燈用三極管的損壞機理

燈用三極管的損壞機理1第一頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI

目錄1、燈用三極管損壞機理研究及深愛燈用三極管的發(fā)展過程2、Hfe、“瞬態(tài)冷爆”及深愛抗過飽和電路3、ts、μe及其他4、熒光燈電子鎮(zhèn)流基本工作原理的初步細探第二頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI一、損壞機理研究及深愛燈用三極管產(chǎn)品發(fā)展過程BUL6800燈用系列及改進型的燈用MJE13000系列110V出口燈用L系列抗過驅(qū)動帶D系列(110VDL)第三頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI一、燈用三極管損壞機理研究及產(chǎn)品發(fā)展過程回顧深愛產(chǎn)品的發(fā)展過程：深愛燈用三極管的產(chǎn)品發(fā)展緊跟用戶的需要不斷為用戶推出低成本高可靠的新產(chǎn)品第四頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI當時遇到的主要矛盾深愛十多年來一直與燈打交道當時行業(yè)內(nèi)有一種潮流，認為燈用三極管的耐壓Bvceo要高：450V甚至500V（BUT11）

；成本要低（可以理解）。按這個思路設(shè)計三極管，使用中發(fā)熱嚴重。后來一直很受歡迎的13003BR，當時無法推廣，反而要我們打算淘汰的老產(chǎn)品，說電壓不夠。什么樣的產(chǎn)品真正又好用，價格又便宜？第五頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI什么樣的產(chǎn)品真正又好用，價格又便宜？電壓指標夠用就行，電流特性是用戶最有使用價值的指標。

第六頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI目前節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器普遍采用的線路上、下管輪流導通工作電感負載產(chǎn)生的自感電勢反峰電壓是加在導通管上泄放的。（在原理中進一步分析）第七頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI目前節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器普遍采用的線路用世界上最好的示波器去測量三極管CE二端的波形，也找不到400V以上的電壓。第八頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI實際使用的是BvcerBvcer一般要大于Bvceo（用觸發(fā)管DB3）BVceo=400V已被廣泛接受，380-400V的很好用BVcbo=500V的13001也被廣泛接受第九頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI最終損壞是功率擊穿最終損壞是功率擊穿，即加在三極管上的電壓、電流超過了三極管的功率容限，即安全工作區(qū)(SOA)（25℃）第十頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI最終損壞是功率擊穿三極管的功率容限是隨著溫度上升而下降的，必須控制三極管的發(fā)熱(即自身功耗)第十一頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI在開關(guān)工作狀態(tài)下，晶體三極管上消耗的功率由以下三部分組成：

WOFF=VCE×I漏WON=VCES×ICW過渡=ΣVt×It×△t/t(∫0tVtItdt/t）第十二頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI三極管的開關(guān)損耗波形圖

右圖為三極管的開關(guān)損耗波形圖直觀地顯示了以上三部分功率損耗數(shù)量的關(guān)系很小、基本固定、變化范圍比較大

第十三頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器專用三極管BUL6800系列深愛半導體有限公司推出節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器專用三極管BUL6800系列，具有優(yōu)良的開關(guān)特性，在保證電壓指標夠用的同時，對用戶最有使用價值的電流特性，給于了充分的保證（tf、大電流hfe）第十四頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMIBUL6800燈用三極管系列產(chǎn)品BUL中的“L”是“LAMP”-燈的第一個字母。具有優(yōu)良的開關(guān)特性，大幅度提高了產(chǎn)品性能。（結(jié)束燒管歷史消滅tf大的00-01杭州1.42-1.63）

