flash數(shù)據(jù)恢復7 0使用說明書2013 7專業(yè)版_第1頁
flash數(shù)據(jù)恢復7 0使用說明書2013 7專業(yè)版_第2頁
flash數(shù)據(jù)恢復7 0使用說明書2013 7專業(yè)版_第3頁
flash數(shù)據(jù)恢復7 0使用說明書2013 7專業(yè)版_第4頁
flash數(shù)據(jù)恢復7 0使用說明書2013 7專業(yè)版_第5頁
已閱讀5頁,還剩129頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

一、Flash的分 .-6和--讀-校驗-Flash的型 .-41盤-接口----板-盤故障現(xiàn)象-盤故障原因-盤保養(yǎng)----安裝 -75 .-76第一 基礎知一、lah的分上電腦、數(shù)碼相機、GPS、U盤、MP3等等,這些產(chǎn)品越來越多的使用各種移動微器作為介質(zhì),其中很大部分是Flash,也稱為閃存。為作為一種非易失性技術,F(xiàn)lash在設備斷電后,中的數(shù)據(jù)仍10萬次以上,數(shù)據(jù)可靠保持超過10年等。目前市面上比較常見的Flash可以分為兩大類,一類是NANDFlash結(jié)構(gòu),由東芝公司于1989年,主要供應商為三星、東芝、現(xiàn)代、SanDisk等,一般用于高密度的設備,特點是容量大、價格低、寫入和擦除采用此類;另一類是NORFlash結(jié)構(gòu),由In 于1988年開發(fā)出來,它的出現(xiàn) ce可以使應用程序直接在Flash內(nèi)存中運行而不必再將代碼到系統(tǒng)的RAM中,在系統(tǒng)級實現(xiàn)存取操作,這就需要占用額外的RAM空間,影響系統(tǒng)工作。為NANDFlashNORFlash前的主流容量已經(jīng)達到4GB8GB16GB等;而NORFlash的容量比較小,以代碼為主,也稱為codeFlash,主流容量為512MB。和硬盤以扇區(qū)為最小存取單位不同,F(xiàn)lash的操作單位是頁和塊,其擦除是以前都需要進行擦除操作。NANDFlash執(zhí)行擦除操作十分簡單,而NORFlash則要求在進行擦除前先要將目標塊內(nèi)所有的位都寫為0。NOR64~128KB執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間大約為5s,與此相反,擦除NAND器件是以8~32KBNOR的速度比NAND稍快一些NANDNORNAND4msNOR5sNAND就相應地降低了NAND閃存產(chǎn)品的價格。相對而言NOR的價格就要貴得多。NANDNOR易用性:NANDI/O加了應用的難度;而NOR有的地址引腳來尋址,很容易就和其他進行連接,個好處在于可以利用同樣的硬件設計和電路板支持較大的NANDFlash器件??煽啃裕篘ANDFlashEDC/ECC(錯夠發(fā)現(xiàn)并更換一個讀寫失敗的區(qū)塊,將數(shù)據(jù)到一個有效的區(qū)塊。耐久性:閃存器件由于寫入和擦除數(shù)據(jù)時會導致介質(zhì)的氧化降解,導致老化,在這個方面NORFlashNANDFlash的擦寫100NORFlash10壞塊處理:NANDFlashNORFlashNANDFlash器件上進行這類操作則需要驅(qū)動程序(即內(nèi)存技術驅(qū)動程序MTD)支持;NANDNOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD的支持,使用NOR器件時所需要的MTD相對少一些,許多廠商都提供用于NOR器件的更高級軟件,這其中包括M-System和In等廠商所采用。驅(qū)動還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進行仿真和NAND閃存的管Flash儲的結(jié)構(gòu)。提示:若不作特殊說明,下文中所說的Flash均指NANDFlashh按照技術的不同,可以將NANDFlash分為SLC和MLC兩種類型;另外,市面上還流通著一類Flash廠家淘汰出來的缺陷,可以將其分為黑片和白片。下面分別SLC和NANDFlash根據(jù)技術的不同,可以分為SLC和MLC兩種制程(SingleLevelCell;SLC)即單層式,每個單元只能1bit數(shù)據(jù),可以光(Micron)以及東芝等都是此技術使用者;MLC(MultiLevelCell;MLC)即多層式,每個單元可以2bit數(shù)據(jù),即4個值,密度比SLC大一倍,理論存取速度僅為2M/s左右,另外,MLC的能耗比SLC高,在相同條件下比SLC要多15%左右的電流消耗,且MLC的擦寫次數(shù)達到一千次即算合格,容易損壞,可能會造成數(shù)據(jù)丟失等問題,信息單元,這種技術能提供快速的數(shù)據(jù)與,不過此技術受限于硅效能(Siliconenhancements上提升SLC制程技術,大大限制了SLC的發(fā)展。MLC是將2bit數(shù)據(jù)存入浮動柵(FloatingGate,閃存單元中存放電荷的部分,然后利用不位(Level)的電荷,透過內(nèi)存的電壓控制精準讀寫,假設以4種電壓控制、12bits83bitsFlash的容量大幅提升,類似Rambus的QRSL技術,通過精確控制FloatingGat上的電荷數(shù)量,使其呈現(xiàn)出4種不同的狀態(tài),每種狀態(tài)代表兩個二進制數(shù)值(從00到11。浮動柵中的電荷總量減少了,使得檢測的信息變得更加,尤其是MLC芯SLC制程和MLC制程方式圖SLC制程說明 MLC制程2、SLCMLCMLC的密度較高,并且可以使用老舊的生產(chǎn)設備來提高產(chǎn)品的容量,無須額改進,MLC的讀寫性能應該還可以進一步提升。閃存器件的發(fā)展方向?,F(xiàn)在的NAND3、SLCMLC那我們所用的移動設備中究竟是采用的SLC還是MLC呢,這可以通過設備的傳輸速度和Flash的型號進行識別。度有2、3倍優(yōu)勢的應該是SLC,而速度上稍慢的則是MLC。