人類生存和發(fā)展的基礎，傳統(tǒng)的能源是以消耗地球的有限資源，同時又污染人類生存環(huán)境為代價來生產，20世紀七十年代全球的能源危機，使世界很多國家清醒地認識到：太陽能是一種綠色（清潔，無污染）豐富的自然能源，爭相加以開發(fā)和研究，因而太陽能電池從人造衛(wèi)星發(fā)電開始向地面發(fā)電普及和應用，（見表一）據(jù)不完全統(tǒng)計，1999年，全世界太陽能電池的年產量已超過二億峰瓦（MWP）（見圖一、圖二），但其年產量與世界能源總需求相比仍然相差甚遠，為了在21世紀能得到突破性發(fā)展，一些國家正在圍繞制約太陽能電池地面大規(guī)模普及應用的一些根本問題進行研究，其中一個問題就是接收面積問題，因為太陽能是分散的，為了提供所需的能源，必須有足夠的接受面積。據(jù)測算：為了滿足2000年全球電力的需求，以太陽能電池轉換率10%計算，需要的面積為840km×840km=640000km2，這相當于德國和意大利兩個國家的面積。表一：太陽能電池的五種應用領域駁應用領域促成本效應暢標準系統(tǒng)勇市場潛力島人造衛(wèi)星描的發(fā)電系唯統(tǒng)能佳，最早煮的太陽能繼發(fā)電應用女數(shù)百到千秩瓦鮮量小，但貞發(fā)展穩(wěn)定錘發(fā)展中國啞家居家用陜的太陽能都系統(tǒng)暑佳，市場敏呈穩(wěn)定成參長雞5剪瓦倡至瘡500會0森瓦亮預估世界謠上有十億觸人口沒有痛電網供應貧電力睡工業(yè)應用爪利潤最高盆的太陽能可應用。詞5言瓦特土至蠢1蹄，臟50軋0翅瓦譽公路的急資救電話、胖公路標志應、微波自梯動轉換裝當置、電欄影桿、紗街燈等屆已發(fā)展國節(jié)家建立建蟲筑物整體句性的太陽焰能系統(tǒng)置（緣Buil微ding例Int潛ergr漆ated惰Pho蘋tovo前l(fā)tai綢ac愛s走）吧依據(jù)電力盲成本及政滋府輔助金爛而定吧2擔，寧00乘0監(jiān)瓦朗至運30輸0逃，紫00袋0南瓦牽美國、日底本和德國則發(fā)展他們記已經宣布蚊的「屋頂窄方案」，成市場將超慣過每鏟年辨1雞，園00忌0慢萬瓦剩中央電力拒供應站慚太貴，約條平常電價布三倍。消一百萬瓦時至上千百弱萬瓦薯視石油價靜格及環(huán)保嬸要求而定圖一：全世界1966年~1999年太陽能電池產量（單位MWP）圖二：世界主要太陽能電池公司1991年~1998年產量(單位MWP)光電幕墻及光電屋頂之光電電池基本原理光電幕墻（屋頂）的基本單元為光電板，而光電板是由若干個光電電池（又名太陽能電池）進行串、并聯(lián)組合而成的電池陣列，把光電板安裝在建筑幕墻（屋頂）相應的結構上就組成了光電幕墻（屋頂）。2.1光電現(xiàn)象：1983年，法國物理學家A.E貝克威爾觀察到，光照在浸入電解液的鋅電板產生了電流，將鋅板換成帶銅的氧化物半導體，其效果更為明顯。1954年美國的科學家發(fā)現(xiàn)從石英提取出來的硅板，在光的照射下能產生電流，并且硅越純，作用越強，并利用此原理做了光電板，稱為硅晶光電電池。2.2硅晶光電電池分類：單晶硅光電電池：表面規(guī)則穩(wěn)定，通常呈黑色,效率約14~17%硅晶光電電池可分為單晶硅電池，多晶硅電池和非硅晶電池。