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IGBT行業(yè)深度調研與發(fā)展前景評估202X-XX-XX01IGBT行業(yè)定義IGBT行業(yè)定義IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有驅動功率小、飽和壓降低的優(yōu)點。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng),如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT作為電力電子重要大功率主流器件之一,廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領域。車規(guī)級IGBT指要滿足車載等級要求的IGBT,車規(guī)級IGBT是新能源汽車的核心器件,IGBT芯片與動力電池電芯并稱為電動車的“雙芯”,是影響電動車性能的核心器件之一。車規(guī)級IGBT模塊是新能源汽車的電機控制器、高壓充電機、空調系統(tǒng)等電氣組件的核心元器件,尤其IGBT直接控制驅動系統(tǒng)直、交流電的轉換同時負責電機變頻控制。02第一階段是以1957年為起點第一階段是以1957年為起點以整流管、晶閘管為代表的半控型器件發(fā)展階段。這一階段的功率器件在低頻、大功率變流領域中的應用占有優(yōu)勢,取代了早先的汞弧整流器,半控型器件實現(xiàn)了弱電對強電的控制,在工業(yè)界引起了一場技術革命,但半控型器件可通過信號控制其導通,但無法實現(xiàn)關斷,使得其應用有著很大局限性。第二階段是20世紀70年代后期第三階段是20世紀80年代后期第四階段第二階段是20世紀70年代后期為以可關斷晶閘管(GateTurnOffThyristor,GTO)、功率雙極晶體管(BipolarJunctionTransistor,BJT,也稱GiantTransistor,GTR)和功率場效應晶體管(Power-MOSFET)等全控型器件為代表的發(fā)展階段。全控型器件通過對門極(基極/柵極)的控制,既可使器件導通又可使器件關斷,其開關速度高于晶閘管,使變流器的高頻化得以實現(xiàn)。20世紀70年代末MOSFET出現(xiàn),克服了前兩代的許多不足,但其導通電阻卻比較大,在高壓領域其導通電阻仍舊是很大問題。第三階段是20世紀80年代后期以絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)復合型器件為代表的發(fā)展階段。IGBT是功率MOSFET和BJT的復合,集中了BJT和MOSFET的優(yōu)點,但也正是因為其由MOSFET驅動BJT,導致其開關速度、最大工作頻率不及MOSFET,故更適用于只在高壓、大功率環(huán)境。第四階段是以功率集成電路(PowerIntegratedCircuit,PIC)或智能功率集成電路(SmartPowerIntegratedCircuit,SPIC)為代表的集成電路發(fā)展階段。PIC即采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上,然后封裝在一個管殼內,成為具有所需電路功能的微型結構。20世紀90年代后,PIC開始進入實用化階段。集成電路模塊中MOSFET、IGBT等功率器件仍是其核心,約占整個芯片面積的1/2-2/3,集成電路更多是起到推動電子元器件朝微小型化、低功耗和高可靠性方面發(fā)展的作用。03產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈上游產(chǎn)業(yè)鏈中游產(chǎn)業(yè)鏈下游產(chǎn)業(yè)鏈上游硅晶圓、封裝材料等原材料、光刻機、檢測設備等設備產(chǎn)業(yè)鏈中游IGBT模組或分立器件產(chǎn)品的設計、制造、測試和銷售04產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈上游產(chǎn)業(yè)鏈中游產(chǎn)業(yè)鏈下游產(chǎn)業(yè)鏈上游硅晶圓是車規(guī)級IGBT生產(chǎn)的主要原材料之一,在IGBT材料生產(chǎn)成本中占比30%左右。