第三章 無機非金屬材料的性能

第三章無機非金屬材料的性能各種材料的特性強度高，延展性好良導體不透明表面光滑有光澤硬而脆不良導體耐高溫耐嚴酷環(huán)境電絕緣，熱絕緣磁惰性，化學惰性重量輕透明韌性好金屬材料聚合物無機材料第一節(jié)力學性能材料的力學性能——材料在各種不同工作情況下（載荷、速度、溫度等），從受力（靜力或動力）至破壞的全過程中所呈現出的力學特征。一、彈性二、脆性三、塑性四、韌性五、力學強度六、無機材料的高溫行為變形和外力不呈線性關系，而且外力撤銷后，變形不會完全消失。材料變形的大小和作用力大小成正比，且去掉外力，能恢復原狀。外力繼續(xù)增大至大于材料的斷裂強度時將會發(fā)生斷裂。彈性變形塑性變形斷裂大多數無機非金屬材料塑性變形范圍很小或幾乎沒有，通常表現為脆性。一、彈性在一定應力-應變極限內，無機非金屬材料服從于胡克定律，即σ=Eε反映了晶體成分和玻璃成分的結合強度。在兩相系統中，總彈性模量在高彈性模量成分和低彈性模量成分之間。若兩相系統的泊松比相同，在力的作用下的應變相同，則：E=E1V1+E2V2式中，E1和E2分別為第一相及第二相成分的彈性模量。V1和V2分別為第一相及第二相成分的體積分數。1.彈性模量對連續(xù)基體內的密閉氣孔，可用下面經驗公式：

E=Eo(1－1.9P+0.9P2)適用于P50材料E(Gpa)材料E(Gpa)氧化鋁晶體380燒結TiC(P=5%)310燒結氧化鋁（P=5%）366燒結MgAl2O4(P=5%)238高鋁瓷（P=90－95%）366密實SiC(P=5%)470燒結氧化鈹（P=5%）310燒結穩(wěn)定化ZrO2P=5%150熱壓BN（P=5%）83石英玻璃72熱壓B4C（P=5%）290莫來石瓷69石墨（P=20%）9滑石瓷69燒結MgO（P=5%）210鎂質耐火磚170燒結MoSi2（P=5%）4072.影響彈性模量的因素（2）孔結構

E隨著孔體積的提高而降低長形孔比球形孔對E的值影響大（4）材料的密實性，顯微結構的組成及前期工藝（1）晶體結構（3）溫度

大部分固體，受熱后漸漸開始變軟，彈性常數隨溫度升高而降低。二、脆性1.脆性的共同特征

（1）脆性材料受力破壞時，無顯著的變形，而是突然斷裂；（2）一般斷裂面較粗糙，延展率和斷面收縮率都很小。2.脆性斷裂材料的脆性變形要求出現裂紋并發(fā)生擴展。（1）裂紋的來源：（a）由于晶體微觀結構中存在缺陷。當受到外力作用時，在這些缺陷處就會引起應力集中，導致裂紋成核。圖1位錯形成微裂紋示意圖（a）組合（b）塞積（c）交截（b）材料表面的機械損傷與化學腐蝕形成表面裂紋。（c）由熱應力形成裂紋。圖2由于熱應力形成的裂紋（2）裂紋的擴散前提：材料中存在裂紋，由于位錯的遷移和受阻而產生新裂紋并擴散裂紋?？裳诱剐圆牧希何诲e遷移不受阻礙，許多能量消耗于塑性流動，不能形成裂紋。脆性材料：位錯遷移受到嚴重限制，材料中有足夠的能量來堆積位錯和形成裂紋，且裂紋擴散的速度快于位錯的運動。介于二者之間：位錯運動受限制，僅需一部分能量消耗于塑性流動，另一部分消耗于裂紋形成，裂紋的擴散很容易被終止。3.脆性斷裂的判據：——材料的應力-應變行為在斷裂前完全是彈性的；——斷裂開始且擴展方向垂直于最大的主拉力方向；——出現完全分離斷裂。三、塑性1.定義

塑性變形

——指在材料受力時，當應力超過屈服點后，能產生顯著的殘余變形而不即行斷裂的性質，殘余變形即稱為塑性變形。

延展性——材料經塑性變形后而不被破壞的能力。圖3MgO和KBr彎曲試驗的應力-應變曲線2.影響因素

（1）溫度（2）載荷和位錯速度在適當條件下，無機材料中也可能會存在塑性變形。四、韌性1.定義——指材料抵抗裂紋產生和擴展的能力?！遣牧蠑嗔堰^程中單位體積材料吸收能量的量度。——可由拉伸應力-應變曲線下的面積大小衡量。2.衡量指標沖擊韌性斷裂韌性Titanic沉沒原因

Titanic——含硫高的鋼板，韌性很差，特別是在低溫呈脆性。所以，沖擊試樣是典型的脆性斷口。近代船用鋼板的沖擊試樣則具有相當好的韌性。Titanic號鋼板（左圖）和近代船用鋼板（右圖）的沖擊試驗結果五、力學強度1.定義——力學強度是指材料抵抗各種外來力學載荷的整體綜合能力。2.Orowan理論γ——表面能a——離子距離只有在一些極細的纖維晶體和晶須中，σ≈σth在較大尺寸材料中，σ<σth3.Griffith微裂紋理論（1）理論要點Griffith認為實際材料中總是存在許多細小的裂紋或缺陷，在外力作用下，這些裂紋和缺陷附近產生應力集中現象。當應力達到一定程度時，裂紋開始擴展而導致斷裂。所以斷裂并不是兩部分晶體同時沿整個界面拉斷，而是裂紋擴展的結果。（2）斷裂應力（臨界應力）（3）斷裂判據r——裂紋尖端的曲率半徑l——契口長度Y——形狀因子4.強度的影響因子（1）內在因素：材料的物性。如：彈性模量、熱膨脹系數、導熱性、斷裂能；（2）顯微結構：相組成、晶粒、氣孔、晶界（晶相、玻璃相、微晶相）、微裂紋（長度、尖端的曲率大?。?；（3）外界因素：使用溫度、應力、氣氛環(huán)境、試樣的形狀大小、表面；（例如：無機材料的形變隨溫度升高而變化的情況：彈性——彈塑性——塑性——粘性流動）（4）工藝因素：原料的純度粒度形狀、成型方法、升溫制度、降溫速率、保溫時間，氣氛及壓力等；5.提高無機非金屬材料強度的途徑改變結構單元組成、去除表面微裂紋、消除熱表面應力、摻入增強相等六、高溫力學行為1.蠕變蠕變——材料在常應力作用下，變形隨時間的延續(xù)而緩慢增長的現象。從熱力學觀點出發(fā)，蠕變是一種熱激活過程。在高溫條件下，借助于外應力和熱激活的作用，形變的一些障礙物得以克服，材料內部質點發(fā)生了不可逆的微觀過程。延伸率×10-2864200100200300400500600時間（小時）第一階段蠕變第二階段蠕變第三階段蠕變（1）典型的蠕變曲線彈性變形階段起始段，在外力作用下，發(fā)生瞬時彈性形變，即應力和應變同步。其特點是應變速率隨時間遞減，持續(xù)時間較短。此階段的形變速率最小，且恒定，也為穩(wěn)定態(tài)蠕變。形變與時間的關系為線性關系。此階段是斷裂即將來臨之前的最后一個階段。特點：曲線較陡，說明蠕變速率隨時間增加而快速增加。3）顯微結構

