射頻從業(yè)者必看全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭解讀

射頻從業(yè)者必看，全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭解讀2010年起因為從2G進入3G時代(2010~2013),帶動智慧行動裝置高速起飛,帶動了射頻前端代工廠商業(yè)績騰飛。但是2013后因為有Si制程的PA高性價比的替代品出現(xiàn)(CMOSPA/MMPA),使得出現(xiàn)產業(yè)替代危機。但到了2013年后，壓抑產業(yè)的不利因子逐漸消失淡化(因為高通與Skyworks推出Si制程MMPA,CMOSPA,主打高性價比策略)。緊接著，時代潮流轉進高頻多頻帶無線通訊后(eg4G),不管是高中低階,4G手機滲透率開始起飛,更有利的是所需PA組件用料從以往3G的3~5顆,4G要變多到4~6顆,其他像是WIFI11.ac,基站的射頻模組等等也是需要多加用料。這就增長了對射頻器件的需求。由于3-5族的組件物理特性遠優(yōu)于Si制程組件(低耗、體積小、放大效率佳、高頻線性度佳等等),故風水轉回3-5族組件，這就讓相關的產業(yè)鏈廠商大放異彩。其中砷化鎵晶圓代工龍頭穩(wěn)懋就是最大的受益者。穩(wěn)懋：全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭穩(wěn)懋成立于1999年10月，是亞洲首座以六吋晶圓生產砷化鎵微波通訊芯片的晶圓制造商，自2010年為全球最大砷化鎵晶圓代工廠。公司主要從事砷化鎵微波集成電路(GaAsMMIC)晶圓之代工業(yè)務，提供HBT、pHEMT微波集成電路/離散組件與后端制程的晶圓代工服務，應用于高功率基站、低噪聲放大器(LNA）、射頻切換器(RFSwitch)、手機及無線區(qū)域網(wǎng)路用功率放大器(PA)與雷達系統(tǒng)上。砷化鎵電晶體制程技術分為三類：A.異質接面雙極性電晶體(HBT)

B.應變式異質接面高遷移率電晶體(pHEMT)

