元器件知識(shí)大全：RFID新一代高級(jí)封裝技術(shù)

元器件學(xué)問(wèn)大全：RFID一代高級(jí)封裝技術(shù)tughghjghj在當(dāng)今飛速進(jìn)展的電子環(huán)境中，芯片制造商和封裝技術(shù)供給商們覺(jué)察傳統(tǒng)的前段制造設(shè)備，諸如光刻步進(jìn)器等，可能會(huì)實(shí)現(xiàn)本錢(qián)高效的后段工藝流PCs進(jìn)展帶動(dòng)起來(lái)的，但是現(xiàn)在它們已經(jīng)不再是主要的增長(zhǎng)催化因素。通信以及手持設(shè)備，如手機(jī)、PDAs〔個(gè)人數(shù)字助理〕、便攜式玩耍機(jī)以及個(gè)人通訊系統(tǒng)正在成為增長(zhǎng)階段的推動(dòng)因素。隨著數(shù)字消費(fèi)應(yīng)用的爆炸式進(jìn)展－性能和波形系統(tǒng)成為必需啟用高級(jí)封裝〔AP〕技術(shù)的必要條件。在將來(lái)五年內(nèi)，估量通訊PCAP要訴求。隨著領(lǐng)先的規(guī)律芯片制造商們需求量的不斷增大，我們共同見(jiàn)證了APPC元件對(duì)高級(jí)封裝技術(shù)的訴求。AP用，其中光蝕刻設(shè)備以其突出的優(yōu)勢(shì)將獲得部署良機(jī)。AP光刻技術(shù)是影響晶圓植球品質(zhì)的最重要因素之一。如圖1所示，推動(dòng)AP〔LCDs〕是一款產(chǎn)量格外〔WLP〕技術(shù)將馬上滲透到微處理器和射頻〔RF〕PPL夠在高級(jí)器件封裝領(lǐng)域獲得增長(zhǎng)金凸塊技術(shù)〔LCD〕ICsLCDICs鏈等環(huán)節(jié)的考量，顯示器制造還是在向其它地區(qū)的商業(yè)制造廠平穩(wěn)過(guò)渡－臺(tái)和中國(guó)，估量將連續(xù)加大對(duì)金凸塊技術(shù)的投入。LCD驅(qū)動(dòng)ICs是利潤(rùn)相對(duì)較低、對(duì)本錢(qián)相比照較敏感的器件，那么就GartnerDataquestLCDICs〔LVDTVs〕、掌上型200510.7到2008年的14.6億美元〔圖2〕。一個(gè)必定的結(jié)果是大多數(shù)廠商正在樂(lè)觀地?cái)U(kuò)張他們的金凸塊力量。一篇最近發(fā)表的文章指出Chipbond〔臺(tái)灣欣邦電子〕44%，躍26〔IST〕的產(chǎn)能有望于2006年獲得64%的增長(zhǎng)，到達(dá)18萬(wàn)只晶圓。估量中國(guó)也將于2006年底提高增金凸塊生產(chǎn)線的產(chǎn)能，以滿(mǎn)足LCD驅(qū)動(dòng)ICs的制造需求。而10%。〔TechSearchInternational〕。盡管金凸塊光刻技術(shù)能夠到達(dá)與前段半導(dǎo)體制造一樣的良率和生產(chǎn)需求，然而后段光刻技術(shù)仍舊需要考慮幾個(gè)不同的變化。首先金凸塊技術(shù)需要厚的〔15-30(m〕光刻膠膜，無(wú)疑將會(huì)引起光刻工藝流程對(duì)更長(zhǎng)焦深的需的機(jī)械裝置，因而實(shí)現(xiàn)了更牢靠的工藝流程掌握。在把圖形復(fù)制到厚光刻膠膜上的同時(shí)，也將更多的重點(diǎn)放在了全都的臨界尺寸〔CD〕掌握上，這一掌握對(duì)于保證整個(gè)晶圓上凸塊高度的全都是格外關(guān)鍵的。除了圖形的品質(zhì)之外，先進(jìn)的圖形對(duì)準(zhǔn)力量也是滿(mǎn)足金凸塊制造需求的關(guān)鍵因素?；谏鲜龈鱾€(gè)因素，明顯，電子放射光刻技術(shù)已然成為滿(mǎn)足業(yè)界對(duì)金凸塊工藝處理需求的關(guān)鍵技術(shù)訴求之一。