硅晶圓是將硅元素加以純化(99.999%),并制成長硅晶棒,通過照相制版、研磨、拋光、切片等程序,切割成薄薄的晶圓,其本質是石英砂產(chǎn)品。硅晶圓作為制作芯片的基本材料,在產(chǎn)業(yè)中有著舉足輕重的地位,是現(xiàn)如今最重要、應用最廣泛的半導體材料。2017以來,中國石英砂產(chǎn)量保持穩(wěn)定增長的趨勢,2018-2020年中國石英砂產(chǎn)量增速分別為6.02%、26%、83%。據(jù)最新數(shù)據(jù)統(tǒng)計,2021年中國石英砂產(chǎn)量為9123萬噸,較2020年上漲了08%。持續(xù)穩(wěn)定的石英砂產(chǎn)出,給硅晶圓制作提供了充裕的原材料供應。晶圓的生產(chǎn)和制作工藝,對我國車規(guī)級IGBT行業(yè)的發(fā)展有著非常重要的地位,近年來國內對晶圓生產(chǎn)的重視程度持續(xù)增大,逐步形成了長三角、中西部為核心、輻射周邊的局面。但受到晶圓制作難度較大,行業(yè)集中度高的影響,我國晶圓行業(yè)注冊和存續(xù)的企業(yè)有所減少。2022年前三季度中國晶圓行業(yè)相關企業(yè)注冊數(shù)量為87家,存續(xù)企業(yè)為71家,和2021年同期相比,增速都有所下滑。目前國際上領先企業(yè)制作晶圓主要是12英寸和8英寸,我國大部分企業(yè)也都具備8英寸晶圓的實力,上海新昇表示制作生產(chǎn)的12英寸晶圓已通過認證,不日即可實現(xiàn)量產(chǎn)。晶圓技術的持續(xù)攻克,也為我國車規(guī)級IGBT行業(yè)發(fā)展帶來了不小的助力。產(chǎn)業(yè)鏈中游近年來隨著我國IGBT行業(yè)的不斷發(fā)展,我國IGBT行業(yè)的產(chǎn)銷量也在持續(xù)增加,現(xiàn)如今我國已經(jīng)成為全球最大的IGBT市場。2016年以來,我國IGBT產(chǎn)量和需求量都呈現(xiàn)出持續(xù)增長的態(tài)勢,2021年中國IGBT產(chǎn)量為2580萬只,同比增長了27.72%;需求量為13200萬只,較2020年增長了20%。需求量的持續(xù)擴大,推動著我國IGBT行業(yè)向前發(fā)展,同時受到新能源汽車的影響,我國車規(guī)級IGBT行業(yè)也將飛速發(fā)展。隨著中國新能源汽車的強勢崛起,新能源汽車領域所需的車規(guī)級IGBT快速擴張。2016-2021年期間,我國車規(guī)級IGBT行業(yè)的市場規(guī)模呈現(xiàn)出持續(xù)增長的態(tài)勢,2021年受到“十四五”相關發(fā)展政策的利好,車規(guī)級IGBT行業(yè)得到飛速發(fā)展,2021年車規(guī)級IGBT行業(yè)市場規(guī)模為47.8億元,較2020年增長了78.03%。受益于下游市場需求的拉動,我國車規(guī)級IGBT生產(chǎn)布局加速。士蘭微和時代電氣作為我國車規(guī)級IGBT行業(yè)排名前列的企業(yè),在車規(guī)級IGBT領域的技術研發(fā)持續(xù)突破,得到有效進展,目前兩家企業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)從芯片設計到晶圓制造再到模塊封裝全覆蓋,對行業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生了重大的推動作用。產(chǎn)業(yè)鏈下游在全球節(jié)能減排、“雙碳”等政策的實施過后,發(fā)展新能源汽車成為共識,各地不斷推進汽車產(chǎn)業(yè)轉型,發(fā)布新能源汽車相關發(fā)展政策,中國在政府的大力扶持下已成為新能源汽車最大的市場。2017-2021年期間,我國新能源汽車產(chǎn)銷量保持增長的態(tài)勢,2020年以來新能源汽車市場得到飛速發(fā)展,2021年中國新能源汽車實現(xiàn)產(chǎn)銷量355萬輛、351萬輛。