GB/T 6616-2023半導(dǎo)體晶片電阻率及半導(dǎo)體薄膜薄層電阻的測試非接觸渦流法

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T6616—2023

代替GB/T6616—2009

半導(dǎo)體晶片電阻率及半導(dǎo)體薄膜薄層

電阻的測試非接觸渦流法

Testmethodforresistivityofsemiconductorwafersandsheetresistanceof

semiconductorfilms—Noncontacteddy-currentgauge

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T6616—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616—2009《》,

與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動外主要技術(shù)變化如下

GB/T6616—2009,,:

更改了范圍見第章年版的第章

a)(1,20091);

更改了干擾因素見第章版的第章

b)(5,20095);

更改了試驗條件見第章年版的

c)(6,20096.1);

更改了標(biāo)準(zhǔn)片和參考片的要求見年版的

d)(8.1、8.2、8.3,20094.2);

增加了樣品的要求見

e)(8.4、8.5、8.6);

更改了試驗步驟見第章年版的第章

f)(9,20096);

更改了精密度見第章年版的第章

g)(10,20097);

增加了硅單晶電阻率溫度系數(shù)見附錄

h)(A)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會和全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公

:、

司浙江金瑞泓科技股份有限公司浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司北京

、、、、

通美晶體技術(shù)股份有限公司山東有研半導(dǎo)體材料有限公司天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司北京天

、、、

科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司中電晶華天津半導(dǎo)體材料有限公司浙江旭盛電子有限公司浙江中晶

、()、、

科技股份有限公司昆山海菲曼科技集團(tuán)有限公司

、。

本文件主要起草人何烜坤劉立娜李素青張穎馬春喜張海英潘金平丁雄杰任殿勝

:、、、、、、、、、

王元立朱曉彤張雪囡佘宗靜齊斐許蓉李明達(dá)詹玉峰黃笑容邊仿

、、、、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布年第一次修訂本次為第二次修訂

1995,2009,。

Ⅰ

GB/T6616—2023

半導(dǎo)體晶片電阻率及半導(dǎo)體薄膜薄層

電阻的測試非接觸渦流法

1范圍

本文件描述了非接觸渦流法測試半導(dǎo)體晶片電阻率及半導(dǎo)體薄膜薄層電阻的方法

。

本文件適用于測試直徑或邊長不小于厚度為的硅導(dǎo)電型砷化鎵導(dǎo)

25.0mm、0.1mm~1.0mm、、

電型碳化硅單晶片的電阻率以及襯底上制備的電阻不小于薄膜電阻倍的薄膜薄層的電阻單

,1000。

晶片電阻率的測試范圍為薄膜薄層電阻的測試范圍為3

0.001Ω·cm~200Ω·cm,2.0×10Ω/□~

3本方法也可以擴(kuò)展到其他半導(dǎo)體材料中但不適用于晶片徑向電阻率變化的判定

3.0×10Ω/□。,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20211:

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4原理

將晶片平插入一對共軸渦流探頭渦流傳感器之間的固定間隙內(nèi)與振蕩回路相連接的兩個渦流

(),

探頭之間的交變磁場在晶片上感應(yīng)產(chǎn)生渦流激勵電流的變化是晶片電導(dǎo)的函數(shù)通過測試激勵電流

,。

的變化即可測得晶片的電導(dǎo)率晶片的薄層電阻R按公式進(jìn)行計算

。(s)(1)。

ρ

R==1=1

stGδt…………(1)

式中

:

R晶片的