基于Xilinx FPGA的抗輻射可靠性設(shè)計技術(shù)研究

基于XilinxFPGA的抗輻射可靠性設(shè)計技術(shù)研究空間輻射環(huán)境中的帶電粒子會導(dǎo)致航天器電子系統(tǒng)的半導(dǎo)體器件發(fā)生單粒子效應(yīng)，嚴重影響航天器的可靠性和壽命，其中高能質(zhì)子和重離子是導(dǎo)致單粒子效應(yīng)的主要因素。必須對航天器用電子元器件的單粒子效應(yīng)進行評估，采取一定的抗輻射加固措施，提高其可靠性。因此，空間輻射的單粒子效應(yīng)研究具有重要意義。基于SRAM的FPGA在航天領(lǐng)域受到極大關(guān)注。Xilinx公司的FPGA相繼在MARS2003Lander（JPL）XQR4062XL：ControllingPyrotechnics、MARS2003Rover（JPL）XQVR1000：MotorControl、GRACE（NASA）XQR4036XL：Sensor等任務(wù)中成功應(yīng)用之后，國外航天界對XilinxFPGA的應(yīng)用興趣大增。我國相關(guān)領(lǐng)域?qū)ilinxFPGA的航天應(yīng)用正處在研究階段，對其中亟待解決的可靠性設(shè)計問題研究相對較少，本文根據(jù)作者在某衛(wèi)星載荷設(shè)備信號處理器中的實踐對XilinxFPGA（以下簡稱FPGA）的可靠性設(shè)計技術(shù)進行了研究。1XilinxFPGA介紹XilinxSRAM型FPGA主要由以下幾部份組成，圖1所示為VirtexIIFPGA的結(jié)構(gòu)圖。（1）配置存儲器（ConfigureMemory）：FPGA可以看作配置存儲器和受其控制的可配置邏輯資源兩層的疊加。配置存儲器是FPGA內(nèi)部的一個大容量存儲器，控制著可配置邏輯資源，如布線資源、可編程邏輯資源、數(shù)字時鐘等邏輯功能。配置存儲器的失效將造成FPGA功能的持久失效（直至重新配置成功）。（2）布線資源（RoutingResource）：布線資源是FPGA內(nèi)部邏輯功能單元互聯(lián)的通道，它將用戶設(shè)計的各個邏輯功能模塊連在一起。（3）可編程I/O（ProgrammableI/O）：FPGA的輸入輸出接口，通常情況下I/O腳可以設(shè)置成輸入、輸出、高阻態(tài)、雙向I/O。（4）可編程邏輯單元（CLB：ConfigurableLogic-Block）：可編程邏輯功能單元是FPGA的細胞，通過它可以完成各式各樣的邏輯功能。（5）塊存儲器（BlockSelect-RAM）和乘法器（Multiplier）等：FPGA內(nèi)部集成的硬件存儲器和乘法器，用以實現(xiàn)快速的數(shù)字運算。（6）數(shù)字時鐘管理模塊（DCM：DigitalClockManager）：FPGA內(nèi)部的時鐘管理單元。通過它可以對輸入時鐘進行倍頻、分頻處理，同時還可以減小時鐘的抖動，提高時鐘的驅(qū)動能力。目前FPGA的工藝水平從Virtex系列的220nm發(fā)展到VirtexII的150nm，一直到現(xiàn)在Virtex4系列高密度FPGA的90nm，雖然抗總劑量效應(yīng)能力在不斷增強，但是隨著器件的核電壓的降低、門數(shù)的劇增，單粒子效應(yīng)會越來越明顯。因此FPGA上述組成部分，如配置存儲器、CLB和塊存儲器的抗輻射可靠性設(shè)計越來越重要。2輻射效應(yīng)及其影響空間電子設(shè)備由于其所處的軌道不同，受到的輻射影響也不相同，但是，總的來講對XilinxFPGA影響比較大的輻射效應(yīng)主要有：總劑量效應(yīng)（TID：TotalIonizingDose）、單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU：SingleEventUpset）、單粒子閂鎖（SEL：SingleEventLatch-up）、單粒子功能中斷（SEFI：SingleEventFunctionalInterrupt）、單粒子燒毀（SEB：SingleEventBurnout）、單粒子瞬態(tài)脈沖（SET：SingleEventTransient）、位移損傷（DisplacementDamage）等。上述輻射效應(yīng)產(chǎn)生的機理不盡相同，引起FPGA的失效形式也不同。FPGA的配置存儲器、DCM、CLB、塊存儲器對單粒子翻轉(zhuǎn)比較敏感，可通過TMR（三倍冗余法）、Scrubbing等來解決。單粒子閉鎖會導(dǎo)致FPGA電流增大，局部溫度升高，有時甚至可以高達200℃上，如果FPGA長時間處于高溫狀態(tài)將導(dǎo)致器件的永久損壞。只有降低電源電壓才能退出閂鎖狀態(tài)，因此在檢測到單粒子閂鎖之后最好的辦法是斷開器件的電源。FPGA中單粒子功能中斷的敏感部分為配置存儲器、上電復(fù)位電路（POR：poweronreset）、Select-MAP接口和JATAG接口，分別可通過MonitortheDONEpin、ReadandWritetoFAR、Read-backandcomparetoknownCRC和togglingPROG等措施解決，對所有SEFI，Xilinx提供IP監(jiān)視和改正。