據(jù)公安部最新數(shù)據(jù)統(tǒng)計,2022年前三季度中國新能源汽車產(chǎn)銷量為477萬輛、456.7萬輛,較2021年同期增長了120%、110%。在新能源汽車的飛速發(fā)展下,車規(guī)級IGBT作為新能源汽車的核心器件之一,受到了各企業(yè)的重視,車規(guī)級IGBT行業(yè)也得到了持續(xù)發(fā)展。05政治環(huán)境1政治環(huán)境1《關于促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展企業(yè)所得稅政策的公告》《基礎電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃(2021—2023年)》《國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》《關于促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展企業(yè)所得稅政策的公告》鼓勵的集成電路企業(yè)和軟件企業(yè)的企業(yè)所得稅減免政策,最高可免10年所得稅。如此密集的支持政策的發(fā)布,可見國內對解決關鍵技術"卡脖子"問題的決心,其中車規(guī)級絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)就是—處重要的突破口?!痘A電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃(2021—2023年)》重點發(fā)展微型化、片式化阻容感元件,高頻率、高精度頻率元器件,耐高溫、耐高壓、低損耗、高可靠半導體分立器件及模塊,小型化、高可靠、高靈敏度電子防護器件,高性能、多功能、高密度混合集成電路?!秶窠?jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》制定實施戰(zhàn)略性科學計劃和科學工程,瞄準前沿領域。其中,在集成電路領域,關注集成電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發(fā)、集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(tǒng)(MEMS)等特色工藝突破,先進存儲技術升級,碳化硅、氮化擦等寬禁帶半導體發(fā)展。06政治環(huán)境2政治環(huán)境2《中國制造2025》《“十三五"國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》《中國制造2025》著力提升集成電路設計水平,不斷豐富知識產(chǎn)權(IP)核和設計工具,突破關系國家信息與網(wǎng)絡安全及電子整機產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心通用芯片,提升國產(chǎn)芯片的應用適配能力?!丁笆?國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》加快先進制造工藝、存儲器、特色工藝等生產(chǎn)線建設,提升安全可靠CPU、數(shù)模/模數(shù)轉換芯片、數(shù)字信號處理芯片等關鍵產(chǎn)品設計開發(fā)能力和應用水平,推動封裝測試、關鍵裝備和材料等產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。07政治環(huán)境2政治環(huán)境2《國家高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》《關于擴大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》《國家高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結構,推進集成電路及專用裝備關鍵核心技術突破和應用?!