![第三章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路_第1頁(yè)](http://file4.renrendoc.com/view/102825a7bf368af7010f7120aaac1a28/102825a7bf368af7010f7120aaac1a281.gif)
![第三章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路_第2頁(yè)](http://file4.renrendoc.com/view/102825a7bf368af7010f7120aaac1a28/102825a7bf368af7010f7120aaac1a282.gif)
![第三章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路_第3頁(yè)](http://file4.renrendoc.com/view/102825a7bf368af7010f7120aaac1a28/102825a7bf368af7010f7120aaac1a283.gif)
![第三章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路_第4頁(yè)](http://file4.renrendoc.com/view/102825a7bf368af7010f7120aaac1a28/102825a7bf368af7010f7120aaac1a284.gif)
![第三章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路_第5頁(yè)](http://file4.renrendoc.com/view/102825a7bf368af7010f7120aaac1a28/102825a7bf368af7010f7120aaac1a285.gif)
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第三章場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路第一頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道(耗盡型)FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型IGFET絕緣柵型分類:第二頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四§5.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管第三頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四一、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(以N溝道為例)
場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)極:源極(s)、柵極(g)、漏極(d),對(duì)應(yīng)于晶體管的e、b、c;有三個(gè)工作區(qū)域:截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū),對(duì)應(yīng)于晶體管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。符號(hào)結(jié)構(gòu)示意圖柵極漏極源極導(dǎo)電溝道單極型管∶噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)、低電壓工作1.結(jié)構(gòu)第四頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四2.工作原理
(1)柵-源電壓對(duì)導(dǎo)電溝道寬度的控制作用溝道最寬溝道變窄溝道消失稱為夾斷
uGS可以控制導(dǎo)電溝道的寬度。為什么g-s必須加負(fù)電壓?UGS(off)第五頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四(2)漏-源電壓對(duì)漏極電流的影響uGS>UGS(off)且不變,VDD增大,iD增大。預(yù)夾斷uGD=UGS(off)
VDD的增大,幾乎全部用來(lái)克服溝道的電阻,iD幾乎不變,進(jìn)入恒流區(qū),iD幾乎僅僅決定于uGS。場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū)的條件是什么?uGD>UGS(off)uGD<UGS(off)第六頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四夾斷電壓漏極飽和電流3.特性場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū),因而uGS>UGS(off)且uGD<UGS(off)。uDG>-UGS(off)(1)轉(zhuǎn)移特性第七頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四g-s電壓控制d-s的等效電阻(2)輸出特性預(yù)夾斷軌跡,uGD=UGS(off)可變電阻區(qū)恒流區(qū)iD幾乎僅決定于uGS擊穿區(qū)夾斷區(qū)(截止區(qū))夾斷電壓IDSSΔiD不同型號(hào)的管子UGS(off)、IDSS將不同。低頻跨導(dǎo):第八頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四二、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
uGS增大,反型層(導(dǎo)電溝道)將變厚變長(zhǎng)。當(dāng)反型層將兩個(gè)N區(qū)相接時(shí),形成導(dǎo)電溝道。SiO2絕緣層襯底耗盡層空穴高摻雜反型層1.增強(qiáng)型管大到一定值才開(kāi)啟第九頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四增強(qiáng)型MOS管uDS對(duì)iD的影響
用場(chǎng)效應(yīng)管組成放大電路時(shí)應(yīng)使之工作在恒流區(qū)。N溝道增強(qiáng)型MOS管工作在恒流區(qū)的條件是什么?
iD隨uDS的增大而增大,可變電阻區(qū)
uGD=UGS(th),預(yù)夾斷
iD幾乎僅僅受控于uGS,恒流區(qū)剛出現(xiàn)夾斷uGS的增大幾乎全部用來(lái)克服夾斷區(qū)的電阻第十頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四2.耗盡型MOS管
耗盡型MOS管在
uGS>0、uGS
<0、uGS
=0時(shí)均可導(dǎo)通,且與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管不同,由于SiO2絕緣層的存在,在uGS>0時(shí)仍保持g-s間電阻非常大的特點(diǎn)。加正離子小到一定值才夾斷uGS=0時(shí)就存在導(dǎo)電溝道第十一頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四3.
MOS管的特性1)增強(qiáng)型MOS管2)耗盡型MOS管開(kāi)啟電壓夾斷電壓第十二頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四3.場(chǎng)效應(yīng)管的分類
工作在恒流區(qū)時(shí)g-s、d-s間的電壓極性問(wèn)題:uGS=0可工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有哪幾種?
只有uGS>0才可能工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有哪幾種?只有uGS<0才可能工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有哪幾種?第十三頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四討論一:利用圖示場(chǎng)效應(yīng)管組成原理性共源放大電路。第十四頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四討論二:如何利用Multisim測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性從輸出特性曲線說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管的哪些特點(diǎn)?第十五頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四§5.3場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路一、場(chǎng)效應(yīng)管靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置方法二、場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的動(dòng)態(tài)分析三、場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的頻率響應(yīng)第十六頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四一、場(chǎng)效應(yīng)管靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置方法根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū)的條件,在g-s、d-s間加極性合適的電源1.基本共源放大電路第十七頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四2.自給偏壓電路由正電源獲得負(fù)偏壓稱為自給偏壓哪種場(chǎng)效應(yīng)管放大電路能夠采用這種電路形式設(shè)置Q點(diǎn)?第十八頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四3.分壓式偏置電路為什么加Rg3?其數(shù)值應(yīng)大些小些?即典型的Q點(diǎn)穩(wěn)定電路第十九頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四二、場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的動(dòng)態(tài)分析近似分析時(shí)可認(rèn)為其為無(wú)窮大!根據(jù)iD的表達(dá)式或轉(zhuǎn)移特性可求得gm。與晶體管的h參數(shù)等效模型類比:1.場(chǎng)效應(yīng)管的交流等效模型第二十頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四2.基本共源放大電路的動(dòng)態(tài)分析若Rd=3kΩ,Rg=1MΩ,gm=2mS,則與共射電路比較。第二十一頁(yè),共二十四頁(yè),編輯于2023年,星期四3.基本共漏放大電路的動(dòng)態(tài)分析若Rs=3kΩ,gm=2mS,則第二十二頁(yè),
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