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Hi3518EHi3518EHi3516C1.2.51.3.7.2前 DDR電路設(shè) Flash和EMMC設(shè) POR復(fù)位和 CORE電源設(shè) DDR電源設(shè) IO電源設(shè) PLL電源設(shè) USB2.0接 MAC接口設(shè) VI接口設(shè) VO接口設(shè) SPI和I2C接 Sensor板設(shè) 典型接口PCB設(shè)計(jì)建 USB接口設(shè) VI接 背 整機(jī)ESD設(shè)計(jì)建 Hi3518EV200/Hi3518EV201與Hi3516CV200差 PCB設(shè)計(jì)建 圖1-4雙片SPIFLASH拓?fù)涫疽? 圖1-10電源分壓網(wǎng)絡(luò)參考設(shè) 圖1-14電源上電順序參考 圖1-15電源下電順序參考 圖1-17音頻部分電源設(shè)計(jì)的原理 圖1-18音頻部分單端MIC輸入原理 圖1-19音頻部分差分MIC輸入原理 圖1-20音頻部分MICBIAS和輸入信號(hào)的原理 圖1-21音頻功放輸出的原理 圖2-1Hi3518EV20X對(duì)應(yīng)的core電源管 圖2-2Hi3516CV200對(duì)應(yīng)的core電源管 圖2-624Mhz系統(tǒng)時(shí)鐘和RTC時(shí)鐘的PCB設(shè) 圖2-7AC_Vref電源的PCB設(shè) 圖2-9雙MIC輸入的MIC_BIAS的PCB設(shè) 圖2-10音頻輸入/輸出信號(hào)線的底板PCB設(shè) 圖2-11音頻信號(hào)線包地與其他高速信號(hào)線的PCB設(shè) 圖2-12音頻信號(hào)線包地與其他高速信號(hào)線的PCB設(shè) 圖2-13VI部分的PCB設(shè) 表1-1單片SPIFlash匹配設(shè)計(jì)推 表1-2雙片SPIFlash匹配設(shè)計(jì)推 表1-4硬件配置信號(hào)描 表1-6I/O電源設(shè)計(jì)要 表1-8未使用管腳設(shè)計(jì)建 本文檔以Hi3518EV201以及Hi3516CV200Hi3518EV200Hi3518EV201Hi3516CV200Clocking鐘電路,時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)及器件參數(shù)如圖1-1所示。;建議選用件參數(shù)如圖1-2所示。DDRHi3518EV200Hi3518EV201Hi3516CV200,對(duì)于Hi3516CV200的DDR電路的設(shè)計(jì),將在本文檔的第四章節(jié)講述。FlashEMMCHi3518EV20XSPIFlashSPINORFLASHSPINANDFLASH。如果硬件配置選擇從SPIFLASH啟動(dòng),那么在主的復(fù)位信號(hào)釋放之后,主默認(rèn)從SFC_CSN0管腳連接的SPIFlash(存放有Uboot)啟動(dòng)。SFC_WP需使用4.7k?的電阻下拉,4.7k?的電阻上拉,具阻,具體拓?fù)淙缢鶊D1-4所示。 具體設(shè)計(jì)時(shí)需按照表1-2的要求在信號(hào)線上添加上下配置電阻。Hi3518EV20XSPIFLASH時(shí),所選SPIFLASHI/O接口電壓(3.3V需與DVDD3318_EMMC(3.3V1.8V,與選用的SPIFlashI/O電源有關(guān))100MHz,具體請(qǐng)參《Hi3518EV20X/Hi3516CV200HDIPCameraSoc用戶指南》的EMMC接口章節(jié)內(nèi)容。1-5k?的電阻上拉。k?的電阻上拉。短,且需要使用47KΩ的電阻下拉(EMMC內(nèi)部如果有下拉電阻,PCB上1-5Hi3518EV20XEMMC顆粒的連接示意圖,其中的參數(shù)配置與連接方式對(duì)于不同廠家的EMMC顆粒可能不同,因此,具體的電路設(shè)計(jì)以及參數(shù)選擇請(qǐng)參考EMMC對(duì)應(yīng)的器件Hi3518EV20XEMMCEMMCI/O接口電壓(3.3V1.8V兩種,需與Hi3518EV20X的DVDD3318_EMMC管腳的供電電壓一致。