蛾P于擴大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》明確提出要“聚焦新綸原裝備制造卡脖子問題,加快IGBT等核心技術部件研發(fā)"。08經(jīng)濟環(huán)境經(jīng)濟環(huán)境從2017-2022年以來,我國國內生產(chǎn)總值呈現(xiàn)上漲的趨勢,同比增速處于持續(xù)正增長的態(tài)勢,其中2021年國內生產(chǎn)總值為1143670億元,同比2020年增長了184%。2022年1-9月我國國內生產(chǎn)總值為870269億元,同比增長了6.2%。在疫情得到有效控制的情形下,我國經(jīng)濟開始逐漸復蘇,之前受疫情影響而停滯的各個行業(yè),也開始恢復運行,常態(tài)化增長趨勢基本形成,未來中國IGBT行業(yè)的發(fā)展必然有很大的上升空間。09社會環(huán)境1社會環(huán)境1010201作為新型功率半導體器件的主流器件,IGBT已廣泛應用于工業(yè)、4C(通信、計算機、消費電子、汽車電子)、航空航天、國防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領域,以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領域。02IGBT模塊在電動汽車中發(fā)揮著至關重要的作用,是電動汽車及充電樁等設備的核心技術部件。IGBT模塊占電動汽車成本將近10%,占充電樁成本約20%。IGBT主要應用于電動汽車領域中以下幾個方面:A)電動控制系統(tǒng)大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅動汽車電機;B)車載空調控制系統(tǒng)小功率直流/交流(DC/AC)逆變,使用電流較小的IGBT和FRD;C)充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開關元件使用;010社會環(huán)境2社會環(huán)境2當前各主流廠商的車用SiCMOSFET技術的產(chǎn)業(yè)化進程處于起步階段。全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立的態(tài)勢,其中美國全球獨大,全球SiC產(chǎn)量的70%~80%來自美國公司,典型企業(yè)是科銳、安森美、Ⅱ-Ⅵ等;歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應用產(chǎn)業(yè)鏈,典型公司是意法半導體、英飛凌等;日本是設備和模塊開發(fā)方面的領先者,典型公司是羅姆、三菱電機等。在車用產(chǎn)業(yè)化領域,雖然2017年羅姆曾在Formula-E電動方程式賽車錦標賽中為Venturi車隊賽車配臵了SiC逆變器,但真正實現(xiàn)量產(chǎn)是特斯拉在2018年推出的封裝了SiCMOSFET的Model3車型,該產(chǎn)品由意法半導體提供,特斯拉也因此成為最早采用SiCMOSFET制造汽車逆變器的車企,隨后英飛凌也成為了特斯拉的SiC功率半導體供應商。011行業(yè)驅動因素行業(yè)驅動因素1政策與資本助力下,國內龍頭加快產(chǎn)品技術研發(fā)1海外大廠一致看好功率行業(yè)高景氣持續(xù)1政策與資本助力下,國內龍頭加快產(chǎn)品技術研發(fā)1在政策傾斜與資本扶持下,國內龍頭加快自主產(chǎn)品的技術研發(fā)。半導體器件廣泛應用于現(xiàn)代工業(yè)設備中,但我國半導體大多依賴進口,很容易面臨缺“芯”困境,特別是在中美關系日益緊張,國內多家公司遭“制裁”的當前背景下,大力發(fā)展半導體行業(yè)將成為國家工業(yè)發(fā)展的重要舉措之一。2020年兩會上提交了“關于推動中國功率半導體產(chǎn)業(yè)科學發(fā)展的提案”,在未來國家政策持續(xù)利好,國內IGBT供應商將在研發(fā)、財稅、進出口等方面獲得更多支持。除此之外,資金實力的增強也將推動國內供應商加強在IGBT相關技術的研發(fā)力度,促進技術升級,加速業(yè)務發(fā)展。