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第一章光電技術(shù)基礎(chǔ)演示文稿本文檔共99頁;當(dāng)前第1頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分優(yōu)選第一章光電技術(shù)基礎(chǔ)本文檔共99頁;當(dāng)前第2頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分課程性質(zhì):專業(yè)必修課程考核平時(shí)成績(jī):30%期末考試:70%致謝承蒙參考書目、論文為課件提供了理論承蒙許多網(wǎng)站提供了各種資料聲明此課件僅僅用于課堂教學(xué),不得用于其他商業(yè)用途成績(jī)考核&致謝本文檔共99頁;當(dāng)前第3頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分基本內(nèi)容第1章光電技術(shù)基礎(chǔ)第2章光電導(dǎo)器件第3章光生伏特器件第4章光電發(fā)射器件第5章熱輻射探測(cè)器件第6章發(fā)光器件與光電耦合器件第7章光電信息變換第8章圖像信息的光電變換第9章光電信號(hào)的數(shù)據(jù)采集與計(jì)算機(jī)接口技術(shù)第10章光電信息變換技術(shù)的典型應(yīng)用第11章光電技術(shù)的新發(fā)展
本文檔共99頁;當(dāng)前第4頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分典型的光電器件:1.半導(dǎo)體激光器(GaAs/GaAlAs異質(zhì)結(jié)激光器);2.PN結(jié)發(fā)光二極管;3.光電探測(cè)器(光敏電阻,紅外探測(cè)器、pn結(jié)光伏探測(cè)器);4.光電池(非晶硅太陽能電池-硅光電池)本文檔共99頁;當(dāng)前第5頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分5.光電成像系統(tǒng)(CCD電荷耦合器件:數(shù)碼攝像,CMOS攝像器件,紅外焦平面陣列);6.顯示器:電致發(fā)光顯示技術(shù)(LED),液晶顯示;7.光纖通信;8.激光雷達(dá);9.光纖傳感器等本文檔共99頁;當(dāng)前第6頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分緒論(Introduction)光電技術(shù)是由光學(xué)技術(shù)和電子技術(shù)相結(jié)合而形成的一門嶄新的技術(shù)。
主要內(nèi)容是利用光電結(jié)合的原理和方法,實(shí)現(xiàn)信息的獲取、發(fā)送、探測(cè)、傳輸、變換、存儲(chǔ)、處理和重現(xiàn)等。光電技術(shù)是研究“光子”與物質(zhì)中“電子”相互作用的一門科學(xué),它以光學(xué)和電子學(xué)為基礎(chǔ),綜合利用光學(xué)、電子學(xué)、精密機(jī)械、儀器儀表、材料科學(xué)、控制科學(xué)和計(jì)算機(jī)技術(shù)解決各種工程應(yīng)用課題的技術(shù)學(xué)科本文檔共99頁;當(dāng)前第7頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分
21世紀(jì)的信息網(wǎng)絡(luò)是以IP(或IP/ATM)協(xié)議控制下的密集波分復(fù)用(DWDM)為基礎(chǔ)的光核心網(wǎng),
包括有線(光纖或HFC)、無線等不同接入類型、不同業(yè)務(wù)規(guī)模的各種接入網(wǎng)所形成的一個(gè)靈活、大容量的綜合網(wǎng)。其中全光通信網(wǎng)(AON)是主體,
全光網(wǎng)中的傳輸和交換容量均達(dá)到Tb/s量級(jí),將比現(xiàn)有傳輸速率提高100倍以上。
光纖通信及其相應(yīng)的光電子材料、器件、系統(tǒng)設(shè)備在內(nèi)的市場(chǎng)在今后15-20年內(nèi)仍會(huì)以高的速率持續(xù)增長(zhǎng)。產(chǎn)品主要有連接器附件和元件、耦合器、衰減器、隔離器、波分復(fù)用器等。光電子產(chǎn)業(yè)1.信息光電子產(chǎn)業(yè)本文檔共99頁;當(dāng)前第8頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分
由于具有相干性好、單色性好、高亮度等獨(dú)特優(yōu)點(diǎn),激光在工業(yè)和醫(yī)療方面的應(yīng)用前景非常可觀,可用來切割、焊接、打孔、熱處理、劃片、光刻以及用來進(jìn)行手術(shù)、鎮(zhèn)痛、理療等治療。激光加工設(shè)備還將繼續(xù)沿高功率、高質(zhì)量、高可靠、低成本的方向發(fā)展。
2.能量光電子產(chǎn)業(yè)本文檔共99頁;當(dāng)前第9頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分
光電子材料和元器件是光電子產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),對(duì)光電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著決定性的作用。4.光子學(xué)及光通信器件
主要包括光子的產(chǎn)生、探測(cè)、控制和處理,因此,必須有相應(yīng)的光子學(xué)器件,光子學(xué)器件的時(shí)間響應(yīng)和單道超大容量要比電子學(xué)器件高得多,這對(duì)信息技術(shù)的發(fā)展有很大的推動(dòng)作用。