第十五頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMIBUL6800燈用三極管系列產(chǎn)品大芯片小封裝，降低成本、縮小體積，原則上對使用無明顯影響廣泛用于25W以下節(jié)能燈推薦使用產(chǎn)品名稱封裝形式BUL6821TO-92BUL6822BTO-92BUL6822TO-92BUL6822ATO-92BUL6823TO-92BUL6823ATO-92BUL6802TO-126BUL1688SOT-82第十六頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMIBUL6800大電流特性小封裝產(chǎn)品系列（同一思路）深愛半導體于國內(nèi)率先推出大電流特性小封裝產(chǎn)品系列，目前，TO-92封裝的燈用三極管已經(jīng)大量用于國產(chǎn)節(jié)能燈，為國產(chǎn)節(jié)能燈進一步提高競爭能力作出了貢獻。第十七頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI110V出口燈用L系列同功率的燈，不采用倍壓整流時，三極管的電流規(guī)格須加倍；采用倍壓整流，用兩個電解電容，電解電容的可靠性低、體積大，越來越多的110V出口燈產(chǎn)品不再采用倍壓整流。深愛半導體于國內(nèi)率先推出的110V出口燈用L系列，用220V燈同樣的三極管成本，提供加倍的電流。第十八頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI110V出口燈用L系列技術(shù)要點1、三極管芯片面積一定時，其電壓電流參數(shù)是矛盾的，降低電壓參數(shù)，就可以提高電流性能。2、還需要燈電路及燈管參數(shù)的配合，包括燈絲電阻。第十九頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI110V出口燈用L系列：

目前，深愛半導體有限公司已經(jīng)推出全系列的110V出口燈用L系列產(chǎn)品，所有220V產(chǎn)品都有L型產(chǎn)品部分產(chǎn)品名稱封裝形式MJE13001LTO-92BUL6821LTO-92BUL6822LTO-92BUL6823LTO-92MJE13003BR（H）LTO-126MJE13003LTO-126BUL1688LSOT-82MJE13005LTO-220MJE13007LTO-220第二十頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI二、Hfe、“瞬態(tài)冷爆”和SI抗飽和電路“理論上，hFE應盡可能高，以便用最小的基極電流得到最大的工作電流，同時給出盡可能低的飽和電壓，這樣就可以同時在輸出和驅(qū)動電路中降低損耗。但是，其它方面的折衷考慮，例如開關(guān)速度和電流容限，則限制hFE的最大值（熒光燈電子控制AN1049JNAPPETSPANGLEXMOTOROLA美國）。第二十一頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMIHfe、“瞬態(tài)冷爆”和SI抗飽和電路國內(nèi)廠家早期曾經(jīng)傾向于選用hFE較小的，一度hFE=10-15，甚至hFE=8-10的三極管很受歡，因為hFE大的三極管一般其下降時間tf也長，三極管容易發(fā)熱，采用較小的hFE其目的是為了降低晶體管的發(fā)熱，降低晶體管的飽和深度。實際上，晶體管的飽和深度受Ib、hFE兩個因素的制約第二十二頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI三極管“瞬態(tài)冷爆”的問題

開始越來越突出采用大Hfe、降低基極驅(qū)動也可以隨著這方面工作的進一步深入，三極管的發(fā)熱越來越低，三極管越用越小，線路對三極管的驅(qū)動也越來越臨界?！昂檬伦鲞^了頭也會出問題”，三極管“瞬態(tài)冷爆”的問題也開始越來越突出。第二十三頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI三極管“瞬態(tài)冷爆”的特點大批量生產(chǎn)中，有少量產(chǎn)品開機即爆三極管——三極管并沒有發(fā)熱，一通電就炸了。（印板是綠的、不發(fā)黃）出問題的比例太低，問題又在瞬間發(fā)生，穩(wěn)態(tài)試驗很難找到原因。能量很大，有的時候TO-220封裝的三極管都炸裂了。第二十四頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI燈啟輝時三極管Vce及Ic波形第二十五頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI瞬時功率=120V×5A=600WIc尖峰最大值已達5A，對應時刻的Vce電壓波形其最大值超過100V，第三個Ic電流尖峰最大值下面的Vce電壓最大值達到120V以上，三極管因驅(qū)動不足脫離飽和區(qū)進入放大區(qū)，瞬時功率=120V×5A=600W，對于40W燈所用的MJE13005第二十六頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI抗過驅(qū)動帶D系列三極管工作在開關(guān)工作狀態(tài)，必須保證在任何情況下正常充分飽和，或徹底截止。飽和的條件是Hfe×Ib≥Ic，Ib太大太小都不好，太大過驅(qū)動容易發(fā)熱；太小驅(qū)動不足啟輝不良三極管會瞬時爆管。環(huán)境的偏離、參數(shù)的離散，會使一部分產(chǎn)品或者產(chǎn)品在某些時候滿足不了最佳條件第二十七頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI抗過驅(qū)動帶D系列深愛的抗過驅(qū)動帶D系列產(chǎn)品帶有有源抗飽和網(wǎng)絡。在線路的基極驅(qū)動加強的情況下，也不會出現(xiàn)深飽和，不會因過驅(qū)動燒管；電路驅(qū)動不足時，能將分流的驅(qū)動電流回到NPN管，使其不會進入放大區(qū)而瞬時爆管。自動適應環(huán)境的偏離、參數(shù)的離散帶來的問題。第二十八頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI深愛抗過飽和電路是解決上述矛盾的理想選擇PNP型晶體管作為有源抗飽和網(wǎng)絡。NPN是主晶體管，D為續(xù)流保護二極管，當NPN管飽和導通以后，當基極驅(qū)動電壓趨向高于VBE(PNP)+Vces(NPN）時，PNP管導通，將基極驅(qū)動電流分流，使NPN晶體管不會出現(xiàn)深飽和；當外電路驅(qū)動電流減弱時，僅減小分流電流，不影響NPN管飽和導通第二十九頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一二、抗過飽和電路的作用在驅(qū)動弱(60ma)時發(fā)熱不大

