芯片爆米花現(xiàn)象

關(guān)于芯片爆米花現(xiàn)象第1頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月高溫－損傷元器件第2頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月受潮器件再流焊時(shí)，

在器件內(nèi)部的氣體膨脹使邦定點(diǎn)的根部“破裂”平焊點(diǎn)第3頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月“爆米花”現(xiàn)象

PBGA器件的塑料基板起泡

第4頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月“爆米花”現(xiàn)象機(jī)理:水蒸氣壓力隨溫度上升而增加第5頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月典型共晶SnPb回流峰值溫度為2200C，水蒸氣壓力約17396毫米。無鉛焊SnAgCu的熔點(diǎn)2170C，即便一塊相對小的記憶卡或手機(jī)板也需要230~2350C的峰值溫度，而大而復(fù)雜的產(chǎn)品可能需要250~2600C。此點(diǎn)水蒸氣壓力為35188毫米，是2200C時(shí)的兩倍，因此任何焊接前吸潮的器件在回流焊過程中都會造成損壞的威脅。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，如果SnPb器件定級為MSL3，無鉛制程時(shí)將至少減到MSL4。第6頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月SMD潮濕敏感等級敏感性芯片拆封后置放環(huán)境條件拆封后必須使用的期限（標(biāo)簽上最低耐受時(shí)間）1級≤30℃，<90%RH無限期2級≤30℃，<60%RH1年2a級≤30℃，<60%RH4周3級≤30℃，<60%RH168小時(shí)4級≤30℃，<60%RH72小時(shí)5級≤30℃，<60%RH48小時(shí)5a級≤30℃，<60%RH24小時(shí)（1）設(shè)計(jì)在明細(xì)表中應(yīng)注明元件潮濕敏感度（2）工藝要對潮濕敏感元件做時(shí)間控制標(biāo)簽（3）對已受潮元件進(jìn)行去潮處理第7頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月“爆米花”現(xiàn)象解決措施（a）器件供應(yīng)商正在努力爭取2600C的MSL3目標(biāo)，但達(dá)到此目標(biāo)需要時(shí)間，目前我們只能繼續(xù)使用2200CMSL3的器件。因此必須采取仔細(xì)儲存、降級使用，將由于吸潮器件失效的風(fēng)險(xiǎn)減到最少。第8頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月（b）嚴(yán)格的物料管理制度建立潮濕敏感元件儲存，使用，烘烤規(guī)則的B0M表。領(lǐng)料時(shí)進(jìn)行核對器件的潮濕敏感度等級。對于有防潮要求的器件，檢查是否受潮，對受潮器件進(jìn)行去潮處理。開封后檢查包裝內(nèi)附的濕度顯示卡，當(dāng)指示濕度＞20％（在23℃±5℃時(shí)讀?。?說明器件已經(jīng)受潮，在貼裝前需對器件進(jìn)行去潮處理。去潮的方法可采用電熱鼓風(fēng)干燥箱，根據(jù)潮濕敏感度等級在125±1℃下烘烤12~48h或125±5℃下烘烤24h。第9頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月（c）另一解決措施。選擇具有優(yōu)良活性焊劑的SnAgCu焊膏，通過優(yōu)化再流焊工藝，將峰值溫度降到最低（230~2400C），在接近Sn63/Pb37，在回流峰值僅高于Sn63/Pb37溫度100C的情況下，將由于吸潮器件失效的風(fēng)險(xiǎn)減到最少。(d)再流焊時(shí)緩慢升溫（輕度受潮時(shí)有一定效果）。第10頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月去潮處理注意事項(xiàng)：a應(yīng)把器件碼放在耐高溫(大于150℃)防靜電塑料托盤中進(jìn)行烘烤；b烘箱要確保接地良好，操作人員手腕帶接地良好的防靜電手鐲；c操作過程中要輕拿輕放，注意保護(hù)器件的引腳，引腳不能有任何變形和損壞。

第11頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月對于有防潮要求器件的存放和使用：開封后的器件和經(jīng)過烘烤處理的器件必須存放在相對濕度≤20％的環(huán)境下（干燥箱或干燥塔），貼裝時(shí)隨取隨用；開封后，在環(huán)境溫度≤30℃，相對濕度≤60％的環(huán)境下，在規(guī)定時(shí)間內(nèi)完成