Hi3518EV20XDVDD3318_EMMC需保持常供電,不能由Hi3518EV20XEMMC顆粒并且同時(shí)又對(duì)接SDIO接口的WIFI模組時(shí),WIFI模組只能使用與MAC復(fù)用的SDIO接口。FLASH、EMMC啟動(dòng)。建立連接并實(shí)現(xiàn)boot程序,完成啟動(dòng);如果與串口通信超時(shí),單板將會(huì)跳轉(zhuǎn)至片外SPIFlash或者EMMC啟動(dòng)。作模式,硬件配置信號(hào)描述如表1-4所示。IJTAGdebug0:DisableJTAG1:EnableJTAGIIIISPIFLASHEMMC啟動(dòng)模式選擇在選擇SPINORFLASH啟動(dòng)時(shí):IHi3518EV20X僅支持內(nèi)部POR復(fù)位,同時(shí)通過(guò)SYS_RSTN_OUT管腳將復(fù)位信號(hào)輸出給外設(shè)(主要為存放boot的flash器件)使用。2:SYS_RSTN_OUT管腳輸出的高電平可以為3.3V和1.8V(具體與JTAGDebug
CameraSoc用戶指南》電性能參數(shù)章節(jié)。VDD1A。CoreHi3518EV20XDMEB和Hi3516CV200DMEB的原理圖,建議電路中設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)SVB功能,具體如圖1-7和圖1-8和圖1-9所示。此處講述的Hi3516CV200DDR電源需要1.8V,參考電壓Vref需要0.9V。DC-DCDDR1.8V1k電電源分壓網(wǎng)絡(luò)參考設(shè)計(jì)如圖1-10所示。VDD_DDRPLLKRIO對(duì)于I/O電源設(shè)計(jì)要求如表1-6所示表1-6I/O電源設(shè)計(jì)要IO電源PHYI/O電平與PHYI/O電平與FLASH接口電EMMC或者SPIFlashI/O電平與其保持一致。EMMC或者SPIFlashI/O電平與其保持一致。SensorHi3518EV20X1.8VI/OParallel接口Sensor時(shí),(AVDD3318_MIPI和DVDD3318_VI的電平均為1.8V,GPIO1_0~GPIO1_6七個(gè)管腳的I/O電平均為PLL圖1-13所示。Core電源、DDR_IO電源和DVDD33電源有上、下電時(shí)序的要求,詳細(xì)請(qǐng)參見(jiàn)1-141-15 發(fā)POR復(fù)位,Core電源才可以開(kāi)始下電。DVDD333.3V2.6V5us時(shí)刻,DVDD33的電壓高于2.6V,那么POR模塊認(rèn)為這是電源上的波動(dòng),不觸發(fā)復(fù)位,SYS_RSTN_OUT管腳保持高電平。DVDD333.3V2.6V5us時(shí)刻,DVDD332.1V2.6VPOR將在此時(shí)刻(5us時(shí)刻)觸發(fā)復(fù)位,SYS_RSTN_OUT管腳輸出低電平。DVDD333.3V2.6V5us之內(nèi),DVDD33的電壓小于等于2.1V,那么POR將在DVDD33下降到2.1V時(shí)觸發(fā)復(fù)位,SYS_RSTN_OUT管腳輸出低電平。DVDD3318_EMMC(3.3V1.8V,與選用的SPIFlashI/O電源有關(guān))USB2.0并在鄰近管腳擺放濾波電容,AVSS_USB也需避免受干擾,使用短而寬的走M(jìn)AC本文檔中關(guān)于Hi3518EV20XMAC接口硬件連接方式,僅以RTL8201F為例,如果使用其他型號(hào)的PHY,需要參考對(duì)應(yīng)的PHYdatasheet和參考電路.MAC接口電平支持3.3V和1.8V,在電路設(shè)計(jì)時(shí),注意對(duì)接的PHY的IO電平需要與MAC的電平保持一致。RMII_CLK的方向有兩種情況(Hi3518EV20X輸出或PHY輸出,具體設(shè)計(jì)端串聯(lián)22?電阻。