一級封裝技術(shù)(劃片)

一級封裝技術(shù)劃片工序劃片(DIESAW)劃片目的：按芯片圖形和劃片槽位置，將晶圓片分割成小晶粒，以利于后續(xù)工序的封裝。劃片流程:劃片貼膜劃片圓片清洗圓片烘烤劃片前與劃片后圖片前后劃片設(shè)備介紹貼片機：ATM-8200ADT-961劃片機：DAD321DAD341A-WD-100AA-WD-200T清洗機：DCS140/141A-CS-100ACO2防靜電裝置：RC-2000ACDEFLOW2000UV照射機：UV-951

貼片機ADT-961ATM-8200劃片機DISCODAD321DAD341劃片機TSKA-WD-100AA-WD-200T清洗機A-CS-100ADCS141CO2防靜電裝置RC-2000ACDEFOLW2000UV照射機劃片機介紹一、動力條件：1、電源380V2、去離子水壓力≥電阻率≥作用：冷卻主軸，冷卻刀片3、壓縮氣≥作用：產(chǎn)生真空，空氣主軸設(shè)備主軸主軸轉(zhuǎn)速rpmX軸最大速度mm/s最大圓片DAD321單軸3000~400003006〃DAD341單軸6000~600004008〃A-WD-100A單軸6000~600004508〃A-WD-200T雙軸20000~600006008〃二、劃片機特點劃片材料介紹一.藍膜1、目的：將圓片貼在藍膜上，起到承載和定位的作用，以利后道加工。2、工藝要求：藍膜要具有穩(wěn)定的粘結(jié)度、不留殘膠、防止芯片背面破裂及抑止飛晶的功能。3、種類：A、壓敏型。這類藍膜一般具有操作簡單、初始粘度高且穩(wěn)定、不留殘膠、適宜全切和半切并且有一定的延展性。B、

紫外光固化型（UV膜）。UV膜適用于尺寸范圍更寬的芯片，可提供更高的粘度（UV照射前）及更低的提取阻力。常用劃片藍膜型號日東：SPV-224S厚度70um，粘度100g/20mm，粘膠層10um,有效期6個月,初始提取力2.7(kg/20mm),3天后３.５(kg/20mm)．日東:DU-300厚度85μm,膠層厚度5μm,紫外線光固型膜（俗稱ＵＶ膜），UV前Ｎ/12（20mm)，UV后（20mm),有效期12個月.注：UV照射條件為：30mw/cm2x15sec.劃片膜的使用規(guī)范劃片膜選用常用封裝形式采用SPV-224S.封裝形式為QFN、WBFBP的產(chǎn)品劃片時采用DU-300劃片膜，其余采用SPV-224S。特殊情況時可由工程部門臨時指定劃片膜型號。

紫外線光固型劃片膜（俗稱UV膜）使用要求：UV膜使用時應(yīng)避免高溫、強光照射，使用后剩余的膜要立即裝入遮光袋中保存。UV膜在劃片后需立即在UV-951照射機上上根據(jù)設(shè)定的功率及時間進行UV照射．劃片刀結(jié)構(gòu)劃片刀由金剛石按一定的比例，通過粘合劑結(jié)合而成。金剛石大小、比例，粘合劑的類型不同就組成不同類型的刀片。劃片刀知識常用劃片刀類型及使用規(guī)范刀片商劃片刀型號密度金剛石顆粒(um)粘合劑刀刃露出量(um)刀刃寬度(um)DISCO205O27HEDD標準4～6標準760～89030～35DISCO205O27HECC標準4～6標準640～76025～30DISCO104F27HDDD低2～6軟760～89030～35KODISKH3-0820-BFN/A2～4N/A510～64015～20KODISKH4-0820-EFN/A2～6N/A510～64015～20劃片刀使用規(guī)范劃片刀型號適用圓片劃片槽寬度（μm）芯片厚度（μm）205O27HEDD≥60≤600205O27HECC≥55≤500104F27HDDD≥60≤600KH3-0820-BF≥40≤370KH4-0820-EF≥40≤370刀片型號米數(shù)205O27HEDD

5000m205O27HECC

4000mKH4-0820-EFKH3-0820-BF2000m104F27HDDDS1230-E2HH-0003000m劃片刀的壽命當(dāng)?shù)度新冻隽啃∮冢ㄐ酒穸龋r，需更換刀片。1.2.2.2當(dāng)各類型刀片劃滿以下表格中米數(shù)時必須更換刀片。當(dāng)?shù)度谐霈F(xiàn)缺口、小孔、扭曲、所劃刀痕明顯變寬時，需更換刀片。換下的刀片要記錄好更換日期、機臺號、已劃距離、刀刃露出量，劃片人員工號并保存三個月，以便追溯。如因改機換下的好刀片應(yīng)記錄好機臺號、已劃距離、刀刃露出量后保存在指定位置中，以便再用。此類刀片只允許在原機臺上再次使用。預(yù)切割（磨刀）

更換刀片（包括新刀片或換下的舊刀片）或刀片重新安裝后必須立即進行預(yù)切割，預(yù)切割參數(shù)參見各機臺的劃片工藝要求。普通情況下刀片預(yù)切割時可使用正式產(chǎn)品，但部份刀片(包含KH3-0820、KH4-0820、27HDDD)必須先采用假片進行預(yù)切割，具體要求如下：假片厚度290um（若待劃產(chǎn)品厚度超過此值，則將假片磨到待劃產(chǎn)品同樣厚度），每次使用一個圓片。假片貼片后需在100度烘箱內(nèi)烘半小時，并于冷卻半小時后才能開始預(yù)切割。使用假片預(yù)切割時，一般預(yù)切割距離20m以上。使用假片預(yù)切割后開始劃正式產(chǎn)品時仍需用正式產(chǎn)品進行一次預(yù)切割。如產(chǎn)品劃到中途損壞，則換新刀后先劃完該片后再執(zhí)行假片預(yù)切割程序。

