結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

電子技術(shù)向志軍結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管1場(chǎng)效應(yīng)管的類型2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)3結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理4結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線01場(chǎng)效應(yīng)管的類型場(chǎng)效應(yīng)管FET

(FieldEffectTransistor)類型：結(jié)型

JFET

(JunctionFieldEffectTransistor)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱MOSFET，即Metal-Oxide-SemiconductortypeFieldEffectTransistor)增強(qiáng)型：NMOS、PMOS耗盡型：NMOS、PMOSMOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的類型場(chǎng)效應(yīng)管的類型02結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——結(jié)構(gòu)N基底：N型半導(dǎo)體PP兩邊是P區(qū)G(柵極)S源極D漏極導(dǎo)電溝道NPPG(柵極)S源極D漏極N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGSDGS結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——結(jié)構(gòu)PNNG(柵極)S源極D漏極P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGSDGS結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——結(jié)構(gòu)03結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理PGSDUDSUGSNNNNUGS=0V，導(dǎo)電溝道最寬ID最大。由于PN結(jié)反偏，UGS越大則耗盡區(qū)越寬，導(dǎo)電溝道越窄。UDS較小時(shí)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——工作原理以P溝道為例UDS較小時(shí)PGSDUDSUGSNNNN但當(dāng)UGS較小時(shí)，耗盡區(qū)寬度有限，存在導(dǎo)電溝道。DS間相當(dāng)于線性電阻。UGS越大耗盡區(qū)越寬，溝道越窄，電阻越大ID越小。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——工作原理PGSDUDSUGSNNUDS較小時(shí)UGS達(dá)到一定值時(shí)（夾斷電壓VP）,耗盡區(qū)碰到一起，DS間被夾斷，漏極電流是ID=0。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——工作原理04結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線UGS0IDIDSSVP飽和漏極電流夾斷電壓轉(zhuǎn)移特性曲線一定UDS下的ID-UGS曲線結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——特性曲線予夾斷曲線IDUDS2VUGS=0V1V3V4V5V可變電阻區(qū)夾斷區(qū)恒流區(qū)輸出特性曲線0結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——特性曲線N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線UGS0IDIDSSVP結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管——特性曲線輸出特性曲線IDUDS0UGS=0V-1V-3V-4V-5VN溝