（2）影響蠕變的因素1）溫度、應力（外界因素）2）晶體的組成結合力越大，越不易發(fā)生蠕變，所以共價鍵結構的材料具有好的抗蠕變性。例如碳化物、硼化物。材料中的氣孔、晶粒、玻璃相等對蠕變都有影響。（a）氣孔：氣孔率增加，蠕變率增加。

原因：氣孔減少抵抗蠕變的有效截面積。（b）晶粒：晶粒越小，蠕變率越大。原因：晶界的比例隨晶粒的減小而大大增加，晶界擴散及晶界流動加強。（c）玻璃相：玻璃相粘度越小，蠕變率增加。原因：溫度升高，玻璃的粘度降低，變形速率增大，蠕變率增大。2.高溫強度熱強度指熱抗壓強度、熱抗折強度、熱抗拉強度和熱抗扭轉強度。玻璃相的特性和數量對多礦物材料的強度起著決定性的作用。玻璃相在較低溫度下軟化→低溫下出現粘性流動→微結構分離→熱強度降低存在溫度梯度而產生溫度達到平衡時消失在不同變形系數的復合材料中形成并保持的應力狀態(tài)。暫時熱應力01淬火或冷卻熱應力02永久熱應力迅速冷卻階段出現保留在工件中通過退火消除033.熱應力物體受熱不均勻或各組元膨脹不同，在加熱或冷卻時所產生的應力稱為熱應力。例1：材料中存在溫度梯度形成的熱應力引起在373K的沸水中在273K的冰水浴中,表面層趨于T=100收縮,內層的收縮為零。結果：表面層的收縮受到限制，在表面層產生張應力，內層受到壓應力。隨著時間的延長，內層溫度不斷下降，材料中的熱應力逐漸減小。表面273K玻璃內部373K原因：快冷卻開始時，玻璃的表面比內部冷卻的更快，外部首先變硬，而內部仍處于熔融狀態(tài)，由于收縮程度不同，在玻璃表面產生拉應力，淬火以后幾秒之內，表面與內部的溫差達最大值，繼續(xù)冷卻，內部的收縮將比剛硬的外部收縮更快，此時，表面張應力隨著減小，直至室溫，表面由拉應力變?yōu)閴簯Α軟化點轉變點例2：玻璃的淬火-----將在轉化點和轉化溫度間的玻璃快速冷卻。冷卻方法：冷空氣噴射、油浴。結果：在玻璃的表面產生壓應力，提高玻璃的強度。例3：由坯釉熱膨脹系數不同引起。上釉陶瓷:釉的熱膨脹系數：1

；坯體的熱膨脹系數：2坯受較強的拉力作用釉被拉離坯面1>21<2釉受較大拉力的作用發(fā)生龜裂或坯向內側彎曲

第二節(jié)熱學性能一、熱容二、熱膨脹三、熱傳導

一、熱容1.定義

相當于溫度升高1℃時物質能量的增加。

比熱——每一克物質的熱容（J/（g?℃））。恒容比熱Cv：體積不變，溫度↑時的能量增加恒壓比熱Cp：壓力不變，溫度↑時的能量增加2.比熱與溫度的關系以Cv為例：3.應用

用于蓄熱的材料，C↑用于加熱的材料，C↓比熱絕對零度時，Cv→0T↑，Cv∞T3T↑↑，Cv=3Nk=3R固體的熱容是原子振動在宏觀性質上的一個最直接的表現。4.無機材料的熱容影響熱容的因素：1）溫度對熱容的影響高于德拜溫度時，熱容趨于常數，低于德拜溫度時，與(T

/

D)3成正比。2）鍵強、彈性模量、熔點的影響德拜溫度約為熔點的0.2—0.5倍。3）無機材料的熱容對材料的結構不敏感混合物與同組成單一化合物的熱容基本相同。4）相變時，由于熱量不連續(xù)變化，熱容出現突變。5）多相復合材料的熱容：c=gicigi

：材料中第i種組成的重量%；Ci：材料中第i組成的比熱容。ttt1t21.定義熱膨脹：溫度改變

toC時，固體在一定方向上發(fā)生相對長度的變化(L/Lo)或相對體積的變化(V/Vo)。線膨脹系數：=(1/Lo)·(L/t)體積膨脹系數：=(1/Vo)/(V/t)二、熱膨脹2.影響熱膨脹的因素（1）化學鍵型隨著物質中離子鍵性的增加，膨脹系數也增加。另一方面，化學鍵的鍵強越大，膨脹系數越小。（2）熱膨脹與結合能、熔點的關系結合力強，勢能曲線深而狹窄，升高同樣的溫度，質點振幅增加的較少，熱膨脹系數小。單質材料

ro(10-10m)結合能×103J/mol熔點(oC)l(×10-6)金剛石1.54712.335002.5硅2.35364.514153.5錫5.3301.72325.3

結構緊密的固體，膨脹系數大，反之，膨脹系數小對于氧離子緊密堆積結構的氧化物，相互熱振動導致膨脹系數較大，約在6～8×10-6/0C，升高到德拜特征溫度時，增加到10～15×10-6/0C。如：MgO、BeO、Al2O3、MgAl2O4、BeAl2O4都具有相當大的膨脹系數。

