真空蒸鍍原理

真空蒸鍍原理ysisiy1225發(fā)表于：2008-10-2820:24來源：半導(dǎo)體技術(shù)天地真空蒸發(fā)鍍膜法（簡稱真空蒸鍍）是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到固體（稱為襯底或基片）表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。由于真空蒸發(fā)法或真空蒸鍍法主要物理過程是通過加熱蒸發(fā)材料而產(chǎn)生，所以又稱熱蒸發(fā)法。采用這種方法制造薄膜，已有幾十年的歷史，用途十分廣泛。一般說來，真空蒸發(fā)（除電子束蒸發(fā)外）與化學(xué)氣相沉積、濺射鍍膜等成膜方法相比較，有如下特點：設(shè)備比較簡單、操作容易；制成的薄膜純度高、質(zhì)量好，厚度可較準(zhǔn)確控制；成膜速率效率高，用掩?？梢垣@得清晰圖形；薄膜的生長機(jī)理比較單純。這種方法的主要缺點是，不容易獲得結(jié)晶結(jié)構(gòu)的薄膜，所形成薄膜在基板上的附著力較小，工藝重復(fù)性好等。真空蒸發(fā)鍍膜包括以下三個基本過程：（1） 加熱蒸發(fā)過程。包括由凝聚相轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀啵ü滔嗷蛞合?氣相）的相變過程。每種蒸發(fā)物質(zhì)在不同溫度時有不相同的飽和蒸氣壓：蒸發(fā)化合物時，其組分之間發(fā)生反應(yīng)，其中有些組分以氣態(tài)或蒸氣進(jìn)入蒸發(fā)空間。（2） 氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基片之間的輸運(yùn)，即這些粒子在環(huán)境氣氛中的飛行過程。飛行過程中與真空室內(nèi)殘余氣體分子發(fā)生碰撞的次數(shù)，取決于蒸發(fā)原子的平均自由程，以及蒸發(fā)源到基片之間的距離，常稱源-基距。（3） 蒸發(fā)原子或分子在基片表面上的淀積過程，即是蒸發(fā)凝聚、成核、核生長、形成連續(xù)薄膜。由于基板溫度遠(yuǎn)低于蒸發(fā)源溫度，因此，沉積物分子在基板表面將直接發(fā)生從氣相到固相的轉(zhuǎn)變過程。上述過程都必須在空氣非常稀薄的真空環(huán)境中進(jìn)行。否則，蒸發(fā)物原子或分子將與大量空氣分子碰撞，使膜層受到嚴(yán)重的污染，甚至形成氧化物；或者蒸發(fā)源被加熱氧化燒毀；或者由于空氣分子的碰撞阻擋，難以形成均勻連續(xù)的薄膜

雕子源^助雷子束蒸^系統(tǒng)Electron-BeamGunEvaporationMethodwithIon-AssistedDeposition筒介大口徑光孥金度膜檄航外余泉夜fi???本中心以雕子源^助雷子束蒸金度技彳標(biāo)舄基磋，^畿多屑薄膜裂金度系統(tǒng)，此系統(tǒng)包含雨鮑雷子束蒸^源(10kV)、高能量雕子源、高真空冷湊幫浦系統(tǒng)、精密腐波域光孥監(jiān)控器(350nm-1100nm)及高屑數(shù)多屑膜自勤控制金度膜功能。此外，更^用雕子源^助技彳標(biāo)，在抗熟性段差的塑月參基板上逵行薄膜沉?,^?^性雷子薄膜裂程技彳標(biāo)。技荷能量?高真空蒸金度系航言殳^鮑裝?雕子源^助雷子束薄膜裂金度技徘亍?各式光孥元件薄膜言殳^輿裂金度：金屬反射膜、抗反射膜、高反射膜、帶通濾光片、燮色濾光片、分光箓、冷箓、熟箓、裝^膜等?低溫薄膜裂金度技徘亍?可程式化自勤控制蒸金度裂程，最高監(jiān)控膜厚N99屑?監(jiān)控波畏蕾宜圉350nm-1100nm?可遒用入/4系及非入/4系薄膜言殳^J?用鎮(zhèn)域