2020年2月4日斯達半導成功在A股上市,募集資金超5億元,2020年5月26日和6月16日比亞迪相繼發(fā)布公告披露比亞迪半導體順利完成A輪融資27億元,國內IGBT供應商未來將在資本扶持下加速技術研發(fā)。1海外大廠一致看好功率行業(yè)高景氣持續(xù)1國際功率龍頭英飛凌表示,看到汽車電氣化和數(shù)字化的持續(xù)加速,其中半導體解決方案需求仍處于峰值水平,2022年1-3月英飛凌積壓訂單金額超370億歐元,是其2021財年收入的3倍。ST意法半導體表示2022年汽車相關產(chǎn)能(MOSFET、IGBT、MCU)已全部訂滿,渠道端沒有庫存。安森美在21Q4業(yè)績說明會上表示公司22年產(chǎn)能已經(jīng)訂滿,積壓訂單非常多,交期高達45周。012行業(yè)驅動因素行業(yè)驅動因素新能車臨近普及拐點,工業(yè)級應用平穩(wěn)增長產(chǎn)能擴張疊加技術進步,為自主廠商以價換量創(chuàng)造空間新能車臨近普及拐點,工業(yè)級應用平穩(wěn)增長新能源汽車行業(yè)臨近拐點之年,高端車與低端車雙雙加速放量,2025年銷量有望達505萬輛。新能源汽車按照車型可以分為A00級(微型車)、A0級(小型車)、A級(緊湊型車)、B級(中型車)等。以特斯拉為代表的B級EV高端車由于科技性溢價高,將持續(xù)滲透高端客群,加速替代同級別的傳統(tǒng)燃油車;而比亞迪有望在2021年將迎來新一輪產(chǎn)品周期,在降本提速、政府補貼延續(xù)和免征購臵稅影響下實現(xiàn)“購臵平價”,尤其是技術成熟且壁壘很高的PHEV高端車型。受補貼退坡刺激,2020年后低端車產(chǎn)業(yè)鏈將加速降本,2021年中低端車發(fā)力,尤其是A0級和A級PHEV將向大眾市場加速滲透,頭部企業(yè)率先平價。2022是行業(yè)拐點之年,其中A級PHEV兼具燃油車和電動車的優(yōu)點,市場接受度較高,有望在當前換購周期中率先突圍。2023年開始進入后補貼時代,新能源汽車行業(yè)洗牌或加速,2024轉向復蘇,2025年重回高增長通道,2025年我國新能源汽車銷量有望突破500萬輛。產(chǎn)能擴張疊加技術進步,為自主廠商以價換量創(chuàng)造空間供求缺口與業(yè)務拓展將驅動產(chǎn)能提升。我國IGBT供應商在中高端IGBT產(chǎn)能不足,IGBT對外依賴度超90%,長期依賴國際巨頭,導致國內下游產(chǎn)業(yè)公司“一芯難求”。在供不應求的市場驅動下,國內龍頭的產(chǎn)能提升能為其帶來廣闊的市場空間。比亞迪2019年自供比率約70%,盡管其在車規(guī)級IGBT市場打破了國際巨頭的壟斷,但其對外供應量僅4萬多套,仍具有很高提升空間,因此,比亞迪于2020年成立比亞迪半導體公司,并新建8英寸晶圓生產(chǎn)線,進一步擴大IGBT產(chǎn)能,在2025年比亞迪半導體內外供比例有望達到2:1。除此之外,國內龍頭IGBT產(chǎn)品正趨向應用場景多樣化發(fā)展,業(yè)務擴展將進一步刺激產(chǎn)能。比亞迪半導體入局工業(yè)級IGBT,斯達半導加速推進車規(guī)級IGBT,二者互相進入新市場。比亞迪核心產(chǎn)品為車規(guī)級IGBT,但其觸角已經(jīng)伸向工業(yè)級領域,目前比亞迪在焊機(瑞玲)、空調(TCL等)、電磁加熱等領域已經(jīng)開展與下游公司的合作,未來會進一步拓寬在變頻器、光伏等方向的產(chǎn)品;斯達半導主要收入來源于工業(yè)控制及電源市場,但其在新能源汽車市場業(yè)務發(fā)展態(tài)勢良好,其車規(guī)級IGBT在2018年完成了客戶端小批量驗證,在2019年已實現(xiàn)大批量生產(chǎn),根據(jù)其2019年股東大會披露,斯達半導體2019年生產(chǎn)的車規(guī)級IGBT模塊已經(jīng)配套了超過20家終端汽車品牌,合計配套超過16萬輛新能源汽車。013行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)現(xiàn)狀車規(guī)級IGBT是指用于新能源汽車的IGBT產(chǎn)品,是電動汽車逆變器的核心器件,類似于計算機中的CPU。