固體結構疏松，內部空隙較多，當溫度升高，原子振幅加大，原子間距離增加時，部分的被結構內部空隙所容納，宏觀膨脹就小。如：石英12×10-6/K，石英玻璃0.5×10-6/K（3）熱膨脹與結構的關系

溫度變化時發(fā)生晶相轉變，引起體積膨脹.g/cm3：如：單斜－ZrO2

四方－ZrO2

5.56

6.1

6.27

立方－ZrO2

液相27150C11700C23700C3.無機材料的熱膨脹（1）玻璃的熱膨脹網絡形成劑:

如：SiO2、B2O3、P2O5、Al2O3、As2O3、

Ga2O3BeO、Bi2O3網絡改變體離子:一價M1、二價金屬M2氧化物很易極化的陽離子M3，如：PbO、CdO、Bi2O3高價，其積聚作用大的陽離子氧化物M4,如：La2O3、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5中間氧化物：如：Al2O3、BeO、TiO2,、MgO、ZnO參與網絡構造的氧化物，使膨脹系數下降。堿金屬及堿土金屬的加入使網絡斷裂，造成玻璃膨脹系數增大。處于網絡間空隙，對周圍網絡起積聚作用，增加結構的緊密性，膨脹系數下降。（2）復合材料的熱膨脹陶瓷是由不同晶相的晶粒和玻璃相組成,內部有少量氣相(微氣孔)。從高溫到低溫各相膨脹系數不同,收縮也不同。復合體中有多晶轉變組分時，因多晶轉化的體積不均勻變化，導致膨脹系數的不均勻變化。復合體中不同相或晶粒的不同方向上膨脹系數不同。3.熱傳導1.定義

對于某溫度下處于振動狀態(tài)的粒子，由于外部再加上能力更大的熱振動時，會依次引起鄰近粒子的熱振動狀態(tài)升高，熱振動狀態(tài)高的波峰向低溫方向移動，將最初引入的熱振動以粒子為媒介不斷傳送下去，這種現象便是熱傳導。在熱傳導過程中，單位時間通過物質傳導的熱量dQ/dt和橫截面S及其溫度梯度dT/dx成正比，熱傳導系數，指單位溫度梯度下單位時間內通過橫截面的熱量。反映了物質傳熱的難易程度。金屬材料和無機材料，哪種材料的熱傳導性較好？為什么？？？非金屬物體的熱交換是由晶格波（聲子）的非諧波晶格振動進行。從晶格格波的聲子理論可知，熱傳導過程------聲子從高濃度區(qū)域到低濃度區(qū)域的擴散過程。熱阻：聲子擴散過程中的各種散射。2.聲子熱導3.光子熱導固體中的分子、原子和電子→振動、轉動→電磁波（光子）電磁波覆蓋了一個較寬的頻譜。其中具有較強熱效應的在可見光與部分近紅外光的區(qū)域，這部分輻射線稱為熱射線。熱射線的傳遞過程------熱輻射。熱輻射在固體中的傳播過程和光在介質中的傳播過程類似，有光的散射、衍射、吸收、反射和折射。光子在介質中的傳播過程------光子的導熱過程。吸收輻射熱穩(wěn)定狀態(tài)輻射源T1T2能量轉移固體中的輻射傳熱過程的定性解釋：對于輻射線是透明的介質，熱阻小，

lirr較大，如：單晶、玻璃，在773---1273K輻射傳熱已很明顯；對于輻射線是不透明的介質，熱阻大，

lirr很小，大多數陶瓷，一些耐火材料在1773K高溫下輻射明顯；對于完全不透明的介質，

lirr=0，輻射傳熱可以忽略。（1）溫度的影響——隨溫度升高，熱導率降低2.影響材料熱傳導性的因素T3

40K1600K

exp(D/2T)熱輻射氧化鋁單晶的熱導率隨溫度的變化

040080012001600200010.10.010.0010.0001Pt石墨SiC粘土耐火磚SiO2玻璃粉末MgO28000F隔熱磚20000F隔熱磚MgOAl2O3ZrO2溫度(0C)BeO熱傳導系數(卡/秒·厘米·0C)線性簡諧振動時，幾乎無熱阻，熱阻是由非線性振動引起，即：晶格偏離諧振程度越大，熱阻越大。

物質組分原子量之差越小，質點的原子量越小，密度越小德拜溫度越大，結合能大熱傳導系數越大（2）化學組成的影響單質具有較大的導熱系數金剛石的熱傳導系數比任何其他材料都大，常用于固體器件的基片。較低原子量的正離子形成的氧化物和碳化物具有較高的熱傳導系數，如:BeO,SiC化學組成復雜的固體具有小的熱傳導系數如MgO,Al2O3和MgAl2O4結構一樣，而MgAl2O4的熱傳導系數低，2Al2O33SiO2莫來石比尖晶石更小.晶體是置換型固溶體，非計量化合物時，熱傳導系數降低。晶粒尺寸小、晶界多、缺陷多、晶界處雜質多，對聲子散射大。A晶體結構越復雜，晶格振動偏離非線性越大，熱導率越低。B晶向不同，熱傳導系數也不一樣，如：石墨、BN為層狀結構，層內比層間的大4倍，在空間技術中用于屏蔽材料。C多晶體與單晶體同一種物質多晶體的熱導率總比單晶小。(3)結構的影響第三節(jié)電學性能一、導電性能二、介電性能一、導電性質Ohm’sLaw:V=IR1.電阻率歐姆定律影響電阻率的因素：（1）微觀結構（2）溫度電阻率(W-m)Resistivity:圖3-1（a）金屬和（b）半導體電阻率與溫度的關系2.電導率σ電導率依賴于以下三個因素：單位體積材料中的載流子數目（n）。每個載流子上的電荷量（q，庫侖/載流子）。每個載流子的運動能力（）。以上三個因素的乘積就是電導率。即：＝nqMaterials導體~107(W-m)-1半導體10-6~104(W-m)-1絕緣體10-10~10-20(W-m)-1防靜電材料：10-5~10-9(W-m)-1EmptyconductionbandBandgapFilledvalencebandBandgap>2.5eVBandgap<2.5eV

