微納加工技術(shù)課件

微納加工技術(shù)孟祥坤1306化工過(guò)程機(jī)械2013年10月28日微納加工技術(shù)

微鑷子微鏡陣列微馬達(dá)微繼電器微鉸鏈

微鑷子微鏡陣列微馬達(dá)微繼電器微鉸鏈微納加工技術(shù)概述微納米加工技術(shù)是指加工形成的部件或結(jié)構(gòu)本身的尺寸在微米或納米量級(jí)，正是微納米加工技術(shù)的發(fā)展促進(jìn)了集成電路的發(fā)展,導(dǎo)致集成電路的集成度以每18個(gè)月翻一番的速度提高.微納加工技術(shù)往往牽涉材料的原子級(jí)尺度。納米技術(shù)是指有關(guān)納米級(jí)（0.1-100ｎｍ）的材料、設(shè)計(jì)、制造、測(cè)量、控制和產(chǎn)品的技術(shù)。納米技術(shù)是科技發(fā)展的一個(gè)新興領(lǐng)域，它不僅僅是關(guān)于如何將加工和測(cè)量精度從微米級(jí)提高到納米級(jí)的問(wèn)題，也是關(guān)于人類對(duì)自然的認(rèn)識(shí)和改造如何從宏觀領(lǐng)域進(jìn)入到微觀領(lǐng)域。微納加工技術(shù)概述微納米加工技術(shù)是指加工形成的部件或結(jié)構(gòu)本身的微納加工技術(shù)分類1.平面工藝

2探針工藝3模型工藝微納加工技術(shù)分類1.平面工藝平面工藝圖1描繪了平面工藝的基本步驟.平面工藝依賴于光刻技術(shù)（集成電路制造中利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)）.首先將一層光敏物質(zhì)感光,通過(guò)顯影使感光層受到輻射的部分或未受到輻射的部分留在基底材料表面,它代表了設(shè)計(jì)的圖案.然后通過(guò)材料沉積或腐蝕將感光層的圖案轉(zhuǎn)移到基底材料表面.通過(guò)多層曝光,腐蝕或沉積,復(fù)雜的微納米結(jié)構(gòu)可以從基底材料上構(gòu)筑起來(lái).這些圖案的曝光可以通過(guò)光學(xué)掩模投影實(shí)現(xiàn),也可以通過(guò)直接掃描激光束,電子束或離子束實(shí)現(xiàn).平面工藝圖1描繪了平面工藝的基本步驟.平面工藝依賴于微納加工技術(shù)ppt課件腐蝕技術(shù)包括化學(xué)液體濕法腐蝕和各種等離子體干法刻蝕.

a.濕法腐蝕是將硅片浸沒(méi)于某種化學(xué)溶劑中，該溶劑與暴露的區(qū)域發(fā)生反應(yīng)，形成可溶解的副產(chǎn)品。

根據(jù)腐蝕效果可以將濕法腐蝕分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕。

b.干法刻蝕是利用反應(yīng)性氣體或離子流進(jìn)行腐蝕的方法。干法刻蝕既可以刻蝕非金屬材料，也可以刻蝕多種金屬；既可以各向同性刻蝕，也可以各向異性刻蝕。干法刻蝕按原理來(lái)分可分為：離子刻蝕技術(shù)，包括濺射刻蝕和離子束刻蝕，其腐蝕機(jī)理是物理濺射；等離子體刻蝕技術(shù)，在襯底表面產(chǎn)生純化學(xué)反應(yīng)腐蝕；反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)，它是化學(xué)反應(yīng)和物理濺射效應(yīng)的綜合。此外還包括材料沉積技術(shù)包括熱蒸發(fā)沉積,化學(xué)氣相沉積或電鑄沉積.腐蝕技術(shù)包括化學(xué)液體濕法腐蝕和各種等離子體干法刻蝕.平面工藝不同于傳統(tǒng)機(jī)械加工的原因:(1)微納米結(jié)構(gòu)由曝光方法形成,而不是加工工具與材料的直接相互作用.所以限制加工結(jié)構(gòu)尺寸的不是加工工具本身的尺寸,而是成像系統(tǒng)的分辨率,例如光波的波長(zhǎng),激光束,電子束或離子束直徑;(2)平面工藝一般只能形成二維平面物理結(jié)構(gòu),或準(zhǔn)三維結(jié)構(gòu),而不是真正的三維系統(tǒng).平面工藝形成的三維結(jié)構(gòu)是通過(guò)多層二維結(jié)構(gòu)疊加而成的;(3)平面工藝形成的是整個(gè)系統(tǒng),而不是單個(gè)部件.由于每個(gè)部件如此之小,根本無(wú)法按傳統(tǒng)的先加工分立部件然后裝配成系統(tǒng)的途徑.所以系統(tǒng)中的每個(gè)部件以及它們之間的關(guān)系是在平面加工過(guò)程中形成的.平面工藝不同于傳統(tǒng)機(jī)械加工的原因:(1)微納米結(jié)構(gòu)由曝光集成電路制造的平面工藝概括起來(lái)為4個(gè)基本方面：(1)薄膜沉積