多晶硅光電電池：結構清晰，通常呈蘭色,效率約12~14%非硅晶光電電池：特著透明，不呆透明或半薦透眼明蜘,甲透存過鈴12份%揀的光時，江顏色為灰資色，效率說為疤5~7%哨2.域3顯硅晶光電款電池原理橋硅晶光電匹電池的原荒理是基于零光照射到沫硅半導胖體壇P洗N是結而產生睜的光伏效臣應龍（宮Phot赴ovol干trai航cEf符fec輝t洲，縮寫示為吹P暢V菜），它的牧外形結構用有圓形的克和方形的染兩種，其饑結構如圖化（四）所格示刺這是一溫種夸N適+考/那P遞型光電電墳池，它的李基本材料交為激P協(xié)型單晶硅駕，厚度晉在艷0.4m動m堪以下，上外表面睛是峰N裁型層，是賓受光層，蔑它和基體卻在交界面猾處形成一支個愈P勝N加結，煌在陡n放型層上面志制作金屬合柵線，作職為正面柵倒狀電極（麻負極）在誓整個背面脹也制作金子屬膜，作鋸為背面金吼屬電極（豎正極），橫這樣就形仔成晶體硅泥光電電池么。為了減誕少光的反予射損失，桌一般在整廳個表面上掛再覆蓋一農層減反射瓶膜。丙當粉N賤型半導體則和殲P花型半導體尾緊密接觸祝時，在交社界處形訂成幣P膨N勉結舊：正N甩型半導體老的電子鉤和醉P期型半導體帳的空穴，電都會渴向對方擴梅散，從而礎形成一個面內建電場彎。當光照依射取到桑P楊N落結時，如音果光子的態(tài)能量大于湖禁帶寬度勿（對硅而供言，其數(shù)斷值孟為吐1.1e臺v襖），滿帶挺中的電子鳳就會被激夕發(fā)到導帶衰中去，形座成壇由歸N闖區(qū)流昌向拐P電區(qū)的內光仙致電流，范光致電流塞使梅N勤和解P朗區(qū)分別積侍累了負電房荷和正電他從而率在讓P火N秩結上形成同附加的電沉勢差，這吐就是光生況伏打效應思（短P中V礙），如果校將霞P炮N院結兩端與哪外電路相樸連，負載鼠便會有電賞流通過，錄示意圖見宗圖五：填2.理4另光電電池改（太陽電栽池）的效蹈率凱太陽電池時的效率是挺指太陽電單池的輸出澇功弄率役P久M興與投射到違太陽電池項面積上的卻功沒率東P椅s舍之比，其劉值取決于族工作點。竊通常采用游的最大值禍作為太陽懶電池的效言率，如果倒太陽電池歉不許工作于最臥大功率點窮，則太陽呢電池的實折際效率都現(xiàn)低于按此爪定義的效危率值，實檢際效率可虛能更低。君影響太陽嫁電池的效耕率的因素木很多，如豈日照強度表、光譜、案溫度等，遠只有當這測些因素都忌確定時，貝太陽電池靠的效率才針能被確定辣。下面分愧別討論上領述三種因瘦素對太陽松電池效率斧的影響：它日照強票度專S舌：其單位獅是覺W/m肆2盞，在大氣除層之外其宗值最大，酒稱為太陽凳常數(shù)。在介大氣層之名外的日照易強度超為竿S饞≈花1.37檔kw/m智2倡。在地球其表面魚的器S旋值通常在雜零早到重1kw/失m充2發(fā)之間變化營。圖六繪美出了一簇于以多種不辟同蠟S帳值為參數(shù)圣的特性曲炸線。由圖擠可見，短畫路電夕流缺I促SC例隨著日照傾度日S爭的變化而活有較大改恨變，而空存載電不壓齒V尤OC討僅是隨罷著撐S淚的變化而途略有變化節(jié)。暖由上式可武以看出，算效附率蝕η腦僅是隨著釣日照強御度芹S貍的變化而究微弱地變僚化，它們染的關系是堪近似的對磚數(shù)關系。悼當太陽電雖池的最佳然工作點始墾終保持在竹它的最大彈功率點上懷時，太陽張電池具有想相當好潔的忽“應部分負荷議特廢性罩”禁，既它帶牙有部分負長荷時的效茶率不見得飄會比它帶截有額定負燙荷時的效律率小?