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文檔簡介
(2-1)§2.4MOS門電路半導(dǎo)體集成門電路按導(dǎo)電類型分為:
雙極型(TTL)(雙極型晶體管)
MOS型(絕緣柵場效應(yīng)管)(單極型晶體管)MOS型:優(yōu)點:制造工藝簡單、集成度高、功耗低、抗干擾能力強,便于向大規(guī)模集成電路發(fā)展。缺點:工作速度較低。(2-2)
一、場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)管與雙極型晶體管不同,它是多子導(dǎo)電,輸入阻抗高,溫度穩(wěn)定性好。結(jié)型場效應(yīng)管JFET絕緣柵型場效應(yīng)管MOS場效應(yīng)管有兩種:(2-3)1、絕緣柵場效應(yīng)管:(1)結(jié)構(gòu)和電路符號PNNGSDP型基底兩個N區(qū)SiO2絕緣層(2-4)PNNGSD金屬鋁導(dǎo)電溝道GSDN溝道增強型(2-5)NPPGSDGSDP溝道增強型(2-6)P溝道耗盡型NPPGSDGSD予埋了導(dǎo)電溝道(2-7)(2)MOS管的工作原理以N溝道增強型為例PNNGSDUDSUGS(2-8)PNNGSDUDSUGSUGS=0時D-S間相當(dāng)于兩個反接的PN結(jié)ID=0對應(yīng)截止區(qū)(2-9)PNNGSDUDSUGSUGS>0時UGS足夠大時(UGS>VT)感應(yīng)出足夠多電子,這里以電子導(dǎo)電為主出現(xiàn)N型的導(dǎo)電溝道。感應(yīng)出電子VT稱為閾值電壓(2-10)PNNGSDUDSUGSUGS較小時,導(dǎo)電溝道相當(dāng)于電阻將D-S連接起來,UGS越大此電阻越小。(2-11)PNNGSDUDSUGS當(dāng)UDS不太大時,導(dǎo)電溝道在兩個N區(qū)間是均勻的。當(dāng)UDS較大時,靠近D區(qū)的導(dǎo)電溝道變窄。(2-12)PNNGSDUDSUGSUDS增加,UGS=VT時,靠近D端的溝道被夾斷,稱為予夾斷。夾斷后ID呈恒流特性。ID(2-13)(3)增強型N溝道MOS管的特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線0IDUGSVT(2-14)輸出特性曲線IDUDS0UGS>0(2-15)二、NMOS門電路1、NMOS“非”門電路0UDSIDuiuoUCCR負(fù)載線ui=“1”ui=“0”uo=“0”uo=“1”(2-16)uiuoUCCuiuoUCC實際結(jié)構(gòu)?等效結(jié)構(gòu)(2-17)2、”與非”門電路AYUCCB(2-18)2、”或非”門電路AYUCCB(2-19)三、CMOS反相器(互補對稱)UCCST2DT1AFNMOS管PMOS管CMOS電路(2-20)UCCST2DT1uiuoui=0截止ugs2=UCC導(dǎo)通u0=“1”1、“非”門電路(2-21)UCCST2DT1uiuoui=1導(dǎo)通截止u0=“0”(2-22)2、“與非”門電路(略)3、“或非”門
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