2023-2024年通信電子計算機技能考試-平板顯示技術(shù)考試考試題庫（含答案）

2023-2024年通信電子計算機技能考試-平板顯示技術(shù)考試考試題庫（含答案）（圖片大小可任意調(diào)節(jié)）第I卷一.全考點試題庫(共15題)1.描述IPS技術(shù)的顯示原理。

正確答案:以p型液晶的IPS技術(shù)為例。在未加電壓下，入射光通過上偏振片的線性偏振光在液晶屏內(nèi)從上到下旋轉(zhuǎn)90°后，到下偏振片時，正好與偏振片的光軸方向垂直，不透光，呈現(xiàn)黑態(tài)（或關(guān)態(tài)）。在電極之間施加一個足夠的電壓，會相應(yīng)的產(chǎn)生一個電場E，使液晶分子重新排列后，沿電場方向排列，透過上偏振片的線偏振光經(jīng)過液晶分子到下偏振片后，與下偏振片的光軸平行，透光，呈現(xiàn)亮態(tài)（或開態(tài)）。2.簡述濺射成膜的原理，并舉例說明哪種薄膜采用濺射方法成膜。

正確答案:在一定真空條件下，通過外加電、磁場的作用將惰性氣體電離，用加速的離子轟擊固體表面，離子和固體表面原子交換動量，使固體表面的原子離開固體并沉積在基板表面的過程。被轟擊的物體是用濺射薄膜的源材料組成的固體稱為靶材。

柵金屬材料有工藝穩(wěn)定性好的鉻Cr、鉬Mo、鉭Ta等；源漏材料有鉬/鋁/鉬Mo/Al/Mo、鉬氮/鋁鎳/鉬氮MoNx/AlNi/MoNx、鉬/鋁釹/鉬Mo/AlNd/Mo等三層材料；像素電極ITO薄膜材料都采用濺射方法成膜。3.請畫出常白型TN液晶顯示器的顯示原理圖，并簡述顯示原理。

正確答案:常白模式液晶顯示器的上下兩個偏振片透光的光軸垂直，內(nèi)部液晶分子從上到下剛好扭曲90°。不外加電壓時，液晶顯示器為透光狀態(tài)，為亮態(tài)；加上外界電場后，隨電場的增加透過的光強逐漸減小，最后透光率趨近于零，為暗態(tài)，可以實現(xiàn)在白色背景上顯示黑色圖案。

4.簡述干法刻蝕的物理作用和化學(xué)作用。

正確答案:物理作用的刻蝕類似于濺射成膜的原理，利用惰性氣體的輝光放電產(chǎn)生帶正電的離子，在電場作用下加速吸引到下電極上面的基板上，轟擊刻蝕薄膜的表面，將薄膜原子轟擊出來的過程。常用的惰性氣體有氦氣（He）、氬氣（Ar）等。作用過程完全利用物理上能量的轉(zhuǎn)移進(jìn)行的，具有很強的刻蝕方向性，可以獲得高的各向異性刻蝕斷面，線寬控制非常好。

化學(xué)作用的刻蝕是一種純粹的化學(xué)反應(yīng)，利用各種源如射頻、微波等，將氣體電離產(chǎn)生化學(xué)活性極強的原子團(tuán)、分子團(tuán)等，擴散到刻蝕薄膜的表面與薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生產(chǎn)易揮發(fā)的反應(yīng)生成物，由真空泵抽離真空反應(yīng)室。由于只有化學(xué)反應(yīng)發(fā)生稱之為化學(xué)反應(yīng)刻蝕，類似于濕法刻蝕。只是反應(yīng)物和生成物都是氣態(tài)的，且由反應(yīng)物的等離子體決定刻蝕速率。5.以ITO陽極-空穴傳輸層-發(fā)光層-電子傳輸層-金屬陰極結(jié)構(gòu)OLED為例說明每一功能層的作用，并簡述其工作原理。

正確答案:空穴傳輸層（HTL）負(fù)責(zé)調(diào)節(jié)空穴的注入速度和注入量，電子傳輸層（ETL）負(fù)責(zé)調(diào)節(jié)電子的注入速度和注入量，注入的電子和空穴在發(fā)光層中因庫侖相互作用，結(jié)合在束縛狀態(tài)中形成激子，激子衰變輻射出光子。陽極ITO起到導(dǎo)電和空穴注入電極的作用，金屬陰極起到導(dǎo)電和電子注入電極的作用。

有機電致發(fā)光的發(fā)光過程：

（1）載流子的注入。電子和空穴分別從陰極和陽極注入夾在電極之間的有機功能薄膜層。包括隧穿注入和熱發(fā)射注入。

（2）載流子的傳輸。載流子分別從電子傳輸層和空穴傳輸層向發(fā)光層遷移，將注入至有機層的載流子運輸至復(fù)合界面處。

（3）載流子復(fù)合?？昭ê碗娮釉诎l(fā)光層中相遇，復(fù)合。

（4）激子產(chǎn)生，并通過輻射和非輻射過程釋放能量。有機固體中的最低能量激發(fā)態(tài)分為單線態(tài)和三線態(tài)，前者導(dǎo)致熒光發(fā)射，后者導(dǎo)致磷光發(fā)射。6.簡述液晶顯示器的分類及英文縮寫。