即使同樣采用了為開頭的即是MLC制式,而以HYUU或HYUV為開頭型號的現(xiàn)代閃存即是MLC。歸納起來,三星MLC編號為:K9G******K9L*****;現(xiàn)代MLC編號為:HYUU****HYUV***。NANDFlash除了SLC和MLC的分類方法外,目前市場上還有一種分類方法,即Flash由于Flash制程和容量的提升,內(nèi)部結(jié)構(gòu)越來越復雜,而在新的制程推出的Flash被稱為不良Flash,也即DowngradeFlash。黑片和白片都屬于DowngradeFlash類型的Flash。使用,最后被做成U盤、MP3、SD卡等產(chǎn)品進行銷售,但卻存在容量不足、性能不穩(wěn)定等問題隱患。由于價格低廉,DowngradeFlash的市場正在進一步成長,現(xiàn)在有很多主控也針對DowngradeFlash進行兼容。黑片分兩種,一種是Flash工廠選出的淘汰次品,因為廠商在生產(chǎn)NANDFlash時,良品率不可能達到100%,生產(chǎn)出來的產(chǎn)品根據(jù)壞塊數(shù)量的多少分成不同的等級,一般可分為99%容量、97%容量、93%容量等,那些低于93%容量的都不再打上原如K9K8G08U0A-PCB0的SLC,沒有這個型號打上,就是黑片?,F(xiàn)在很多U盤、MP3小廠大量的采購這類,經(jīng)過技術處理后做成產(chǎn)品,來降低成本,但做黑片的人沒有相應定;另一種是指市場上回收的二手Flash,經(jīng)過打磨、壞塊等技術處理后做成產(chǎn)品,導致市場上很多U盤有大量缺陷,如使用過程中容量突然就為0字節(jié),導致其中提示:SLCMLC容量不夠而廢棄的Flash。生產(chǎn)廠家也不會在這類上打上原廠的雷刻標識。3、采用DowngradeFlash可能出現(xiàn)的問以U盤為例,若選用DowngradeFlash可能出現(xiàn)以下故障U盤的Flash采用不合格的白片,將其打磨好編號后使用,一般很難查詢到上面的編號的出片。而采用了這種的U盤使用起來極不穩(wěn)定,在同一臺電腦上文件可能不會有問題,但在其他電腦上使用時可能出現(xiàn)文件打不開的情況。用專門的軟件對U盤參數(shù)進行修改,如將USB1.1的接口修改顯示成USB2.0,U盤不但傳輸速度會非常慢,且出現(xiàn)問題的機UU容量。因為Flash有幾個引腳是專門用來檢測容量的,通過更改這幾個引腳三、lah的物理構(gòu)Flash是以晶圓封裝而成,而晶圓是以二氧化硅沙精練出來的硅元素為原料,456812IC(集成電路)就越,其復數(shù)形式為dice,每個die都是一個單獨的電路,和其他的dice沒有電的聯(lián)系。diedie(fail同時為最慢會減少測試項目,致使一些本來在晶圓生產(chǎn)廠家不能通過的die用在了最終的產(chǎn)品中,造成產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定。裝階段標記為不好的同樣會被丟棄,封裝之后也需要對再次進試,且這個測試DIP、PDIP、PGA、SOP、TSOP、FBGA、LGA目前的NANDFlash多采用TSOP封裝方式。四、lah的數(shù)據(jù)原還會有一些粒子能過去,好像有一個隧道,稱作“量子隧道(quantumtunneling1957年,受雇于索尼公司的於奈(LeoEsaki,1940~)在改良高頻晶體管2T71960年,美裔挪威籍科學家加埃沃(IvanGiaever,1929~)通過實驗證明了在超導體隧道結(jié)中存在單電子隧道效應。在此之前的1956年出現(xiàn)的“對”及BCS理論被1962年,年僅20歲的英國大學實驗物理學(BrianDavidJosephson,1940~),當兩個超導體之間設置一個絕緣薄層構(gòu)成SIS括控制柵極和浮置柵極(浮柵持能力,如下圖所示。采用這種結(jié)構(gòu),使得單元具有了電荷保持能力,就像是裝進瓶子這種原理的閃存就具有了“”能力。荷的電荷勢阱。上下兩層氧化物的厚度大于50埃,以避免發(fā)生擊穿。NAND,向單元內(nèi)寫入數(shù)據(jù)的過程就是向電荷勢阱注入電荷的過程。而NOR型閃存擦除數(shù)據(jù)仍流從浮置柵極到源極?,F(xiàn)在使用的U盤、MP3等移動設備大多采用通過硅基層為浮柵提示:與硬盤直接寫入數(shù)據(jù)的方式不同,在Flash中寫入新數(shù)據(jù)前,必須將F-N因為在Flash中的數(shù)據(jù)都是以0和1來表示的,所以向浮柵中注入電荷就表示寫入0,而放出電荷(即擦除)則表示寫入1,這與硬盤清除數(shù)據(jù)后位全為0正有的電荷量,所以操作不會改變Flash中原有的數(shù)據(jù)。五、lah的組織結(jié)Flash是一種非易失性技術,即在設備斷電后,中的數(shù)據(jù)仍的Flash也可以進一步劃分為通道、總線寬度、頁和塊。個數(shù)。例如,一個U盤包含4個Flash,而每個Flash中封裝4個晶圓,則該U盤的通道個數(shù)為16。每個晶體管可以1Bit數(shù)據(jù)。和硬盤一樣,在Flash中的數(shù)據(jù)也是用0和1表示。最小單元以8位(Byte,字節(jié),x8器件)或16位(Word,字,x16器頁因為在NANDFlash中,數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在單元中,一個位單元只能保存一個bit。而這些單元以8個或16個為單位,連成bitline,形成所謂的byte(x8)/wor-d(x16NANDFlash頁是NANDFlash器件中的最小讀寫入單位,就類似于硬盤中的扇區(qū),但和硬盤扇區(qū)容量為512Byte的倍數(shù)不同,頁的大小通常為528Byte的倍數(shù),即512 Byte為數(shù)據(jù)區(qū),它又可以分為多個部分,通過NANDFlash指令00h/01h/50h可以分別對數(shù)據(jù)區(qū)的前半部、后半部和管理區(qū)進行定位,由NANDFlash內(nèi)置的指針指向各自的首地址;是硬盤的管理區(qū)在于硬盤的電路板的處理器中或負磁道中。