正性光刻膠與5mask簡介課件

OutlineArray5maskArray4maskPRPR的工作原理PRTestMetal1(GATE):鍍上Mo(鉬)，Al(鋁)2.G:GateSiNx(氮矽化合物，絕緣層)

I:-Si(非結(jié)晶矽，通道層)

N:N+-Si(高濃度磷(PH3)的矽)降低界面電位差,

使成為歐姆接觸(ohmiccontact)

3.Metal2(source,drain):Mo(鉬),Al

4.Passivation(Via):SiNx，保護層,把金屬蓋住,另有Via和ITO連通5.ITO(畫素電極)1Array5mask簡介工藝流程PhotoResistThinFilmGlass曝光LightPhotoMask剝膜ThinFilmGlass成膜PhotoResist顯影蝕刻2023/6/9UPK(清洗玻璃)M1Suppter(PVD)涂布,曝光,顯影WetetchSTP(去光阻)Metal1processABMo/AlMo在Al上層避免Al氧化2.38%TMAHAl蝕刻液(磷酸，醋酸，硝酸)Stripper-剝離液：MEA+DMSO(7:3)2023/6/9GINprocessABGIN

sputterCVD（化學(xué)氣相沉積）Photo(涂布,曝光,顯影)DryetchSTP(去光阻)SF6/Cl2，SiF4，SiCl42023/6/9Metalsputter（Mo/Al/Mo)Photo(涂布,曝光,顯影)WET(M2濕蝕刻)DET(N+蝕刻)STP(去光阻)ABMetal2

process2023/6/9ABCVDSiNxPhoto(涂布,曝光,顯影)DET(Pass蝕刻)STP(去光阻)Pass

process2023/6/9ABITOsputter(PVD)Photo(涂布,曝光,顯影)WET(ITO濕蝕刻))STP(去光阻)OVN(ITOoven)ITOprocess2023/6/92Array4mask2023/6/92023/6/93正型PR成份介紹定義光刻膠(Photoresist簡稱PR)又稱光致抗蝕劑，它是一種對光敏感的有機化合物，它受紫外光曝光后，在顯影液中的溶解度會發(fā)生變化。作用

a、將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面頂層的光刻膠中；

b、在后續(xù)工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。2023/6/9成份

樹脂感光劑溶劑添加劑粘附性、膠膜厚度曝光時間、光線強度賦予組合物流動性如防止PR反射等特性2023/6/94正型PR的工作原理Esterification2023/6/9UVN2Wolff重組H2ONaOH(CH3)4NOHTMAH2023/6/95PRTestTestEOPMarginThermalStabilityFilmLossStripperTestResoluti-on涂布Pre-bake曝光顯影Post-bakeStripper2023/6/9EOPTestEOPTest：將光罩上的圖案按1/1比例映射在PR上的光罩能量2023/6/9MarginTestMarginTest：不同顯影時間、軟烤溫度及軟烤時間下，PR顯影

后的CD變化2023/6/92023/6/9ThermalStabilityTestThermalStabilityTest：post-bask后PR形狀的變化測試2023/6/9Stripper

TestStripper

Test：PR的剝離時間2023/6/9Resolution

TestResolution

Test：能顯影出完整圖像的較小CD（a.圖案完整性；