正確答案:液晶顯示器主要分為無源矩陣和有源矩陣液晶顯示器。無源矩陣液晶顯示器又包括TN、STN、HTN、FSTN、ECB、鐵電液晶、Ch-N相轉(zhuǎn)變模式等液晶顯示器。有源矩陣液晶顯示器又包括二端子和三端子器件兩類。二端子器件有MIM、MSI（SiNx硅氧化膜）、DR、BTB二極管、Pin二極管/（a-Si）等。三端子器件主要有MOSFET和TFT，TFT有非晶硅a-SiTFT、多晶硅p-SiTFT、氧化物ZnOTFT、化合物CdSeTFT，CdSTFT、有機TFT（OTFT）等。

7.傳統(tǒng)的液晶注入方式的工藝流程。

正確答案:8.IPS技術(shù)為什么有硬屏之稱？通過與其他廣視角技術(shù)對比舉例說明。

正確答案:IPS技術(shù)的液晶屏內(nèi)液晶分子排列呈水平狀。當(dāng)遇到外界壓力時，分子結(jié)構(gòu)向下稍微下陷，但整體分子還是呈現(xiàn)水平狀排列。比較硬，沒有閃光現(xiàn)象，用手輕輕按或劃不容易出現(xiàn)水紋樣變形，又有硬屏之稱。但VA型液晶屏內(nèi)液晶分子垂直排列，輕按后出現(xiàn)大面積明顯的閃光區(qū)域，就是俗稱的水紋現(xiàn)象。IPS硬屏的分子復(fù)原速度更快，消除了敲擊軟屏?xí)r難以避免的殘影，顯示效果清晰。IPS技術(shù)的液晶屏穩(wěn)定性、抗壓性高，動態(tài)畫面表現(xiàn)好。9.簡述能量轉(zhuǎn)移再復(fù)合發(fā)光的優(yōu)點。

正確答案:1）可以得到紅、藍(lán)、綠三色的OLED器件，也可以實現(xiàn)OLED的全彩色化顯示；

2）將能量轉(zhuǎn)移給熒光效率更強的客體發(fā)光材料，可以增加整個OLED器件的發(fā)光效率；

3）通過選擇合適的客體材料，可以增加OLED器件的壽命。10.簡述MIS結(jié)構(gòu)表面電荷的變化？

正確答案:當(dāng)在金屬與半導(dǎo)體之間加電壓后，在金屬和半導(dǎo)體相對的兩個面上就被充電，帶上等量異號的電荷。兩者載流子密度不同，電荷分布情況亦不相同。在金屬中自由電子密度很高，電荷基本上分布在一個原子層的厚度范圍之內(nèi)；在半導(dǎo)體中自由載流子密度要低得多，電荷必定分布在一定厚度的表面層內(nèi)，這個帶電的表面層稱為空間電荷區(qū)。在空間電荷區(qū)內(nèi)的電場逐漸減弱，到空間電荷區(qū)的另一端電場減小到零?？臻g電荷區(qū)內(nèi)電荷的分布情況隨金屬與半導(dǎo)體間所加的柵極電壓而變化，基本上可分為積累、耗盡、反型三種情況。11.簡述層間清洗的作用。

正確答案:背溝道阻擋結(jié)構(gòu)中第一層的SiOx絕緣膜制作完成后加了一道清洗。兩層絕緣膜之間加的這次清洗稱為層間清洗，作用是為減少針孔。12.在一個演出的場合需要使用200英寸以上的顯示器，你選擇哪種顯示器？為什么？選

正確答案:擇發(fā)光二極管顯示器。因為發(fā)光二極管顯示器是采用無數(shù)個小發(fā)光二極管拼接組成的顯示器。不受組裝數(shù)量的限制，適合于大型、戶外顯。13.描述采用ODF工藝的制屏工藝流程。

正確答案:ODF工藝是用液晶滴下機滴入液晶，可以形成均一的液晶屏。滴下液晶后，在真空中把涂布有邊框膠、滴有高精度量液晶的基板和均勻散布隔墊物的基板，通過高精度的對位后貼合在一起，再經(jīng)過UV照射和加熱固化邊框膠、液晶再取向等工藝技術(shù)形成液晶屏。14.簡述背溝道阻擋結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點。

正確答案:優(yōu)點是a-Si：H層可以做得比較薄，一般厚度是300~500?，薄膜的生產(chǎn)性好，關(guān)態(tài)電流很??；刻蝕選擇比大，刻蝕條件寬松，工藝簡單；缺點是比背溝道刻蝕型結(jié)構(gòu)要多增加一次光刻，成本增加，節(jié)拍時間長。15.簡述單像素雙疇FFS模式的實現(xiàn)的原理。

正確答案:雙疇的FFS結(jié)構(gòu)中，共用