注意:2GBNANDFlashFlash中頁的大小一般為528字節(jié)的倍數(shù),即(512+16)字節(jié),其中512字areaarea52821124528中512字節(jié)數(shù)據(jù)后再加上16字節(jié)的管理區(qū),這樣的扇區(qū)可以有4個。放在最后面。如果一頁為2112字節(jié),則先4份512字節(jié)的數(shù)據(jù),再在頁尾4份前面兩種頁結(jié)構(gòu)中,每頁都沒有頁頭頁尾,在Flash中還有一種有頁頭頁尾2112302112塊(擦除操作一般需要2ms,而之前若干周期令和地址信息占用的時間可以忽略不計,所以NANDFlash器件的塊容量將決定擦除的性能。大容量NAND閃存的頁容量提高,而每528Byte看出,在相同時間之內(nèi),后者的擦除速度為前者的8倍。六、lah的工作原Flash包括x8和x16兩種不同規(guī)格,其引腳定義略有不同,這里以美光公司的MT29F2G系列為例,其中左側(cè)引腳的定義二者完全相同,只是右側(cè)的引腳中x16x88I/O48TSOP1x8x16規(guī)格器件的引腳分配(頂視圖。下面分別對各引腳的含義進行介紹。存到NAND地址寄存器中 的是地址信號,當ALE為低平的時候 的是數(shù)據(jù)信啟用控制,如果器件沒有檢測到CE信號,則NAND器件就CE、CE2、CE3、CE4,通過相應的控制信號可以選中某 能有一個需要用CLE來控 哪種數(shù)據(jù)類型,當CLE為高電平 需要用ALE引腳來確定件有8個I/O引腳,x16器件有16個I/OX16

片,則其他的R/B2、R/B3、R/B4引腳損壞不 NoConnect:NCFlash的指令和操作模式選如表1.2所示為其指令集,其中羅列了各類操作在不同周期所使用的指令。表1.2 RHLLHXLHLHXHLLHHLHLHHLLLHHLLHXLLLHHXXXXXXHXXXXXHXXXXXLRead WriteMode CommandInputSequentialReadandDataDuringRead(Busy)DuringErase(Busy)WriteProtect Flash的操在Flash內(nèi)部有指令寄存器、地址寄存器、數(shù)據(jù)寄存器、緩沖寄存器、狀態(tài)產(chǎn)生相應的譯碼選通信號。主設備通過8位I/O端口分時復用器件的指令、地址和數(shù)據(jù)寄存器,完成對內(nèi)器的。頁操以samsung公司生產(chǎn)的型號為K9F1208的Flash中的數(shù)據(jù)為例,如下圖所示是NANDFlash的標準頁時序圖。具體的頁操作順序如下。①發(fā)指令階段:在啟用信號CE有效的情況下,首先指令啟用指令鎖存信號CLE,I/O端口發(fā)送操作指令(0x00或0x01),告訴而在要進行的是讀操作。②發(fā)地址階段:此時啟用信號CEALEWE4;K9F1208,R/B持“忙”一段時間,此后R/B變?yōu)榫途w狀態(tài)。4,K9F1208指令字(0x10),即結(jié)束等待接收數(shù)據(jù)的狀態(tài);R/B信號將維持“忙”一段時間,此后R/B(0x70K9F1208A14A24,A9A13產(chǎn)生擦除操作的意外情況。器件檢測到擦除確認命令輸入后,在WE的上升沿啟動內(nèi)部寫控制器開始執(zhí)行擦除和擦除校驗。內(nèi)部擦除操作完成后,檢測寫狀態(tài)位(I/O0),從而了解讀ID操作每個Flash都具有一個產(chǎn)品鑒定識別碼(ID),系統(tǒng)控制器可以讀出這個ID,ID90h00h。在器件將保持這種命令狀態(tài),直到接收到其他的指令為止。入和擦除操作是否無錯。寫入70h指令,啟動狀態(tài)寄存器周期。狀態(tài)寄存器的內(nèi)容將在CE或RE的下降沿處送出至I/O端口。器件一旦接收到狀態(tài)寄存器的指令,它就態(tài)寄存器瀆操作,則在連續(xù)頁讀的過程中,必須重發(fā)00h或50h指令。條指令的到來。當WP信號為高電平時,狀態(tài)寄存器被清為C0h。

NANDFlash的尋址方式和NANDFlash的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)相關。NANDFlash的數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在單元中,然后單元以8個或16個為單位連成bitline,形成byte(X8)word(X16NANDFlash512(512+16bi8(512+16)×8bit,也就是前面說的512NAND來越多地采用16條I/O線的設計,如三星公司的型號為K9K1G16U0A的就是64M×16bitNAND1GB,基本數(shù)據(jù)單位是(256+8)×16bit尋址時,NAND8I/O8信息。由于閃存容量比較大,一組8位地址只夠?qū)ぶ?56個頁,顯然是不夠的,因此個周期。隨著容量的增大,地址信息會,需要占用的時鐘周期傳輸,因此NAND型質(zhì)長,因此NAND型閃存比其他介質(zhì)更不適合大量的小容量讀寫請求。下面以三星公司的型號為k9f1208的NANDFlash為例介紹其尋址方式該的單頁容量為528Byte=512byte(MainArea)+16byte(SpareArea),32個頁組成一個塊,共4096塊,總?cè)萘繛椋?096(block數(shù)量)*32(page/block)ColumnAddress(列地址PageAddress(頁地址BlockAddress(塊地址A[0:2564M9bit0~255,A[7:0Halfpagepointer表示半頁在整頁中的位置,即在0~255PageAddress5bit0~31,用A[25:14]表示;如果是1Gbit的528byte/pageNANDFlash,共8192個block,則blockaddress用A[26:14]表示。