13003與13003D（IB、VCE）30第三十頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一在驅(qū)動弱時發(fā)熱不大（IC、VCE）13003與13003D(360ma)13003D的作用也不大31第三十一頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一驅(qū)動強(120ma)

13003與13003D（IB、VCE）13003D的作用明顯32第三十二頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一驅(qū)動強(120ma)（IC、VCE）

13003與13003D(360ma)13003D的作用明顯33第三十三頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一抗過飽和電路的作用128D1300534第三十四頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一抗過飽和電路的作用128D交叉小發(fā)熱低13005交叉大發(fā)熱高35第三十五頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI深愛抗過飽和電路是解決上述矛盾的理想選擇大大簡化晶體管驅(qū)動電路的設(shè)計可以放心地增大驅(qū)動，避免驅(qū)動不足，又不會因過驅(qū)動發(fā)熱燒管，提高大批量生產(chǎn)的工藝寬容度。對低溫（-10℃）啟動要求驅(qū)動強，但高溫不過驅(qū)動燒管很有效第三十六頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI深愛抗過飽和電路是解決上述矛盾的理想選擇我們一直希望把三極管的放大倍數(shù)做得大一些（有好處），但受到過驅(qū)動發(fā)熱的限制，現(xiàn)在有了抗過飽和電路，愿望得以實現(xiàn)。目前25-30第三十七頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI深愛抗過飽和電路是解決上述矛盾的理想選擇使用時不要再外接續(xù)流保護二極管線路基極驅(qū)動應該比較強，保證不出現(xiàn)基極驅(qū)動不足，但是也不能太強，超過PNP管可以控制的范圍第三十八頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI“雙泵”、“單泵”類高頻反饋式電路由于線路相互牽扯，電網(wǎng)電壓、使用環(huán)境溫度、燈管老化等高頻回路的變化都會引起線路整體參數(shù)的變化，偏離正常工作狀態(tài)，影響電路各部分之間的能量傳遞與轉(zhuǎn)換，易在三極管等關(guān)鍵元件或部位出現(xiàn)能量集中與沖擊，使之損壞?？癸柡偷谌彭?，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI特別推薦對于采用高頻反饋的高功率因數(shù)雙泵電路，由于三極管工作條件變化比較大，采用深愛半導體有限公司推出的帶抗過驅(qū)動電路的抗飽和三極管，具有很好的效果。（＞25W）第四十頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI正常情況下“共態(tài)導通”很難成立上下二個三極管的電流峰值是明顯錯開的，而且當一個三極管集電極電流從最大值下降的時候，另一個三極管的集電極電流有一個從零到負值再變正再逐步增大的過程，不存在“共態(tài)導通”的機會。第四十一頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI電流波形上的毛刺線路調(diào)整不好會有毛刺能造成三極管發(fā)熱出現(xiàn)“共態(tài)導通”的可能性第四十二頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來43有害的毛刺如果Ic變正的初相位角≤0°，那么這里Ic會產(chǎn)生一個有害的毛刺。第四十三頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來44電路必須是感性