C.金屬半導體場效電晶體(MESFET)。公司所提供是HBT和pHEMT，頻譜范圍由1GHz到100GHz，滿足低頻到高頻應用。射頻模組中的各電路產品中，功率放大器(PA)系以HBT來設計，而微波開關器(RFswitch)則利用D-modepHEMT來設計。公司領先全球研發(fā)于六吋砷化鎵基板，同時制作二種以上高效能之組件，以整合芯片制程上之技術，并縮小射頻模組電路面積、降低成本。公司在0.25微米的pHEMT制程擁有領先技術，在制程縮微方面，也已經(jīng)切入0.1微米領域，高階制程持續(xù)領先同業(yè)。穩(wěn)懋為全球第一大砷化鎵晶圓代工廠,制程與技術都自行開發(fā)而非客戶技轉(宏捷科由Skyworks技轉),全球產生量市占率約20%,代工市場市占率50%以上,目前月產能約24000片。產品應用為手機相關營收50-55%,WiFi比重30-35%,利基型產品(Infrastructure)15-20%。另外,HBT用于手機PA,營收占比60-70%,PHEMT主要用于switch,營收占比20-30%,BiHEMT用于利基型產品例如IOT,營收占比小于5%。客戶包含Avago(營收占比約30%~40%為最大客戶)、Skyworks、RFMD、Anadigics、Murata等國際大廠與中國白牌手機供應商RDA。2013年度砷化鎵組件市場(含IDM)總產值為64.7E美元,較2012年成長11%,其中穩(wěn)懋產值市占率為5.4%排行第五。2013年代工市場規(guī)模為5.65E美元,其中穩(wěn)懋市占率為62.4%,為全球大一大砷化鎵晶圓代工廠商。拜產線多樣化與產品組合優(yōu)化外,該公司毛利率穩(wěn)定維持在30~35%左右,營業(yè)利益率與凈利率也尚屬平穩(wěn)。2016年，公司宣布跨入光通訊市場，并自建EPI，主要提供美國、日本、加拿大客戶客制化一條龍生產服務，包括磊晶、二次磊晶及光電組件制造，材料及組件特性描述、測試服務；其中，磊晶與光電制造能力可供2、4吋的磷化銦基板使用。競爭者狀況根據(jù)StrategyAnalytics之研究報告，2015年全球砷化鎵組件市場(含IDM廠之組件產值)總產值約為81.2億美元，較2014年之74.3億美元成長9.3%。以整體市場來看，穩(wěn)懋的市占率為4.7%，僅次于skyworks、Qorvo與Avago等IDM大廠，若以晶圓代工市場來看，穩(wěn)懋市占率為58.2%，穩(wěn)居首位，宏捷科以約21%的市占率居于第二。觀察穩(wěn)懋與同業(yè)宏捷科的競爭關系，第一：宏捷科是Skyworks技術轉移，并且從中獲得主要訂單，這也造就宏捷科2014-2015年因為蘋果Iphone熱賣而大幅成長，往后成長率又迅速回落的狀況，而且Skyworks也有自有產能需消化的要素在內。而穩(wěn)懋技術屬于自有，除了與Avago擁有穩(wěn)定的合作關系外，客戶分布狀況也較平均，抽單風險較為分散。除了宏捷科之外，中國的競爭者也虎視眈眈，例如在LED產業(yè)崛起的三安光電有意進入砷化鎵產業(yè)，因為制程學習需求與廠商合作關系臺灣廠仍具有領先優(yōu)勢。砷化鎵產業(yè)的功率放大器PA是最要的營收來源，那么是否有新技術能夠取代之將會是左右產業(yè)的關鍵，半導體CMOS制程的PA即與穩(wěn)懋的GaAs制程不同，擁有價格較低、產能穩(wěn)定的優(yōu)點，但受限于物理特性無法取代。2014年高通(Qualcomm)并購CMOSPA供應商BlackSand，為其RF360方案補強，一度引起市場討論，但在2016初宣布轉回砷化鎵制程，并預計于2017年開始尋找代工廠，一來受益代工廠如穩(wěn)懋及宏捷科，一來也展現(xiàn)對于砷化鎵制程暫時仍難以取代之。日前高通在這塊有了新的進展，他們宣布與TDK合資，在新加坡設立了新公司「RF360HoldingsSingapore」，該信公司中，高通占有51%的股份，而TDK占49%。高通計劃在未來的新公司中持續(xù)投入30億美金。TDK旗下從事射頻模組業(yè)務的子公司EPCOS，會將部分業(yè)務分拆出來成立「RF360」。由于高通計劃在2017年推出新的砷化鎵PA，市場預期，今年會開始尋找合適代工廠，最快年底就會有樣品，明年就能上市。RF360之前是由臺積電八寸廠制造，再搭配自家手機芯片出貨。相較高通推出自家PA等RF組件，競爭對手聯(lián)發(fā)科則是采合作方式，在手機公板上認證Skyworks、Avago、RFMD及天津的唯捷創(chuàng)芯(Vanchip)的組件，避免周邊零組件供應出現(xiàn)長短腳現(xiàn)象。這次高通RF組件策略轉向砷化鎵制程，將使得宏捷科、穩(wěn)懋等代工廠有機會受益，至于對臺積電的影響則有待觀察。高通CEOSteveMollenkopf回應時表示，與TDK合作推出的“galliumarsenidePAs”（即砷化鎵PA）將于2017年生產，這是一個比較合適的時間點，屆時會再尋找合適的應用市場。穩(wěn)懋在產業(yè)中具有龍頭地位，同時在技術與客戶關系上都處于領先狀況，產業(yè)整體狀況4G智能型手機高速成長期已過，在下一波風潮來之前會處于較為低迷，在IoT與5G時代到臨的前提之下，砷化鎵市場的成長前景依然穩(wěn)健，端視穩(wěn)懋是否能維持其競爭能力。但是穩(wěn)懋具有可持續(xù)的競爭優(yōu)勢:除了無線通訊/光通訊/衛(wèi)星通訊下的產業(yè)順風車外,其戰(zhàn)略位置也相對重要,因為國際砷化鎵產業(yè)IDM大廠近年來已不再擴張產能,為了節(jié)省資本資出,晶圓的業(yè)務都釋出給專業(yè)的代工廠如穩(wěn)懋、宏捷科等等,專注在技術研發(fā)業(yè)務上。加上穩(wěn)懋的技術都是自行研發(fā),并不像宏捷科是由IDM大廠(Skyworks)技轉,研發(fā)能量與營運風險相對穩(wěn)健。加上