3.光電子材料和元器件產(chǎn)業(yè)
本文檔共99頁;當(dāng)前第10頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分5.光存儲(chǔ)器件
20世紀(jì)末期興起的光存儲(chǔ),特別是光盤存儲(chǔ)技術(shù)將對(duì)信息的存取產(chǎn)生重大影響。數(shù)字光盤存儲(chǔ)技術(shù)正向更高存儲(chǔ)密度和更高存儲(chǔ)速度方向發(fā)展。角度、波長(zhǎng)、空間與移動(dòng)復(fù)用的全息存儲(chǔ)可以實(shí)現(xiàn)和作為緩沖海量信息存儲(chǔ)。三維存儲(chǔ)技術(shù),如光子引發(fā)的電子俘獲三維存儲(chǔ)光盤和光盤燒孔存儲(chǔ)等高密度存儲(chǔ)等。本文檔共99頁;當(dāng)前第11頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分5.光傳感器件
光電傳感器件在光信號(hào)的電學(xué)處理方面已經(jīng)在通信、工業(yè)過程控制、光電信號(hào)處理以及光計(jì)算領(lǐng)域發(fā)揮巨大的作用,其蘊(yùn)涵的市場(chǎng)份額是極為巨大的。6.光顯示器件信息的顯示體現(xiàn)了真正的人機(jī)互動(dòng)關(guān)系。在光子與光電子材料與器件產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域占有極為重要的地位。在這一領(lǐng)域可發(fā)展液晶顯示(LCD)、等離子體顯示(PDP),電致發(fā)光顯示(EL)、YAG激光顯示等產(chǎn)業(yè)化工程。
7.光能量轉(zhuǎn)換器件
8.光學(xué)圖像器件本文檔共99頁;當(dāng)前第12頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分本文檔共99頁;當(dāng)前第13頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分第1章光電技術(shù)基礎(chǔ)
本文檔共99頁;當(dāng)前第14頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分光電器件構(gòu)成:光輻射源(光源):外部產(chǎn)生(探測(cè)器)和內(nèi)部產(chǎn)生(發(fā)光)兩種;
光電轉(zhuǎn)換部分:光轉(zhuǎn)換為電,或電轉(zhuǎn)換為光;本文檔共99頁;當(dāng)前第15頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分光輻射源:可見光:
太陽,白熾燈,日光燈,激光器,發(fā)光二極管,熒光燈,水銀燈,鈉等紅外線:
紅外激光器,太陽,有機(jī)體即無機(jī)體紫外線:
紫外燈,X射線,放射性金屬:射線本文檔共99頁;當(dāng)前第16頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分光探測(cè)器:光電效應(yīng),光電倍增管,可見光功率計(jì),光通量計(jì)紅外探測(cè)器紫外探測(cè)器熒光光譜儀納曼光譜儀紅外光譜儀單色儀本文檔共99頁;當(dāng)前第17頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分
任何一種光電系統(tǒng)或光電子器件的使用和評(píng)價(jià)都離不開特定的光輻射源與光輻射探測(cè)器,所以光輻射和光電轉(zhuǎn)換原理是光電子技術(shù)的基本研究?jī)?nèi)容之一。本章主要介紹光輻射的基本概念和原理,以及在光電子技術(shù)中應(yīng)用比較普遍的典型光輻射源。
本文檔共99頁;當(dāng)前第18頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分1.電磁波的性質(zhì)與電磁波譜
由麥克斯韋的電磁場(chǎng)理論,變化的電場(chǎng)產(chǎn)生變化的磁場(chǎng),而變化的磁場(chǎng)又產(chǎn)生變化的電場(chǎng),這樣就產(chǎn)生了電磁波。電視臺(tái)聲光電電磁波發(fā)射本文檔共99頁;當(dāng)前第19頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分⑴電磁波的電場(chǎng)E和磁場(chǎng)H都垂直于波的傳播方向,三者相互垂直,所以電磁波是橫波。E和H傳播方向構(gòu)成右手螺旋系。⑵沿給定方向傳播的電磁波,E和H分別在各自平面內(nèi)振動(dòng),這種特性稱為偏振。電磁波的性質(zhì)本文檔共99頁;當(dāng)前第20頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分⑷在任一時(shí)刻空間任一點(diǎn),E和H在量值上的關(guān)系為⑸電磁波在真空中傳播的速度為介質(zhì)中的傳播速度為⑶空間各點(diǎn)E和H都作周期性變化,而且相位相同,即同時(shí)達(dá)到最大,同時(shí)減到最小。本文檔共99頁;當(dāng)前第21頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分電磁波譜本文檔共99頁;當(dāng)前第22頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分本文檔共99頁;當(dāng)前第23頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分2.