如果以三極管剛導通（開關(guān)閉合）的時刻作為0°，那么三極管導通電流的相位必須滯后一個角度。電路是感性還是容性的問題——電路必須是感性。第四十四頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一理論分析——相位落后正確的工作狀況，應該是：電流相位落后于電壓相位濾波器(諧振回路)之操作類似電感性負載換流器之切換頻率高于濾波器之諧振頻率45第四十五頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI關(guān)于三極管的功率容限，即安全工作區(qū)SOA在熒光燈電子鎮(zhèn)流線路中，我們希望避免出現(xiàn)用三極管的SOA去硬抗，但是，這并不等于在任何情況下三極管的SOA值都不需要關(guān)注，當用戶的線路出現(xiàn)大的電流、電壓同時沖擊的情況時，用SOA值高的三極管就不容易損壞。由于三極管制造工藝的原因，BVCEO高的三極管一般SOA也高，在用戶無法直接測試三極管的SOA值時，可以選用BVCEO高的三極管解決。第四十六頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI三、ts、μe及其他，配合的概念（溝通一些情況）磁環(huán)有效導磁率μe

、磁環(huán)繞組圈數(shù)和三極管存儲時間Ts參數(shù)的配合，已經(jīng)成了三極管能否可靠工作的重要因素。除了燈管，磁環(huán)有效導磁率和三極管存儲時間Ts參數(shù)的離散性是目前使用中的主要矛盾。

第四十七頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI三、ts、μe及其他早期，正常使用的13005供給原用“F”13005的用戶，一開始大都會反映有問題-ts差別太大。用大了三極管反而更糟的案例（目前）三極管在電路工作狀態(tài)下的貯存時間，是電路工作周期的一部分，它影響電路的振蕩頻率。三極管貯存時間過長，電路的振蕩頻率將下降，整機工作電流增大易導致其損壞。（說法之一）第四十八頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI磁環(huán)參數(shù)問題舉例：120只中一只三極管炸裂。正常磁環(huán)繞組的電感量為0.127mH，而損壞線路的電感量為0.108mH，相差20％。磁環(huán)有效導磁率的參數(shù)偏差，決定了對三極管基極驅(qū)動的激勵偏差，如果偏差過大，就會出現(xiàn)不是一部分產(chǎn)品激勵不足，就是另一部分產(chǎn)品過飽和，都會造成三極管損壞。（說法之一）第四十九頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMIts、μe及其他同一線路上的兩個三極管的貯存時間ts相差太大，整機工作電流的上下半波將嚴重不對稱，負擔重的那個三極管將容易損壞，線路也將產(chǎn)生更多的諧波，產(chǎn)生更多的電磁干擾。（但不會有直流分量）（夸大了的）第五十頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI在低成本下做到高可靠-重要方法世界各國磁環(huán)有效導磁率的出廠標準都是±25％（兩頭相差50％），TDK（廈門）的技術(shù)人員說要做到有效導磁率±5％（兩頭相差10％），生產(chǎn)合格率就會下降；可以將國產(chǎn)三極管Ts參數(shù)的離散性和磁環(huán)有效導磁率的離散性相互配合，用Ts大的配磁環(huán)導磁率小的，Ts小的配磁環(huán)導磁率大的，照樣可以使燈可靠工作。經(jīng)驗大量實例第五十一頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI中國式的低成本高可靠道路。

全面地考慮，在制定工藝控制方案時，還必須考慮燈管的離散性，管壓、管流的極限偏差；燈管壽命范圍內(nèi)起輝性能的偏差；三極管、燈管、磁性材料隨著溫度變化產(chǎn)生的性能偏差；電源電壓波動所引起的偏差。（原則）使有一定離散性的兩種或幾種元件相互配合各得其所--中國式的低成本高可靠道路。第五十二頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI從工藝角度分析三極管損壞原因，通帶原理：

同樣的一批三極管，送給A、B二個用戶使用，用于生產(chǎn)同樣規(guī)格的節(jié)能燈，使用同樣檔次的原材料。A單位說不能用、燒管；B單位卻說用得很好。第五十三頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI從工藝角度分析三極管損壞原因，通帶原理：