IGBT控制和管理新能源汽車驅動電機的性能和效率,在混合動力汽車中,功率和發(fā)動機的匹配和效率,使車輛在混合動力模式下達到理想的駕駛狀態(tài),由于新能源汽車的內部結構比其他電氣產(chǎn)品更復雜,對車輛標準級IGBT指標的要求高于其他電氣產(chǎn)品,例如,車規(guī)級IGBT的散熱效率標準遠高于工業(yè)IGBT,逆變器內的溫度高達120℃,還應考慮強烈的振動條件,車規(guī)級IGBT的性能指標遠高于工業(yè)級IGBT。IGBT占新能源汽車整機總成本的5%以上,僅次于電池。電機和電機控制器是新能源汽車的核心部件,直接決定了車輛的行駛性能。在電機驅動中,IGBT主要存在于逆變器模塊中。逆變器的功能是將直流電轉換為交流電以提供驅動電機。來自北斗航天汽車的數(shù)據(jù)顯示,電機和電機控制器分別約占車輛成本的4%和9%。在電機控制器內部,IGBT模塊約占其成本的37%。因此,IGBT模塊約占整車成本的5%。如果在車載空調控制系統(tǒng)中加入IGBT,成本比重更高。此外,大功率電動汽車也將對IGBT有越來越高的要求,這將間接增加IGBT在整個新能源汽車中的成本。014行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)現(xiàn)狀2025年全球新能源汽車用IGBT市場規(guī)模將達64億美元,CAGR為36%IGBT是車用功率半導體的主要器件2025年全球新能源汽車用IGBT市場規(guī)模將達64億美元,CAGR為36%據(jù)Marklines數(shù)據(jù)顯示,2021年全球汽車銷量為7919萬輛,剔除2020年疫情年份,過去8年的復合增速為2%左右,假設按照此增速增長,2025年全球汽車銷量將達到8610萬輛,2021年全球新能源汽車銷量約650萬輛,滲透率為8.2%,我們到2025年全球新能源汽車滲透率有望達到25%左右,對應全球新能源汽車銷量約為2150萬輛。根據(jù)英飛凌數(shù)據(jù),目前新能源汽車功率半導體和IGBT的單車價值分別為330美元和273美元,考慮到當前全球功率半導體產(chǎn)能供不應求,短期內新能源汽車功率半導體價格仍將保持在較高水平,且未來單車價值將隨著單車帶電量增加以及雙電機滲透率的提升而逐步增加,我們2022-2025年新能源汽車用的功率半導體和IGBT的單車價值將每年1%的增速增加,則據(jù)此測算,2025年全球新能源汽車功率半導體市場規(guī)模將達到78億美元,2025年全球新能源汽車用IGBT市場規(guī)模將達到64億美元,2021-2025年復合增速為36%。IGBT是車用功率半導體的主要器件IGBT在汽車內有四種不同應用,第一是主逆變器核心器件,主逆變器將電池輸出的直流電逆變?yōu)榻涣麟婒寗悠囯姍C;第二應用在輔助逆變電路中,用來為其他汽車電子供電;第三應用在DC/DC直流斬波電路中,用來輸出電壓不同的電流;第四應用在OBC(充電/逆變)中,將外部輸入的交流電逆變?yōu)橹绷麟姙樾履茉雌囯姵爻潆?。在電動化程度較低的汽車中,由于其電池輸出電壓低,功率器件工作的功率范圍不高,可以用MOSFET替代輔助逆變電路、DC/DC直流斬波電路中的IGBT,以達到控制成本的目的。015行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)現(xiàn)狀從市場容量看,我國車規(guī)級IGBT市場規(guī)模從2015年5.92億元增長至2020年26.85億元,2015-2020年均復合增速高達35.31%。新能源汽車根據(jù)動力源可以分為HEV(混合電動汽車)、PHEV(插電式混合電動汽車)、BEV(純電動汽車)。其中,BEV不需要燃油機,只依靠電池提供能量,所以會配置較大容量的電池。BEV的優(yōu)勢在于零排放。受益于國家的雙碳計劃,BEV成為未來新能源汽車發(fā)展的主要方向。根據(jù)汽車動力劃分,我國車規(guī)級IGBT可分為純電動汽車IGBT及混合動力汽車IGBT。