光輻射光以電磁波形式或粒子(光子)形式傳播的能量??捎霉鈱W(xué)元件反射、成像或色散,這種能量及其傳播過程稱為光輻射。一般認(rèn)為其波長(zhǎng)在10nm~1mm,或頻率在31016Hz~31011Hz范圍內(nèi)。一般按輻射波長(zhǎng)及人眼的生理視覺效應(yīng)將光輻射分成三部分:紫外輻射、可見光和紅外輻射。一般在可見到紫外波段波長(zhǎng)用nm、在紅外波段波長(zhǎng)用m表示。波數(shù)單位習(xí)慣用cm-1。本文檔共99頁;當(dāng)前第24頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分可見光:通常人們提到的“光”指的是可見光。波長(zhǎng)在390~770nm范圍的光輻射,也是人視覺能感受到“光亮”的電磁波。當(dāng)可見光進(jìn)入人眼時(shí),人眼的主觀感覺依波長(zhǎng)從長(zhǎng)到短表現(xiàn)為紅色、橙色、黃色、綠色、青色、藍(lán)色和紫色。紫外輻射:紫外輻射比紫光波長(zhǎng)更短,人眼看不見,波長(zhǎng)范圍是1~390nm。又分為近紫外、遠(yuǎn)紫外和極遠(yuǎn)紫外。極遠(yuǎn)紫外在空氣中幾乎會(huì)被完全吸收,只能在真空中傳播,又稱為真空紫外輻射。在進(jìn)行太陽紫外輻射的研究中,常分為A波段(近紫外)、B波段和C波段(遠(yuǎn)紫外)。本文檔共99頁;當(dāng)前第25頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分紅外輻射:波長(zhǎng)在0.77~1000m的是紅外輻射。通常分為近紅外、中紅外和遠(yuǎn)紅外三部分。
在可見光云圖上,輻射越大,色調(diào)越白。輻射越小,色調(diào)越暗。通常云層越厚,反照率越大,色調(diào)也越白,而水面,象湖泊、海洋的反照率很小,表現(xiàn)為黑色,陸地反照率比海洋略大,表現(xiàn)為灰色,而潮濕或森林覆蓋的地區(qū)表現(xiàn)為灰暗的色調(diào)。在電視顯示的衛(wèi)星云圖上,地表和海洋常用綠色和藍(lán)色表示??梢姽庠茍D本文檔共99頁;當(dāng)前第26頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分對(duì)光輻射進(jìn)行定量描述,需引入計(jì)量光輻射的物理量。對(duì)于光輻射的探測(cè)和計(jì)量,存在著輻射度和光度學(xué)兩套不同的單位體系。1.1輻射度學(xué)與光度學(xué)基本知識(shí)(1)在輻射度單位體系(2)光度單位體系本文檔共99頁;當(dāng)前第27頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分輻射度單位體系:輻通量(又稱為輻射功率)或者輻射能是基本量,只與輻射客體有關(guān)的量。其基本單位是瓦特(W)或者焦耳(J)。輻射度學(xué)適用于整個(gè)電磁波段。光度單位體系:
反映視覺亮暗特性的光輻射計(jì)量單位,被選作基本量的不是光通量而是發(fā)光強(qiáng)度,其基本單位是坎德拉。光度學(xué)只適用于可見光波段。本文檔共99頁;當(dāng)前第28頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分兩類單位體系中的物理量在物理概念上不同,但所用的物理符號(hào)一一對(duì)應(yīng)。為了區(qū)別,在對(duì)應(yīng)的物理量符號(hào)標(biāo)角“e”表示輻射度物理量,角標(biāo)“v”表示光度物理量。下面重點(diǎn)介紹輻射度單位體系中的物理量。光度單位體系中的物理量可對(duì)比理解。本文檔共99頁;當(dāng)前第29頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分1.輻射量⑴輻射能:以輻射形式發(fā)射或傳輸?shù)碾姶挪芰浚ㄖ饕缸贤?、可見光和紅外輻射)。一般用符號(hào)Qe表示,其單位是焦耳(J)。⑵輻射通量:輻射通量e又稱為輻射功率。為單位時(shí)間內(nèi)流過的輻射能量,即單位:瓦特(W)或焦耳秒(Js)。本文檔共99頁;當(dāng)前第30頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分⑶輻射出射度Me:反映物體輻射能力的物理量。輻射體單位面積向半空間發(fā)射的輻射通量,即單位:W/m2。⑷輻射強(qiáng)度:點(diǎn)輻射源在給定方向上發(fā)射的在單位立體角內(nèi)的輻射通量,用Ie表示,即單位:瓦特球面度-1(Wsr-1)。
本文檔共99頁;當(dāng)前第31頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分即SddSd圖2輻射亮度示意圖如果一個(gè)各向同性均勻介質(zhì)中的點(diǎn)輻射體向所有方向發(fā)射的總輻射通量是e,則該點(diǎn)輻射體在各個(gè)方向的輻射強(qiáng)度Ie是常量,有本文檔共99頁;當(dāng)前第32頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分⑸輻射亮度:面輻射源在某一給定方向上的輻射通量。如圖所示。SddSd圖2輻射亮度示意圖是給定方向和輻射源面元法線間的夾角。單位:瓦特/球面度米2(W/sr·m2)。本文檔共99頁;當(dāng)前第33頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分一般輻射體的輻射強(qiáng)度與空間方向有關(guān)。