半導體絕緣體EmptyconductionbandBandgapFilledvalenceband滿價帶空導帶EmptyconductionbandBandgapFilledvalenceband導體

MaterialElectricalConductivity

[(W-m)-1]Graphite（石墨）3104~2105

Concrete(dry)（混凝土）10-9Soda-Limeglass（鈉玻璃）10-10~10-11Porcelain（陶土）10-10~10-12Borosilicateglass（硼玻璃）~10-13Aluminumoxide（氧化鋁）<10-13Fusedsilica（熔硅）<10-18一些陶瓷的電導率無機材料中導電的主要機理為離子導電。在離子材料中，帶電載流子即離子的運動性為：D為擴散系數k為Boltzmann常數T為絕對溫度q為電量Z為離子的價位影響因素：（1）溫度（2）晶體性質（3）空隙率二、介電性質介電常數VacuumlE=V/lDielectric介電質VPV面積A電容率之比稱介電常數1.介電常數電介質是導電能力很低的材料；將其放在電場中，不會發(fā)生電子的遷移，而是發(fā)生電荷的偏移和極化。ε=1+4πα（1）電子極化+Nofield+AppliedEField－－－－－－－－+++++++－－+++－－－－－－－－+++++++－－+++（2）離子極化2.影響因素（1）組成和結構（2）晶軸方向（3）顯微結構（4）溫度0.403nm0.398nm0.398nm0.006nm0.006nm0.009nmTi4+Ba2+O2-3.壓電性與電致伸縮BaTiO3－+－+－+－+－+－+－+－+++++++－－－－－－－+－+－+－+－+－+++++++－－－－－－(b)sV(a)s－+－+－+－+－+－+－+－+++++++++－－－－－－－－(c)+－電致伸縮壓電效應材料在電場中因極化而改變尺寸的現象稱為電致伸縮。壓電現象即介電體的尺寸受力變化時就會極化而產生一個電壓或電場。Material壓電常數

d(m-V-1)Quartz 2.310-12BaTiO3 10010-12PbZrTiO6 25010-12PbNb2O6 8010-12應用電聲器：揚聲器、送話筒、水下通訊和探測：水聲換能器、魚群探測器雷達中的陶瓷表面波器件通訊設備：陶瓷濾波器精密測量：壓力計紅外技術：紅外熱電探測器高壓電源：變壓器高壓引線壓電陶瓷點火器墊塊外殼沖擊塊V第四節(jié)磁學性能磁導率：antiferromagnetismmagnetismdiamagnetismparamagnetismferromagnetismferrimagnetismferromagnetism磁性反磁性順磁性鐵磁性鐵磁性反鐵磁性亞鐵磁性材料磁性的分類H=0Hdiamagneticmaterials

反磁性磁化率mr<1,cm~-105磁通密度小于真空相對磁通率抗磁性是物質中運動著的電子在外磁場作用下，受電磁感應而表現出的磁特性。HH=0paramagneticmaterials

mr>1,cm=10-5~10-2順磁性磁通密度B略大于真空在外磁場作用下，物質中的磁矩沿磁場方向排列，結果有磁化產生的現象。H=0鐵磁性cm~106r>>1某些材料中，相鄰原子作同向排列自發(fā)磁化的現象反鐵磁性O2-Mn2+氧化錳中磁矩的反平行排列某些材料中大小相等的相鄰原子磁矩作反向排列自發(fā)磁化的現象。TemperatureC25,00020,00015,00010,0005,000Saturationmagnetization,Ms(A/m106)2.01.51.00.5Saturationfluxdensity,Bs(gauss)PureFeFe3O400-20002004006008001000溫度對磁性的影響CurieTemperatureFe:768Co:1120Ni:335Fe3O4:585信號輸入寫讀信號輸出記錄介質磁頭間隙寬度應用——光盤磁光效應是基于光與物質的磁化（或磁場）相互作用，而使光學參數發(fā)生變化的現象。qiqrTransmittedbeamIncidentbeamqiReflectedbeamI0RefractionITIRAbsorptionIA光與材料的相互作用

透射反射折射吸收入射第五節(jié)光學性質InputSignalEncoderElectrical/OpticalConverterRepeaterOptical/ElectricalConverterDecoderOutputSignalFiberOpticCable應用——光導纖維輸入信號電光轉換復制光電轉換輸出編碼解碼MagneticResonanceImaging磁共振成像發(fā)生事件作者或公司磁共振發(fā)展史1946發(fā)現磁共振現象BlochPurcell1971發(fā)現腫瘤的T1、T2時間長Damadian1973做出兩個充水試管MR圖像Lauterbur1974活鼠的MR圖像Lauterbur等1976人體胸部的MR圖像Damadian1977初期的全身MR圖像

Mallard1980磁共振裝置商品化1989

0.15T永磁商用磁共振設備中國安科

2003諾貝爾獎金LauterburMansfierd時間MR成像基本原理實現人體磁共振成像的條件:人體內氫原子核是人體內最多的物質。最易受外加磁場的影響而發(fā)生磁共振現象(沒有核輻射)有一個穩(wěn)定的靜磁場（磁體）梯度場和射頻場：前者用于空間編碼和選層，后者施加特定頻率的射頻脈沖，使之形成磁共振現象信號接收裝置：各種線圈計算機系統：完成信號采集、傳輸、圖像重建、后處理等

人體內的H核子可看作是自旋狀態(tài)下的小星球。自然狀態(tài)下，H核進動雜亂無章，磁性相互抵消zMyx進入靜磁場后，H核磁矩發(fā)生規(guī)律性排列（正負方向），正負方向的磁矢量相互抵消后，少數正向排列（低能態(tài)）的H核合成總磁化矢量M，即為MR信號基礎ZZYYXB0XMZMXYA:施加90度RF脈沖前的磁化矢量MzB:施加90度RF脈沖后的磁化矢量Mxy.并以Larmor頻率橫向施進C:90度脈沖對磁化矢量的作用。即M以螺旋運動的形式傾倒到橫向平面ABC在這一過程中，產生能量

三、弛豫（Relaxation）回復“自由”的過程

1.

