ICT基本原理-課件

ppt課件1ICT基本測試原理ppt課件2ICT概況--何謂ICT？

ICT即是InCircuitTester的簡稱，主要用于組裝電路板的測試。ICT可以視為一部自動化的高級電表，并且因它具有隔離組件的功能，能準確測量每一組件在電路內的實際值。

ppt課件3ICT與電表功能的差異

電表是用以量測單一零件，而ICT除了可量單一零件外，更可經由針床來量測實板上的零件。只是實板上有許多回路，易將信號源與以分流、分壓，故往往需加”Guarding”功能，才可使量測準確。

ppt課件4ICT與ATE有何差異？

ICT只做靜態(tài)測試，即無電源測試，實板不需加電源；而ATE可做動態(tài)測試。即ATE之目的為測試實板及板上零件之功能是否正常，故實板必須加電源才可使板上的零件工作。尤其ATE在送信號時，特別要考慮零件的特性、規(guī)格，否則易損壞零件

ppt課件5ICT能測些什么？

開、短路，電阻，電容，電感，IC保護二極管測試（含二極管，三極管，

Zener，IC）等。

ppt課件6電阻測試--基本電阻測試

Mode0RxIrUr恒電流測試模式Rx=Ur/IrTestResearch,Inc.Rx//R電阻實際值Rx，XY兩端測得值RmRm=Rx*R/(Rx+R)≠Rxppt課件7電阻測試–小電阻四線量測

Mode6TestResearch,Inc.小電阻(50歐姆以內)四線量測：小電阻兩端各下兩支探針，1-4號探針的接觸阻抗分別為R1-R4,Ra,Rb,Rc,Rd分別為四次測試之量測值Ra=R1+R2Rb=R3+R4Rc=R1+Rx+R4Rd=R2+Rx+R3Rx=(Rc+Rd-Ra-Rb)/2

1234R1R2R3R4Rxppt課件8電阻測試--Rx//CMode0，1測試順序是:[放電],充電和電壓測試考慮到電容的分流,要先對其充電,經過T2以后,Ic→0.此時可量回準確的阻值.故遇到R//C的情形,釆用定電流源測試時,須加DELAYTIME.且電容越大,延遲要更久,才能得到準確值.TestResearch,Inc.ppt課件9電阻測試--Rx//CMode2當C較大(μ級以上)時,若仍釆用定電流源方式,則電容會將電流源分流,直至電容充飽時才成斷路,這樣會消耗太久測量時間.此時改以電壓源(0.2VDC)對電容充電,迅速將電容加至0.2VDC(斷路),再量回電流Ix值,即可求得Rx,(RX=0.2VDC/IX)其量測電路可與L/C量測電路共享,同樣是“送電壓”，“量電流”方式.如果在被測電阻RX的相關電路中有電容存在,通過設置虛地隔離點,可以提高測試速度

TestResearch,Inc.ppt課件10電阻測試--Rx//DMode1Rx//D,推而廣之,電阻與帶PN結的零件并聯,(包括D,ZEN,LED,TR,FET,SCR,TRIAC,PHOTOCOUPLER,IC,etc).假設Rx=2kΩ

若Is=500μA

則Vr=IS*R=500*10-6(A)*2*103(Ω)=1(V)此時D已導通,將Rx兩端限壓至約0.7V.那么Rm=0.7(V)/(500*10-6(A))=1.4*103(Ω)=1.4kΩ≠Rx.此時,要改以低一檔電流源測試,Is’=50μA,Vr=0.1VD處于截止狀態(tài)，Rm=Rx另外,互換高低點(HI-PIN←→LO-PIN).即IS從DIODE的陰極注入,亦可避免D的“限壓”.互換高低點不可行的情況可能出現在以下連接電路.TestResearch,Inc.ppt課件11電阻測試--Rx//D//CMode2而對于Rx//D//C,見右圖.在TR-518FE(R)中,選擇MODE2:HIGHSPEEDFORR//C,因電壓源為0.2VDC,故D仍處于截止狀態(tài),亦可避開D的“限壓”.TestResearch,Inc.ppt課件12電阻測試--Rx//LMode3，4，5若仍以電流源量測Rx.由于L的瞬時為由“OPEN”至“SHORT”,其瞬時時間不易控制,而穩(wěn)態(tài)時電感相當于“SHORT”,將電流源完全分流,致Vx-→0,此時,須以AC來測量,使得L呈現一阻抗值(愈大愈好).再利用相位差即可計算出RxIx’/Vs=1/Rm

