新型CCII電流傳輸器

新型CCII電流傳輸器摘要：第二代電流傳輸器運算放大器(CCII)與采用電壓反饋的類似器件相比可以提供更寬的頻帶，適用于RF混頻器、高頻精密整流器以及醫(yī)療產(chǎn)品，例如：電阻抗斷層成像系統(tǒng)。傳統(tǒng)的運算放大器受其增益帶寬積限制，不能勝任高頻應(yīng)用。概述電流傳輸器或CCI(可以看作一個理想的晶體管)的概念最初是由Smith和Sedra于19681,2提出的。之后，在1970年，CCI被更加通用的第二代器件CCII3所取代。現(xiàn)在的傳輸器設(shè)計主要采用BJT，它們與CMOS相比具有更高的跨導，非常適合電流反饋運算放大器的設(shè)計，例如：MAX477高速放大器和MAX4112低功耗放大器，其特點是電流反饋，而不是標準運算放大器中使用的電壓反饋方式。因此，電流反饋運算放大器不像標準運算放大器那樣受到增益帶寬積的限制，它可以提供比電壓反饋器件更寬的頻帶。

電流傳輸器通常用于傳統(tǒng)運算放大器無法支持的高頻產(chǎn)品，因為傳統(tǒng)設(shè)計的增益帶寬積有限。理論上講，電流傳輸器只受設(shè)計中晶體管ft的限制。目前采用電流傳輸器的應(yīng)用主要包括：RF混頻器、高頻精密整流器以及醫(yī)療產(chǎn)品，比如電阻抗斷層成像系統(tǒng)(EIT)。雙極型傳輸器圖1所示框圖是使用雙極型器件構(gòu)成的電流傳輸器。

圖1.雙極型CCII

從圖1可以看出CCII傳輸器可以當作一個理想的晶體管模型：

Y是基極/柵極

X是發(fā)射極/源極

Z是集電極/漏極

這種利用BJT構(gòu)成的電路能夠很好地工作，因為BJT的跨導和Early電壓比CMOS器件高。因此，電流傳輸器可以很好地用作源極跟隨器。增益X/Y接近于1，Z具有高輸出阻抗，這是CMOS電路望塵莫及的。CMOS源極跟隨器如同上述說明，CMOS跟隨器的主要問題是gm和Early電壓(1/lambda)較低，等同于低增益，因為電壓跟隨器的增益很大程度上依賴于這兩個參數(shù)的提高。通過下式可以看到這個關(guān)系：

式中，gL是負載電導，gds是漏源間電導，gm是CMOS器件的跨導。

利用TSMC0.18μm工藝，在負載為1kΩ時，典型的仿真增益可以達到0.7。同理想增益1相比，存在30%的輸出增益損失。電流傳輸器源極跟隨器利用一個不帶緩沖的放大器(圖2a)可以模擬增益為1的源極跟隨器，然后在圖1設(shè)計的基礎(chǔ)上增加這一電路，構(gòu)成CCII電流傳輸器。

圖2a.簡單的源極跟隨器

圖2a可以按照下面的圖2b實現(xiàn)。

圖2b.CCII無緩沖源極跟隨器及其實現(xiàn)

從圖2b可以看出輸出X被反饋到長尾晶體管對的一個輸入(X')。長尾晶體管對的另一個輸入是Y，輸入Y通過M1改變電流。M2與M3不同，M4是電流鏡。

M2和M4之間存在電流差。從器件M5的柵極/源極電容Cgs拉電流或饋入電流，可以解決不平衡問題。在輸出X'與Y達到匹配之前，帶寬限制定義為晶體管充電和放電的速率。因此，帶寬限制可以定義為：

采用非緩沖放大器的電流傳輸器(CCII+)按照圖2，可以實現(xiàn)電流傳輸器(CCII+)的第一部分。為了完成電流傳輸器(CCII+)的剩余部分，輸出X'電流只需進行鏡像，參考圖3，它給出了Z的輸出電路。

圖3.采用無緩沖放大器的電流傳輸器(CCII+)

M7/M8對來自M5/M6的電流進行簡單鏡像，得到CCII+的輸出Z(-)。

必要時，可以給M7/M8增加一個共源共柵結(jié)構(gòu)，以提高Z的輸出阻抗。需要注意的是：為了正確模擬電流，X的輸出阻抗必須與Z匹配，比如，M5/M6必須使用與M7/M8相同的晶體管類型。

CCII的增益可簡單表示為：

從CCII+轉(zhuǎn)變?yōu)镃CII-選取偏置點Yb'(圖3)，增加圖4所示附加連接。

圖4.電流傳輸器配置為CCII-

圖4中，如果所有晶體管規(guī)格一致，并且選取Yb'(圖3中的偏置點)，M10和M11所產(chǎn)生的電流將為2i。通過M9鏡像，在M13得到2i電流。M12提供電流為I，并通過Z(+)提供電流-i，由此得到一個真正的CCII-輸出。這種方案存在一個問題：Z(+)有一個直流項-i，而不是+i。因此，Z(+)輸出需要增加2i的直流電流補償-I，圖5提供了這個附加項。

圖5.增加直流偏置后的CCII-輸出

圖5中，晶體管M14和M15提供適當?shù)碾娏餮a償M13吸取的直流電流(注意：M14和M15必須與M12匹配)。令R3電流等于i(DC)-i'，R3和R2必須匹配。它們阻值的任何不匹配都會導致輸出直流值的差異。VBIAS電路為了得到所要求的電壓，VDCBIAS將保持M14和M15的直流電流，VDCBIAS(圖5)也必須與節(jié)點Yb'(圖4和圖5)具有相同的直流值。實現(xiàn)這一步只需要模擬前端電路，并將輸入信號的直流值(VINDC)作為這一級的輸入偏壓，如圖6所示。

圖6.直流補償電路(圖5)的VBIAS電路

本設(shè)計的唯一問題是需要另一個電阻(R4)，而且R4必須與R2、R3匹配。仿真結(jié)果使用圖3所示CCII+，并采用TSMC0.18μm工藝，R1=1kΩ，R2=1kΩ，可以得到增益為1。器件的3dB帶寬為2.5GHz，電源抑制比(PSRR)為41dB，增益為0.972。

使用共源共柵器件代替M5/M6和M7/M8可以改善性能，使帶寬達到900MHz，增益提高到0.993，PSRR也提高到51dB。

參考文獻

1K.C.SmithandA.Sedra,'TheCurrent-Conveyor—ANewCircuitBuildingBlock,'IEEEProc,Vol.56,1968,pp.1368–1369.

2C.Toumazou,JohnLidgey&AlisonPayne,'PracticalIntegratedCurrent-Conveyors,CurrentModeCircuitsTechniquesinAnalogHighFrequencyDesign,'July1996,Chapter5.2,pp.