縱向弛豫（T1弛豫）：

M0（MZ）的恢復，“量變”高能態(tài)1H→低能態(tài)1H自旋—晶格弛豫、熱弛豫

吸收RF光子能量（共振）低能態(tài)1H高能態(tài)1H

放出能量（光子，MRS）T1弛豫時間：

MZ恢復到M0的2/3所需的時間

T1愈小、M0恢復愈快T2弛豫時間：MXY喪失2/3所需的時間；T2愈大、同相位時間長MXY持續(xù)時間愈長MXY與ST1加權成像、T2加權成像

所謂的加權就是“突出”的意思

T1加權成像（T1WI）----突出組織T1弛豫（縱向弛豫）差別

T2加權成像（T2WI）----突出組織T2弛豫（橫向弛豫）差別。

磁共振診斷基于此兩種標準圖像磁共振常規(guī)h檢查必掃這兩種標準圖像.T1的長度在數百至數千毫秒（ms）范圍T2值的長度在數十至數千毫秒（ms）范圍

在同一個馳豫過程中,T2比T1短得多

如何觀看MR圖像：首先我們要分清圖像上的各種標示。分清掃描序列、掃描部位、掃描層面。正常或異常的所在部位---即在同一層面觀察、分析T1、T2加權像上信號改變。絕大部分病變T1WI是低信號、T2WI是高信號改變。只要熟悉掃描部位正常組織結構的信號表現，通常病變與正常組織不會混淆。一般的規(guī)律是T1WI看解剖,T2WI看病變。磁共振成像技術－－圖像空間分辨力，對比分辨力一、如何確定MRI的來源（一）層面的選擇1.MXY產生（1H共振）條件

RF=ω=γB02.梯度磁場Z（GZ）

GZ→B0→ω

不同頻率的RF

特定層面1H激勵、共振

3.層厚的影響因素

RF的帶寬↓

GZ的強度↑層厚↓〈二〉體素信號的確定1、頻率編碼2、相位編碼

M0↑--GZ、RF→相應層面MXY----------GY→沿Y方向1H有不同ω

各1H同相位MXY旋進速度不同同頻率一定時間后→→GX→沿X方向1H有不同ω沿Y方向不同1H的MXYMXY旋進頻率不同位置不同（相位不同）〈三〉空間定位及傅立葉轉換

GZ----某一層面產生MXYGX----MXY旋進頻率不同

GY----MXY旋進相位不同（不影響MXY大?。?/p>

↓某一層面不同的體素，有不同頻率、相位

MRS（FID）第三節(jié)、磁共振檢查技術檢查技術產生圖像的序列名產生圖像的脈沖序列技術名TRA、COR、SAGT1WT2WSETR、TE…….梯度回波FFE快速自旋回波FSE壓脂壓水MRA短TR短TE－－T1W長TR長TE－－T2W增強MR最常用的技術是：多層、多回波的SE（spinecho，自旋回波）技術磁共振掃描時間參數：TR、TE磁共振掃描還有許多其他參數：層厚、層距、層數、矩陣等序列常規(guī)序列自旋回波（SE）,快速自旋回波（FSE）梯度回波（FE）反轉恢復（IR），脂肪抑制（STIR）、水抑制（FLAIR）高級序列水成像（MRCP,MRU,MRM）血管造影（MRA,TOF2D/3D）三維成像（SPGR）彌散成像（DWI）關節(jié)運動分析是一種成像技術而非掃描序列自旋回波（SE）必掃序列圖像清晰顯示解剖結構目前只用于T1加權像快速自旋回波（FSE）必掃序列成像速度快多用于T2加權像梯度回波（GE）成像速度快對出血敏感T2加權像水抑制反轉恢復（IR）水抑制（FLAIR）抑制自由水梗塞灶顯示清晰判斷病灶成份脂肪抑制反轉恢復（IR）脂肪抑制（STIR）抑制脂肪信號判斷病灶成分其它組織顯示更清晰血管造影（MRA）無需造影劑TOF法PC法MIP投影動靜脈分開顯示水成像（MRCP，MRU，MRM）含水管道系統成像膽道MRCP泌尿路MRU椎管MRM主要用于診斷梗阻擴張超高空間分辨率掃描任意方位重建窄間距重建技術大大提高對小器官、小病灶的診斷能力三維梯度回波（SPGR） 早期診斷腦梗塞

彌散成像MRI的設備一、信號的產生、探測接受1.磁體（Magnet）:靜磁場B0（Tesla,T）→組織凈磁矩M0

永磁型（permanentmagnet）常導型（resistivemagnet）超導型（superconductingmagnet）磁體屏蔽（magnetshielding）2.梯度線圈（gradientcoil）:

形成X、Y、Z軸的磁場梯度功率、切換率3.射頻系統（radio-frequencesystem，RF）

MR信號接收二、信號的處理和圖象顯示數模轉換、計算機，等等；MRI技術的優(yōu)勢1、軟組織分辨力強（判斷組織特性）2、多方位成像3、流空效應（顯示血管）4、無骨骼偽影5、無電離輻射，無碘過敏6、不斷有新的成像技術MRI技術的禁忌證和限度1.禁忌證