但是有些輻射體的輻射強(qiáng)度在空間方向上的分布滿足Ie0是面元dS沿其法線方向的輻射強(qiáng)度,又稱為余弦輻射體或朗伯體。(1)式代入(2)式得到余弦輻射體的輻射亮度為本文檔共99頁;當(dāng)前第34頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分余弦輻射體的輻射亮度是均勻的,與方向角無關(guān)。余弦輻射體的輻射出射度為⑹輻射照度:在輻射接收面上的輻照度Ee定義為照射在面元dA上的輻射通量與該面元的面積之比。即單位:(W/m2)。本文檔共99頁;當(dāng)前第35頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分輻出度Me為出射強(qiáng)度,輻照度Ee為物體接受的強(qiáng)度,注意區(qū)別。反射體接受輻射后,一部分反射,一部分吸收,則反射出射度為:
本文檔共99頁;當(dāng)前第36頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分輻照量He:在一定時(shí)間內(nèi)照射到物體某一面元的輻照度。單位:J/m2曝光量Hv:物體表面在一定時(shí)間內(nèi)接收到的光照度Ev.
本文檔共99頁;當(dāng)前第37頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分(7)輻射效率與發(fā)光效率光源所發(fā)射的總通量e與外界提供給光源的功率P之比,稱為光源的輻射效率;e=/P100%無量綱光源發(fā)射的總通量e與提供的功率P之比,稱為發(fā)光效率;
v=/P100%單位:流明每瓦(lm·W-1)
本文檔共99頁;當(dāng)前第38頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分2.光源的光譜輻射參量光源發(fā)射的光能是按波長(zhǎng)進(jìn)行分布的。在單位波長(zhǎng)內(nèi)發(fā)射的輻射量稱為輻射量的光譜密度在可見光區(qū)單位波長(zhǎng)發(fā)射的光度量為光譜光度量
本文檔共99頁;當(dāng)前第39頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分光源在波長(zhǎng)λ1、λ2區(qū)間內(nèi)發(fā)射的輻通量量子流速率:光源發(fā)射的輻射功率是每秒發(fā)射光子能量的總和。若λ~λ+dλ區(qū)間的輻射通量為等de,除以該波長(zhǎng)的光子能量h,為光源在λ處的光子總量,稱為光譜量子流速率dNλ本文檔共99頁;當(dāng)前第40頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分在λ1~λ2光譜量子流速率Nλ在可見光區(qū),光源每秒發(fā)射的總光子數(shù)為本文檔共99頁;當(dāng)前第41頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分由于人眼的視覺細(xì)胞對(duì)不同頻率的輻射有不同響應(yīng),故用輻射度單位不能正確反應(yīng)人對(duì)光輻射亮暗感覺。光度單位體系是一套反映視覺亮暗特性的光輻射計(jì)量單位,在光頻區(qū)域光度學(xué)的物理量可以用與輻度學(xué)的基本物理量對(duì)應(yīng)的來表示,其定義完全一一對(duì)應(yīng),其關(guān)系如表1所示。本文檔共99頁;當(dāng)前第42頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分
光度學(xué)的基本單位為坎德拉,也是國(guó)際單位制(SI)七個(gè)基本單位之一。定義為:一個(gè)光源發(fā)出頻率為540×1012Hz的單色(黃色)輻射,若在給定方向上的輻射強(qiáng)度為1/683W/sr,則該光源在該方向上的發(fā)光強(qiáng)度為1cd.本文檔共99頁;當(dāng)前第43頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分任何0K以上溫度的物體都會(huì)發(fā)射各種波長(zhǎng)的電磁波,這種由于物體中的分子、原子受到熱激發(fā)而發(fā)射電磁波的現(xiàn)象稱為熱輻射。1.3物體熱輻射熱輻射具有連續(xù)的輻射譜,波長(zhǎng)自遠(yuǎn)紅外區(qū)到紫外區(qū),并且輻射能按波長(zhǎng)的分布主要決定于物體的溫度。本節(jié)介紹熱輻射的一些基本定律。本文檔共99頁;當(dāng)前第44頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分1.單色吸收比和單色反射比。任何物體向周圍發(fā)射電磁波的同時(shí),也吸收周圍物體發(fā)射的輻射能。當(dāng)輻射從外界入射到不透明的物體表面上時(shí),一部分能量被吸收,另一部分能量從表面反射(如果物體是透明的,則還有一部分能量透射)。吸收比:被物體吸收的能量與入射的能量之比稱為該物體的吸收比。在波長(zhǎng)到+d范圍內(nèi)的吸收比稱為單色吸收比,用表示。本文檔共99頁;當(dāng)前第45頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分若物體在任何溫度下,對(duì)任何波長(zhǎng)的輻射能的吸收比都等于1,即,則稱該物體為絕對(duì)黑體(簡(jiǎn)稱黑體)。反射比:反射的能量與入射的能量之比。在波長(zhǎng)到+d范圍內(nèi)相應(yīng)的反射比稱為單色反射比,用(T)表示。對(duì)于不透明的物體,單色吸收比和單色反射比之和等于1,即本文檔共99頁;當(dāng)前第46頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分2.基爾霍夫輻射定律在相同溫度下,不同物體對(duì)相同波長(zhǎng)的單色輻射出射度(M)與單色吸收比(α)之比都相等,并等于該溫度下黑體對(duì)同一波長(zhǎng)的單色輻射出射度。即式中