2020年我國純電動汽車IGBT市場規(guī)模277億元,占比808%;混合動力汽車IGBT規(guī)模5.08億元,占18.92%。2025年全球/中國IGBT市場規(guī)模將達157/74億美元,2021-2025年CAGR分別為18/21%,成長空間廣闊。隨著新能源汽車、新能源發(fā)電的快速發(fā)展,帶動IGBT需求大增。根據(jù)我們測算,到2025年,全球/中國IGBT市場規(guī)模分別將達到157/74億美元,2021-2025年CAGR分別為18%/21%。016行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)現(xiàn)狀電動化帶動EV用功率半導體ASP大幅提升,達330美元是傳統(tǒng)燃油車的6倍。以電力系統(tǒng)作為動力源的新能源汽車,對電子元器件功率管理,功率轉換能力提出了更高的要求。在傳統(tǒng)汽車中,功率半導體主要應用于車輛啟動,發(fā)電和安全領域,低壓低功率電子元器件即可滿足其工作需求。而在新能源汽車中,電池輸出的高電壓需要進行頻繁的電壓變換,電流逆變,這些電路大幅提高了汽車對IGBT、MOSFET等功率半導體的需求。根據(jù)英飛凌數(shù)據(jù),傳統(tǒng)燃油車中,功率半導體含量為71美元,全插混/純電池電動車中,功率半導體價值量為330美元,是傳統(tǒng)燃油車的6倍。017行業(yè)熱點行業(yè)熱點熱點一IGBT應用領域廣泛熱點二科研服務市場持續(xù)增長熱點三行業(yè)產(chǎn)品質量整體提高熱點一IGBT應用領域廣泛熱點二科研服務市場持續(xù)增長IGBT行業(yè)具有市場空間廣闊、銷售范圍廣、用戶分散、單批數(shù)量少、銷售單價高等特點。熱點三行業(yè)產(chǎn)品質量整體提高IGBT行業(yè)技術提升,多元化科研服務平臺持續(xù)擴張,促進高價值服務企業(yè)品牌形成。行業(yè)產(chǎn)品化發(fā)展,集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的綜合性科研服務企業(yè)逐漸增多。018行業(yè)制約因素行業(yè)制約因素質量參差不齊行業(yè)監(jiān)管難度大高端產(chǎn)品發(fā)展落后質量參差不齊IGBT行業(yè)缺乏完備的質量控制和質量保證體系,生產(chǎn)商缺乏統(tǒng)一的生產(chǎn)標準,行業(yè)內產(chǎn)品質量良莠不齊,導致產(chǎn)品的可靠性難以保證,喪失產(chǎn)品市場競爭力行業(yè)監(jiān)管難度大政府秉承創(chuàng)新開放的態(tài)度,支持和鼓勵科學研究創(chuàng)新,對科學研究試驗不設置嚴格限制,因此,IGBT行業(yè)不存在統(tǒng)一的監(jiān)督管理規(guī)范,產(chǎn)品質量主要依靠生產(chǎn)企業(yè)自主檢測,IGBT行業(yè)產(chǎn)品質量的監(jiān)管難度加大高端產(chǎn)品發(fā)展落后在中低端產(chǎn)品領域,仍然有較大比例的產(chǎn)品依賴于進口渠道。此外,IGBT行業(yè)企業(yè)缺乏創(chuàng)新研發(fā)能力以及仿制能力,加重下游消費端對進口科研用檢測試劑的依賴,不利于IGBT行業(yè)的發(fā)展019行業(yè)問題行業(yè)問題質量參差不齊行業(yè)監(jiān)管難度大高端產(chǎn)品發(fā)展落后質量參差不齊IGBT行業(yè)缺乏完備的質量控制和質量保證體系,生產(chǎn)商缺乏統(tǒng)一的生產(chǎn)標準,行業(yè)內產(chǎn)品質量良莠不齊,導致產(chǎn)品的可靠性難以保證,喪失產(chǎn)品市場競爭力。