AVDD33_AC電源須與系統(tǒng)3.3V電源,AVSS_AC地須與數(shù)字地做好 AC_VREF引腳需要連接10UF和100nf兩個(gè)濾波電容,其中100nf靠近 置,具體如圖1-17所示。5.6Vpp,AC_OUTLAC_OUTR滿幅輸出幅度為2.5Vpp。路,具體如圖1-21所示。?MICSpeaker?MICMIC,Speaker最好封?Speaker音腔開(kāi)孔大小保證一定的面積比例即可,15%以上。一般來(lái)說(shuō)音腔大,?MIC0.8~1.2mmMIC設(shè)計(jì)音腔,即保?MICSpeaker在機(jī)器內(nèi)部漏音或者機(jī)器本身上面關(guān)于音頻設(shè)計(jì)建議來(lái)自于終端部門的產(chǎn)品,而IPC的不同產(chǎn)品會(huì)有不同的結(jié)構(gòu)和的一種參考,無(wú)法承諾基于此建議設(shè)計(jì)的產(chǎn)品能夠滿足什么要求,但我們認(rèn)為該建議有助于IPCI2S
Hi3518EV20X1I2S接口,且I2SGPIO1_0GPIO1_6、UART1和圖1-22和圖1-23分別表示了“5線模式”I2S主模式和從模式的連接方式。AudiocodecI2SVIHi3518EV20X有一個(gè)多功能輸入接口,支持對(duì)接ParallelCMOS、MIPI/LVDS/Hispi和BT.656/601、BT.1120格式的數(shù)據(jù),管腳功能通過(guò)配置相應(yīng)的Soc用戶指南》VI接口的章節(jié)內(nèi)容。?DVDD3318_SENSORSensorI/O?I/O1.8VSensor時(shí),DVDD3318_SENSOR?DVDD3318_SENSORAVDD3318_MIPI1.8V?laneMIPI_D[0:3](支持按照任意順序)對(duì)接,MIPICLK不支持與數(shù)據(jù)lane進(jìn)行亂序。?4LanesensorLane?DVDD3318_SENSORAVDD3318_MIPIDVDD3318_VI?12/10bitsensorD0~D11/D0~D9(12/10bit對(duì)?GPIO1_5GPIO1_4?對(duì)接VI接口。?GPIO0_6GPIO0_7?VI接口,對(duì)于剩余的VI信號(hào)配置為GPIO輸出懸空即可。的VI信號(hào)配置為GPIO輸出懸空即可。?GPIO0_6GPIO0_7CMOSsensorGPIO1_5GPIO1_4復(fù)用的行、場(chǎng)同GPIO1_0~GPIO1_6I/ODVDD3318_VIGPIO使用時(shí),VI1-7DSsensorBT1120BT601BT656據(jù)Lane“3”pixelclkpixelpixelpixelBT1120BT601BT656據(jù)Lane“2”BT1120BT601BT656BT1120據(jù)Lane“1”BT1120BT601BT656BT1120BT601BT656據(jù)Lane“0”BT1120BT601BT656BT1120BT601BT656BT1120BT601BT656BT1120BT601BT656BT1120BT1120DSsensorBT1120BT601BT656BT1120BT1120BT1120VS信號(hào)BT1120HS信號(hào)BT1120BT601BT6011.8VIO電平1.8VBT1120式數(shù)據(jù)的IO電平一1.8VBT601式數(shù)據(jù)的IO電平一1.8VBT656式數(shù)據(jù)的IO電平一VOBT.656LCDRGB565輸出,具體特性請(qǐng)參考《Hi3518EV20X/Hi3516CV200經(jīng)濟(jì)型HDIPCameraSoc用戶指南》VO接口的章節(jié)內(nèi)容。SDIO一個(gè)為獨(dú)立的SDIO接口,支持SDXC卡且向下兼容。具體特性請(qǐng)參考《Hi3518EV20X/Hi3516CV200HDIPCameraSoc用戶指南》SDIO接口的章節(jié)內(nèi)3.3V??TF卡時(shí),SDIO0_CARD_DETECT4.7kΩ上拉電阻,SDIO0_CWPR信號(hào)必須外接4.7kΩ下拉電阻。