元器件知識大全：RFID新一代高級封裝技術

元器件學問大全：RFID一代高級封裝技術tughghjghj在當今飛速進展的電子環(huán)境中，芯片制造商和封裝技術供給商們覺察傳統(tǒng)的前段制造設備，諸如光刻步進器等，可能會實現(xiàn)本錢高效的后段工藝流PCs進展帶動起來的，但是現(xiàn)在它們已經不再是主要的增長催化因素。通信以及手持設備，如手機、PDAs〔個人數(shù)字助理〕、便攜式玩耍機以及個人通訊系統(tǒng)正在成為增長階段的推動因素。隨著數(shù)字消費應用的爆炸式進展－性能和波形系統(tǒng)成為必需啟用高級封裝〔AP〕技術的必要條件。在將來五年內，估量通訊PCAP要訴求。隨著領先的規(guī)律芯片制造商們需求量的不斷增大，我們共同見證了APPC元件對高級封裝技術的訴求。AP用，其中光蝕刻設備以其突出的優(yōu)勢將獲得部署良機。AP光刻技術是影響晶圓植球品質的最重要因素之一。如圖1所示，推動AP〔LCDs〕是一款產量格外〔WLP〕技術將馬上滲透到微處理器和射頻〔RF〕PPL夠在高級器件封裝領域獲得增長金凸塊技術〔LCD〕ICsLCDICs鏈等環(huán)節(jié)的考量，顯示器制造還是在向其它地區(qū)的商業(yè)制造廠平穩(wěn)過渡－臺和中國，估量將連續(xù)加大對金凸塊技術的投入。LCD驅動ICs是利潤相對較低、對本錢相比照較敏感的器件，那么就GartnerDataquestLCDICs〔LVDTVs〕、掌上型200510.7到2008年的14.6億美元〔圖2〕。一個必定的結果是大多數(shù)廠商正在樂觀地擴張他們的金凸塊力量。一篇最近發(fā)表的文章指出Chipbond〔臺灣欣邦電子〕44%，躍26〔IST〕的產能有望于2006年獲得64%的增長，到達18萬只晶圓。估量中國也將于2006年底提高增金凸塊生產線的產能，以滿足LCD驅動ICs的制造需求。而10%?！睺echSearchInternational〕。盡管金凸塊光刻技術能夠到達與前段半導體制造一樣的良率和生產需求，然而后段光刻技術仍舊需要考慮幾個不同的變化。首先金凸塊技術需要厚的〔15-30(m〕光刻膠膜，無疑將會引起光刻工藝流程對更長焦深的需的機械裝置，因而實現(xiàn)了更牢靠的工藝流程掌握。在把圖形復制到厚光刻膠膜上的同時，也將更多的重點放在了全都的臨界尺寸〔CD〕掌握上，這一掌握對于保證整個晶圓上凸塊高度的全都是格外關鍵的。除了圖形的品質之外，先進的圖形對準力量也是滿足金凸塊制造需求的關鍵因素。基于上述各個因素，明顯，電子放射光刻技術已然成為滿足業(yè)界對金凸塊工藝處理需求的關鍵技術訴求之一。錫鉛凸塊技術估量錫鉛凸塊技術在商業(yè)和自用細分市場照舊會保持強勁的增長勢步加大將封裝生產外包給制造廠和封裝/裝配車間的力度。I/O片方法已經成為晶圓分割的強制技術。鉛錫凸塊技術趨向于大量地用于尖端規(guī)律元器件的封裝應用－迄今為PCsSonyPlayStation3玩耍處理器領域轉移。對速度和波形因素的需求使得傳統(tǒng)的封裝方法已經無法I/O〔high-I/O-count〕和高速的晶體管數(shù)量〔high-transistor-count〕器件帶動起來器件方面的應用同時也在穩(wěn)步上升。鉛錫凸塊技術進展的關鍵技術推動力來自持續(xù)的器件尺寸緊縮。在130nm技術標準下，約有30%的規(guī)律芯片需要凸塊技術。但是在90nm技術標準65nm80%以上。來自去除鉛錫凸塊尖峰以及削減鉛錫凸塊坡度的持續(xù)動力共同形成了〕。焊球的高度以及與焊接墊的相對位置是在流程中形成的，這些對于保持更高的良2010015x15500x500〔3B〕。對于先進的高性能IC，鉛錫凸塊的形成工藝流程一般是利用電鍍焊錫沉積方法實現(xiàn)的。在焊錫電鍍工藝流程之前，需要使用厚阻膠光刻工藝流程進展50um120umUBM〔凸塊下金屬化〕的蝕刻掩膜，因此在厚阻膠曝光工藝流程中圖形印刷到晶圓上的準確度就顯得極為重要。準確的圖形印刷能夠確UBM3BUBMICI/OI/O的鉛錫凸塊密封性能，最終將導致焊點失效，以及與封裝水平牢靠性相關的缺陷。WLP〔晶圓級封裝〕WLP的最初萌芽是由用于移動的低速I/O〔low-I/O〕、低速晶體管元器件制造帶動起來的，如無源的片上感應器和功率傳輸ICs等，目前WLPGPS〔全球定位系統(tǒng)〕元器件以及聲卡等應用的推WLP〔TVtuners〕、調頻放射器〔FMtransmitters〕以及堆棧存儲器等。隨著存儲Semico雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存儲器〕WLPDRAM10%2008升至30%左右〔參見圖4〕。一言以蔽之，對功能不斷增加的高級PC內存的需DDRIIIWLPPPL〔后護層〕這一細分市場由一系列加載到互聯(lián)線上的層所組成，目的是改善器件I/O65nm于主要的產品是高端規(guī)律器件，因此壓力緩沖層是必需具備的層，而其它的層則主要用于無線設備上領先的模擬器件和射頻產品。這些后護層要求格外嚴格的光刻技術，那么提高區(qū)分率將是關鍵的成功1X勢。鏡頭的孔徑縮少，使得色差校準的得以延長，從波長350nm到450nm。孔IC的、五元素、折反光光學設計實現(xiàn)了最大的功率傳輸以及較高的晶圓平面光WLP面光