NANDFlashBlockAddress│PageAddressinblock│halfpagepointer│Column地址傳遞順序為:ColumnAddress、PageAddress、BlockAddressNANDFlashI/O[0:7]上傳輸,數(shù)據(jù)的位寬可以是816X16NANDI/O[15:8]上只能傳輸數(shù)據(jù),所以在傳遞地址信息時需采用移位的方式進行。例如,對于512Mbit的X8的NANDFlash,地址范圍是0~0x3FF_FFFF,只要是這個范圍內(nèi)的數(shù)值表示的地址都是有效的。NAND_ADDR44halfpagepointerbit8halfpage讀寫,而真正的bit8的值是don'tcare的;NAND_ADDR9NAND_ADDR[16:9I/O[7:0NAND_ADDR[24:17]I/ONAND_ADDR[25]I/O如果NANDFlash的容量是256Mbit以下,那么,blockadress最只到bit24,因此尋址只需要3步。x16器件的尋址方式和x8器件稍有不同,因為x16器件中一個頁的數(shù)據(jù)容量仍256word512Byte,x161sthalfpage2ndhalfpage器件相同。除此之外,x16器件的尋址方式和x8完全相同。我們知道,NANDFlash中數(shù)據(jù)的寫入分為全新寫入和復寫兩種情況。全新寫入直因為NANDNANDaaa0a間,同時通過降低系統(tǒng)的擦除頻率也可以減少系統(tǒng)的開銷。所以,一個好的FLASH管理系機會是相同的,那么就可以忽略由于塊磨損平衡程度傾斜所帶來的FLASH減少,衡。我們假設一個具有100個塊的NANDFLASH,每個塊的擦除極限為10萬次。每天有5000次的寫操作交替發(fā)生在40個塊上,我們可以列出如下算式:40×10萬=0.5萬×365×FLASH(年計算得出FLASH的為2.19年。如果假設我們使用均衡50次,那么我們可以列出如下算式:100×10萬=0.505萬×365×FLASH(年計算得出FLASH的為5.42年。由此可見,雖然使用均衡寫入管理算帶來額外的系統(tǒng)開銷,但是卻可以使FLASH的延長,從整體上來講是值得的。采用均衡寫入管理技術雖然延長了NANDFlash器件的使用,但對NANDFlash器PPR-studio的數(shù)據(jù)在恢復后的BIN文件的HEX地址和正常的LBA扇區(qū)沒有對應關系;編程器可以跳由于制作工藝和使用環(huán)境的原因,NANDFlash中也不可避免的會出現(xiàn)壞塊,壞塊的特性是:當寫入或擦除這個塊時,不能將某些位置為高電平,這會造成Page程中產(chǎn)生的塊壞,一般在出廠時會將壞塊的第一個頁的備用區(qū)的第6個字節(jié)標記為不0xffNANDFlash的使用過程中,如果擦除或?qū)懭氩僮靼l(fā)生錯第一個頁的備用區(qū)的第6個字節(jié)標記為非0xff值。提示:6NANDFlash三星、東芝等是使用這個字節(jié)作為壞塊標記。因為NANDFlash出廠時在備用區(qū)中已經(jīng)反映出了壞塊信息,因此在擦除一個60xff,如果是就證明這是一個ECCNANDFlash以有可能其中傳輸?shù)臄?shù)據(jù)有錯誤而不能被發(fā)現(xiàn)。在NANDFlash中,為了保證數(shù)據(jù)完整性,NANDFlash來發(fā)現(xiàn)錯誤。常用的數(shù)據(jù)檢驗方法有奇偶校驗、CRCNANDFlash一般使用一種的校驗——ECC(ErrorCheckingandCorrection,數(shù)據(jù)檢查和修復)檢驗,它是一種用于NAND的差錯檢測和修正算法,具有修復和檢測功能。因為如果NANDFlash,NANDFlash個塊或是頁不能或全部出錯,而是整個頁(例如512字節(jié))中只有一位或幾位出錯,1ECCECC2563ECCECCBit0,則表明含有偶數(shù)個Bit其中CP0~CP5為六個Bit位,表示ColumnParity(列極性,CP00、2、4、6CP11、3、5、7CP20、1、4、5CP32、3、6、7CP40、1、2、3CP54、5、6、7用表示就是:CP0=Bit0^Bit2^Bit4^Bit6,表示第0列內(nèi)部256個Bit位異2256Bit46Bit樣,CP0其實是256*4=1024個Bit位異或的結(jié)果。CP1~CP5依此類推。RP0~RP15BitRowParity(行極性,RP0為第0、2、4、6、….252、254個字節(jié)的極性;RP20、1、4、5、8、9…..252、253(處理2個Byte,跳過2個Byte);RP3、、、、、…..254、255(2Byte2Byte);RP44個Byte,4個RP54個Byte,4個RP68個Byte,8個RP78個Byte,8個RP8個RP9個RP10處理32個Byte,跳過32個Byte;RP11跳過32個Byte,處理32個Byte;RP12處理64個Byte,跳過64個Byte;RP13跳過64個Byte,處理64個Byte;RP14128Byte128Byte;RP15128Byte128可見,RP0~RP15Bit128(128)128*8=1024Bit2566Bit,16BitK9F1208Page51216OOB256字節(jié)數(shù)據(jù)生成3字節(jié)ECC,后256字節(jié)數(shù)據(jù)生成3字節(jié)ECC,共6字節(jié)ECC存放在OOB區(qū)中,存放的位置為OOB區(qū)的第0、1、2和3、6、7字節(jié)。2ECCNANDFlashpage256ECC和,稱之為原ECC校驗和,保存到PAGE的OOB(out-of-band)備用區(qū)中。當從NANDFlash中數(shù)據(jù)的時候,每256字節(jié)我們生成一個ECC校驗和,稱之為新ECC校驗和。ECCOOBECC311,表示OOB七、lah的生產(chǎn)廠家及其 ID的含目前市面上的Flash生產(chǎn)廠家主要有TOSHIBA、Samsung、Hynix、Micron、In、SanDisk、ST(意法)、Actrans等,每個Flash上都有獨有的型號和芯片ID。Flash的型由此可以識別出所屬的廠家、規(guī)格、容量以及制程分類等信息。以NANDFlash芯片為例,TOSHIBA的型號一般以TC58或TH58開頭;Samsung的型號一般以K9F司現(xiàn)已收購了Micron,其型號一般以129F開頭;SanDisk的型號一般以SDTNL以Samsung公司的NANDFlash型號為例,其命名規(guī)則如下表 K表示9表示NAND MLC、SM(SmartMedia)、S/B(SmallBlock)