體內彈片、金屬異物各種金屬置入：固定假牙、起搏器、血管夾、人造關節(jié)、支架等危重病人的生命監(jiān)護系統、維持系統不能合作病人，早期妊娠，高熱及散熱障礙2.其他鈣化顯示相對較差空間分辨較差（體部，較同等CT）費用昂貴多數MR機檢查時間較長1.病人必須去除一切金屬物品，最好更衣，以免金屬物被吸入磁體而影響磁場均勻度，甚或傷及病人。2.掃描過程中病人身體（皮膚）不要直接觸碰磁體內壁及各種導線，防止病人灼傷。3.紋身（紋眉）、化妝品、染發(fā)等應事先去掉，因其可能會引起灼傷。4.病人應帶耳塞，以防聽力損傷。掃描注意事項顱腦MRI適應癥顱內良惡性占位病變腦血管性疾病梗死、出血、動脈瘤、動靜脈畸形（AVM）等顱腦外傷性疾病腦挫裂傷、外傷性顱內血腫等感染性疾病腦膿腫、化膿性腦膜炎、病毒性腦炎、結核等脫髓鞘性或變性類疾病多發(fā)性硬化（MS）等先天性畸形胼胝體發(fā)育不良、小腦扁桃體下疝畸形等脊柱和脊髓MRI適應證1.腫瘤性病變椎管類腫瘤（髓內、髓外硬膜內、硬膜外），椎骨腫瘤（轉移性、原發(fā)性）2.炎癥性疾病脊椎結核、骨髓炎、椎間盤感染、硬膜外膿腫、蛛網膜炎、脊髓炎等3.外傷骨折、脫位、椎間盤突出、椎管內血腫、脊髓損傷等4.脊柱退行性變和椎管狹窄癥椎間盤變性、膨隆、突出、游離，各種原因椎管狹窄，術后改變，5.脊髓血管畸形和血管瘤6.脊髓脫髓鞘疾?。ㄈ鏜S），脊髓萎縮7.先天性畸形胸部MRI適應證呼吸系統對縱隔及肺門區(qū)病變顯示良好，對肺部結構顯示不如CT。胸廓入口病變及其上下比鄰關系縱隔腫瘤和囊腫及其與大血管的關系其他較CT無明顯優(yōu)越性心臟及大血管大血管病變各類動脈瘤、腔靜脈血栓等心臟及心包腫瘤，心包其他病變其他（如先心、各種心肌病等）較超聲心動圖無優(yōu)勢，應用不廣腹部MRI適應證主要用于部分實質性器官的腫瘤性病變肝腫瘤性病變，提供鑒別信息胰腺腫瘤，有利小胰癌、胰島細胞癌顯示宮頸、宮體良惡性腫瘤及分期等，先天畸形腫瘤的定位（臟器上下緣附近）、分期膽道、尿路梗阻和腫瘤，MRCP，MRU直腸腫瘤骨與關節(jié)MRI適應證X線及CT的后續(xù)檢查手段－－鈣質顯示差和空間分辨力部分情況可作首選：1.累及骨髓改變的骨病（早期骨缺血性壞死，早期骨髓炎、骨髓腫瘤或侵犯骨髓的腫瘤）2.結構復雜關節(jié)的損傷（膝、髖關節(jié)）3.形狀復雜部位的檢查（脊柱、骨盆等）軟件登錄界面軟件掃描界面圖像瀏覽界面膠片打印界面報告界面報告界面2合理應用抗菌藥物預防手術部位感染概述外科手術部位感染的2/3發(fā)生在切口醫(yī)療費用的增加病人滿意度下降導致感染、止血和疼痛一直是外科的三大挑戰(zhàn)，止血和疼痛目前已較好解決感染仍是外科醫(yī)生面臨的重大問題，處理不當，將產生嚴重后果外科手術部位感染占院內感染的14%～16%，僅次于呼吸道感染和泌尿道感染，居院內感染第3位嚴重手術部位的感染——病人的災難，醫(yī)生的夢魘

預防手術部位感染（surgicalsiteinfection,SSI)

手術部位感染的40%–60%可以預防圍手術期使用抗菌藥物的目的外科醫(yī)生的困惑★圍手術期應用抗生素是預防什么感染？★哪些情況需要抗生素預防？★怎樣選擇抗生素？★什么時候開始用藥？★抗生素要用多長時間？定義：指發(fā)生在切口或手術深部器官或腔隙的感染分類：切口淺部感染切口深部感染器官／腔隙感染一、SSI定義和分類二、SSI診斷標準——切口淺部感染

指術后30天內發(fā)生、僅累及皮膚及皮下組織的感染，并至少具備下述情況之一者：

1．切口淺層有膿性分泌物

2．切口淺層分泌物培養(yǎng)出細菌

3．具有下列癥狀體征之一：紅熱，腫脹，疼痛或壓痛，因而醫(yī)師將切口開放者（如培養(yǎng)陰性則不算感染）

4．由外科醫(yī)師診斷為切口淺部SSI

注意：縫線膿點及戳孔周圍感染不列為手術部位感染二、SSI診斷標準——切口深部感染

指術后30天內（如有人工植入物則為術后1年內）發(fā)生、累及切口深部筋膜及肌層的感染，并至少具備下述情況之一者：

1.切口深部流出膿液

2.切口深部自行裂開或由醫(yī)師主動打開，且具備下列癥狀體征之一：①體溫＞38℃；②局部疼痛或壓痛

3.臨床或經手術或病理組織學或影像學診斷，發(fā)現切口深部有膿腫

4.外科醫(yī)師診斷為切口深部感染

注意：感染同時累及切口淺部及深部者，應列為深部感染

二、SSI診斷標準—器官／腔隙感染

指術后30天內（如有人工植入物★則術后1年內）、發(fā)生在手術曾涉及部位的器官或腔隙的感染，通過手術打開或其他手術處理，并至少具備以下情況之一者：

1.放置于器官/腔隙的引流管有膿性引流物

2.器官/腔隙的液體或組織培養(yǎng)有致病菌

3.經手術或病理組織學或影像學診斷器官/腔隙有膿腫

4.外科醫(yī)師診斷為器官/腔隙感染

★人工植入物：指人工心臟瓣膜、人工血管、人工關節(jié)等二、SSI診斷標準—器官／腔隙感染

不同種類手術部位的器官/腔隙感染有：

腹部：腹腔內感染（腹膜炎，腹腔膿腫）生殖道：子宮內膜炎、盆腔炎、盆腔膿腫血管：靜脈或動脈感染三、SSI的發(fā)生率美國1986年～1996年593344例手術中，發(fā)生SSI15523次，占2.62%英國1997年～2001年152所醫(yī)院報告在74734例手術中，發(fā)生SSI3151例，占4.22%中國？SSI占院內感染的14～16%，僅次于呼吸道感染和泌尿道感染三、SSI的發(fā)生率SSI與部位：非腹部手術為2%～5%腹部手術可高達20%SSI與病人：入住ICU的機會增加60%再次入院的機會是未感染者的5倍SSI與切口類型：清潔傷口 1%～2%清潔有植入物 ＜5%可染傷口＜10%手術類別手術數SSI數感染率(%)小腸手術6466610.2大腸手術7116919.7子宮切除術71271722.4肝、膽管、胰手術1201512.5膽囊切除術8222.4不同種類手術的SSI發(fā)生率：三、SSI的發(fā)生率手術類別SSI數SSI類別（%）切口淺部切口深部器官/腔隙小腸手術6652.335.412.3大腸手術69158.426.315.3子宮切除術17278.813.57.6骨折開放復位12379.712.28.1不同種類手術的SSI類別：三、SSI的發(fā)生率延遲愈合疝內臟膨出膿腫，瘺形成。需要進一步處理這里感染將導致:延遲愈合疝內臟膨出膿腫、瘺形成需進一步處理四、SSI的后果四、SSI的后果在一些重大手術，器官/腔隙感染可占到1/3。SSI病人死亡的77%與感染有關，其中90%是器官/腔隙嚴重感染