；覉D竊六襖自不紡同幸S夠對應的曲斤線簇勇光線的波爛長常λ蛇或頻搭率管f擋推：在非單鏈色光的照嗚射下，太勾陽電池的剩效率和光閑譜特性有鋼關。由于喝地球表面遵上日照光狡譜既取決叮與測量瞬速間的天氣債條件（云芒、霧、空探氣、濕度酬等）。因刃為在每一這天中對應楊的時間不咱同，太陽順光線與地屆球表面的上夾角即日飽照投射的陸傾腥角憑θ脂不同，因酸此地球表纖面的日照責光譜取決饒于日照投抖射的傾陜角甜θ寶。螺當熄θ劫不同的時跟候，太陽烘光在大氣獸中所經過壺的距離不浩同，即大蘇氣質望量奶A榴M江不一樣，甚則太陽光嫁譜曲線就云不一樣。應因此，需嶼要給定太零陽電池在劑某一光譜坑下的效率還時，應該贏在相應的水大氣質量任下給定。皆太陽電池姻的效率還憶和溫度有著關。太陽婦電池具有師負的溫度吧系數(shù)，即甲太陽電池白的效率隨貞著溫度的絲上升而下兩降。圖七賠給出了日駛照強度戀為毯1kw/樣m脫2托，而溫度遭變化范圍撒為旁20~7行0園℃舌時效率變益化的情形慌?？捎孟伦嗝娴墓娇咏票硎緦m：年圖店七格臣各種不同杯溫度下太責陽電池的捎特性曲線留η匆=業(yè)η機O·存[1賴-效α拍（賀T-T策O樓）里]廣上式中母，貢η繭O懲=0.駱1隸，慢T忙O罵=憐0虧℃監(jiān)；惑α哭=0.0偵049爭/敵℃宅?？梢钥磳W出，溫度拼每升檢高并1至0巷℃宗，其效率波大約降殃低謹5茅%窮?？秤缮鲜鑫页獋兛梢钥粗瞥觯柮る姵氐男Х柯屎秃芏嗾f因素有關潮。當我們釘定義太陽頁電池的效梨率的時候賺，必須確登定它的工袍作環(huán)境才存能夠得出低明確的效錄率值剖。老螞光電幕墻雨及光電屋洪頂之光電矩板稀基本結搶構印:智蜜上層一般艷為驚4m柴m郊白色玻璃艱，中層為揉光伏電池氧組成光伏尊電池陣列貓，下層替為廈4m鞋m萬的玻璃，火其顏色可源任意，上耗下兩層和劫中層之間域一般用鑄丸膜樹脂雖（婦EV及A炭）熱固而海成，光電豐電池陣列赴被夾在高劍度透明，靈經加固處巴理的玻璃嚴中，在背斃面是接線螞盒和導線惹。模板尺椒寸居：咐500m曬m×50航0m斥m酬至粱2100其mm×3灰500m式m滅。從接線黑盒中穿出虛導線一般螺有兩種構巷造：照片買十九所顯祝示的構造部，是從接剝線盒穿出樣的導線在悉施工現(xiàn)場蹈直接與電尼源插頭相導連，這種專結構比較聞適合于表效面不通透貿的建筑物延，因為僅碑外片玻璃矮是透楚明的；照密片二十所啄顯示的構化造是導線到從裝置的趨邊緣穿出裁，那樣導勢線就隱藏掉在框架之正間，這種鍛結構比較魔適合于透頓明的外立緞面，從室反內可以看艘見此裝置曲。椒光電幕伸墻罵(剛屋吐頂攏)乏光電面積軍設計計算育光電幕潑墻填(居屋權頂揚)戀一般電學建結構峰光學幕再墻釣(后屋漁頂捉)梁結構設計誕可按照?？p璃工程技戀術規(guī)循范剝(JGJ估102)擠,癢建筑玻璃心應用技術躬規(guī)丸程館(JGJ基113芬)促等有關標道準和規(guī)范萄進就行葛,乖這里簡介要其電學設中計。男光電幕悼墻研(榜屋儲頂貢)促電學結構燃一般采用伙單路自然導能完—絡—嚷單蓄電池飛結構，其顆框圖為圖池十三示意輛：慣齡圖十繼三滔嶺單路系統(tǒng)任框圖毅光電幕墻?。ㄎ蓓敚┑炙a生的漲電能，經洽過輸入電餐能變換器妹，轉換成奴能蓄電池卷組要求的咐充電電壓唱和充電電書流，向蓄欺電池充電姐，蓄電池柏容量按用雷戶要求的染無太陽天釘氣連續(xù)供慢電天數(shù)進稻行設計；兔輸出電能鍛變換器，彎將蓄電池旨組中的直押流電能轉協(xié)換成負載刻要求的電挨壓和電流趟及電能形劍式，向負步載供電。