1:SLC1ChipXDCard2:SLC2ChipXDCard4:SLC4ChipXDCardA:SLC+MuxedI/FChipB:MuxedI/FChipD:SLCDualE:SLCDUAL(S/B)F:SLCG:MLCH:MLCJ:Non-MuxedOneNandK:SLCDieL:MLCM:MLCN:SLCQ:4CHIPR:SLC4DIESTACK(S/B)S:SLCSingleT:SLCSINGLE(S/V:4STACKW:SLC4Die 12: 16:28:32:40:56:64:80:1G:2G:4G:8G:8GAG:16GBG:32GCG:64GDG:00: 00:08:16:表示電源 A:B:2.7VC:5.0VD:2.65V(2.4V~E:R:1.8V(1.65V~1.95V)Q:1.8V~1.95V)T:2.4V~3.0VU:2.7V~3.6VV:3.3VW:2.7V~5.5V,3.0V~5.5V0:0:1:DualnCE&DualR/nB4:QuadnCE&SingleR/nB5:QuadnCE&QuadR/nB9:1stblockOTPA:MaskOption1L:LowgradeM:1stA:2ndB:3rdC:4thD:5th(2)29F:產(chǎn)品系列號,29F即單的NANDFlash(3)2G:容量,包括2G、4G、8G三種(4)08:規(guī)格,包括08即8bits,16即16數(shù)A111B211數(shù)A111B211F411BA=3.3V(2.70V-1.8V(1.70V-

#ofCE#(#ofR/B#(R/B引

A為第一代B為第二代C為第三代WP480°Cto70°C;ET(-40°CtoES:生產(chǎn)狀態(tài),包括四種狀態(tài),空白表示正常產(chǎn)品;ES;MS示機械樣本;QS表示資格樣本;修改設計,C0FlashFlashID是由生產(chǎn)廠家設定的,4-6個字節(jié)的16進制編碼。和型號一樣,通過ID也可以了解Flash的相關參數(shù)信息,例如ID的第前面兩位就表示其廠家信息,2C表示Micron,而AD表示Hynix。另外設備標識、數(shù)、的頁、塊大小等參數(shù)信息也都可以通過ID來獲取。在效率源Flash數(shù)據(jù)恢復大師中,可以自動獲取Flash的型號和ID號,通過對獲取值的分析對比,可以判斷引腳的好壞,如果讀出的ID錯,那么在后面的數(shù)據(jù)恢復過程中也可能讀不出數(shù)據(jù),或者讀出的數(shù)據(jù)信息也是錯誤的。h隨著便攜式設備的普及,NANDFlash以期獨有的容量和價格優(yōu)勢占據(jù)了SSD卡、、MP3等都是以其為。下面分別介紹各類產(chǎn)品的特點。 早期的筆只有串行接口,而沒有USB接口。其中的數(shù)據(jù)只能用的軟件進行連地方。早期的筆使用的是一種非標的文件系統(tǒng),其文件格式也非標準的mp3格式,沒有文件頭,格式過于早期,不標準。SD卡、棒、CFSD(SecureDigital)卡、棒(MemoryStick、CF(CompactFlash)卡一般用于數(shù)碼相機、掌上電腦、MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為介質(zhì),其多采用NANDFlashUCFCFSD過加密功能,保證數(shù)據(jù)資料的安全。CF卡的特點是容量大、成本低、兼容性好,工作電壓在3.3V到5V之間,耗電量低,這些優(yōu)點使得大多數(shù)數(shù)碼相機都選擇CF卡作為其介質(zhì),如下圖所示。CF卡沒有任何活動的部件,不存在物理壞道之類的問題,而且擁有優(yōu)秀的抗震性能,CF軟盤、硬盤之類的設備要安全可靠。棒是索尼公司推出的一款Flash介質(zhì),如下圖所示。其具有外形輕巧、極高的兼容性等優(yōu)勢,為未來高科技個人電腦、電視、、數(shù)碼照相機、機和便攜式個人視材提供新一代更高速、更大容量的數(shù)字信息、交換。U以NANDFlash為介質(zhì)的U盤的數(shù)據(jù)恢復是目前效率源數(shù)據(jù)恢復大師的主攻方向,其結(jié)構(gòu)為主控加NANDFlash,其中主控就相當于電腦主機,而外U盤還包括USB接口、PCB底板、外殼封裝等部件。各部件的協(xié)調(diào)管理和下達各項操作指令,使電腦能夠識另U盤;Flash與電腦中的內(nèi)殼的U盤和市面上常見的U盤外觀。SSD(SolidStateDisk)也稱為固態(tài)硬盤,其介質(zhì)包括NANDFlash和DRAM兩種,在此僅對應用了NANDFlash技術的SSD進行介紹。SSD的結(jié)構(gòu)和U盤類似,也是由主控單元和Flash單元構(gòu)成,單元包括由于采用Flash介質(zhì),SSD內(nèi)部沒有機械結(jié)構(gòu),因此也就沒有數(shù)據(jù)查找時間、延遲時間和尋道時間,和HDD硬盤相比,SSD在數(shù)據(jù)時不需要等待磁頭的回轉(zhuǎn)就能夠低延遲地直接。相較同樣性能的HDD硬盤,SSD所消耗的電力更低、抗震能力更強,且工作時完全不發(fā)出噪音,體積也要比HDD硬盤小得多。SSD的外觀可以被制作成多種摸樣,例如:筆記本硬盤、微硬盤、卡、U盤等,以寫入速度也不如硬盤等特性,也制約著SSD的發(fā)展。U盤的結(jié)構(gòu)比較簡單,主要由USB接口、主控、晶振、Flash、PCB板、帖片電阻、電容、發(fā)光二極管(LED)等組成。USBUUUU腦又可以識別到U盤,這時就可以判斷是USB接口接觸不良引起,只要將其補焊即可。若主控損壞,保存在Flash中的數(shù)據(jù)就無法讀出。