Hi3518EV20XSDIOGPIO《Hi3518EV20X/Hi3516CV200經(jīng)濟(jì)型HDIPCameraSoc用戶指南》設(shè)備章節(jié)SPII2CSDO1.8V3.3V;I2C1SPI1平只支持3.3V。選擇合適的晶體;對(duì)計(jì)時(shí)精度要求較嚴(yán)格的產(chǎn)品,建議選擇外置高精度RTC。具體特性請(qǐng)參考《Hi3518EV20X/Hi3516CV200HDIPCameraSoc用戶指南》的章節(jié)內(nèi)容。AudioRTC為了保證圖像質(zhì)量,SensorLDO供電。Sensor的模擬電源和PLL電源濾波處理需要重點(diǎn)關(guān)注。一般來(lái)說(shuō),Sensorcore電源電流較大,在設(shè)計(jì)時(shí)要考慮LDO的效率和散熱。體請(qǐng)參考Hi3518EV20XDMEB1-81-9所示。CorePCB設(shè)計(jì)規(guī)則如下:Core電源使用平面(1A來(lái)設(shè)PinJ5/K5/K6/L6/L7/L814.7Uf、11UF1100nFPinE5/E6/E7/E8/E912.2UF21UF此處講述的Hi3516CV200DDRDDR_I/O電源設(shè)計(jì)建議:Hi3518EV20XDDR_I/O電源管腳旁邊需就近擺放去耦電容,另外,DDR_I/O電源通道上至少有一個(gè)10μF的對(duì)地濾波電容。塊在TOP層使用盡量寬的走線直接與的DDR_VrefBALL連接供電,且電源?DDR_PLL電源設(shè)計(jì)時(shí)必須與其他電源使用磁珠(1KΩ@100Mhz)?DDR_PLL電源的去耦電容與其他的地共用地過(guò)孔 且地單獨(dú)打孔到GND平面(不能與其他模塊的地共用地過(guò)孔。IODVDD331DVDD33管腳處放置電源,3.3V電源電平偏差控制在5%以內(nèi)Networkof1.1V靠近對(duì)應(yīng)的管腳放置,去耦電容的地需要與其他模塊特別是數(shù)字地進(jìn)行(不能與其他模塊的地共用地過(guò)孔與的AVSS_PLLball直接連接。內(nèi),差分阻抗控制在100?±10%。USBUSBPCB用磁珠(1KΩ@100Mhz)來(lái)USB模擬3.3V電源和單板數(shù)字3.3V電源,濾波電容就近放置,靠近AVDD33_USB和AVSS_USB管腳。ESDUSB接口上設(shè)計(jì)保護(hù)電路。電容組成π型濾波電路,具體如圖2-8所示。去耦電容的地及的AVSS_ACBALL必須與其他數(shù)字GND做好,將其與其他GND網(wǎng)絡(luò)共用過(guò)孔,具體如圖2-8所示。量不換層,具體如圖2-10所示。離,防止干擾,具體如圖2-11和圖2-12所示。皮。表層走線參考GND層,且與旁邊的高速數(shù)字信號(hào)進(jìn)行了。皮。表層走線參考GND層,且與高速數(shù)字信號(hào)進(jìn)行。SDIO模塊的低速信號(hào)線(Bottom層,黃色走線與綠色音頻走線之間為音頻包地過(guò)孔,通過(guò)如此PCB設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)音頻信號(hào)線包地過(guò)孔與其他高速信號(hào)線。SDIO模塊的高速信號(hào)線通過(guò)音頻模塊的地過(guò)孔對(duì)音頻形成干擾,將Bottom層的地銅皮刪除以實(shí)現(xiàn)包地過(guò)孔與高速信號(hào)。VI?VIPCB設(shè)計(jì)要求,MIPI5對(duì)信號(hào)線走差分線(?VI1.8V3.3VVI數(shù)據(jù)線、行同步、場(chǎng)同步信號(hào)走線、SPI01.8V與3.3V電源不一致造成阻抗不匹配問(wèn)題。?信號(hào)線,淺藍(lán)色為Sensor的配置接口、復(fù)位和時(shí)鐘信號(hào)線。
Hi3518E
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