包括各種氧化膜,多晶硅膜,金屬膜等(2)圖形化

所謂圖形化是在硅基底和沉積的薄膜上形成各種電路圖形.這包括光刻和刻蝕兩個(gè)方面.更確切地說(shuō),圖形化是集成電路微納米加工的核心.(3)摻雜

晶體管的載流子區(qū)通過(guò)摻雜形成,摻雜包括熱擴(kuò)散摻雜和離子注入摻雜(4)熱處理

離子注入后通過(guò)熱處理可以恢復(fù)由離子轟擊造成的晶格錯(cuò)位,熱處理也可以使沉積的金屬膜與基底合金化,形成穩(wěn)固的導(dǎo)電層.集成電路制造的平面工藝概括起來(lái)為4個(gè)基本方面：

平面微納米加工技術(shù)雖然主要應(yīng)用于集成電路制造,但近年來(lái)微系統(tǒng)技術(shù)中也大量應(yīng)用平面工藝制作各種微機(jī)械、微流體和微光機(jī)電器件等

平面微納米加工技術(shù)雖然主要應(yīng)用于集成

探針工藝

探針工藝可以說(shuō)是傳統(tǒng)機(jī)械加工的延伸,這里各種微納米尺寸的探針取代了傳統(tǒng)的機(jī)械切削工具.微納米探針不僅包括諸如掃描隧道顯微探針,原子力顯微探針等固態(tài)形式的探針,還包括聚焦離子束,激光束,原子束和火花放電微探針等非固態(tài)形式的探針.

探針工藝

飛秒激光加工技術(shù)飛秒激光是一種以脈沖形式運(yùn)轉(zhuǎn)的激光，持續(xù)時(shí)間非常短，只有幾個(gè)飛秒（一飛秒是10-15秒）飛秒激光的特點(diǎn)1、飛秒激光是我們?nèi)祟惸壳霸趯?shí)驗(yàn)條件下能夠獲得的最短脈沖，它的精確度是±5微米;2、飛秒激光有非常高的瞬間功率，它的瞬間功率可達(dá)百萬(wàn)億瓦，比目前全世界的發(fā)電總功率還要多出上百倍;3物質(zhì)在飛秒激光的作用下會(huì)產(chǎn)生非常奇特的現(xiàn)象，氣態(tài)的物質(zhì)、液態(tài)的物質(zhì)、固態(tài)的物質(zhì)瞬間都會(huì)變成等離子4、飛秒激光具有精確的靶向聚焦定位特點(diǎn)，能夠聚焦到比頭發(fā)的直徑還要小的多的超細(xì)微空間區(qū)域;飛秒激光加工技術(shù)飛秒激光是一種以脈沖形式運(yùn)轉(zhuǎn)的激光，持續(xù)時(shí)間飛秒激光加工技術(shù)應(yīng)用舉例加工前探針的掃描電鏡分析圖加工后探針的掃描電鏡分析圖利用飛秒激光納米加工系統(tǒng)得到的PMMA材料直線圖形飛秒激光加工技術(shù)應(yīng)用舉例加工前探針的掃描電鏡分析圖加工后探針模型工藝模型工藝則是利用微納米尺寸的模具復(fù)制出相應(yīng)的微納米結(jié)構(gòu).模型工藝包括納米壓印技術(shù),塑料模壓技術(shù)和模鑄技術(shù).納米壓印技術(shù)

1995年華裔科學(xué)家周郁（Stephen

Chou）提出了納米壓印光刻的思想。納米壓印是利用含有納米圖形的圖章壓印到軟化的有機(jī)聚合物層上.它是一種全新的納米圖形復(fù)制方法。其特點(diǎn)是具有超高分辯率,高產(chǎn)量,低成本。模型工藝模型工藝則是利用微納米尺寸的