主控的型安國AU:型號為AU89**AU69**,這類主控會在Flash中寫入ID,聯(lián)盛USBest:型號為UT161、UT168等群聯(lián)PNISON:型號為UP10、UP12、UP13等iCreate:型號為5128、6128、5127等芯邦:型號為2090E、2091等SK:型號為 瀚邦OTI:型號為6805等,屬于山寨級主控 主控負責Flash與USB連接,是U盤的,其作用有兩個方面。因為電測Flash有多少可以正常使用的頁,并做標記,把不能夠使用的頁起來,在將來會把字寫上去,否則以后這篇字就無法看清是什么了。SD卡等各種卡都有特定的量產(chǎn)工具,不過有的是純軟件,有的是運行軟件的設備而已。下面以U盤的量產(chǎn)工具為例進行介紹。U盤量產(chǎn)工具的功能就是通過主控向Flash寫入相應數(shù)據(jù),使電腦能正插入電腦,電腦只能識別到主控,而無法識別到Flash,所以這時候電腦上顯示的程序(也可其它設備識別或使用。然后量產(chǎn)工具對Flash進行分區(qū)格式化,包括建立分區(qū)等,因為產(chǎn)品只有分區(qū)格式化后才能正常讀寫文件。有了量產(chǎn)工具寫U識別U盤的。當然有時候是人為的寫入錯誤數(shù)據(jù),如在量產(chǎn)U盤時把1G的U盤的Flash容量修改為8G,插上電腦,電腦就錯誤的認為這個U盤是8G。限度的,并不能完全把壞的變成好的。以芯邦主控為例,其級別設為9+1,即級別為9,ECC為1(ECC就是容錯和糾錯)表示檢測每個頁時,把頁分為10份來檢測,容許一個錯誤存在,如果ECC為0,就是不允許一個錯誤的存在。如果容許一個錯誤存在的話,那么Flash中每個頁有可能完全沒有壞塊,也可能有十分之一壞塊,因為默認了這個只有壞塊,所以在數(shù)據(jù)到U盤上的時候會出現(xiàn)錯誤,雖然幾率很小,但還是有可能導致錯誤的存在。若將ECC開放到2,容許的壞塊了,出錯幾率更大了,所以目前我們能接受的最寬松的ECC就是1了。每一種主控對于Flash的檢測方式不一樣,容錯和糾錯能像2091、9+1做出來700M的Flash也許用6208、6+1做出來能夠達到900M以上,或者用5128能做出來的,但是用2091根本就是連容量也做不出來。檢測標準和將來“翻譯”硬盤上的數(shù)據(jù)到Flash的一個讀寫標準(這是一小段一小段的程序。當主控通過量產(chǎn)軟件檢測其他頁面的時候都會去那個頁面去這個程序(每次空間。而當這個主控選擇的那個特定的一頁(也許是第一頁,也許是第2頁,也許是最后Flash,容量例如是980M,為什么在電腦里看屬性沒有那么多,是因為主控在一個 沒有提供,可打或發(fā)E-Mail索取第二,到主控開發(fā)商。主控廠商提供的能批量將U盤進行格式化的工具盤、MP3、MP4、SD(Firmware)以使用量產(chǎn)工具進行修復。但量產(chǎn)工具在工作時要檢測Flash的壞塊,使用其進行修復操作時,原來在Flash里的資料將會全部丟失。量產(chǎn)工具要根據(jù)主控的型號進行選擇,因為不同廠家的主控都有其的指令與U盤的主控型號可以通過精靈軟件(ChipGenius)來檢測,或者拆開U盤,直接查是版本越高越好,看是否支持自己U盤的型號。主控與NANDash的電路關主控與NANDFlash間的電路關系包括單單通道和多多通道兩單單通道是最簡單的電路結(jié)構(gòu),如圖所示,主控和Flash間的數(shù)據(jù)傳輸為雙向傳輸。多或多通道的情況可以分為兩種,即一個主控對應兩個Flash或兩個通道的連接,兩個Flash的數(shù)據(jù)傳輸如圖所示。使用的是通道還是需要用CE或R/B控制信號進行區(qū)別。UU穩(wěn)壓ICLDO5V2V~3.3VUICUSBIC3VIC出電壓偏低,且主控發(fā)燙,這時就是主控燒了。UUSB+5VIC0IC有5V輸入電壓就是它壞了。它們都是USB+5V電壓直接輸入。集成了LDO就增大了主控的損壞風險,但是能夠降低成本,這種情況下如果LDO損壞就要換主控。即印刷電路板,組成UPCBPCBPCBPCBNAND FlashNANDFlash就相當于電腦的硬盤,用于保存U盤中的數(shù)據(jù)。而Flash焊盤這時會造成電腦上的U盤打不開,無法文件等。只要將閃存的引腳補焊一下就可以修原因以及U盤的保養(yǎng)進行介紹。UU低格工具即可將其修復,目前也有很多軟件支持發(fā)生軟故障的U盤中的數(shù)據(jù)恢復。UUUUU有:U盤讀寫速度變慢,文件刪除卻仍占用空間等。在對U盤的硬故障進行修復前,首先要排除U盤的USB接口損壞、PCB板虛焊以及U統(tǒng)錯誤等導致讀寫速度緩慢或者無法讀寫某個文件。U盤的壞塊導致在U盤中的數(shù)據(jù)U盤插到電腦中完全不能被識別的現(xiàn)象,可以判斷U盤整機沒有工作,可以分別從供電:FLASHUV(3.3V入一個5V電壓時,輸出腳就會輸出一個穩(wěn)定的3.3V。只要查到哪里是沒有供4UU統(tǒng)又無法格式化,或提示“請插入磁盤”等數(shù)據(jù)比較難,需要借助相應的專業(yè)工具,如效率源Flash數(shù)據(jù)恢復工具。修復,但有些由于太薄而無法修復。UU盤作為電子產(chǎn)品,其損壞在所難免,但我們也可以在使用過程中注意保養(yǎng),延長UUUUUU份。所以文件備份到U盤后,應過一些時間再關閉相關程序,以防意外。注意將U盤放置在干燥的環(huán)境中,不要讓U盤的接口長時間在空氣中,否則UUSB另一方面對U盤也是一種損耗。第二 效率源Flash數(shù)據(jù)恢復大Flash注意,都是數(shù)據(jù)恢復工程師的數(shù)據(jù)恢復心得,可以作為操作時的參照。儲介質(zhì)也逐漸從以前主要的硬盤磁性介質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)槎鄻踊ANDFlash就可能是由于閃存設備的主控、晶振、接口、PCB板等組成部件損壞,導致無法閃存中的固件丟失,導致無法Flash中的數(shù)據(jù),這類損壞比邏輯損壞更普遍,為了恢復這類故障導致的無法讀出數(shù)據(jù)的情況,效率源開發(fā)了針對閃存數(shù)據(jù)恢復的工具Flash效率源Flash數(shù)據(jù)恢復大師是一款軟硬件結(jié)合的工具,硬件部分包括底座和轉(zhuǎn)接座,兩者可以拆開,這樣的設計方便在不同封裝形式的閃存和轉(zhuǎn)接座損壞時進行更換,增加了工具的擴展性,節(jié)約了升級成本。