愈有些國家奏由于光電糞幕墻（屋算頂）發(fā)出勞電量，經工過逆變器與后可并入順電網，可釋以不設蓄弟電池組，侵中國目前仗還做不到襯這一點。頂所以建議著采用電池用組，在陰嗚雨天氣或擋太陽光少竿的情況下艙，也能保警證一段時毯間的連續(xù)泉供電，由類于輸入電痰能變換器雪和輸出電攔能變換器賓互相獨立切，其設計晶更為容易銅，光能的筆波動對供牲電質量幾葛乎沒有影比響。和光電幕僻墻瑞(賴屋墾頂刑)窯產生電能愿的計算公正式檢:次P版S斗=H×A?！林螃前佟罧覽縣————錦————垃———出—自（濱1嗎）熱P逐S抽—宗—俘光電幕墻鄉(xiāng)（屋頂）廉每年生產梢的電能（蹤兆反焦騙/宰年斃）陜回（溫MJ/匯a錯）鄙H粘—萍—涼光電幕墻戰(zhàn)（屋頂）爽所在地區(qū)宅，每平方江米太陽能宋一年的總儀輻射能蘭（干MJ/m辰2相a繪），可參菊照圖三查稅取。宜A弄—勤—君光電幕墻晚（屋頂）牧光電面積孟（梨m移2己）策η—火—添光電電池禁效率，建線議如下：描單晶硅時：顆η劉=12%湖多晶硅碑：屆η倘=10%畏非晶硅阻：林η倉=8%方K鉤—態(tài)—家參正系數(shù)巨K=K眠1你·K藏2拴·K剛3嗓·K峰4閘·K愛5冷·K媽6嚴各分項系劇數(shù)建議值株如下：袖K錘1嗎—革—吉光電電池么長期運行盲性能參正誤系數(shù)姿，佩K有1誦=0.8層K戒2浩—孕—真灰塵引起嚴光電板透幟明度的性袋能參正系貿數(shù)病，蘇K刊2仙=0.9灶K礦3敢—它—貨光電電池吵升溫導致渡功率下降臘參正系數(shù)暢，梢K跌3插=0.9所K允4拒—盤—吼導電損耗亦參正系數(shù)優(yōu)，守K浮4蜜=0.9魯5抗K全5螞—終—益逆變器效挺率抗，驢K四5徐=0.8謊5忍K擦6憂—餓—紐光電模板航朝向修正琴系數(shù)，其抹數(shù)值可參鴨考表四選散取。券表四熔：居仁光電板朝蛇向與傾角聯(lián)的修正系據(jù)數(shù)賢K催6王幕墻方向刪光電陣列頌與地平面威的傾角委0°騎30°棵60°灑90°翁東滔9掌3騰％堡9挺0繩％配7伯8兄％離5鉛5填％嚼南炎-記東構9差3塌％川9粉6昆％杯8穿8泛％吼6墨6板％圾南寒9宋3概％提10倡0拉％碧9話1損％豪6糞8紋％玉南燃-速西茂9尾3障％膠9心6摧％刷8隔8誕％俱6簽6姓％啊西孟9珠3嗚％黎9珠0哪％廣7譯8府％臥5豐5間％慢光電幕墻衫（屋頂）唱光電面積嘆計算舉例罰：抵[柳已遮知犬]閥：（一）章室內用電減負載：孩1店）睡斗設備一臺向，日均耗喚電糾640槐W·h塊2炒）狠8洋W刻日光龜燈碰6石盞，平均東每天照蜻明仗3漫小時暢3賊）裂愈標稱功屯率的60閉W撲彩電，平而均每天收捷看帥2竿小時云（二）幕繳墻所在地類：北京膚（三）選犬用旭格集殺團或上海浴東連公司乘提供的單只晶硅光電豆板蹈（四）光松電陣列與威地平面傾右角奇為餓90偽°廟，幕墻方厚向南奏[棚求痛]求：光電幕爛墻的光電彎面積容[幟解復]睬：（一）外負載用量臨計算責根據(jù)室內岡負載用電褲要求，日仗均耗電既量班P咳d吸為：慰Pa=6汪40W·秘h+8司×6×3異W·h更+60勤×2W鍛·h憤=904終W·h稱以全年工蛛作殲28偉0宏天計算全裝年的耗電仙總幅量除P趕d阿為：青Pa=銜904諸×280弱×360棋0WS/怨a勞=911亂×10央6緊WS/誓a涌=911書×10井6陜J/a態(tài)（二）光永電幕墻全敞年的產生許電能與室岡內負載全扇年消耗的侮電能相等嶼，則根據(jù)創(chuàng)式敏（毛1補）得：更查圖三：啊北京地區(qū)腐全年每平兵方米太陽率能總輻射飽能約為：輪H=50供MJ/m侄2層a=5朋000×灑10駱6卡J/m澤2輛·a粗單晶硅光潔電板的效當率布η惡=12%發(fā)依浙照去4.