就單個的三極管來說，它不會損壞，為什么在批量使用的情況下，有一定比例的損壞。0.2％、0.5％、1％、2％、20％（試制）…..。（同樣的使用對象，不同的情況下不一樣）第五十四頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI從工藝角度分析三極管損壞原因，通帶原理：

1、三極管本身是不是本來就是壞的；——極少2、三極管本身是不是不夠可靠；軟擊穿、雙線、漏電流大…..—也很少，而且一般不影響使用（合格產(chǎn)品），但參數(shù)的變化影響使用3、三極管本身沒有問題，但還是損壞了——沒有滿足它應有的條件——你對不起它，它也就對不起你?！壳按嬖诘闹饕獑栴}?！獓a(chǎn)三極管的離散性第五十五頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一一個重要的理論支持行業(yè)發(fā)展到現(xiàn)階段，燈及鎮(zhèn)流器的損壞主要不是因為某個元件本來就是有問題，而主要是因為它們之間的參數(shù)配合有問題56第五十六頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI合理的、安全的通帶合理的、安全的通帶；各種配合元器件在某一確定的電路中都有各自允許能可靠工作的參數(shù)誤差范圍——即“通帶”，參數(shù)誤差范圍的中心值是最佳值——中心線對準例如磁性材料的有效磁導率的大小以及它的變化速率和三極管Ts之間的配合，兩者都有±10％的離散性。通過合理的分檔、分組配合，解決離散性帶來的問題±10％--±5％第五十七頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI其他燈管啟輝時，工作電流很大，且遠遠偏離三極管正常工作狀態(tài)燈管質(zhì)量差、燈管老化，電路參數(shù)偏離，造成燈較長時間不能啟輝，均會造成三極管損壞。在燈管、磁環(huán)、三極管、電解四要素中，燈管是第一位的。第五十八頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI復旦大學電光源研究所

劉躍群教授2003年浙江省照明電器協(xié)會的擇優(yōu)配套會議上劉教授就提出了鎮(zhèn)流器必須和燈管的正常工作范圍配合的問題：燈管電壓的偏差（國標規(guī)定±10％）燈管功率的偏差必須考慮燈管管壓、管流的標準誤差±10％，不少工廠在裝燈時未經(jīng)檢測驗收就投入使用，燈管的偏差遠遠超過了規(guī)定的范圍第五十九頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI熒光燈電子鎮(zhèn)流基本工作原理的初步細探以上問題的討論還是初步的，要進一步深入，感到還有不少問題沒有搞清楚；低成本高可靠的一個重要根據(jù)-電感上的反電勢怎樣消除的-原理？ts、μe

的配合更深入的原理？等等從局部看是有道理的；怎樣把各種要素全面統(tǒng)籌考慮？第六十頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來61熒光燈電子鎮(zhèn)流基本工作原理的初步細探陳傳虞先生在看到《中國照明電器》2004年第11期發(fā)表的文章：《熒光燈電子鎮(zhèn)流工作原理再細探》（上）后從中山給我來了很多電話，一打就是幾十分鐘，后來我們又見了一面，統(tǒng)一了一些認識中國照明電器》2005年第11、12期發(fā)表了（陳老師）的文章：《電子鎮(zhèn)流器中半橋逆變電路之分析》第六十一頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來62四、半橋逆變電路原理分析探討陳老師說“半橋逆變電路是電子鎮(zhèn)流器和電子節(jié)能燈最常用也是最基本的電路，正確地理解它的工作原理，將有助于我們合理地選擇元器件如三極管、磁環(huán)變壓器、扼流電感、啟動電容等元件的參數(shù)，正確地設(shè)置三極管的驅(qū)動電流，以降低它的功耗與熱量，提高整燈的可靠性”第六十二頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來63半橋逆變電路原理分析探討文章說：“遺憾的是過去受觀察儀器（如示波器）和測試手段的局限，我們無法觀測到電路中關(guān)鍵點如三極管各個電極電流的正確波形，以至形成一些錯誤的概念。因而無法作出符合實際情況的定量分析和判斷，”第六十三頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來64半橋逆變電路原理分析探討“盡管這個電路眾所周知，但人們對它的理解存在一些錯誤觀念”