錫鉛凸塊技術(shù)估量錫鉛凸塊技術(shù)在商業(yè)和自用細(xì)分市場(chǎng)照舊會(huì)保持強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)步加大將封裝生產(chǎn)外包給制造廠和封裝/裝配車(chē)間的力度。I/O片方法已經(jīng)成為晶圓分割的強(qiáng)制技術(shù)。鉛錫凸塊技術(shù)趨向于大量地用于尖端規(guī)律元器件的封裝應(yīng)用－迄今為PCsSonyPlayStation3玩耍處理器領(lǐng)域轉(zhuǎn)移。對(duì)速度和波形因素的需求使得傳統(tǒng)的封裝方法已經(jīng)無(wú)法I/O〔high-I/O-count〕和高速的晶體管數(shù)量〔high-transistor-count〕器件帶動(dòng)起來(lái)器件方面的應(yīng)用同時(shí)也在穩(wěn)步上升。鉛錫凸塊技術(shù)進(jìn)展的關(guān)鍵技術(shù)推動(dòng)力來(lái)自持續(xù)的器件尺寸緊縮。在130nm技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)下，約有30%的規(guī)律芯片需要凸塊技術(shù)。但是在90nm技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)65nm80%以上。來(lái)自去除鉛錫凸塊尖峰以及削減鉛錫凸塊坡度的持續(xù)動(dòng)力共同形成了〕。焊球的高度以及與焊接墊的相對(duì)位置是在流程中形成的，這些對(duì)于保持更高的良2010015x15500x500〔3B〕。對(duì)于先進(jìn)的高性能IC，鉛錫凸塊的形成工藝流程一般是利用電鍍焊錫沉積方法實(shí)現(xiàn)的。在焊錫電鍍工藝流程之前，需要使用厚阻膠光刻工藝流程進(jìn)展50um120umUBM〔凸塊下金屬化〕的蝕刻掩膜，因此在厚阻膠曝光工藝流程中圖形印刷到晶圓上的準(zhǔn)確度就顯得極為重要。準(zhǔn)確的圖形印刷能夠確UBM3BUBMICI/OI/O的鉛錫凸塊密封性能，最終將導(dǎo)致焊點(diǎn)失效，以及與封裝水平牢靠性相關(guān)的缺陷。WLP〔晶圓級(jí)封裝〕WLP的最初萌芽是由用于移動(dòng)的低速I(mǎi)/O〔low-I/O〕、低速晶體管元器件制造帶動(dòng)起來(lái)的，如無(wú)源的片上感應(yīng)器和功率傳輸ICs等，目前WLPGPS〔全球定位系統(tǒng)〕元器件以及聲卡等應(yīng)用的推WLP〔TVtuners〕、調(diào)頻放射器〔FMtransmitters〕以及堆棧存儲(chǔ)器等。隨著存儲(chǔ)Semico雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器〕WLPDRAM10%2008升至30%左右〔參見(jiàn)圖4〕。一言以蔽之，對(duì)功能不斷增加的高級(jí)PC內(nèi)存的需DDRIIIWLPPPL〔后護(hù)層〕這一細(xì)分市場(chǎng)由一系列加載到互聯(lián)線上的層所組成，目的是改善器件I/O65nm于主要的產(chǎn)品是高端規(guī)律器件，因此壓力緩沖層是必需具備的層，而其它的層則主要用于無(wú)線設(shè)備上領(lǐng)先的模擬器件和射頻產(chǎn)品。這些后護(hù)層要求格外嚴(yán)格的光刻技術(shù)，那么提高區(qū)分率將是關(guān)鍵的成功1X勢(shì)。鏡頭的孔徑縮少，使得色差校準(zhǔn)的得以延長(zhǎng)，從波長(zhǎng)350nm到450nm?？譏C的、五元素、折反光光學(xué)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了最大的功率傳輸以及較高的晶圓平面光WLP面光