為黑體的單色輻射出射度。本文檔共99頁;當(dāng)前第47頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分3.普朗克公式黑體處于溫度T時(shí),在波長(zhǎng)處的單色輻射出射度由普朗克公式給出式中h為普朗克常數(shù),c為真空中的光速,kB為波爾茲曼常數(shù)。令本文檔共99頁;當(dāng)前第48頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分則(3)式可改寫為本文檔共99頁;當(dāng)前第49頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分不同溫度條件下黑體的單色輻射出射度(輻射亮度)隨波長(zhǎng)的變化曲線??梢姡罕疚臋n共99頁;當(dāng)前第50頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分⑴對(duì)應(yīng)任一溫度,單色輻射出射度隨波長(zhǎng)連續(xù)變化,且只有一個(gè)峰值,對(duì)應(yīng)不同溫度的曲線不相交。因而溫度能唯一確定單色輻射出射度的光譜分布和輻射出射度(即曲線下的面積)。⑵單色輻射出射度隨溫度的升高而增大。⑶單色輻射出射度的峰值隨溫度的升高向短波方向移動(dòng)。本文檔共99頁;當(dāng)前第51頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分4.瑞利-瓊斯公式當(dāng)很大時(shí),可得到適合于長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)的瑞利-瓊斯公式
在時(shí),瑞利-瓊斯公式與普朗克公式的誤差小于1%。5.維恩公式當(dāng)很小時(shí),,可得到適合于短波長(zhǎng)區(qū)的維恩公式
本文檔共99頁;當(dāng)前第52頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分在區(qū)域內(nèi),維恩公式與普朗克公式的誤差小于1%。
6.維恩位移定律單色輻射出射度最大值對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)7.斯忒藩-玻爾茲曼定律其中為斯忒藩-玻爾本文檔共99頁;當(dāng)前第53頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分茲曼常數(shù):斯忒藩-玻爾茲曼定律表明黑體的輻射出射度只與黑體的溫度有關(guān),而與黑體的其他性質(zhì)無關(guān)。
8.色溫為了表示一個(gè)熱輻射光源所發(fā)出光的光色性質(zhì),常用到色溫度這個(gè)量,單位為K。本文檔共99頁;當(dāng)前第54頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分色溫度是指在規(guī)定兩波長(zhǎng)處具有與熱輻射光源的輻射比率相同的黑體的溫度。色溫度并非熱輻射光源本身的溫度。本文檔共99頁;當(dāng)前第55頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分由于色溫度是按規(guī)定的兩波長(zhǎng)處的輻射比率來比較的,所以色溫度相同的熱輻射光源的連續(xù)譜也可能不相似,若規(guī)定的波長(zhǎng)不同,色溫度往往也不相同。至于非熱輻射光源,色溫度只能給出這個(gè)光源光色的大概情況,一般來說,色溫高代表藍(lán)、綠光成分多些,色溫低則表示橙、紅光的成分多些。本文檔共99頁;當(dāng)前第56頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分1.4.1人眼的視覺靈敏度
用各種單色輻射分別刺激正常人(標(biāo)準(zhǔn)觀察者)眼的錐狀細(xì)胞,當(dāng)刺激程度相同時(shí),發(fā)現(xiàn)波長(zhǎng)=0.555μm處的光譜輻射亮度Le,λm小于其它波長(zhǎng)的光譜輻亮度Le,λ。把波長(zhǎng)=0.555μm的光譜輻射亮度Le,λm被其它波長(zhǎng)的光譜輻亮度Le,λ除得的商,定義為正常人眼的V(λ),即明視覺光譜光視效率本文檔共99頁;當(dāng)前第57頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分通過對(duì)標(biāo)準(zhǔn)光度觀察者的實(shí)驗(yàn)測(cè)定,在波長(zhǎng)555nm處,L有最大值,其數(shù)值為L(zhǎng)m=683lm/W。單色光視效率是L用Lm歸一化的結(jié)果,其定義為本文檔共99頁;當(dāng)前第58頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分本文檔共99頁;當(dāng)前第59頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分
對(duì)于正常人眼的圓柱細(xì)胞,以微弱的各種單色輻射刺激時(shí),發(fā)現(xiàn)在相同刺激程度下,波長(zhǎng)為507nm處的光譜輻射亮度Le,507nm小于其他波長(zhǎng)λ的光譜輻射亮度
