GB/T 42907-2023硅錠、硅塊和硅片中非平衡載流子復(fù)合壽命的測試非接觸渦流感應(yīng)法

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T42907—2023

硅錠硅塊和硅片中非平衡載

、

流子復(fù)合壽命的測試

非接觸渦流感應(yīng)法

Testmethodforexcess-chare-carrierrecombinationlifetimeinsiliconinots

gg,

siliconbricksandsiliconwafers—Noncontacteddy-currentsensor

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T42907—2023

前言

本文件按照標準化工作導(dǎo)則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備與材料標準化技術(shù)委員會和全國半導(dǎo)體設(shè)備與材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中環(huán)新能源科技股份有限公司弘元新材料包頭有限公司隆基綠能科技

:TCL、()、

股份有限公司宜昌南玻硅材料有限公司浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司內(nèi)蒙古中環(huán)晶體材料有限公

、、、

司四川永祥光伏科技有限公司

、。

本文件主要起草人張雪囡王林王建平李向宇楊陽鄧浩劉文明趙子龍郭紅強張石晶

:、、、、、、、、、、

潘金平李壽琴趙軍

、、。

Ⅰ

GB/T42907—2023

硅錠硅塊和硅片中非平衡載

、

流子復(fù)合壽命的測試

非接觸渦流感應(yīng)法

1范圍

本文件描述了用非接觸式渦流感應(yīng)法測試太陽能電池用單晶硅錠硅塊和硅片中非平衡載流子復(fù)

、

合壽命的方法

。

本文件適用于非平衡載流子復(fù)合壽命在電阻率在

0.1μs~10000μs、0.1Ω·cm~10000Ω·cm

的硅錠硅塊和硅片的測試其中瞬態(tài)光電導(dǎo)衰減法適用于非平衡載流子復(fù)合壽命小于時硅

、。100μs

錠硅塊和硅片的測試準穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法適用于非平衡載流子復(fù)合壽命大于時硅錠硅塊和硅片

、,200μs、

的測試非平衡載流子復(fù)合壽命在時兩種測試方法均適用

,100μs~200μs,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法

GB/T1551

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

GB/T13389

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

陷阱效應(yīng)trapeffect

在有非平衡載流子時雜質(zhì)能級積累某一種非平衡載流子的效應(yīng)

。

注例如重金屬雜質(zhì)在半導(dǎo)體禁帶中形成的深能級俘獲非平衡載流子后經(jīng)過一段時間釋放出來的現(xiàn)象稱為陷阱

:,,

效應(yīng)

。

32

.

載流子復(fù)合壽命carrierrecombinationlifetime

在均勻半導(dǎo)體內(nèi)非平衡空穴電子對由產(chǎn)生到復(fù)合的平均時間間隔

-。

4方法原理

41瞬態(tài)光電導(dǎo)衰減法

.

將樣品放置于距離經(jīng)校準的渦流傳感器的固定位置并且使用隨時間變化的光源對

1mm~3mm,

待測樣品進行照射光照突然停止后用儀器校準的方法將從渦流傳感器得到的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為光電導(dǎo)再

。,