——InfectControlandHospEpidemiol,1999,20(40:247-280SSI的死亡率是未感染者的2倍五、導致SSI的危險因素（1）病人因素：高齡、營養(yǎng)不良、糖尿病、肥胖、吸煙、其他部位有感染灶、已有細菌定植、免疫低下、低氧血癥五、導致SSI的危險因素（2）術前因素：術前住院時間過長用剃刀剃毛、剃毛過早手術野衛(wèi)生狀況差（術前未很好沐?。τ兄刚髡呶从每股仡A防五、導致SSI的危險因素（3）手術因素：手術時間長、術中發(fā)生明顯污染置入人工材料、組織創(chuàng)傷大止血不徹底、局部積血積液存在死腔和/或失活組織留置引流術中低血壓、大量輸血刷手不徹底、消毒液使用不當器械敷料滅菌不徹底等手術特定時間是指在大量同種手術中處于第75百分位的手術持續(xù)時間其因手術種類不同而存在差異超過T越多，SSI機會越大五、導致SSI的危險因素（4）SSI危險指數（美國國家醫(yī)院感染監(jiān)測系統制定）：病人術前已有≥3種危險因素污染或污穢的手術切口手術持續(xù)時間超過該類手術的特定時間（T）

（或一般手術＞2h)六、預防SSI干預方法根據指南使用預防性抗菌藥物正確脫毛方法縮短術前住院時間維持手術患者的正常體溫血糖控制氧療抗菌素的預防/治療預防

在污染細菌接觸宿主手術部位前給藥治療

在污染細菌接觸宿主手術部位后給藥

防患于未然六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用146預防和治療性抗菌素使用目的：清潔手術：防止可能的外源污染可染手術：減少粘膜定植細菌的數量污染手術：清除已經污染宿主的細菌六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用147需植入假體，心臟手術、神外手術、血管外科手術等六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用預防性抗菌素使用指征：可染傷口(Clean-contaminatedwound)污染傷口（Contaminatedwound）清潔傷口（Cleanwound）但存在感染風險六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用外科預防性抗生素的應用：預防性抗生素對哪些病人有用?什么時候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用預防性抗菌素顯示有效的手術有：婦產科手術胃腸道手術(包括闌尾炎)口咽部手術腹部和肢體血管手術心臟手術骨科假體植入術開顱手術某些“清潔”手術六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用外科預防性抗生素的應用：預防性抗生素對哪些病人有用?什么時候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用

理想的給藥時間？目前還沒有明確的證據表明最佳的給藥時機研究顯示：切皮前45～75min給藥，SSI發(fā)生率最低，且不建議在切皮前30min內給藥影響給藥時間的因素:所選藥物的代謝動力學特性手術中污染發(fā)生的可能時間病人的循環(huán)動力學狀態(tài)止血帶的使用剖宮產細菌在手術傷口接種后的生長動力學

手術過程

012345671hr2hrs6hrs1day3-5days細菌數logCFU/ml六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用153術后給藥，細菌在手術傷口接種的生長動力學無改變

手術過程抗生素血腫血漿六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用Antibioticsinclot

手術過程

血漿中抗生素予以抗生素血塊中抗生素血漿術前給藥，可以有效抑制細菌在手術傷口的生長六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用155ClassenDC,etal..NEnglJMed1992;326:281切開前時間切開后時間予以抗生素切開六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用不同給藥時間，手術傷口的感染率不同NEJM1992;326:281-6投藥時間感染數（%）相對危險度(95%CI)早期（切皮前2-24h）36914(3.8%)6.7(2.9-14.7)4.3手術前（切皮前45-75min)170810(0.9%)1.0圍手術期（切皮后3h內）2824(1.4%)2.4(0.9-7.9) 2.1手術后（切皮3h以上）48816(3.3%)5.8(2.6-12.3)

5.8全部284744(1.5%)似然比病人數六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用結論：抗生素在切皮前45-75min或麻醉誘導開始時給藥，預防SSI效果好157六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用切口切開后，局部抗生素分布將受阻必須在切口切開前給藥?。?！抗菌素應在切皮前45～75min給藥六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用外科預防性抗生素的應用：預防性抗生素對哪些病人有用?什么時候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？有效安全殺菌劑半衰期長相對窄譜廉價六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用抗生素的選擇原則：各類手術最易引起SSI的病原菌及預防用藥選擇六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用