Le,λ。把
Le,507nm與Le,λ的比值V`(λ)也是一個(gè)無量綱的相對(duì)值,它與波長(zhǎng)的關(guān)系如上圖中的虛線所示。暗視覺光譜光視效率本文檔共99頁;當(dāng)前第60頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分1.4.3輻射體光視效能
一個(gè)熱輻射體發(fā)射的總光通量Φv與總輻射通量Φe之比,稱為該輻射體的光視效能K,即
對(duì)發(fā)射連續(xù)光譜輻射的熱輻射體,總光通量Φv為
本文檔共99頁;當(dāng)前第61頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分由上面的式子可以得到
式中,V是輻射體的光視效率。
標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈發(fā)光光譜的分布如圖所示,圖中的曲線分別為標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈的相對(duì)光譜輻射分、光譜光視效率V(λ)和光譜光視效率與相對(duì)光譜輻射分布之積,積分
為曲線所圍的面積Al,而積分
本文檔共99頁;當(dāng)前第62頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分
面積A2。因此,可得標(biāo)準(zhǔn)鎢絲
燈的光視效能Kw為lm/W
已知某種輻射體的光視效能K和輻射量Xe,就能夠計(jì)算出該輻射體的光度量Xv,該式是輻射體的輻射量和光度量的轉(zhuǎn)換關(guān)系式。
本文檔共99頁;當(dāng)前第63頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分例如,對(duì)于色溫為2856K的標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈其光視效能為17lm/W,當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈發(fā)出的輻射通量為Φe=100W時(shí),其光通量為Φv=1710lm。由此可見,色溫越高的輻射體,它的可見光的成分越多,光視效能越高,光度量也越高。白熾鎢絲燈的供電電壓降低時(shí),燈絲溫度降低,燈的可見光部分的光譜減弱,光視效能降低,用照度計(jì)檢測(cè)光照度時(shí),照度將顯著下降。本文檔共99頁;當(dāng)前第64頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分例
已知某He-Ne激光器的輸出功率為3mW,試計(jì)算其發(fā)出的光通量為多少lm?
解
He-Ne激光器輸出的光為光譜輻射通量,可以計(jì)算出它發(fā)出的光通量為Φv,λ=Kλ,eΦe,λ=KmV(λ)Φe,λ=683×0.24×3×10-3=0.492(lm)本文檔共99頁;當(dāng)前第65頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分三、半導(dǎo)體的光電性質(zhì)1.半導(dǎo)體的光吸收(1)本征吸收光照下,價(jià)帶中的電子吸收光子能量后從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。電子的這種帶與帶間躍遷的吸收過程。本征吸收發(fā)生的必要條件:光子能量h大于等于禁帶寬度Eg,即hh0=Eg本征吸收限:當(dāng)光子頻率小于0(波長(zhǎng)大于0)時(shí),吸收系數(shù)迅速下降,對(duì)應(yīng)的頻率0或波長(zhǎng)0為本征吸收限。本文檔共99頁;當(dāng)前第66頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分hEg只有波長(zhǎng)小于L的輻射才能產(chǎn)生本征吸收本文檔共99頁;當(dāng)前第67頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分直接躍遷:躍遷過程中,價(jià)帶中的電子垂直躍遷到具有相同波矢k的導(dǎo)帶上。直接帶隙半導(dǎo)體:在本征吸收過程中,產(chǎn)生電子的直接躍遷過程間接帶隙半導(dǎo)體:導(dǎo)帶極小值和價(jià)帶極大值不具有相同的k的半導(dǎo)體。在本征吸收過程中,產(chǎn)生電子的間接躍遷過程本文檔共99頁;當(dāng)前第68頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分(2)雜質(zhì)吸收在半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)原子(施主或受主原子),在半導(dǎo)體的帶隙中引入雜質(zhì)能級(jí),束縛在雜質(zhì)能級(jí)上的電子吸收光能發(fā)生躍遷引起的光吸收。Si、Ge而言,施主通常是V族元素。電離能較小,在Si中約0.04~0.05eV,Ge中約0.01eV。施主雜質(zhì):在半導(dǎo)體中產(chǎn)生導(dǎo)電電子,其摻雜的半導(dǎo)體稱為n型半導(dǎo)體施主雜質(zhì)電離能ΔED:本文檔共99頁;當(dāng)前第69頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分受主雜質(zhì):能夠接受電子而產(chǎn)生導(dǎo)電空穴的雜質(zhì)。p型半導(dǎo)體:依靠?jī)r(jià)帶空穴導(dǎo)電的半導(dǎo)體。受主雜質(zhì)電離能ΔEA:本文檔共99頁;當(dāng)前第70頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分