文章說：通過試驗、討論“澄清了過去不少糊涂概念”第六十四頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來65過去不少糊涂概念使導通三極管轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂故恰盎鶚O電位轉(zhuǎn)變?yōu)樨撾娢弧薄盩1（磁環(huán)）飽和后，各個繞組中的感應電勢為零”“VT1基極電位升高VT2基極電位下降”； 三極管怎樣關(guān)斷怎樣開通沒有說清楚，是一筆糊涂帳。第六十五頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來66半橋逆變電路原理分析探討以前的不少糊涂概念其中一個原因是因為對磁環(huán)變壓器的工作情況沒有真正搞清楚不理解可飽和脈沖變壓器和磁環(huán)磁導率μ的飽和概念第六十六頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來67實際波形糾正糊涂概念—怎樣關(guān)斷綠色曲線扼流電感兩端電壓蘭色：磁環(huán)繞組感應電壓V環(huán)；紅色：三極管IC第六十七頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來68流過同樣的電流，產(chǎn)生的感應電壓不一樣

扼流電感兩端電壓是由流經(jīng)電感的電流－di/dt所決定，過零點在峰值點，即電流平頂點（di/dt＝0），綠色曲線1是電感兩端電壓VL的波形，過零點在三極管電流IC（圖中紅色曲線2）峰值點第六十八頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來69多學科交叉的問題

一方面確實是沒有高科技手段看不到有些波形；另一方面:這個問題至少牽涉到對磁性材料、電光源領(lǐng)域高頻工作下的低壓氣體放電、半導體物理、電子電路等專業(yè)知識的深刻了解和它們之間的融會貫通。一個人的知識面、精力都是有限的；所以，這需要有關(guān)方面聯(lián)手合作進一步做深入細致的工作。第六十九頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來70原理分析：（磁環(huán)）磁導率μ的飽和點

磁環(huán)磁化曲線（B-H）（H=NI/L）及磁導率μ-H變化曲線，μ=B/H：B-H曲線的斜率，μ隨著外場H的增加而增加，當H增大到一定值時μ達到最大，其最大值為可飽和脈沖變壓器磁導率的峰值。此后，外場H增加μ減小。第七十頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI三極管由導通轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂沟牡谝粋€轉(zhuǎn)折點下半部分為三極管Vce、Ic、Ib，上半部分和下半部分有一根垂直的聯(lián)線，把基極電流Ib的峰值點和可飽和脈沖變壓器的磁導率μ的峰值點聯(lián)系到了一起，這是外部電路改變?nèi)龢O管工作狀態(tài)的重要信號點。

第七十一頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI磁環(huán)繞組感應電壓V環(huán)過峰值，三極管基極電流Ib同步過峰值磁環(huán)繞組感應電壓V環(huán)=－Ldi/dt，而磁環(huán)繞組電感量L=μN2S/ι，磁環(huán)繞組感應電壓與可飽和脈沖變壓器（磁環(huán)）磁導率μ成正比V環(huán)下降Ib也下降當磁環(huán)繞組感應電壓V環(huán)低于基區(qū)內(nèi)部的電壓時，少數(shù)的載流子就從基區(qū)流出，基極電流反向為負值Ib2

第七十二頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI存儲時間(ts)過峰值后基極電流反向為負值在這期間，基區(qū)電流(稱為IB2)是負，但是VCE維持在飽和壓降VCEsat（圖4蘭色曲線1），而IC電流正常流動（圖4紅色曲線2），這時期對應存儲時間(ts)。在這段時間Vbe始終是正的（不少書刊上都說基極電壓變負）第七十三頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI沒有說清楚的地方三極管關(guān)斷過程中，Ib出現(xiàn)負電流以后，不再有通過磁環(huán)變壓器的“正反饋”，不是“由于這種再生反饋的結(jié)果，使集電極電流IC2很快由某一較大值跳變?yōu)榱恪倍怯捎贐C結(jié)反偏使集電極電流IC2很快由某一較大值跳變?yōu)榱愕谄呤捻摚惨话倭闳?，編輯?023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI沒有說清楚的地方關(guān)斷過程中，IB出現(xiàn)負電流以后，基區(qū)存儲少數(shù)的載流子就從基區(qū)流出但是VCE維持在飽和壓降VCEsat（蘭色曲線1），而IC電流正常流動（紅色曲線2）直到