1.高分辯率是因?yàn)樗鼪](méi)有光學(xué)曝光中的衍射現(xiàn)象和電子束曝光中的散射現(xiàn)象。

2.高產(chǎn)量是因?yàn)樗梢韵蠊鈱W(xué)曝光那樣并行處理,同時(shí)制作成百上千個(gè)器件。

3

.低成本是因?yàn)樗幌蠊鈱W(xué)曝光機(jī)那樣需要復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)或象電子束曝光機(jī)那樣需要復(fù)雜的電磁聚焦系統(tǒng)。因此納米壓印可望成為一種工業(yè)化生產(chǎn)技術(shù),從根本上開(kāi)辟了各種納米器件生產(chǎn)的廣闊前景.納米壓印技術(shù)已經(jīng)展示了廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域。如用于制作量子磁碟

，DNA電泳芯片，GaAs(高頻)光檢測(cè)器，波導(dǎo)起偏器,硅場(chǎng)效應(yīng)管,高密磁結(jié)構(gòu),GaAs量子器件,納米電機(jī)系統(tǒng)和微波集成電路等1.高分辯率是因?yàn)樗鼪](méi)有光學(xué)曝光中的衍射現(xiàn)象和納米壓印的具體工藝由于材料、目標(biāo)圖形和產(chǎn)品用途的不同而不同,但其基本原理和工作程序是相同的。最基本的步驟:

1.模板制造2.壓印過(guò)程（模板處理，加壓，脫模過(guò)程）3.圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程4.相關(guān)材料研究（模板材料，襯底材料，納米壓印膠）納米壓印的具體工藝由于材料、目標(biāo)圖形和產(chǎn)品用途的不同而不

應(yīng)用領(lǐng)域

1.光刻技術(shù)替代者2.集成電路領(lǐng)域3.光學(xué)領(lǐng)域制作高密度亞波長(zhǎng)光柵，應(yīng)用在金屬起偏器上，制備光子晶體等。4.存儲(chǔ)領(lǐng)域采用熱壓印技術(shù)制備高密度光盤位存儲(chǔ)器5.生物領(lǐng)域

應(yīng)用領(lǐng)域

1.光刻技術(shù)替代者微納米加工技術(shù)的應(yīng)用盡管微納米加工方法多種多樣,但目的只有一個(gè),這就是制作具有實(shí)際用途的微納米結(jié)構(gòu)與器件.同一種微納米器件或結(jié)構(gòu)可以用多種不同微納米加工技術(shù)實(shí)現(xiàn).任何一種微納米結(jié)構(gòu)的加工都需要不止一種微納米加工技術(shù).脫離開(kāi)實(shí)際應(yīng)用談微納米加工技術(shù)是毫無(wú)意義的.但在眾多加工技術(shù)中如何針對(duì)某一特殊應(yīng)用選擇合適的加工方法,應(yīng)參考以下原則:(1)最小結(jié)構(gòu)尺寸(2)最經(jīng)濟(jì)的加工方法(3)加工批量要求(4)生產(chǎn)與科研(5)加工對(duì)象微納米加工技術(shù)的應(yīng)用盡管微納米加工方法多種多樣,但目的只有

微納米加工技術(shù)與微納米器件的開(kāi)發(fā)是相互依存又相互促進(jìn)的.新型微納米器件推動(dòng)微納米加工技術(shù)的進(jìn)步,而微納米加工技術(shù)的進(jìn)步反過(guò)來(lái)又會(huì)啟發(fā)新型微納米器件的開(kāi)發(fā)。在現(xiàn)代高科技發(fā)展中,微納米技術(shù)可以說(shuō)是無(wú)處不在.微型化已經(jīng)從集成電路芯片發(fā)展到其他各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域.微納米加工技術(shù)是微納米技術(shù)的基礎(chǔ).這種依賴關(guān)系集中體現(xiàn)在下述應(yīng)用領(lǐng)域:半導(dǎo)體集成電路,納米電子學(xué),高密度磁存貯,微系統(tǒng),生物芯片與納米科技.這些領(lǐng)域都是當(dāng)前熱門的高科技發(fā)展領(lǐng)域.微納米加工技術(shù)與微納米器件的開(kāi)發(fā)是相互依存又相微納米加工技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

就集成電路開(kāi)發(fā)而言,將電路尺寸做得越來(lái)越小始終是工業(yè)界不懈追求的目標(biāo).納米電子器件與分子電子器件都對(duì)加工技術(shù)的能力提出了更高的要求.微系統(tǒng)技術(shù),包括微電子機(jī)械,微流體,微光學(xué)系統(tǒng),為微納米加工技術(shù)的發(fā)展開(kāi)辟了廣闊的天地.微系統(tǒng)加工面臨的一個(gè)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)是如何與集成電路加工工藝兼容,以實(shí)現(xiàn)與集成電路的完全集成.微系統(tǒng)加工面臨的另一個(gè)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)是如何實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化加工.微系統(tǒng)加工技術(shù)的多樣化與微系統(tǒng)本身的多樣化造