=∣1/Rx+1/(jωL)∣1/Rx=1/Rm*COSθRx=Rm/COSθTestResearch,Inc.ppt課件13電容測試--AC(3uF以下)Mode0,1,2,3由OSC分別產生1kHZ/10kHZ/100kHZ/1MHZ的AC輸出信號,其振幅均為固定(40mVrms)∵Vs/Ix=Xc=∣1/(jωCx)∣=1/(2πfCx)∴量回Ix的振幅,即可求得CxTestResearch,Inc.晶振測試，若ICT無晶振測試板，則可作小電容測試ppt課件14電容測試--DC(3uF以上)Mode4,8對于大電容,若使用上述AC電壓源模式測試時,將需要較低頻率來測試,從而增加ICT的測試時間.另外,大電容交流阻抗很小,如此無法判斷電容內部是否有短路發(fā)生,此時須以DC測量

在被測電容上加載定電流,然后通過測量其積分電壓,計算其電容值.∵Q=C*V∴i=dQ/dt=C*dV/dt=C*?V/?T(dV/dt為曲線斜率)TestResearch,Inc.ppt課件15電容測試--Cx//CCx//CCm=Cx+C≠Cx

小電容與大電容并聯，一般小電容無法測試CxCTestResearch,Inc.ppt課件16電容測試--相位分離法Mode5,6,7Cx//R,釆用AC常規(guī)法,則因R的分流會使Cm>Cx相位分離法：IX’/VS=∣jωCM∣=∣jωCX+1/R∣

∣jωCX∣=∣jωCM∣*SINθCX=CM*SINθ.所以,IFR→∞

θ→90°SINθ≒1CX=CMR→0θ→0SINθ≒0CX≒0(并聯J或SHORT)

TestResearch,Inc.ppt課件17電容測試--電容極性測試C0C1TestJetC1方式1:漏電容測試法

Mode5，6以可程序電壓源,對電容充電,直至充飽后,再測量正向漏電流.正常情況下,反向漏電流會很大.據此可測插反情形方式2:三端電壓測試法上方加一探針觸及殼體.在電容的正負極加載直流電壓,至充飽后測量殼體電壓.由于正負極與殼體間的阻抗差異,故對于插反的電容所測量到的殼體電壓會與正確時不同.據此可判別電容的極性方式3:SMD鉭質電容TestJet測試法TestResearch,Inc.ppt課件18電感測試--AC信號源Vs/Ix=XL=∣jωLx∣=2πfLx量回Ix振幅,即可求得LxTestResearch,Inc.ppt課件19PN結測試--D、LED、ZD測試方式:以可程序電壓源,對二極管加電流,測量正向電壓或反向電壓.(正向電壓約為0.7V.)加載電流:最大3mA,20mA或10mA.測試范圍:10V以內Vd=0.7VVd>1.5VVd=0.7VVd=1.8VTestResearch,Inc.兩個二極管(推而廣之,指PN結)異向并聯,所有二極管均釆用正,反向雙步測試