硬件部分其實就是一個Flash的設備,用于Flash中的數(shù)據(jù)。因為閃存設備的主控除實現(xiàn)設備與操作系統(tǒng)的數(shù)據(jù)交應地如果主控損壞就可能導致Flash中的數(shù)據(jù)無法讀出,這時就需要將Flash芯片置入這個硬件工具進行數(shù)據(jù);軟件部分由項目管理、數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)組合和數(shù)據(jù)提取四個工作界面組成。Flash數(shù)據(jù)恢復大師的優(yōu)勢在于采用全開放式設計,用戶參予性加強;采用第二代通用算法對數(shù)據(jù)進行組合,最大限度地提高數(shù)據(jù)恢復成功率;讀取的底座可進行拆出更換,方便更換不同的底座和損壞以后的更換,了硬件成本;作為一款優(yōu)秀的專業(yè)閃存數(shù)據(jù)恢復工具,整個恢復過程非常快捷、方便,無需區(qū)分主控,幾乎支持目前市面上所有的標準接口的Flash 尺 3.2重 約0.4千

輸 電 電壓5V,USB輸出電流>=500 臺21臺321臺3USB1根

用于轉(zhuǎn)接TSOP1封裝的48腳 保持輸入電壓穩(wěn)定,防范電磁輻射,同時也要保持的Flash的清潔在使用效率源Flash數(shù)據(jù)恢復大師進行Flash數(shù)據(jù)恢復時,需要遵循以下操作從閃存設備的PCB板上焊下Flash將取出的Flash置于轉(zhuǎn)接座中要U盤中Flash中數(shù)據(jù),首先需要將從PCB板中焊下,需要準備些助焊劑,這樣有助于保持引腳受熱均勻,也易于將整齊的焊下來。將熱風槍對準Flash平行移動(距離不宜太近,以免破壞的內(nèi)部部件以使吹使用鑷子將FLASH從PCB板上取下。提示:在用鑷子取的時候,盡量將從上方提取,如果直接左右拖動FLASH芯片,有可能將引腳連在一樣,這樣就不便于我們從FLASH中數(shù)據(jù)。量,將FLASH放入其中,并用鑷子固定住,用小鐵刷引腳。2USBFlashUSB連接線接入有角形的一側(cè)對準底座中的USB接口側(cè)為準將轉(zhuǎn)接座插入底座,注意針腳對齊;將扳USB3、放置Flash啟動Flash數(shù)據(jù)恢復大師程序,將第一步中焊下的Flash放置在轉(zhuǎn)接座中,操作方法為:向下按住轉(zhuǎn)接座的彈簧槽,將的1號引腳(即中標示為小圓點的地方)對準轉(zhuǎn)接座中標示了角形的一側(cè),放置好后松開彈簧槽以固定Flash。的數(shù)據(jù)分配方式,組合出Flash中的數(shù)據(jù)。安裝lahStep01 Step02 Step 打開用戶信息框,在其中輸入名稱和公司信息,單擊“下一步”按鈕Step04 Step Step06打開準備安裝框,其中顯示前面進行的所有設置,在確認無誤后單擊“下一Step07 “所有程序/Flash數(shù)據(jù)恢復大師/FlashEXP” Flash數(shù)據(jù)恢復大師的與激產(chǎn)品1、進入,在首頁的右上角,點擊“產(chǎn)品(如下圖所示件就會顯示用戶信息,如圖7所示。上找到,如5128、UT161等;決定了Flash中數(shù)據(jù)的存放順序,保存了主控型號的算法后再遇到相同主控 儲的廠家、ID、型號、總塊數(shù)、單通道容量、每塊的總頁數(shù)、單,在獲取參數(shù)時看到容量為1G,則可以判斷可能是由于為黑片或內(nèi)的晶圓有損壞導致得出這一結(jié)果,另外,如果芯片的I/ORE 框中指定的,并生成Project.ini”工作界面;“存貯”工作界面主要用于Flash中的數(shù)據(jù),的數(shù)據(jù)將以十六情況”欄和進度條等。在的Flash的通道數(shù),即Flash中封裝的晶圓個數(shù)。效率源數(shù)據(jù)恢復大師支持的單最大通道數(shù)為4,分別用CE1至CE4表示,例如當前以看出當前Flash的通道數(shù),程序從通道1開始,完成后自動選中“CE2”單選按鈕通道2的數(shù)據(jù),以此類推; 度在30ms至90ms間進行調(diào)節(jié),一般只需保持程序的默認設置即可,如果將速度設置過快,可能導致Flash中的數(shù)據(jù)不完全,從而丟失數(shù)據(jù),若讀“號”下拉列表框:設置程序當前的Flash號,如果故障設備只有一個Flash,則號設為0;如果故障設備有兩個Flash,則先將芯的順序放置錯誤,例如,在應該第2個時,可能錯將第4個放置在了轉(zhuǎn)接座“”按鈕:單擊該按鈕,程序?qū)lash數(shù)據(jù)恢復大師轉(zhuǎn)接座上放置的Flash中的數(shù)據(jù),并將其保存在“項目管理”工作界面的“保存位置”文 下的FLASHCHIPx_x.BIN數(shù)據(jù)文件中,其中第一個x表示片,該為雙通道,則存貯數(shù)據(jù)后將生成文件名分別為FLASHCHIP0_0.BIN和FLASHCHIP0_1.BIN的數(shù)據(jù)文件;若當前故障設備有兩個Flash,每個芯片均為雙通道,則在讀取存貯芯片數(shù)據(jù)后將生成文件名分別為FLASHCHIP0_0.BIN、FLASHCHIP0_1.BIN、個通道完成后都會生成一個擴展名為.BIN的數(shù)據(jù)文件。提示:在數(shù)據(jù)時,中間有一個列表框,用于顯示程序識別到的Flash 、普通半前、普通半后、加密前、加密后、字交換以及雙字交換的信息,這些均由程序自動完成。 是指用Flash中正常的 ,用WinHex等軟件可以 Flash數(shù)據(jù)恢復大師將其出來后羅列出其中的 完成Flash數(shù)據(jù)的后,程序跳轉(zhuǎn)到“數(shù)據(jù)組合”工作界面。