BC結(jié)反偏使集電極電流IC2很快由某一較大值跳變?yōu)榱愕谄呤屙?，共一百零三頁，編輯?023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI導通轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂沟倪^程有兩個轉(zhuǎn)折點：μe、ts可飽和脈沖變壓器（磁環(huán)）磁導率μ的飽和點-磁環(huán)次級繞組電壓峰值-外部電壓低于三極管基極電壓-三極管進入存儲三極管從存儲結(jié)束退出飽和-三極管徹底關(guān)斷第七十六頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI要點三極管怎樣關(guān)斷：磁環(huán)磁導率μ與三極管ts三極管怎樣開通：電感L諧振回路加上方波,產(chǎn)生電流（這個電流太復雜）第七十七頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMIC3R2的作用（關(guān)斷過程之二）在第二個轉(zhuǎn)折點與第三個轉(zhuǎn)折點之間Ic1Ic2的波形有一個缺口三極管Ic存儲結(jié)束，電流開始快速下降，后面還有很長一段電流很小的拖尾；在這個時候另一個三極管仍然是截止的，還沒有開始導通，這樣就會造成一個電流缺口第七十八頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMIC3R2的作用，流過R2C3的電流和Vce電壓波形

Vce從零上升到310V，C3也得充電到310VVT1從截止轉(zhuǎn)為導通時，R2C3放電，其放電電流填補電流缺口第七十九頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI電壓夠用就行的理論依據(jù)帶電感負載的開關(guān)三極管，在三極管關(guān)斷時因電感產(chǎn)生反電動勢會受到一個高電壓。但是，在目前國內(nèi)大量采用的電子鎮(zhèn)流熒光燈半橋電壓反饋電路中，開關(guān)三極管電壓的選擇，是不考慮這個反電動勢的；在實際生產(chǎn)中，用世界上最好的示波器去觀察，也看不到高于整流濾波后電源電壓的波形

第八十頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI電壓夠用就行的理論依據(jù)對于燈用三極管設(shè)計生產(chǎn)廠家來說，三極管的電壓參數(shù)選取得是否合理，關(guān)系到如何真正做到“低成本、高可靠”；如果不切實際地把三極管的電壓參數(shù)選高了，用戶最需要的電流特性就會受到影響。那么，電路中的這個反電動勢，是通過什么渠道泄放掉的？在R2C3上的充放電電流終了后，三極管集電極電流Ic初始值是泄放的重要途徑。

第八十一頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMIC3R2充放電終了-IC反向電流電感L中的電流不能突變，而此時Vbe已為正，三極管產(chǎn)生一個反向電流，此時也正好是電感L兩端電壓的峰值點。電流不能馬上剎車第八十二頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一至誠至愛，共創(chuàng)未來SISEMI另一個三極管的開通一個三極管關(guān)斷，電感L中的電流不能突變，另一個三極管會產(chǎn)生一個反向電流；三極管BE、CE并聯(lián)反向二極管（共有四種情況）對整個電路的工作狀況有很大影響，特別是會對燈管起輝產(chǎn)生影響，對三極管電流波形產(chǎn)生影響。

第八十三頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一1、CE二極管的作用84第八十四頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一不加

CE二極管電流波形（毛刺）上管不加CE二極管4007，下管三極管VCE、IC

85第八十五頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一CE二極管電流波形電壓不同86第八十六頁，共一百零三頁，編輯于2023年，星期一2023/6/20

至誠至愛，共創(chuàng)未來87上管不加CE二極管4007，下管三極管VCE、IC（毛刺）C3充放電結(jié)束，下管三極管已經(jīng)關(guān)閉，上管BE、CE無二極管，開通時電感內(nèi)的電流繼續(xù)通過上管磁環(huán)次級繞組、RB、上管bc結(jié)（成為上管的負電流）；當ce電壓比較高的時候，電感內(nèi)的能量大，“上管磁環(huán)次級繞組、RB、上管bc結(jié)”