封2財節(jié)的建議洪參考數(shù)據(jù)終：軍K=K航1頂·K饞2墓·K瘡3懂·K積4鑒·K罵5淡·K隙6齡=0.8苦×0.9逃×0.9麻×0.9晉5×0.遞85×0抽.68亞=0.3期55峰則恭：煩911母×10榮6表J/a取5000艷×10樣6株×0.1濟2×0.重355丈J/m形2靠a揉=4.3寬m甲2但選用旭格施集團或上怨海東連公鼓司的光電若板，照規(guī)格陽：議1003淡mm×7踐60m魂m代共撫計醉8揮塊災則實際光潔電板的面螺積為：舒1.03澇m×0.絨76m×嶺8止≈護6.3m嶺2仙滿足設計就要求叫光電幕墻癢（屋頂）鉗成本分析第6.1見止光電幕墻曬（屋頂）蛇屬于一種杰特殊的高肺技術建筑兵，幕注墻的初裝必成本高，彎一次性投物資大，只檢有少數(shù)特諒殊建筑物尋采用，它晴要大規(guī)模秘推廣應用裳，關鍵問覺題要大幅嬌度降低成粥本，提高涉性能價格吼比。宿光電幕墻航（屋頂）損的成本主筒要有幕墻沿（屋頂）端的建筑結抄構件（立勾柱橫梁結頁構），光煌電板（光慣電電池經政過封裝及耗組裝形成時的組件）帶附屬設備登（例如獨扇立用戶需迷配置蓄電械池及調節(jié)冬控制器等竟裝置）。例建筑結構霉件與一般漲幕墻（屋院頂）無多滔大差異，曲主要的發(fā)曉展方向在大于降低光貴電電池本歐身及組裝易件的成本駛，提高轉雪換效率和蒸性能，降補低附屬設顏備的投資粒，提高系型統(tǒng)壽命。誓6.2狀逮光電電池纏材料目前光多用單晶節(jié)硅，它的鉛轉換效率弄高，但價磨格昂貴，譜估計短期槍內大幅度握降低成本冰比較困難斧。多晶硅槍光電電池旅比單晶硅倡效率低一撥些，但成田本降低幅率度更大，選效率成本撫比值要高貧一些，地飄面應用的雨上升趨勢按明顯，美圓國、日本臂、臺灣等灰地區(qū)的工倘業(yè)化及商謙品化程度幼較高，例東如美國撇的無Sefo漆Pow識e劫r謊，日本的掩晶都陶瓷湖，臺灣的明茂迪公司位都有相應胞的產品。獨在近期不腹失為光電非幕墻（屋紋頂）推廣騎應用的重瓜要選擇。宜非晶硅光司電電池是能廿世敘紀亦7害0覆年代才發(fā)祥展起來的飄，它不是統(tǒng)采用由硅克原料，硅廳錠、硅片艱到光電板瓜組件的工協(xié)藝，而是根直接由原末材料到光碎電板組件哥的低溫工甜藝，耗材史少，（單虧晶硅膜厚卡約柿5德0止μ膛m扛，非晶硅罪膜薪厚瓜1~鑒2密μ已m巖），便于孕大面積連緊續(xù)生產，傘能在任何服形狀的襯太底上制作秋，可用玻嗓璃，不銹娘鋼，聚合玻物等綠為襯底，狂直接做成桑光電幕墻半面板和光忌電屋頂瓦第，安裝容削易。并能餅做成投射刺部分可見籮光的光電傍板，非晶敬硅電池對報溫度依賴島不明顯：能例如工作蠶溫度控從賤3祝0爹℃于上升警到君6禮0孫℃駝，其功輸阿出幾乎沒濟有變化，斧而單晶硅膊，多晶硅離功率輸出濱將下辜降局20痕%唐，由于非鴨晶硅電池消有上述優(yōu)賊點，并在降降低成本黨方面有巨乎大潛力，酬如果提高勾大面積?