專升本《CMOS模擬集成電路分析與設計》試卷答案

專升本《CMOS_試卷_答案專升本《CMOS模擬集成電路分析與設計》一、〔75150〕GordonMoore在1965〔〕個月翻一番〔2分〕A.12B.18C.20D.24.標準答案：BMOS管的小信號輸出電阻是由MOS管的〔〕效應產(chǎn)生的?！?〕A.體B.襯偏C.溝長調(diào)制.標準答案：C在CMOS模擬集成電路設計中，我們一般讓MOS管工作在〔〕區(qū)。〔2〕A.亞閾值區(qū)B.深三極管區(qū)C.三極管區(qū)D.飽和區(qū).標準答案：DMOS管一旦消滅〔〕現(xiàn)象，此時的MOS管將進入飽和區(qū)?！?〕A.夾斷B.反型C.導電D.耗盡.標準答案：A〔〕表征了MOS器件的靈敏度?！?分〕A.B.C.D..標準答案：CCascode放大器中兩個一樣的NMOS管具有不一樣的〔〕?！?〕A.B.C.D..標準答案：B根本差分對電路中對共模增益影響最顯著的因素是〔〕?！?分〕A.尾電流源的小信號輸出阻抗為有限值B.負載不匹配CMOS不匹配D.電路制造中的誤差.標準答案：C以下電路不能能使用半邊電路法計算差模增益〔〕。〔2分〕A.二極管負載差分放大器B.電流源負載差分放大器C.有源電流鏡差分放大器D.CascodeCasocde.標準答案：C鏡像電流源一般要求一樣的〔〕?！?分〕A.制造工藝器件寬長比器件寬度W器件長度L.標準答案：D某一恒流源電流鏡如以下圖。無視M3的體效應。要使和嚴格相等，應取為〔〕。〔2分〕A.B.C.D..標準答案：A選擇題:以下構造中密勒效應最大的是〔〕。〔2分〕A.共源級放大器B.源級跟隨器C.共柵級放大器D.共源共柵級放大器.標準答案：A以以下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為抱負放大器。請計算該電路的等效輸入電阻為〔〕。〔2分〕A.B.C.D..標準答案：A對電路進展直流工作點分析的Hspice命令是〔〕?！?分〕A.DCB.ACC.OPD.IC.標準答案：C模擬集成電路設計中的第一步是〔〕。〔2分〕A.電路設計B.幅員設計C.規(guī)格定義D.電路構造選擇.標準答案：C〔〕可提高圖中放大器的增益?！?〕減小，減小B.增大，增大C.增大，減小D.減小，增大.標準答案：A模擬集成電路設計中可使用大信號分析方法的是〔〕?！?分〕A.增益輸出電阻C.輸出擺幅D.輸入電阻.標準答案：C模擬集成電路設計中可使用小信號分析方法的是〔〕?！?分〕A.增益B.電壓凈空C.輸出擺幅D.輸入偏置.標準答案：A在NMOS中，假設會使閾值電壓〔〕〔2分〕A.增大B.不變C.減小D.可大可小.標準答案：ANMOS管中，假設VB變得更負，則耗盡層〔〕?！?分〕A.不變B.變得更窄C.變得更寬D.幾乎不變.標準答案：C隨著微電子工藝水平提高,特征尺寸不斷減小,這時電路的工作電壓會〔〕〔2〕A.不斷提高B.不變C.可大可小D.不斷降低.標準答案：DMOS管漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量是〔〕?！?分〕電導B.電阻C.跨導.標準答案：C工作在飽和區(qū)的MOS管，可以被看作是一個〔〕。〔2分〕A.恒壓源電壓把握電流源C.恒流源D.電流把握電壓源.標準答案：B密勒效應最明顯的放大器是〔〕。〔2分〕A.共源極放大器B.源極跟隨器C.共柵極放大器D.共基極放大器.標準答案：A不能直接工作的共源極放大器是〔〕共源極放大器。〔2分〕A.