干刻工藝介紹課件

干刻工藝介紹Array-DRY2015/7/20干蝕刻原理12干蝕刻模式3干蝕刻工藝參數(shù)4干蝕刻反應(yīng)方式干蝕刻評(píng)價(jià)項(xiàng)目6鍍膜(PVD、CVD)上光阻(Coater)光罩曝光(Exposure)去光阻液(Stripper)去光阻蝕刻

(Dry、Wet)酸氣體鍍下一層膜顯影(Developer)顯影液清洗

非金屬層GIESPAS1/PAS2SiO2SiNxO2HeAr

+CF4

Cl2BCl3SiF4氣體，易于抽走干蝕刻：將特定氣體置于低壓狀態(tài)下施以電壓，將其激發(fā)成Plasma，對(duì)特定膜層加以化學(xué)性蝕刻和離子轟擊，達(dá)到去除膜層的一種蝕刻方式；干蝕刻原理Plasma基板光阻薄膜光阻光阻去掉不想要的薄膜

留下想要的①化學(xué)反應(yīng)-等向性刻蝕

物理反應(yīng)-異向性刻蝕SiF4PlasmaPlasmaF*SiF4F*干蝕刻反應(yīng)方式干蝕刻模式

plasmaF*F*F*plasmaCF2+F*plasmaCF2+F*plasmaCF2+F*RIEmodeECCPmodePEmodeICPmodePlasmaEtchingReactiveIonEtchingEnhancedCapacitivecoupledPlasmaInductivelyCoupled

Plasma干刻工藝介紹干蝕刻工藝參數(shù)干刻工藝介紹評(píng)價(jià)項(xiàng)目ER/U%Taper角形態(tài)下層膜膜厚下層膜電性Resist殘?jiān)刨囆訡ontact寸法干蝕刻評(píng)價(jià)項(xiàng)目選取13個(gè)點(diǎn)，測量段差，計(jì)算刻蝕率與均一性

刻蝕率與均一性刻蝕率：刻蝕某層膜的速率，即平均刻蝕膜厚/刻蝕時(shí)間，（ERmax＋ERmin）/2/刻蝕時(shí)間（?/min）均一性：ERmax－ERmin/ERmax＋ERmin表示1枚panel內(nèi)若干點(diǎn)之間ER的偏差干刻工藝介紹選擇比：ER上/ER下被etching的膜和下層膜的ER的比例。SiO/IGZO

>7SiO/金屬

>7SiN/ITO

>7

下層膜膜厚

Taper角

Taper是指蝕刻后的斷面傾斜度，是蝕刻制程中相當(dāng)重要的要求，與后續(xù)沉積的薄膜覆蓋性有相當(dāng)密切的關(guān)系。≦80°

下層膜電性金屬阻抗半導(dǎo)體特性VIVglVthVghVgl:所有TFT全部關(guān)閉的Gate電壓（一般設(shè)為-12.7V）。Vgh:所有TFT全部打開并穩(wěn)定的Gate電壓（一般設(shè)為27V）Vth:閾值電壓，即能使TFT半導(dǎo)體導(dǎo)電的最小Gate電壓.TFT特性曲線一般分為單邊（Singleside）和雙邊（Bothside）CDlossBothsideCDloss=DICD-FICDSinglesideCDloss=(DICD-FICD)/2CDlossFICDDICDResist殘?jiān)?/p>

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