；逍始皦究朔馑ㄍ说炔蛔銥I之處，有野進一步改插良的話，踏可能是光存電幕墻（棒屋頂）大標規(guī)模應用望的主選產修品。溉6.3儉錄光電電池覽組件（光危電板）成幅本：融太陽電池明經過封裝字及組裝工鎖藝形成組沫件，即使督在嚴峻環(huán)嚷境下它也掃應得到最新佳保護，揚同時也要兄達到結構除的強度要懷求及易于句安裝。晶末體硅太陽玻電池的常愉規(guī)結構是刑：?？琢ш帯禘V模A臥—粗PV披F籠復合膜。川其結構示遺意圖見圖紐十四。玻岡璃采用低低鐵的透光宣性良好的北白玻璃，者這樣的組還件壽命可餃達丘2夜0姿年，先進登國家的確目標是要道達為到徐3雖0腿年。另一童種結構是挑電池背面赤的襯底可吃采用環(huán)氧共板或鋁板朗，正面采刻用透明漲的投PV壞F睛膜。由于庫其重量輕羽，可在特穩(wěn)殊用途使償用，但壽惑命達不到影玻璃封裝增的水平。悼可靠性高泰的非晶硅挑太陽電池幼組件的封宣裝是采用序玻桃璃膛—椒透明導電柱電攜膜妨—朽集成太陽拒電池叉膜炮—涼鋁臉膜校—含EV繳A夕—它玻璃（音或項PV落F量復合膜）陶。雙玻璃詠封裝對非陳晶硅太陽勁電池有較旅好的環(huán)境死保護作用閉。冰組件裁中科EV呈A護為乙烯聚慌醋酸乙烯班脂。這種燕粘結膠是宋乙烯與醋疫酸乙烯脂及的共聚物轉，其中醋汁酸乙烯脂鉤的含量政約擔33香%珍。從戶外番多年使用給結果看，室紫外線強偉及溫度高縮的地區(qū)，憑多年使用岸后牙EV瞎A喊會變微黃帶，踐EV絕A拖性質造就奶光熱衰退卡是這種變丸化的主要腸原因。在勁美國西部認，一飼般短4念年后就能評看出，但民美國中部洋、東部及攜西歐沒有響發(fā)賭現(xiàn)欠EV銳A教變黃。目逗前正開發(fā)薯耐紫外線勇性能更好盡的尿EV守A斤。喘EV君A笑一般粉在蔬15役0單℃計左右進行碑固化交聯(lián)尊，近年研嫌制的快速恒固吩化寸EV叮A泊可使固化彼時間減少敢一半，有窗利于提高奮產率。組穗件上面的冰玻璃添加寬微量的氧料化鈰有阻蚊擋紫外線梁的作用，第可大幅度好降倒低湯EV翠A避變黃的程晝度。進口親的太陽電紛池用玻璃成一般都添喂加了微量興氧化鈰。至我國西藏灰安裝并工枯作差了比6塵年巷及酒1賀0券年的光伏殖電站中的翅組件也混有成EV悶A蓋變黃的現(xiàn)艷象，應引奴起重視。幫低倍聚光誠會加滑速儀EV單A藍變黃，在莫應用時要滿注意。籮近年來封擔裝材料國嗚產化已取海得一定進翠展須。驗EV役A瑞材料基本清能滿足質抓量要求而析不需依賴鼻進口洪。芹PV茂F京（聚氟乙線烯）復合兄膜具有良堂好的耐候犬性校，蝦PV攏F磨膜朵/錯聚脂扛膜銳/PV幼F杜膜所組成雖的復合盆膜，國內仍產品質量綱有待進一琴步改進。融低鐵白玻閣璃由于國羨內用量不辮多，不易統(tǒng)形成專業(yè)踏產品投產霞。進一步臘提高國宿產暴EV破A雖及吉PV裁F叢復合膜的及質量，對李降低國產雄太陽電池泡組件的成兩本及提高田壽命具有扭明顯意義密6.4閑圖成本分析唯如果國內滲晶體硅電捆池工廠只城進口關鍵希設備及采剪用國內技州術，由于刮生產比較遞滿負荷，軍設備折舊塊負擔較小絨。目前組肅件的成本累約為人民快幣選2遼0吧元吸/棋W缺，其中硅養(yǎng)片工序約客占晌40集%松，電池工巷序約郊占棋25呼%勝，組件封敲裝工藝等芽費用約知占衫35浙%茂。引進技詢術及設備賓的悔1M伐W正生產線，攔如產量能嚴達到設計佩標準，在政良好的經突營管理條希件下，成卸本也可降你為創(chuàng)2發(fā)0董元洲/站W機左右。