電阻負載B.二極管連接負載C.電流源負載D.二極管和電流源并聯(lián)負載.標準答案：C模擬集成電路設計中的最終一步是〔〕?！?分〕A.電路設計B.幅員設計C.規(guī)格定義DB在當今的集成電路制造工藝中，〔〕工藝制造的IC在功耗方〔2〕A.MOSBOSC.BipolarD.BiCMOS.標準答案：BMOS器件小信號模型中的mbg是由MOS管的〔〕效應引起。〔2〕A.二級B.襯偏C.溝長調(diào)制D.亞閾值導通.標準答案：BPMOS管的導電溝道中依靠〔〕導電?！?分〕A.電子B.空穴C.DB當MOS管的寬長比是定值時，其跨導與漏源電流的關系曲線是〔〕。ABCD〔2〕A.見圖B.見圖C.見圖D.見圖.標準答案：D假設MOS管的柵源過驅(qū)動電壓給定，L越〔〕，輸出電流越抱負。〔2〕A.大B.小CWD.準確.標準答案：AMOS電容中對電容值奉獻最大的是〔〕。〔2分〕A.GSCB.GDCC.DBCD.SBC.標準答案：A下面幾種電路中增益線性度最好的是〔〕?！?分〕A.電阻負載共源級放大器B.電流源負載共源級放大器C.二極管負載共源級放大器DC電阻負載共源級放大器中，以下措施不能提高放大器小信號增益的是〔〕〔2〕A.增大器件寬長比B.增大負載電阻C.降低輸入信號直流電平DL.標準答案：D電阻負載共源級放大器中，讓輸入信號從VDD下降，NMOS管首先進入〔〕〔2〕A.亞閾值區(qū)B.深三極管區(qū)C.三極管區(qū)D.飽和區(qū).標準答案：B以以下圖的共源共柵放大器中，選擇適宜的偏置電壓VB，讓輸入Vin0MOS管是〔〕。〔2分〕A.M1B.M2C.兩個同時進入D.都有可能.標準答案：D下面放大器的小信號增益為〔〕。〔2分〕A.omrg-B.smomRgrg+-1C.1D.理論上無窮大.標準答案：A以下不是根本差分對電路中尾電流的作用的是〔〕。〔2分〕A.為放大器管供給固定偏置B.為放大管供給電流通路C.減小放大器的DD以以下圖電流鏡的輸出電壓最小值為〔〕?！?分〕A.thODVV22+B.thODVV+2C.ODV2D.GSODVV22+.標準答案：C以以下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為抱負放大器。請計算該電路的等效輸出電阻為〔〕?！?〕A.AR+1B.AR11+C.AR+1D.AR11+.標準答案：B〔〕可提高圖中放大器的增益?！?分〕A2,1?????LWB.2,1LC2,1?????LWD2,1W.標準答案：CMOS管的端電壓變化時，源極和漏極〔〕互換?！?分〕A.能B.不能C.不知道能不能D.在特別的極限狀況下能.標準答案：ACMOS工藝里不簡潔加工的器件為〔〕?！?分〕A.電阻B.電容C.電感D.MOSCMOS管的特征尺寸通常是指〔〕?！?分〕A.WB.LC.W/LD.tox.標準答案：BMOS管從不導通到導通過程中，最先消滅的是〔〕?！?分〕A.反型B.夾斷C.耗盡.標準答案：C源極跟隨器通常不能用作〔〕?！?分〕A.緩沖器B.放大器C.電平移動D.驅(qū)動器.標準答案：B能較大范圍提高閾值電壓的方法是〔〕?！?分〕AMOSB.提高過驅(qū)動電壓C.制造時向溝道區(qū)域注入雜質(zhì)D.增大襯底偏置效應.標準答案：CPMOS管導電，依靠的是溝道中的〔〕?！?分〕A.電子B.空穴C.電荷D.電子空穴對.標準答案：B為了讓MOS管對外表現(xiàn)出受控電流源的特性，我們通常讓其工作在〔〕區(qū)。〔2〕截止B.三極管C.線性D.飽和.