如果光子的能量小于禁帶寬度Eg或小于雜質(zhì)電離能(ΔED或ΔEA)時(shí),電子不能躍遷到導(dǎo)帶稱為自由電子。但可以與價(jià)帶上的空穴形成一個(gè)束縛較弱的電子-空穴對(duì),這種電子-空穴對(duì)稱為激子。激子吸收不會(huì)改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。(3)激子吸收雜質(zhì)吸收限:雜質(zhì)吸收限波長(zhǎng)總是大于本征吸收的波長(zhǎng)限。本文檔共99頁;當(dāng)前第71頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分(4)自由載流子吸收當(dāng)入射光子頻率較小,不能引起導(dǎo)帶-價(jià)帶間的躍遷,但導(dǎo)帶上的電子(空穴)在其所在的導(dǎo)帶(價(jià)帶)內(nèi)的能級(jí)上躍遷發(fā)生的光吸收,通常稱為帶內(nèi)躍遷。由于帶內(nèi)能級(jí)間隔很小,所以其吸收譜基本上為連續(xù)譜。(5)晶格吸收-又稱為聲子吸收晶格原子對(duì)遠(yuǎn)紅外普去的光子能量的吸收,轉(zhuǎn)變?yōu)榫Ц裾駝?dòng)的動(dòng)能,宏觀上引起物體溫度的升高。本文檔共99頁;當(dāng)前第72頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分1.6.光電效應(yīng)
光輻射的物理效應(yīng)分類:光子效應(yīng)和光熱效應(yīng)光子效應(yīng)
探測(cè)器外光電效應(yīng)(1)光陰極發(fā)射光電子(2)光電子倍增;打拿極倍增通道電子倍增(1)光電管;(2)光電倍增管;(3)像增強(qiáng)管內(nèi)光電效應(yīng)(1)光電導(dǎo)(本征、非本征);(2)光生伏特;pn結(jié)雪崩,肖特基勢(shì)壘光電池,光電二極管,雪崩二極管,肖特基勢(shì)壘光電二極管本文檔共99頁;當(dāng)前第73頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分
光熱效應(yīng)
探測(cè)器(1)測(cè)輻射熱計(jì)(2)負(fù)電阻溫度系數(shù);正電阻溫度系數(shù)超導(dǎo)(1)熱敏電阻測(cè)輻熱計(jì);(2)金屬測(cè)輻熱計(jì);(3)超導(dǎo)遠(yuǎn)紅外探測(cè)器(1)溫差電;(2)熱釋電其他熱電偶、熱電堆熱釋電探測(cè)器高萊盒,液晶等本文檔共99頁;當(dāng)前第74頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分1.6.1內(nèi)光電效應(yīng)
1.光電導(dǎo)效應(yīng)
光電導(dǎo)效應(yīng)可分為本征光電導(dǎo)效應(yīng)與雜質(zhì)光電導(dǎo)效應(yīng)兩種.本征半導(dǎo)體或雜質(zhì)半導(dǎo)體價(jià)帶中的電子吸收光子能量躍入導(dǎo)帶產(chǎn)生本征吸收,導(dǎo)帶中產(chǎn)生光生自由電子,價(jià)帶中產(chǎn)生光生自由空穴。光生電子與空穴使半導(dǎo)體的電導(dǎo)率發(fā)生變化。這在光的作用下由本征吸收引起的半導(dǎo)體電導(dǎo)率的變化現(xiàn)象稱為本征光電導(dǎo)效應(yīng)。種本文檔共99頁;當(dāng)前第75頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分光電導(dǎo)現(xiàn)象——只發(fā)生在半導(dǎo)體材料的體效應(yīng),金屬?zèng)]有光電導(dǎo)效應(yīng)外電場(chǎng)作用下,載流子漂移運(yùn)動(dòng):本文檔共99頁;當(dāng)前第76頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分載流子濃度載流子的運(yùn)動(dòng)速度導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱(σ)在截面為S,長(zhǎng)度為l的材料上流過電流I,則界面上的電流密度為
J=I/S=E設(shè)導(dǎo)體的內(nèi)的電子數(shù)密度為n,電子的漂移速度vd,則電流強(qiáng)度為則電流密度為本文檔共99頁;當(dāng)前第77頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分
電場(chǎng)不很強(qiáng)時(shí)(E<103V/cm),Vd和E成正比,設(shè)比例系數(shù)為μ,則滿足關(guān)系式:Vd=μE,J=Eμ稱為載流子的遷移率,反映電子在晶體中運(yùn)動(dòng)能力的大小。本文檔共99頁;當(dāng)前第78頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分電子電流:微觀角度:空穴電流:漂移電流宏觀角度:對(duì)半導(dǎo)體材料電導(dǎo)率與遷移率成正比。本文檔共99頁;當(dāng)前第79頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分載流子的漂移運(yùn)動(dòng)用半導(dǎo)體的電導(dǎo)率來描述:電導(dǎo)G半導(dǎo)體的電阻Rd:光照下在半導(dǎo)體中產(chǎn)生新的載流子,產(chǎn)生非平衡載流子n、p,本文檔共99頁;當(dāng)前第80頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分影響電導(dǎo)率因素:
1、載流子濃度相關(guān)影響因素
2、載流子遷移率相關(guān)影響因素(平均自由時(shí)間)散射(碰撞)本征半導(dǎo)體:摻雜半導(dǎo)體:重?fù)诫s半導(dǎo)體近似:對(duì)n型半導(dǎo)體,n>>p,=nqn;對(duì)p型半導(dǎo)體,p>>n,=nqp;對(duì)本征半導(dǎo)體,p=n,=niq(n+p)本文檔共99頁;當(dāng)前第81頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分光輻射照射外加電壓的半導(dǎo)體,如果光波長(zhǎng)λ滿足如下條件:式中Eg是禁帶寬度,Ei是雜質(zhì)能帶寬度。本文檔共99頁;當(dāng)前第82頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分n和p又稱之為光生載流子。顯然,n和p將使半導(dǎo)體的電導(dǎo)增加一個(gè)量G,我們稱之為光電導(dǎo)。相應(yīng)于本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體就分別稱為本征和雜質(zhì)光電導(dǎo)。電導(dǎo)增量為電導(dǎo)的增加將在外電路電流增加iA=bxd本文檔共99頁;當(dāng)前第83頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分在弱輻射作用下,半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)靈敏度為材料有關(guān)性質(zhì)的常數(shù),與光電導(dǎo)材料兩電極間的長(zhǎng)度l的平方成反比。
(1)在弱輻射作用下,光生載流子濃度Δny等于光生空穴濃度Δp,Δn=Δp,光電導(dǎo)靈敏度為可得
本文檔共99頁;當(dāng)前第84頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分
強(qiáng)輻射作用下,半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)靈敏度不僅與材料的性質(zhì)有關(guān),而且與入射輻射量有關(guān),是非線性的。
(2)在強(qiáng)輻射的作用下
本文檔共99頁;當(dāng)前第85頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分2.光生伏特效應(yīng)
光生伏特效應(yīng)是基于半導(dǎo)體PN結(jié)基礎(chǔ)上的一種將光能轉(zhuǎn)換成電能的效應(yīng)。
當(dāng)入射輻射作用在半導(dǎo)體PN結(jié)上產(chǎn)生本征吸收時(shí),價(jià)帶中的光生空穴與導(dǎo)帶中的光生電子在PN結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用下分開,形成光生伏特電壓或光生電流的現(xiàn)象。
本文檔共99頁;當(dāng)前第86頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分一塊P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,在其交接面處形成PN結(jié)。PN結(jié)是各種半導(dǎo)體器件,如結(jié)型晶體管、集成電路的心臟。pn結(jié)附近電離的受主、施主所帶電荷稱為空間電荷(不可移動(dòng))。所在的區(qū)域?yàn)榭臻g電荷區(qū)本文檔共99頁;當(dāng)前第87頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分熱平衡下,多數(shù)載流子的擴(kuò)散作用于少數(shù)載流子由于內(nèi)電場(chǎng)的漂移作用相抵消,沒有凈電流通過pn結(jié)。稱為零偏狀態(tài)。內(nèi)建電場(chǎng)空間電荷區(qū)PN空穴電子擴(kuò)散漂移如果pn結(jié)正向電壓偏置(p正,n負(fù)),則有較大正向電流流過pn結(jié)。若pn結(jié)反向電壓偏置,則有一很小的電流流過pn結(jié)。該電流在反向擊穿前幾乎不變,稱為反向飽和電流。本文檔共99頁;當(dāng)前第88頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分pn結(jié)的伏安特性為:Id是暗電流,iso是反向飽和電流零偏條件下如果照射光的波長(zhǎng)滿足條件:無論光照n區(qū)或p區(qū),都會(huì)產(chǎn)生電子空穴對(duì)。本文檔共99頁;當(dāng)前第89頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分光照下,在P區(qū)光生空穴對(duì)空穴濃度影響很小,而對(duì)電子濃度影響很大,從P形成電子擴(kuò)散勢(shì)。若P區(qū)厚度小于電子擴(kuò)散長(zhǎng)度,則電子進(jìn)入pn結(jié),內(nèi)建電場(chǎng)掃向n區(qū),光生電子空穴對(duì)被內(nèi)建電場(chǎng)分開,p區(qū)、n區(qū)兩端形成負(fù)的開路電壓,稱為光生伏特效應(yīng)。本文檔共99頁;當(dāng)前第90頁;編輯于星期二\18點(diǎn)10分
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