但放實際上由塞于各種因蒙素的制約貌，成本高鬧到奇3春0默元詢/W~3眠5干元僻/鏡W蔥。策1M噴W犬非晶硅生的產線，如節(jié)產量能達略到設計標擾準并有良怖好的經營患管理，成抹本可降躍到祥1撕2累元鳴/慨W雞左右，其泳中材料及獅電費約質占相50喝%教，人工及握管理費約徒占紀20傅%白，設備及雖廠房占地剩費約賄占疏30駁%迎。部美國能源其部虧在朋199痕0有年對太陽塘電池組件杠的成本進銹行了預測截。各種太緞陽電池成劍本間的相革對關系具旗有參考價貢值，見表觸五。組件防的成本與夕工廠的產改量有明顯羞關系，變改化情況可是從表六中林看出。老表蹈五微液地面太陽足電池組件夸的制造成必本預測嗓（撲199包0懷年美元計軌價）糞項目壞199縮0挨年不成引本屆/盆價格塊（美元）萬199岡5席年挑成秒本迅/乏價格拾（美元）廊200煎0定年奔成殺本額/嗎價格毀（美元）爹201制0壟年也成痰本替/格價格縱（美元）花單晶硅太起陽電池漿3.25星/5.4文0就2.40與/4.0榴0秘2.00徑/3.3套3珍1.50詢/2.5爛0背多晶硅太委陽電池致3.00塌/5.0橡0論2.00沙/3.3腫3曉1.50泳/2.0蓄0認1.30傷/2.2拉0赴硅帶太陽線電池飛3.60獸/6.0柱0糊3.00胃/5.0梢0智2.40額/4.0垮0障1.50腹/2.5俗0翅聚光系統(tǒng)賀太陽電池殃7.00篩/5.0娃0優(yōu)2.00爆/3.3碧3詞1.20嘉/2.0餓0往1.00扎/1.6臟7競非晶硅太釣陽電池謎3.00納/5.0暗0回2.00底/3.3增3狠1.20睡/2.0弊0炒0.90鎮(zhèn)/1.5悉0澡低價格常區(qū)規(guī)預測反5.00句3.75復2.50爬2.00肚低價格加衰速預測搞4.00惠3.25藍2.00吧1.50豬表牌六份就光伏組件小生產長的款產量與組戒件成本關殿系挑生產量說（銳M免W允）令組件成本遇（美暈元外/誼W朋）儉0.5漸5.31翠15勉1.8法500冤0.85魯目前晶體屑硅太陽電接池先進工灰廠的年產吹能力已達掠到休15MW年~20M屬W往。當晶體箭硅太陽電跪池正式進忘入大規(guī)模歌生產時成法本會進一頌步下降，問能否下降朋到具有和糾常規(guī)能源托競爭的能胡力，是人追們密切關崇心的霸。訪B嬌P僅公司燒以切Brut遍o鍵n鑄為首的權泳威性工業(yè)從專家組進占行了一項糾由歐共體多支持的重咽要研究，荒結論是建才立一嗽個腦500M冒W班的晶體硅殲太陽電池蟻組件工廠罩，沒有設嘉備及原材曉料方面的米障礙。對卻大部分的障晶體硅太共陽電池技儀術，按這天一水平的滾生產成本殖將接近或獻低借于常1職歐葉元棵/M押W縮。媽此研究確味認，隨著仿市場的擴闊大，太陽萬電池組件筐的價格將沿下降。產證量里為批500M貴W爐時，各種皇方法制作蒸的晶體硅稍太陽電池估成本見表湊七。蛛表沖七薯500塌M來W燦產量下各拉種方法制碗作的晶體橫硅太陽電則池成本（受歐專元頂/描W贊）域種類編號張生產方法剪電池工藝蕉錠成本套切片成本協(xié)電池成本澇組件成本碑總成本她1匠多晶硅羞絲網印刷淋0.28印0.22惠0.11付0.30帶0.91待2催單晶硅揚絲網印刷雨0.62例0.21姑0.12掃0.31斗1.25獻3喂單晶硅桿刻槽埋柵催0.55語0.18些0.14除0.28雹1.15蘆6暈單晶硅爭局部背場哪0.50糾0.18改0.83背0.27畢1.18乒7具硅帶木（別EF縣G域）敘線網印刷凡0.28萬0.00氏0.11步0.32憶0.71吊一項歐共批體支持的扇研究表明黎，建劃立愧60M州W蛙的薄膜太易陽電池組鏡件工廠成愚本能達美到銜1礎歐踩元風/南W畏成本。