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文檔簡介
第第頁反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式穩(wěn)態(tài)時各關(guān)鍵點的電壓和電流的開關(guān)波形
結(jié)合著原理圖,我試著解釋一下反激(開關(guān)電源)在不連續(xù)模式(DC)M穩(wěn)態(tài)時各關(guān)鍵點的電壓和(電流)的開關(guān)波形,不涉及具體元件參數(shù)數(shù)值。
反激開關(guān)電源的基本(工作原理)
在MOS管Q1導(dǎo)通時,變壓器L1初級繞組充電。在MOS管關(guān)斷時,初級繞組存儲的能量向次級繞組傳遞。
反激開關(guān)(電源)主要包括電源輸入電路、MOS(驅(qū)動電路)、RCD吸收電路、電源輸出電路、電壓反饋(控制電路)。其他諸如(電流采樣)(保護電路)、電源啟動電路、斜率補償電路等可能在開關(guān)電源中應(yīng)用的電路,在此文中不作展開討論。
MOS管驅(qū)動電路波形
左圖為MOS管驅(qū)動電路相關(guān)波形的示意圖(電流不連續(xù)模式DCM),其中Uin對應(yīng)上圖的V1,Ugs對應(yīng)上圖A點電壓波形。右圖是某反激開關(guān)電源實測波形,僅體現(xiàn)了初級繞組電流及MOS管DS壓降。
左圖的Uds波形有兩處振蕩波形,分別由初級繞組漏感Llk與MOS管寄生(電容)Coss諧振產(chǎn)生,由初級繞組電感Lm與MOS管寄生電容Coss諧振產(chǎn)生。由于初級繞組漏感Llk相比初級繞組電感Lm要小得多,比如說前者是后者的1%~5%,所以第一處諧振波形的頻率比第二處要高得多。第一處電壓諧振波形逐漸恢復(fù)至穩(wěn)定狀態(tài),此時Uds電壓幅值為次級反射電壓。第二處開始諧振時,MOS管處于斷態(tài),輸出(二極管)處于斷態(tài),次級繞組電流為零。
在此電路中,電感和電容串聯(lián)諧振的基本模型如下。在諧振頻率下,電感和電容的阻抗相互抵消,整個回路中只有線路寄生電
阻,電感向電容充電,之后電容向電感充電,能量在二者之間往復(fù)循環(huán),能量難以消耗,就形成了諧振電壓波形。
RCD吸收電路波形
當(dāng)MOS關(guān)斷時,RCD吸收電路的作用是吸收MOS管DS兩端的電壓尖峰,防止MOS管D極被Uds電壓尖峰擊穿損壞或影響MOS管的使用壽命。
Uc表示鉗位電容C2兩端電壓,其電壓不應(yīng)超過設(shè)計的Uclamp鉗位電壓設(shè)計值(已經(jīng)忽略了二極管正向?qū)▔航担?,使得Uclamp+Uin<80%×MOS管DS耐壓。注意下右圖的V軸幅值不是以0V為起始點的,是以Uin為起始點的。
某開關(guān)電源Uds電壓波形(紅色)及Uclamp電壓波形(藍色)如下:
當(dāng)該電壓上升時,對應(yīng)著MOS管關(guān)斷的初始時刻,在此刻Uds電壓尖峰通過二極管D3向電容C2進行充電,見下圖電流路徑①。當(dāng)Uds電壓尖峰小于電容電壓時,二極管D3截止,電容C2向(電阻)進行放電,見電流路徑②。
電源輸出電路波形
當(dāng)電源處于穩(wěn)態(tài)時,在ton時刻,MOS管導(dǎo)通,初級繞組的電感電流線性增加,電容Co向負載RL(供電),見下圖電容放電電流(Ic)1路徑。因為反激開關(guān)電源所用變壓器的初級繞組和側(cè)邊繞組的同相端是相反的。在ton時刻,初級繞組為抑制電流增大,初級繞組感應(yīng)電壓上正下負,側(cè)邊繞組Lp的感應(yīng)電壓上負下正,二極管D1處于截止?fàn)顟B(tài)。
在toff時刻,MOS關(guān)斷,初級繞組存儲的能量向次級繞組傳送,初級繞組為維持原電流方向,初級繞組感應(yīng)電壓上負下正,次級繞組的感應(yīng)電壓上正下負,二極管D1處于導(dǎo)通狀態(tài),次級繞組經(jīng)二極管D1向電容Co和負載RL供電。
右下圖是某開關(guān)電源輸出電壓紋波電壓實測結(jié)果。所以在ton時刻,電容Co兩端電壓波形時間對應(yīng)Ic1電流放電時間。在toff時刻,電容Co兩端電壓波形時間對應(yīng)Ic2電流充電時間。
電壓反饋控制電路波形
在這部分電路,通常使用開環(huán)系統(tǒng)傳遞函數(shù)的伯德圖,結(jié)合伯德圖的穩(wěn)定性判據(jù)去討論和判斷開關(guān)電源的穩(wěn)定性。
足夠的幅值裕度和相位裕度是必要的,否則開關(guān)電源系統(tǒng)的動態(tài)響應(yīng)特性比較差,或者輸出電壓出現(xiàn)振蕩。
在下圖是開關(guān)電源電壓控制頻率補償回路傳遞函數(shù)伯德圖,相位裕度大于90°,低頻增益為40dB,中
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