《第二單元離子鍵離子晶體》教學(xué)設(shè)計(jì)(河北省縣級(jí)優(yōu)課)-化學(xué)教案

物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（蘇教版）專題三微粒間作用力與物質(zhì)性質(zhì)第二單元微粒之間的相互作用力第一課離子鍵一、教學(xué)目標(biāo)1.知識(shí)與技能目標(biāo)（1）掌握化學(xué)鍵、離子鍵的概念；掌握離子鍵的形成過程和形成條件，并能熟練地用電子式表示離子化合物的形成過程。（2）通過對(duì)離子鍵形成過程的教學(xué)，培養(yǎng)學(xué)生抽象思維和綜合概括能力。2.過程與方法目標(biāo)：讓學(xué)生學(xué)會(huì)由個(gè)別到一般的研究問題的方法。3.情感態(tài)度與價(jià)值觀目標(biāo)：培養(yǎng)學(xué)生用辯證的觀點(diǎn)認(rèn)識(shí)問題。二、教學(xué)重點(diǎn)、難點(diǎn)離子鍵和用電子式表示離子化合物及其形成過程。三、教學(xué)方法創(chuàng)設(shè)問題→分析討論→解決問題→探究本質(zhì)→鞏固知識(shí)。四、教學(xué)過程【復(fù)習(xí)導(dǎo)入】晶體分為金屬晶體、離子晶體、原子晶體、分子晶。對(duì)金屬晶體知識(shí)進(jìn)行復(fù)習(xí)，本節(jié)課我們就進(jìn)一步學(xué)習(xí)一下離子晶體?！菊故尽渴雏}固體圖片【設(shè)置問題】書寫氯化鈉、氧化納的電子式用電子式來表示氯化鈉的形成過程學(xué)生認(rèn)真思考問題，并認(rèn)真書寫?！菊故尽空故緦W(xué)生的完成情況，并對(duì)其中出現(xiàn)的問題進(jìn)行糾正和總結(jié)。注意：學(xué)生在書寫電子式時(shí)，陰陽離子應(yīng)該間隔寫?！具^渡】由氯化鈉電子式的書寫，引出離子鍵的概念?！拘抡n講解】離子鍵：使陰陽離子結(jié)合成化合物的靜電作用。閱讀課本P38-39頁知識(shí)，總結(jié)下列問題。離子鍵的成鍵微粒、本質(zhì)、條件PPT展示總結(jié)答案引導(dǎo)學(xué)生回顧化合物的分類，總結(jié)屬于離子化合物的物質(zhì)：強(qiáng)堿、大多數(shù)鹽、活潑金屬氧化物。換個(gè)角度看問題，從元素周期表來看待離子鍵形成的條件和由離子鍵所構(gòu)成的物質(zhì)。歸納離子鍵應(yīng)該注意的問題以及離子鍵與離子化合物的關(guān)系。【例題講解】1.指出下列物質(zhì)中的化學(xué)鍵類型。

KBrCCl4N2CaONaOH

2.下列物質(zhì)中哪些是離子化合物？哪些是只含離子鍵的離子化合物？哪些是既含離子鍵又含共價(jià)鍵的離子化合物？

KClHClNa2SO4HNO3NH4ClO2Na2O2

學(xué)生根據(jù)所學(xué)知識(shí)，對(duì)問題進(jìn)行自行解決。（由學(xué)生自己講解）【教師】講解離子鍵的特點(diǎn)：無飽和性，無方向性。如何衡量離子鍵的強(qiáng)弱，用什么來衡量粒子間的強(qiáng)弱。引出晶格能的概念。【展示】離子化合物NaBrNaClMgO離子電荷數(shù)112核間距/pm298282210晶格能/kJ·mol點(diǎn)/℃7478012852摩氏硬度<2.52.56.5根據(jù)晶格能的大小可以解釋和預(yù)測(cè)離子化合物的某些物理性質(zhì)。請(qǐng)根據(jù)表中的有關(guān)信息，分析影響晶格能的因素，并討論離子晶體的晶格能與其熔點(diǎn)等物理性質(zhì)的關(guān)系。學(xué)生分組討論，總結(jié)晶格能的大小表示以及影響因素。【展示】學(xué)生從表格中收集信息，總結(jié)晶格能的影響因素。一般而言，晶格能越大，離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，晶體的熔沸點(diǎn)越高，硬度越大。離子所帶電荷越多、離子半徑越小，晶格能越大，離子鍵就越強(qiáng)

有同學(xué)從物理角度來解釋晶格能的影響因素。他認(rèn)為離子鍵是作用力，根據(jù)物理公式：也能總結(jié)出晶格能的影響因素。這一解釋獲得其他同學(xué)的一直好評(píng)。【練習(xí)】一、判斷正誤1、離子晶體一定是離子化合物。

2、含有離子的晶體一定是離子晶體。

3、離子晶體中只含離子鍵。

4、離子晶體中一定含金屬陽離子。

5、由金屬元素與非金屬元素組成的晶體一定是離子晶體。

6、離子晶體全部由金屬元素與非金屬元素組成。二、晶格能大小比較例.NaF、NaI、MgO均為離子化合物，根據(jù)下列數(shù)據(jù)，這三種化合物的熔點(diǎn)高低順序是()物質(zhì)①NaF②NaI③MgO離子電荷數(shù)112鍵長/10－10

m2.313.182.10A.①>②>③ B．③>①>②C.③>②>① D．②>①>③

【課堂鞏固】1．下列說法不正確的是()A．離子鍵沒有方向性和飽和性B．并不是只有活潑的金屬和非金屬化合才形成離子鍵C．離子鍵的實(shí)質(zhì)是靜電作用D．靜電作用只有引力2．下列關(guān)于晶格能的敘述中正確的是()A．晶格能僅與形成晶體的離子帶電量有關(guān)B．晶格能僅與形成晶體的離子半徑有關(guān)C．晶格能指相鄰的離子間的靜電作用D．晶格能越大的離子晶體，其熔點(diǎn)越高3．下列關(guān)于晶格能的說法中正確的是()

A．晶格能指形成1mol離子鍵所放出的能量

B．晶格能指破壞1mol離子鍵所吸收的能量

C．晶格能指1mol離子化合物中的陰、陽離子由相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)離子結(jié)合成離子晶體時(shí)所放出的能量

D．晶格能的大小與晶體的熔點(diǎn)、硬度都無關(guān)4．試根據(jù)學(xué)過的知識(shí)，判斷KCl、NaCl、CaO、BaO四種晶體熔點(diǎn)的高低順序可能是()A．KCl>NaCl>BaO>CaOB．NaCl>KCl>CaO>BaOC．CaO>BaO>NaCl>KClD．CaO>BaO>KCl>NaCl【小結(jié)】本節(jié)課主要介紹了離子鍵的概念、表示、化合物、特點(diǎn)以及離子鍵大小表示方法和影響因素?！静贾米鳂I(yè)】課堂本P19練習(xí)