D//C時,電容充電后再測試D正向導通電壓，建議加延時及用Mode1D//R時,若R<50歐時，D基本無法測試ppt課件20PN結測試--PNP、NPNBCEBECGHLVCE<0.2V1.5V1.5V三極管是由2個PN結組成，SMD類型三極管以及B極在兩側腳的DIP類型PNP或NPN只需要測其之兩PN結。DIP類型三極管之B極位于中間腳時，必須增加一個測試步驟：三極管三端電壓測試Mode3,4以NPN為例，右圖中，C極為高點，E極為低點，B極為隔離點，提供約1.5V電壓時，CE間飽和壓降接近0V。認為小于0.2V即正常。三極體在共射極接法時的電流放大系數β.β≒IC/Ib(有時用hFE代表)TestResearch,Inc.ppt課件21PN結測試--PHOTOCOUPLER測量PC3,4腳的飽和電壓,即在1,2腳加一電壓使PC導通,再量回3,4腳的壓降約在0.2V左右高低點及隔離點設置如右圖所示一般再增加一步1-2腳間的PN結測試V1-2=1VTestResearch,Inc.ppt課件22PN結測試--FET以N型溝道增強型絕緣柵場效應管(MOSFET)為例1由于柵極(g)處于不導電(絕緣)狀態(tài),通常,源極(s)與襯底連在一起,故在漏極(d),源極(s)存在一PN結,可將其當作D來測.2三點測試,類似三極體的三點測試方式.在FET的g-s腳及d-s腳各施加一可程序電壓源(最高為5V),使之導通,再測量漏極電流Id.TestResearch,Inc.ppt課件23PN結測試--SCR1k,g之間有一PN結,可作D來測;2三點測試,類似三極體的三點測試方式.在FET的g-k腳及a-k腳各施加一可程序電壓源(最高為5V),使之導通,再測量陽極電流Iak晶閘管的導通條件為:除在陽-陰極間加上一定大小的正向電壓外,還要在控制極-陰極間加正向觸發(fā)電壓TestResearch,Inc.ppt課件24PN結測試--IC保護二極管大部分IC在I/OPIN中,會加上保護DIODE.故可通過測其DIODE來判定插反,空焊,漏件,開/短路以及IC保護DIODE不良等情形,但對IC內部的電性不良則必須依賴功能測試.GndVccTPIC并聯之保護二極管無法測試；一般記憶性IC很少內建PN結，如ROM，RAM，EPPROM等TestResearch,Inc.ppt課件25跳線測試--J/F/W/CON/SWUMPER,FUSE,WIRE,CONNECTOR,SWITCH,etc.阻抗值機器內識別值熒幕顯示值(0,5]01(5,25]11(25,55]23(55,∞)34TestResearch,Inc.ppt課件26開短路測試

>55Ω

≦55Ω>5Ω

≦5ΩOPENFAIL

PASS

SHORTFAILOPENTESTINGSHORTTESTINGLEARNING

≦25Ω>25ΩSHORTOPEN

開/短路學習凡兩兩之間電阻≦25Ω的針號歸入一個SHORTGROUP,反之亦然.

開路測試在SHORTGROUP內進行以55Ω為判斷標準

短路測試在SHORTGROUP之間進行不處于任何SG內的點可視為單點SG以5Ω為判斷標準TestResearch,Inc.ppt課件27開短路測試--EXAMPLETestResearch,Inc.ppt課件28IC空焊測試

--Agilent

TestJet技術

放大器

Cx

GND

Testpin Fixture

300mV,10KHz

放大器

Cx

Cy

Testpin open Fixture

300mV,10KHz

傳統(tǒng)的IC保護二極管測試方式一般來說能測試IC除VCC與GND之外的70-80%的引腳的開路問題，而TestJet技術的應用則使這一比例達到98%以上并足夠穩(wěn)定。TestResearch,Inc.ppt課件29不良報表--不良報表的閱讀

ppt課件30不良報表--不良報表的閱讀以H0代有上限值（標準值，L0代表下限值）：L1表示：量測值介于

L0與L0-（H0-L0）10%之間L2表示：量測值介于

L1與L0-（H0-L0）20%之間VL表示：量測值低于

L2H1表示：量測值介于H0與H0+（H0-L0）10%之間H2表示：量測值介于H1與H0+（H0-L0）20%之間

VH表示：量測值高于H2.

ppt課件31不良報表--不良記錄

*******OpenFail*******

（48）（4548）表示48點與短路組（4548）斷開，可能是探針未接觸到PCB焊盤，或板上有斷路。

********ShortFail********

（20）（23）表示20點與23點短（R<5Ω），可能是板上有錫渣造成Short，裝錯零件造成Short，零件腳過長造成Short等。

ppt課件32不良報表--不良記錄******ComponentFail******1

R3M-V：52.06K，Dev：+10.7%，Act-V=47K，Std-V=47K