單粒子瞬態(tài)脈沖能引起FPGA內(nèi)部邏輯電路的短時錯誤，可通過TMR、Scrubbing等來解決。單粒子瞬態(tài)脈沖對于小于0.25μm工藝的FPGA影響較大。上述輻射效應(yīng)對FPGA造成的影響有的是永久性的，如總劑量效應(yīng)、單粒子燒毀、位移損傷；有的是能夠恢復(fù)的，如單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子功能中斷、單粒子瞬態(tài)脈沖。接下來根據(jù)對上述輻射影響的分析，研究提高FPGA抗輻射效應(yīng)的可靠性設(shè)計方法。3FPGA抗輻射效應(yīng)可靠性設(shè)計FPGA抗輻射效應(yīng)可靠性設(shè)計可以從以下幾方面進行考慮：FPGA整體設(shè)計加固考慮；散布內(nèi)部間接檢測輻射效應(yīng)的自檢模塊；引入外部高可靠性的電子器件在空間中不可避免地會受到輻射效應(yīng)監(jiān)測模塊等措施。3.1整體加固設(shè)計在電子設(shè)備的外面一般采用一定厚度的材料對輻射進行屏蔽，屏蔽可以減少設(shè)備所受的輻射效應(yīng)。不同的材料對不同的粒子有著不同的屏蔽性能，經(jīng)常采用的材料有鋁、鉭和脂類化合物等。整體屏蔽的辦法在航天電子設(shè)備中使用較多，也比較成熟。結(jié)合我們實際，考慮整星及電控機箱的整體屏蔽效果，在軌高500km及四年工作壽命條件下，選器件耐輻射能力10~20krad（Si）以上。3.2冗余設(shè)計冗余設(shè)計方法是被公認為比較可靠的應(yīng)對輻射效應(yīng)的方法。常用的冗余設(shè)計有三倍冗余法（TMR：TripleModuleRedundancy）和部分三倍冗余法（PTMR：PartialTripleModuleRedundancy）。圖2所示為Xilinx推薦的三倍冗余設(shè)計邏輯，這種邏輯充分的考慮了SEU、SET產(chǎn)生的影響。雖然TMR帶來了可靠性的提高，但是也會使模塊的速度降低（有的甚至低到原來的80％）、占用資源和功率增加（約為3.2倍）。TMR：ThroughputLogic簡單復(fù)制（Threecopiesoftheoriginaldesign-LogicandI/O）TMRTradeoffs（TMR折中方案）設(shè)計時可以根據(jù)實際情況對關(guān)鍵部分使用部分三倍冗余法。全部邏輯和敏感端口三模冗余有時需要權(quán)衡做出折衷，如下表。FPGA的可編程I/O也容易受到輻射粒子的影響產(chǎn)生SEU和SEL（目前只發(fā)現(xiàn)三態(tài)腳在發(fā)生錯誤時可以變成輸出腳，還沒有發(fā)現(xiàn)I/O發(fā)生方向轉(zhuǎn)換（即輸入變成輸出或者輸出變成輸入）。輸入輸出腳的三倍冗余設(shè)計是一種非常有效的方法，尤其是對因為配置存儲器發(fā)生單粒子效應(yīng)的情況下，但是這種方法需要占用三倍的I/O資源，所以設(shè)計的時候需要慎重考慮。我們在FPGA內(nèi)分多個區(qū)域，分別采用TMR設(shè)計，減小出錯概率。3.3防止關(guān)鍵電路SET引起的抖動SET在時鐘電路或者其他數(shù)據(jù)、控制線上容易產(chǎn)生短脈沖抖動，這種抖動有可能會造成電路的誤觸發(fā)或者數(shù)據(jù)鎖存的錯誤。為了減少這種短脈沖抖動的影響，在設(shè)計時可采用如下方法：（1）內(nèi)部復(fù)位電路盡可能使用同步復(fù)位；（2）控制線盡可能配合使能信號線使用；（3）組合邏輯數(shù)據(jù)在鎖存時盡可能配合使能信號。也就是說，盡量在觸發(fā)邏輯中配合另一個使能條件，這樣就可以屏蔽由SET產(chǎn)生的大部分抖動。3.4系統(tǒng)監(jiān)控與重配置（ConfigurationScrubbing）在某些設(shè)計壽命不是很長的衛(wèi)星中，COTS器件的應(yīng)用已經(jīng)成為可能，在類似的信號處理或者星務(wù)管理平臺中，采用一種金字塔形體系結(jié)構(gòu)可以大大提高平臺的可靠性，有效地抵抗各種輻射效應(yīng)引起的可恢復(fù)故障。Actel高可靠性的反熔絲FPGA負責(zé)從非易失大容量存儲器中讀取XilinxFPGA的配置數(shù)據(jù)對其進行配置，然后在運行期間，對最容易受輻射效應(yīng)影響的配置存儲器按列進行讀操作，然后與標準數(shù)據(jù)進行比對，對出現(xiàn)錯誤的列進行局部重配置。另外，也可以通過對回讀數(shù)據(jù)進行CRC校驗來檢驗配置存儲器是否出現(xiàn)錯誤。對配置存儲器的回讀校驗和重配置（或局部重配置）是一種有效的抵抗輻射效應(yīng)的方法。Scrubbing通過部分重置刷新配置存儲器，通過連續(xù)重置修復(fù)SEU，Scrub速度至少十倍于最壞的SEU速度?？梢酝ㄟ^兩條途徑來實現(xiàn)Scrubbing，第一條途徑是回讀、比較、修復(fù)（closed-loopscrubbing）），第二條途徑是連續(xù)重置（open-loopscrubbing）。并不是所有的資源都可以被scrubbed的，比如SRL16s、LUTRAM、BRAM、BRAMdata就不能被scrubbed，可以使用BRAM多模冗余或EDAC算法。也并不是所有的資源都需要被s