行業(yè)監(jiān)管難度大高端產(chǎn)品發(fā)展落后020行業(yè)發(fā)展建議行業(yè)發(fā)展建議2提升產(chǎn)品質量2全面增值服務2多元化融資渠道2提升產(chǎn)品質量2(1)政府方面:政府應當制定行業(yè)生產(chǎn)標準,規(guī)范IGBT行業(yè)生產(chǎn)流程,并成立相關部門,對科研用IGBT行業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等各個環(huán)節(jié)進行監(jiān)督,形成統(tǒng)一的監(jiān)督管理體系,完善試劑流通環(huán)節(jié)的基礎設施建設,重點加強冷鏈運輸環(huán)節(jié)的基礎設施升級,保證IGBT行業(yè)產(chǎn)品的質量,促進行業(yè)長期穩(wěn)定的發(fā)展;(2)生產(chǎn)企業(yè)方面:IGBT行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)應嚴格遵守行業(yè)生產(chǎn)規(guī)范,保證產(chǎn)品質量的穩(wěn)定性。目前市場上已有多個本土IGBT行業(yè)企業(yè)加強生產(chǎn)質量的把控,對標優(yōu)質、高端的進口產(chǎn)品,并憑借價格優(yōu)勢逐步替代進口。此外,IGBT行業(yè)企業(yè)緊跟行業(yè)研發(fā)潮流,加大創(chuàng)新研發(fā)力度,不斷推出新產(chǎn)品,進一步擴大市場占有率,也是未來行業(yè)發(fā)展的重要趨勢。2全面增值服務2單一的資金提供方角色僅能為IGBT行業(yè)企業(yè)提供“凈利差”的盈利模式,IGBT行業(yè)同質化競爭日趨嚴重,利潤空間不斷被壓縮,企業(yè)業(yè)務收入因此受影響,商業(yè)模式亟待轉型除傳統(tǒng)的IGBT行業(yè)需求外,設備管理、服務解決方案、貸款解決方案、結構化融資方案、專業(yè)咨詢服務等方面多方位綜合性的增值服務需求也逐步增強。中國本土IGBT行業(yè)龍頭企業(yè)開始在定制型服務領域發(fā)力,鞏固行業(yè)地位2多元化融資渠道2可持續(xù)公司債等創(chuàng)新產(chǎn)品,擴大非公開定向債務融資工具(PPN)、公司債等額度獲取,形成了公司債、PPN、中期票據(jù)、短融、超短融資等多產(chǎn)品、多市場交替發(fā)行的新局面;企業(yè)獲取各業(yè)態(tài)銀行如國有銀行、政策性銀行、外資銀行以及其他中資行的授信額度,確保了銀行貸款資金來源的穩(wěn)定性。IGBT行業(yè)企業(yè)在保證間接融資渠道通暢的同時,能夠綜合運用發(fā)債和資產(chǎn)證券化等方式促進自身融資渠道的多元化,降低對單一產(chǎn)品和市場的依賴程度,實現(xiàn)融資地域的分散化,從而降低資金成本,提升企業(yè)負債端的市場競爭力。以遠東宏信為例,公司依據(jù)自身戰(zhàn)略發(fā)展需求,堅持“資源全球化”戰(zhàn)略,結合實時國內外金融環(huán)境,有效調整公司直接融資和間接融資的分布結構,在融資成本方面與同業(yè)相比優(yōu)勢突出。021競爭格局競爭格局競爭格局1競爭格局2競爭格局1NE時代的數(shù)據(jù)顯示,目前國內新能源乘用車IGBT模塊領域仍主要由英飛凌壟斷。2020年英飛凌裝機份額超過50%,聯(lián)合電子、麥格米特依賴英飛凌IGBT模塊,同時上海電驅動、奇瑞新能源、蔚然動力等廠商也購買英飛凌產(chǎn)品。在本土IGBT企業(yè)方面,比亞迪半導體、斯達半導、中車時代已進入新能源汽車IGBT模塊供應商重點名單,不同企業(yè)新能源車用IGBT產(chǎn)品布局和合作客戶情況如下。競爭格局2我國車規(guī)級IGBT市場巨大,也吸引了國際上知名的IGBT企業(yè),紛紛在中國搶灘登陸。這些公司的企業(yè)規(guī)模、生產(chǎn)技術、經(jīng)營管理水平和研發(fā)能力都有很大的優(yōu)勢,進入中國市場后,較迅速的在我國建立了比較完善的市場銷售體系,目前外國IGBT企業(yè)與民族品牌企業(yè)在重點領域的競爭較為激烈。022行業(yè)發(fā)展趨勢行業(yè)發(fā)展趨勢IGBT緊張加劇,供應鏈自主可控,加速國產(chǎn)化供科研咨詢服務IGBT緊張加劇,供應鏈自主可控,加速國產(chǎn)化據(jù)富昌電子公布的交期數(shù)據(jù),2

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