三維納米結構陣列的制作方法 1

三維納米結構陣列的制作方法1

三維納米結構陣列的制作方法專利名稱:三維納米結構陣列的制作方法技術領域:本創(chuàng)造涉及ー種納米材料,尤其涉及ー種三維納米結構陣列。

背景技術:納米材料自問世以來,受到科學界追捧,成為材料科學現(xiàn)今最為活躍的討論領域。

納米材料依據(jù)不同尺和性質(zhì),在電子行業(yè)、生物醫(yī)藥、環(huán)保、光學等領域都有著開發(fā)的巨大潛能。

在將納米材料應用到各行各業(yè)的同時,對納米材料本身的制備方法和性質(zhì)的討論也是目前國際上特別重視和爭相探究的方向。

納米材料按維度分類,大致可分為四類零維、ー維、ニ維和三維納米材料。

假如ー個納米材料的尺度在、和三維空間受限,則稱為零維,如納米粒子;假如材料只在兩個空間方向上受限,則稱為ー維,如納米線和納米管;假如是在一個空間方向上受限,則稱為ニ維納米材料,如石墨烯;假如在、和三個方向上都不受限,但材料的組成部分是納米孔、納米粒子或納米線,就被稱為三維納米結構材料。

納米材料作為新興的材料,目前最大的問題是如何制備批量、勻稱、純潔的這種微型物質(zhì),從而進ー步討論這類材料的實際性能及其機理。

從目前的討論狀況來看,在諸多納米材料中,一維的碳納米管和ニ維的石墨烯材料的討論熱度最高,而三維納米結構的報道比較少,通常為納米球、納米柱等結構簡潔的三維納米結構。

創(chuàng)造內(nèi)容有鑒于此,有必要供應ー種結構簡單、高精準度的三維納米結構陣列。

ー種三維納米結構陣列,其包括一基底以及多個三維納米結構以陣列形式分布于該基底至少ー表面,其中,每一所述三維納米結構包括一第一凸棱及一其次凸棱,所述第一凸棱與其次凸棱并排延長,相鄰的第一凸棱與其次凸棱之間具有一第一凹槽,相鄰的三維納米結構之間具有一其次凹槽,所述第一凹槽的深度小于其次凹槽的深度。

ー種三維納米結構陣列,其包括一基底,所述基底的一表面形成有多個第一凹槽及多個其次凹槽,在平行于基底表面的平面內(nèi),所述第一凹槽與其次凹槽并排延長,在垂直于延長方向上,所述第一凹槽與其次凹槽依次交替排列,其中,所述第一凹槽深度小于其次凹槽的深度。

ー種三維納米結構陣列,其包括一基底以及多個三維納米結構以陣列形式設置于該基底至少ー表面,其中,所述三維納米結構為條形凸起結構,多個三維納米結構并排延イ申,在其延長方向上,所述三維納米結構的橫截面為形。

ー種三維納米結構陣列,其中,該三維納米結構陣列包括一基底以及多個條形凸起結構相互平行地設置在所述基底的至少ー表面,每個條形凸起結構具有一形溝槽,所述形溝槽的深度小于所述條形凸起結構的高度。

與現(xiàn)有技術相比較,由于本創(chuàng)造的三維納米結構陣列的三維納米結構為形結構,相當于包括至少兩層或兩組陣列狀設置的三維納米結構,該三維納米結構具有不同深度的第一凹槽及第ニ凹槽,使得該三維納米結構陣列具有寬闊的應用前景。

圖1為本創(chuàng)造第一實施例供應的三維納米結構陣列的結構示意圖。

圖2為圖1所示的三維納米結構陣列沿1-1線的剖視圖。

圖3為圖1所示的三維納米結構陣列的掃描電鏡照片。

圖4為本創(chuàng)造第一實施例供應的三維納米結構陣列的制備方法的エ藝流流程圖。

圖5為圖4所示的制備方法中形成的三維納米結構預制體的掃描電鏡照片。

圖6為本創(chuàng)造其次實施例供應的三維納米結構陣列的結構示意圖。

圖7為圖6所示的三維納米結構陣列沿1-線的剖視圖。

圖8為本創(chuàng)造第三實施例供應的三維納米結構陣列的結構示意圖。

圖9為圖8所示的三維納米結構陣列沿-1線的剖視圖。

,其包括一基底以及多個三維納米結構以陣列形式分布于該基底至少一表面,其特征在于,每一所述三維納米結構包括一第一凸棱及一其次凸棱,所述第一凸棱與其次凸棱并排延長,相鄰的第一凸棱與其次凸棱之間具有一第一凹槽,相鄰的三維納米結構之間具有一其次凹槽,所述第一凹槽的深度小于其次凹槽的深度。

,其特征在于,所述三維納米結構為一條形凸起結構,多個三維納米結構在基底表面以直線、折線或曲線的形式并排延長。

,其特征在于,所述三維納米結構在其延長方向上的橫截面的外形為形。

,其特征在于,所述每一三維納米結構中第一凸棱與其次凸棱最高點之間的距離小于該三維納米結構的寬度。

,其特征在于,所述第一凸棱及其次凸棱的橫截面分別為錐形,所述第一凸棱與其次凸棱形成一雙峰凸棱結構。

,其特征在于,所述第一凸棱以及其次凸棱分別包括相交的棱面,所述棱面分別為平面、曲面或折面。

,其特征在于,所述第一凸棱與其次凸棱形成一對稱結構。

,其特征在于,任意兩個相鄰的三維納米結構具有相同間距。

,其特征在于,相鄰三維納米結構之間的間距為納米200納米。

,其特征在于,所述三維納米結構的寬度為100納米300納米。

,其特征在于,所述多個三維納米結果呈一維陣列分布,所述三維納米結構以同一周期或多個周期分布形成所述一維陣列,所述周期范圍為100納米500納米。

,其特征在于,所述第一凹槽與其次凹槽的延長方向與所述第一凸棱或其次凸棱的延長方向相同。

,其特征在于,所述第一凹槽橫截面的外形為形。

,其特征在于,所述第一凹槽的深度為30納米120納米。

,其特征在于,所述其次凹槽橫截面的外形為形或倒梯形。

,其特征在于,所述其次凹槽的深度為100納米200納米。

,其特征在于,所述三維納米結構與所述基底為一體成型結構。

,其特征在于,所述多個三維納米結構圍繞一中心呈圓弧形并排延長形成一多個同心圓環(huán)結構。

,其特征在于,所述多個三維納米結構圍繞一中心呈折線形并排延長形成多個一同心回形型結構。

20.—種三維納米結構陣列,其包括一基底,所述基底的一表面形成有多個第一凹槽及多個其次凹槽,在平行于基底表面的平面內(nèi),所述第一凹槽與其次凹槽并排延長,在垂直于延長方向上,所述第一凹槽與其次凹槽依次交替排列,其特征在于,所述第一凹槽深度小于其次凹槽的深度。

21.—種三維納米結構陣列,其包括一基底以及多個三維納米結構以陣列形式設置于該基底至少一表面,其特征在于,所述三維納米結構為條形凸起結構,多個三維納米結構并排延長,在其延長方向上,所述三維納米結構的橫截面為形。

22.—種三維納米結構陣列,其特征在于,該三維納米結構陣列包括一基底