手術最可能的病原菌預防用藥選擇膽道手術革蘭陰性桿菌，厭氧菌頭孢呋辛或頭孢哌酮或

(如脆弱類桿菌）頭孢曲松闌尾手術革蘭陰性桿菌，厭氧菌頭孢呋辛或頭孢噻肟；

(如脆弱類桿菌）＋甲硝唑結、直腸手術革蘭陰性桿菌，厭氧菌頭孢呋辛或頭孢曲松或

(如脆弱類桿菌）頭孢噻肟；＋甲硝唑泌尿外科手術革蘭陰性桿菌頭孢呋辛；環(huán)丙沙星婦產科手術革蘭陰性桿菌，腸球菌頭孢呋辛或頭孢曲松或

B族鏈球菌，厭氧菌頭孢噻肟；+甲硝唑莫西沙星（可單藥應用）注:各種手術切口感染都可能由葡萄球菌引起六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用外科預防性抗生素的應用：預防性抗生素對哪些病人有用?什么時候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用單次給藥還是多次給藥？沒有證據顯示多次給藥比單次給藥好傷口關閉后給藥沒有益處多數指南建議24小時內停藥沒有必要維持抗菌素治療直到撤除尿管和引流管手術時間延長或術中出血量較大時可重復給藥細菌污染定植感染一次性用藥用藥24h用藥4872h數小時從十數小時到數十小時六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用用藥時機不同，用藥期限也應不同短時間預防性應用抗生素的優(yōu)點：六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用減少毒副作用不易產生耐藥菌株不易引起微生態(tài)紊亂減輕病人負擔可以選用單價較高但效果較好的抗生素減少護理工作量藥品消耗增加抗菌素相關并發(fā)癥增加耐藥抗菌素種類增加易引起脆弱芽孢桿菌腸炎MRSA（耐甲氧西林金黃色葡萄球菌）定植六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用延長抗菌素使用的缺點：六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用外科預防性抗生素的應用：預防性抗生素對哪些病人有用?什么時候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？正確的給藥方法：六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用應靜脈給藥，2030min滴完肌注、口服存在吸收上的個體差異，不能保證血液和組織的藥物濃度，不宜采用常用的-內酰胺類抗生素半衰期為12h，若手術超過３４h，應給第２個劑量，必要時還可用第３次可能有損傷腸管的手術，術前用抗菌藥物準備腸道局部抗生素沖洗創(chuàng)腔或傷口無確切預防效果，不予提倡不應將日常全身性應用的抗生素應用于傷口局部（誘發(fā)高耐藥）必要時可用新霉素、桿菌肽等抗生素緩釋系統（PMMA—青大霉素骨水泥或膠原海綿)局部應用可能有一定益處六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用不提倡局部預防應用抗生素：時機不當時間太長選藥不當，缺乏針對性六、預防SSI干預方法

——抗菌藥物的應用預防用藥易犯的錯誤：在開刀前45-75min之內投藥按最新臨床指南選藥術后24小時內停藥擇期手術后一般無須繼續(xù)使用抗生素大量對比研究證明，手術后繼續(xù)用藥數次或數天并不能降低手術后感染率若病人有明顯感染高危因素或使用人工植入物，可再用1次或數次小結預防SSI干預方法

——正確的脫毛方法用脫毛劑、術前即刻備皮可有效減少SSI的發(fā)生手術部位脫毛方法與切口感染率的關系：備皮方法 剃毛備皮 5.6%

脫毛0.6%備皮時間 術前24小時前 ＞20%

術前24小時內 7.1%

術前即刻 3.1%方法/時間 術前即刻剪毛 1.8%

前1晚剪/剃毛 4.0%THANKYOUMagneticResonanceImagingPART01磁共振成像發(fā)生事件作者或公司磁共振發(fā)展史1946發(fā)現磁共振現象BlochPurcell1971發(fā)現腫瘤的T1、T2時間長Damadian1973做出兩個充水試管MR圖像Lauterbur1974活鼠的MR圖像Lauterbur等1976人體胸部的MR圖像Damadian1977初期的全身MR圖像

Mallard1980磁共振裝置商品化1989

0.15T永磁商用磁共振設備中國安科

2003諾貝爾獎金LauterburMansfierd時間PART02MR成像基本原理實現人體磁共振成像的條件:人體內氫原子核是人體內最多的物質。最易受外加磁場的影響而發(fā)生磁共振現象(沒有核輻射)有一個穩(wěn)定的靜磁場（磁體）梯度場和射頻場：前者用于空間編碼和選層，后者施加特定頻率的射頻脈沖，使之形成磁共振現象信號接收裝置：各種線圈計算機系統：完成信號采集、傳輸、圖像重建、后處理等

人體內的H核子可看作是自旋狀態(tài)下的小星球。自然狀態(tài)下，H核進動雜亂無章，磁性相互抵消zMyx進入靜磁場后，H核磁矩發(fā)生規(guī)律性排列（正負方向），正負方向的磁矢量相互抵消后，少數正向排列（低能態(tài)）的H核合成總磁化矢量M，即為MR信號基礎ZZYYXB0XMZMXYA:施加90度RF脈沖前的磁化矢量MzB:施加90度RF脈沖后的磁化矢量Mxy.并以Larmor頻率橫向施進C:90度脈沖對磁化矢量的作用。即M以螺旋運動的形式傾倒到橫向平面ABC在這一過程中，產生能量

三、弛豫（Relaxation）回復“自由”的過程

1.

縱向弛豫（T1弛豫）：

M0（MZ）的恢復，“量變”高能態(tài)1H→低能態(tài)1H自旋—晶格弛豫、熱弛豫

吸收RF光子能量（共振）低能態(tài)1H高能態(tài)1H

放出能量（光子，MRS）T1弛豫時間：

MZ恢復到M0的2/3所需的時間

T1愈小、M0恢復愈快T2弛豫時間：MXY喪失2/3所需的時間；T2愈大、同相位時間長MXY持續(xù)時間愈長MXY與ST1加權成像、T2加權成像

所謂的加權就是“突出”的意思

T1加權成像（T1WI）----突出組織T1弛豫（縱向弛豫）差別

T2加權成像（T2WI）----突出組織T2弛豫（橫向弛豫）差別。

磁共振診斷基于此兩種標準圖像磁共振常規(guī)h檢查必掃這兩種標準圖像.T1的長度在數百至數千毫秒（ms）范圍T2值的長度在數十至數千毫秒（ms）范圍

在同一個馳豫過程中,T2比T1短得多

如何觀看MR圖像：首先我們要分清圖像上的各種標示。分清掃描序列、掃描部位、掃描層面。正?；虍惓５乃诓课?--即在同一層面觀察、分析T1、T2加權像上信號改變。絕大部分病變T1WI是低信號、T2WI是高信號改變。只要熟悉掃描部位正常組織結構的信號表現，通常病變與正常組織不會混淆。一般的規(guī)律是T1WI看解剖,T2WI看病變。磁共振成像技術－－圖像空間分辨力，對比分辨力一、如何確定MRI的來源（一）層面的選擇1.MXY產生（1H共振）條件

RF=ω=γB02.梯度磁場Z（GZ）

GZ→B0→ω

不同頻率的RF

特定層面1H激勵、共振

3.層厚的影響因素

RF的帶寬↓

GZ的強度↑層厚↓〈二〉體素信號的確定1、頻率編碼2、相位編碼

M0↑--GZ、RF→相應層面MXY----------GY→沿Y方向1H有不同ω

各1H同相位MXY旋進速度不同同頻率一定時間后→→GX→沿X方向1H有不同ω沿Y方向不同1H的MXYMXY旋進頻率不同