因為Flash通過“存貯”工作界面Flash中的數(shù)據(jù)時生成的數(shù)據(jù)文件Flash片,并顯示在“順序”欄下方的文本框中。“順序”欄:因為效率源Flash數(shù)據(jù)恢復大師最大支持四個Flash芯識各的順序,若文本框中顯示“NA”則表示不存在。例如,若當前閃存器件只有兩個,則第一、第二個文本框中分別顯示0和1,而第三、第四個文NA提示:如果在“存貯”工作界面中閃 數(shù)據(jù)時將順序放錯了,此處可以進行修改。例如,有一個4的閃存設備,在單擊“開始”按鈕后“順序”“數(shù)據(jù)位反轉(zhuǎn)”復選框:若Flash中的數(shù)據(jù)為原始數(shù)據(jù)的取反數(shù)據(jù),則在數(shù)反,返之則取消選中。若真實數(shù)據(jù)為,而中的數(shù)據(jù)為,“字節(jié)混合”復選框:若Flash或通道間的數(shù)據(jù)進行了字節(jié)混合,則進“字交換”復選框:若Flash或通道間的數(shù)據(jù)進行了字混合,則進行數(shù)“雙字交換”復選框:若Flash或通道間的數(shù)據(jù)進行了雙字混合,則進 制框的ASCII碼區(qū)域:從上圖中可以很明顯的看出,在121755同一個頁處數(shù)據(jù)前為亂字符,后從現(xiàn)快速判斷情況的一個方法。因為Flash中的數(shù)據(jù)是以頁為單位進行的,每一頁都包含數(shù)據(jù)區(qū)和管理區(qū)兩Flash數(shù)據(jù)恢復大師程序根據(jù)Flash的頁字節(jié)數(shù)的大小,將頁結(jié)構(gòu)的標準設置分164224字節(jié)的頁為例,其結(jié)構(gòu)的標準設置共分為了4種,若當前的頁大小為4224字節(jié),則在“頁結(jié)構(gòu)標準設置”下拉列表框中將僅顯示其預設的4種頁結(jié)構(gòu)。記、ID中的位置。一般可分為三種情況,數(shù)據(jù)ID在頁頭、數(shù)據(jù)ID在頁中和數(shù)據(jù)ID在頁尾,如果數(shù)據(jù)ID的位置選擇不正確,也可能導致得出的管理區(qū)信息錯誤。多數(shù)Flash的ID考慮數(shù)據(jù)ID在頁頭或頁尾的情況?!皢卧^大小”文本框:若Flash中的頁結(jié)構(gòu)為有頁頭頁尾的情況,則在該21122048645124在結(jié)尾位置3種情況。位置,若不存在數(shù)據(jù)頭,則設置為“0為無頭的情況,則設置為“0。下的一半全是00或者全是FF,那么需要勾選上此復選框。IDECC多個半字節(jié)值必須相同,在取標記值時一般只取一位即可,取值范圍為0~FH。FFH00H件中的隨機數(shù)據(jù)時,需要通過管理區(qū)中的ID號來對數(shù)據(jù)位置進行定位。 提示:IDn=-1ID0.5n=1ID號的管理區(qū)域為塊大小×2。例如,一個Flash中每個塊包含64個頁,每頁的大小為2112字節(jié),共分為4個扇區(qū),每個扇4ID64*4ID2IDID128IDIDFlash排序,這里可以設置紅色的部分為副ID,偏移為2,長度為1。IDIDID6種順序。要確定Flash中數(shù)據(jù)的順序,只能依據(jù)進行判斷,確定紹各種排序方法的含義。較久遠的U盤、MP3中的Flash,現(xiàn)在應用得很少。按順序提取數(shù)據(jù):選擇這種排序方式,數(shù)據(jù)ID和標記值不參予排序,而是用下方ID2、ID2、ID2、ID7、ID7,其中四個相同的ID0為一個區(qū)段,以此類推。中的ID號都不同。IDIDID否則在數(shù)據(jù)收集時將塊丟棄。包括保留不對齊的塊、塊對齊、、、、、、提示:3264中包含的頁數(shù)為64,就被保留下來,若收集到的塊中的頁數(shù)小于64,則被丟棄。IDIDIDIDID3ID偏移值,用于標記一個頁的物理位置與邏輯位置的相對關系,因為Flash中地址即用區(qū)段+ID的形式來進行定位。提示:數(shù)據(jù)ID是主控在低格Flash時劃分的邏輯區(qū)號,它是重組數(shù)據(jù)的一“解析文件分配表”按鈕:當我們正確設置好參數(shù)和頁結(jié)構(gòu)參數(shù)后,點擊此Device:表示編號。Dump: 22154頁的開始簇號為01F40000,剛好和分析信息款中的Start參數(shù)對應?!巴V狗治觥卑粹o:單擊此按鈕停止程序自動分析數(shù)據(jù)。在Flash中寫入數(shù)據(jù)時,采用了相應的交換算法,即數(shù)據(jù)時在通道、塊、頁①塊內(nèi)頁交換是將一個塊從中間分成了兩個區(qū)段,在第一區(qū)段中一個頁后,就跳到第二區(qū)段一個頁,然后再在第一區(qū)段中第二個頁,完成后返回到第二區(qū)段中第二個頁,依次循環(huán)下去,直到該塊數(shù)據(jù)完成,再讀下一個塊的數(shù)據(jù).塊內(nèi)頁交換根據(jù)塊的具②入以頁為單位進行寫入,在雙通道中同時在兩個塊中進行寫入,大大提高寫入速度。③通道間頁交換算法即在兩個通道或兩個間進行并行的交替寫入操作,和RAID0的00100111④001001⑤通道間塊間頁交換000010100110001 ID 則塊容量為128K,在提取數(shù)據(jù)時若128K以下的文件均能打開,則表示塊內(nèi)無頁交換,可2K數(shù)據(jù)、通道間塊交換、通道間頁交換三個選項,一般大容量的Flash才可能個雙的U盤,每個均為雙通道,在選擇了“通道優(yōu)選”后,則順序為:先0設備的0通道,再1設備的0通道,再讀0設備的1通道,最后1設備的1通道;而選擇“設備優(yōu)先”選項,則先完整個設備的所有通道數(shù)據(jù)后,再另一個設備的通道。3;0-2,1-3128N/2交換關系為0,64;1,65;2,66;……;63,127?!安榭磾?shù)據(jù)”按鈕:單擊該按鈕即可打開數(shù)據(jù)查看窗口查

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論