標準答案：DMOS管中最大的電容是〔〕?！?分〕A.氧化層電容耗盡層電容C.交疊電容D.結電容.標準答案：AMOS器件小信號模型中的是由MOS管的〔〕效應引起?！?分〕A.體B.襯偏C.溝長調(diào)制.標準答案：C在當今的集成電路制造工藝中，〔〕工藝制造的IC最簡潔實現(xiàn)尺寸的按比例縮小。〔2〕A.MOSBOSC.BipolarD.BiCMOS.標準答案：B〔〕在1965年預言:每個芯片上晶體管的數(shù)目將每18個月翻一番〔2〕A.比爾蓋茨B.摩爾C.喬布斯D.貝爾.標準答案：B最常見的集成電路通常承受〔〕工藝制造?！?分〕A.MOSBOSC.BipolarD.BiCMOS.標準答案：B工作在〔〕區(qū)的MOS管，可以被看作為電流源?！?分〕A.截止B.三極管C.深三極管D.飽和.標準答案：D工作在〔〕區(qū)的MOS管，其跨導是恒定值?！?分〕A.截止B.三極管C.深三極管D.飽和.標準答案：D載流子溝道就在柵氧層下形成〔〕，源和漏之間“導通”?！?〕夾斷層反型層C.導電層.標準答案：B形成〔〕的柵源電壓叫閾值電壓〔〕。〔2分〕A.夾斷層B.反型層C.導電層.標準答案：BNMOS管中，假設VBS變得更小，則耗盡層〔〕?！?分〕A.不變B.變得更窄C.變得更寬D.幾乎不變.標準答案：CNMOS管的導電溝道中依靠〔〕導電?！?分〕A.電子B.空穴C.正電荷.標準答案：A當MOS管的寬長比是定值時，其跨導與過驅(qū)動電源的關系曲線是〔〕。ABCD〔2〕A.見圖B.見圖C.見圖.標準答案：CMOS管的漏源電流受柵源過驅(qū)動電壓把握，我們定義〔〕來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的力氣。〔2〕跨導受控電流源C.跨阻D.小信號增益.標準答案：A為溝長調(diào)制效應系數(shù)，對于較長的溝道，值〔〕〔2分〕A.較大B.較小C.不變.標準答案：B共源共柵放大器構造的一個重要特性就是輸出阻抗〔〕?！?分〕A.低B.一般C.高.標準答案：DNMOS管中，對閾值電壓影響最大的是〔〕?！?分〕A.VBSB.VGSC.VDSD.W/L.標準答案：ACascode放大器中兩個尺寸一樣的NMOS具有一樣的〔〕效應?！?〕溝長調(diào)制體C.背柵D.襯底偏置.標準答案：A小信號輸出電阻相對最小的放大器是〔〕。〔2分〕A.共源級放大器B.源級跟隨器C.共柵級放大器D.共源共柵級放大器.標準答案：B差分放大器中，共模輸入電平的變化不會引起差動輸出的轉(zhuǎn)變的因素是〔〕?！?〕A.尾電流源輸出阻抗為有限值B.MOSC.負載不完全對稱D.輸入對管工作在飽和區(qū).標準答案：D以下不是根本差分對電路中尾電流的作用的是〔〕?！?分〕A.為放大器管供給固定偏置B.為放大管供給電流通路C.減小放大器的共模增益D.提高放大器的增益.標準答案：D下面電路的差模小信號增益為〔〕?！?分〕A.DmRg1-B.41omrg-C.2421||||oommrrgg-D.241||oomrrg-.標準答案：DM3的體效應。假設讓M2管工作在飽和區(qū)邊緣，bV應取為〔〕?！?分〕A.thODVV22+B.thODVV+2C.ODV2D.GSODVV22+.標準答案：B以以下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為抱負放大器。請計算該電路的等效輸出電阻為〔〕。〔2分〕A.AR+1B.AR11+C.AR+1D.AR11+.標準答案：BH