被遺選用的薄幟膜技術包量括非晶硅撓太陽電池虹、碲化鎘驗太陽電池長、銅銦硒紐太陽電池心，但目前阻投產的風易險比晶體怎硅電池大罪。從長期嚼考慮，建待議對碲化裕鎘太陽電洗池及銅銦綢硒太陽電優(yōu)池要建立崇材料回收誤技術。具譯體的成本擊情況見表簽八。蒼表王八勉60M柿W狂生產線薄肢膜電池生疫產成本情思況貪生產成本社非晶體硅刊電池控CI莊S財電池濾CdT輩e失電池琴風險者低緞中桂低期中造低科/饒中觀中茄/罷高菌組件效率州（鞠%誕）并8睡9友10盆12初10墳12民全部直接段人工（歐錘元）貸190罰184后213妙204顆350忍314預生產投資批（兆歐元艱）堅35.7飾33忠47.0享46.0諒25.6聽23.2手直接成本笨（歐鬧元育/W夕P富）衰

放

遣

罷

古

附

涌材料獲0.35竿0.34理0.36錘0.31然0.38族0.32叫人工憂0.08頃0.08宇0.10基0.09譯0.15慎0.14添可變管理辮成本渠0.05輝0.05英0.06殖0.05歡0.05蔥0.05袍固定成本判0.12懲0.11罵0.16朝0.15石0.08禁0.07沒總生產成叨本雪0.6攝0.59士0.68裁0.60逢0.66充0.58約我國光伏油發(fā)電的配賀套系統(tǒng)（晨系統(tǒng)平衡去）價格約畫為咬3唱5蠢元畝/W~5荷0患元晶/羅W歉（不含太舉陽電池組爆件），成纖本相對較性高，部謝分原因是現(xiàn)沒有較大證批量的生佛產，這方廣面的成本且較難估算旨，且各種孝系統(tǒng)由于刑應用場合柔不同，配百套系統(tǒng)會慎有大的變圾化。應加凝強研究，動使之工業(yè)嫩化、規(guī)范銷化、系統(tǒng)訊化并達到秀批量生產術，售價可保望降虛到仙2固0戚元災/筒W籮左右。這表鹿九宿個中國商品溜化橡10k拌W物光電幕墻你（屋頂）舉的售價分忠配預算給項目費靠費用（桐元漲/W測P獨）秒項目費勿費用（稅元蘭/W嶄P釋）流太陽電池觸組件叫37角間接費用這5.7蔽支架等組遣陣系統(tǒng)平立衡費用技9.7墓蓄電池鬧23從功率控制諸7扭合計紅82.4談多年來，游我國太陽豈電池組的陸成本以平踏均每丘年攤5枯%憑的速度下寧降。隨著蜂技術進步高及產量的登擴大，國而內外太陽般電池組件穿的成本都鄰會繼續(xù)下拘降。國內恭光伏發(fā)電霧系統(tǒng)的平栽衡構件還伯未形成批碎量生產規(guī)兄模，達到勤一定產量握時，成本未會明顯下駝降。助光電幕墻評（屋頂）這在中國的報大規(guī)模推渴廣應用，糖除了有關夏研究開發(fā)牙機構及公瘦司企業(yè)進姻一步努力堡之外，很默重要的一熱個方面，腔還需要政鳴府有關機烘構和部門再對其重要役性和迫切汁性進一步許提高認識清，進一步偶擴展其戰(zhàn)龜略規(guī)劃和內發(fā)展計劃航，進一步恒制訂有效螺的扶持政挺策和措施戲，進一步亂加強指導般和引導，端使光電幕瘦墻、光電謝屋頂在不尿太長的時蹄間內，大仍規(guī)模合理尚應用，大中規(guī)模健