STM32 片內(nèi)FLASH模擬EEPROM的優(yōu)化方法

STM32片內(nèi)FLASH模擬EEPROM的優(yōu)化方法FLASH_Sector_0~FLASH_Sector_11，分別對(duì)應(yīng)不同的扇區(qū)。而VoltageRange參數(shù)則是供電電壓范圍的選擇，在STM32F407中可選參數(shù)為FLASH_VOLTAGE_RANGE_3，即3.3V左右的電壓范圍。在使用擦除函數(shù)時(shí)，必須先判斷所需擦除的扇區(qū)是否已經(jīng)被擦除，如果沒(méi)有則進(jìn)行擦除操作。擦除操作需要一定的時(shí)間，因此在實(shí)際應(yīng)用中，需要根據(jù)具體情況來(lái)決定擦除操作的時(shí)機(jī)和方式。為了優(yōu)化STM32F407的FLASH模擬EEPROM的使用效率，我們可以采用以下幾種方法：1.合理分配FLASH空間：由于不同扇區(qū)的大小不同，因此我們可以根據(jù)數(shù)據(jù)的大小來(lái)選擇合適的扇區(qū)進(jìn)行存儲(chǔ)。對(duì)于數(shù)據(jù)較小的情況，可以選擇第0-3扇區(qū)進(jìn)行存儲(chǔ)，對(duì)于數(shù)據(jù)較大的情況，則可以選擇后面的扇區(qū)進(jìn)行存儲(chǔ)。2.使用緩存：在進(jìn)行寫(xiě)操作時(shí)，可以先將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到緩存中，等到緩存中的數(shù)據(jù)達(dá)到一定的量或者達(dá)到一定的時(shí)間后再進(jìn)行寫(xiě)入操作，這樣可以減少寫(xiě)入操作的次數(shù)，提高效率。3.使用壓縮算法：對(duì)于一些數(shù)據(jù)較為規(guī)律的情況，可以采用壓縮算法進(jìn)行壓縮，減小存儲(chǔ)空間的占用。4.使用硬件CRC校驗(yàn)：在進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)，可以使用硬件CRC校驗(yàn)來(lái)確保數(shù)據(jù)的完整性，避免數(shù)據(jù)寫(xiě)入錯(cuò)誤或者丟失的情況發(fā)生?？傊?，對(duì)于STM32F407的FLASH模擬EEPROM的使用，需要根據(jù)具體情況來(lái)選擇合適的存儲(chǔ)方式和優(yōu)化方法，以提高使用效率和可靠性。FlashSector0toFlashSector11(forourSTM32F407,themaximumisFlashSector11)areusedinthesefunctions.Forthesecondparameterofthesefunctions,weneedtoselectVoltageRange_3asourpowersupplyvoltagerangeis3.3V.ItisworthnotingthattheSTM32F407'sFlashdoesnotsupporttheso-calledpageerasureinotherchipmodels.IfwestoredatainFlashSector11,weneedtoerasetheentire128Ksectorbeforewritingdataintoit.Thisprocesstakes1-2seconds,andifthepowerissuddenlycutoffduringthistime,thedatawrittenintoFlashwillbeincorrect.Additionally,theFlashmemoryofthechiphasalifespan.Ifwefrequentlyeraseitatahighfrequency,thechipmayfail.Therefore,weneedtooptimizetheFlashtosimulateEEPROM.Toimprovesecurity,wecanuseFlashSector10andFlashSector11directly,witheachsectorbeing128K.Together,theyuse256K,leaving768Kforprogramoperation,whichissufficient.Tofacilitatetheuseofdata,wesuggestcreatingastructureforthedatatobestored,suchas:typedefstruct{U8saved[128];U8data[128];U32total;}savedinfo;Itisbesttoalignthesizeofthestructureto4bytes.對(duì)于FLASH操作，一般的思路是先擦除扇區(qū)，再寫(xiě)入數(shù)據(jù)。但如果要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)很少，那這128K的扇區(qū)就顯得浪費(fèi)了。事實(shí)上，只要對(duì)扇區(qū)擦除過(guò)一次，扇區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)就都變成了1，這就為寫(xiě)入數(shù)據(jù)提供了前提條件。只要要寫(xiě)入的地址的數(shù)據(jù)不是1，就可以往里面寫(xiě)數(shù)據(jù)。這樣一來(lái)，我們可以把128K扇區(qū)分成N塊，每次寫(xiě)一塊，然后下次再寫(xiě)下一塊。然而，實(shí)際上STM32F407的FLASH是以2K為一塊來(lái)操作。所以，如果我們要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)體大小為400字節(jié)，就需要把128K扇區(qū)分成64塊，每塊2K。我們從FLASH_Sector_10開(kāi)始存儲(chǔ)，存滿(mǎn)了64塊之后，接著從FLASH_Sector_11開(kāi)始存，等FLASH_Sector_11存滿(mǎn)之后又從FLASH_Sector_10開(kāi)始存。在存儲(chǔ)的過(guò)程中，需要按照分好的塊來(lái)查找需要寫(xiě)入的地址的數(shù)據(jù)是否是0XFF，如果不是，則繼續(xù)查找下一塊。