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PAGEPAGE1北京華芯微半導體有限公司 PagePAGE1 DATE\@"M/d/yyyy"8/19/2011HR24953T失效分析報告客戶反饋信息1.產品型號:HR24953T2.失效數量:2pcs3.批次:1025.24.失效現(xiàn)象:1:HR24953T工作失效（Y方向振動實驗功能不正常）2:HR24953T刪源極電阻不正常失效分析電特性參數對失效產品進行電測試（把失效產品分1號和2號），測試結果如下：測試項目P/FVGS(TH)BVDSSIDSSIGSSISGSRDS(ON)RDS(ON)測試條件IDS=250uAIDS=250uAVDS=24VVGS=20VVSG=20VVG=10VIDS=12AVG=4.5VIDS=12A電參數上限3V1uA100nA100nA.016Ω.023Ω電參數下限1V30V-失效產品1號*F1.684V*0.086V*2.000uA*1999.9nA*1999.9nA*0.167Ω*0.167Ω失效產品2號P1.784V34.24V0.020uA1.807nA2.060nA.012Ω0.018Ω根據電測試參數可知:失效產品1號[BVDSS失效，IDSS失效，IGSS失效],失效產品2號是良品.外觀目檢外觀未發(fā)現(xiàn)不良3.內部目檢取擊穿失效的產品開帽后放大50倍看芯片，未發(fā)現(xiàn)異常。分析結果由于產品外觀,內部芯片都未發(fā)現(xiàn)異常，由此可初步判定失效原因是應用過程中的瞬態(tài)大電流或靜電對產品造成了二次擊穿。VDMOS晶體管中寄生一個雙極性晶體管BJT,它的集電極,發(fā)射極同時也是VDMOS的漏極和源極;還有一個P體區(qū)等效電阻Rb,電阻一端為P+接觸區(qū),另一端為寄生BJT的基極.當漏源電壓增加到一定值時,器件內部電流很大,引起寄生BJT的二次擊穿.導致VDMOS失效。防護措施1.應用時預防靜電干擾（1）人員操作過程中做好防靜電措施(穿防靜電衣,帶防靜電手套，手環(huán))。（2）有關機械設備作業(yè)過程前做好地線檢查。2.應用時外圍加保護器件電路中Q1和Q2器件應該單獨外加保護器件，預防瞬態(tài)大電流或靜電對該器件造成失效。VCCVCCTTL輸入R1R2MOSFET驅動RLC1Q1Q2HR24953HR24953

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