預(yù)切割后所劃的第一片產(chǎn)品自檢及互檢必須加嚴抽檢。（每個點20顆芯片）

劃片刀痕寬度X-R規(guī)格上限：刀刃厚度+30um；規(guī)格下限：刀刃厚度。劃片關(guān)鍵控制點檢查項目具體內(nèi)容（重點）可能的后果去離子水供應(yīng)情況檢查電阻率在加CO2前后是否符合工藝要求水中離子對芯片侵蝕，影響產(chǎn)品可靠性;碎片BBD、NCS敏感度檢查敏感度值是否在工藝范圍內(nèi)刀片損壞、測高錯誤后產(chǎn)品大面積報廢工藝參數(shù)主軸轉(zhuǎn)速、進刀速度、刀片高度、冷卻水流量使用非指定的劃片參數(shù)或工藝質(zhì)量異常刀片情況刀片型號核對、刀刃露出量、劃片長度、孔出現(xiàn)碎角、裂縫、擦傷刀痕情況檢查刀痕位置是否在劃片槽中間、有無扭曲、有無超出標準的毛刺等劃偏、正崩切膜情況切膜量確認、藍膜上刀痕檢查（包括切割范圍、陶瓷盤平整度檢查）背面破損、漏劃劃片外觀檢查正面破損、擦傷、沾污、背面破損引起后道工序質(zhì)量貼片質(zhì)量、烘烤情況貼片方向、氣泡、雜質(zhì)、藍膜次點、藍膜褶皺、碎片（隱裂）、烘烤溫度/時間。掉片、打壞刀片、擦傷、碎片、沾污、劃破膜后劃偏陶瓷盤潔凈度無硅屑、水等雜物在陶瓷盤上。碎片，劃破膜后劃偏片環(huán)平整度檢查片環(huán)是否平整以防刀片打到片環(huán)上。打壞刀片吸盤真空度上片后檢查真空表指針是否在安全范圍內(nèi)。劃偏流程單核對接收和送出時核對實物與流程單一致（品名、批號、數(shù)量）混批有無漏劃產(chǎn)品送出時必須確認已劃片，以防漏劃。碎片劃片檢驗方法及頻次

１.貼片檢驗每個圓片貼膜后距圓片30cm范圍內(nèi)目視檢查

藍膜粘在片環(huán)部分大于片環(huán)最窄處寬度的1/2。藍膜平整無褶皺藍膜與圓片之間無碎屑、無線條狀或大于1/2芯片面積的氣泡

２.劃片檢驗首檢時機：交接班、開機、死機后、修機后、換品種、更換刀片后首片劃完時檢驗方法及頻率：７５倍以上顯微鏡下檢查首片正面９個點，每個點１０顆芯片，反面檢查與劃片槽約成45度夾角且穿過圓片中心的一個條狀區(qū)域

自檢時機；每片劃下后檢驗方法及頻率：７５倍以上顯微鏡下檢查首片正面５個點，每個點１０顆芯片，反面檢查與劃片槽約成45度夾角且穿過圓片中心的一個條狀區(qū)域

劃片過程中暫停自檢暫停位置：圓片的兩個劃片方向（CH1、CH2）都要在機臺上設(shè)置自動暫停，暫停位置必須根據(jù)產(chǎn)品對應(yīng)劃片方向所需劃片刀數(shù)來確定，方法如下：①刀數(shù)≤150刀的劃片方向，暫停自檢2次。第一次暫停位置應(yīng)盡量設(shè)在圓片邊緣色點區(qū)域內(nèi)，但不得超過第10刀，第二次暫停位置應(yīng)在圓片中間位置。②刀數(shù)＞150刀的劃片方向，首次暫停位置同樣應(yīng)盡量設(shè)在圓片邊緣色點區(qū)域內(nèi)，但不得超過第15刀，以后則每隔50刀暫停一次。自檢時機：機器劃到所要求的暫停位置時。自檢內(nèi)容：沿整條刀痕檢查一下內(nèi)容①基準線位置、切割位置是否正常。②看圓片邊緣藍膜上的刀痕是否明顯。③刀痕兩側(cè)的芯片表面外觀是否正常抽樣方法：沿暫停時所處的整條刀痕檢驗6個位置：圓片兩側(cè)邊緣的藍膜上各一個位置，圓片上左右最邊緣的兩個位置、圓片中間部分任抽2個位置

劃片常見異常1、破損（碎角、表崩、背崩）：芯片正反兩面都會發(fā)生。一般與芯片本身的材料、工藝有很大關(guān)系。芯片劃片槽如有鋁等金屬物，劃片時易阻塞刀片，使阻力增大造成正面碎角。背面如磨的比較光或背金不均勻，則背面易碎角。2、劃偏：校準不當(dāng)，水溫變化、機器故障3、掉芯片：貼膜有氣泡、背金不良造成藍膜粘貼不牢。４、擦傷：刀片損壞或有孔

異常圖片正崩碎角異常圖片擦傷背面破損異常圖片背面破損刀痕偏劃片典型案例分析典

型

案

例原

因

分

析防

止

再

發(fā)

生對

策由于校準時，角度有誤差，且Y步進有誤差，導(dǎo)致劃偏。機器本身在Y步進上有誤差；操作工自檢發(fā)現(xiàn)偏差后，未及時校準。操作工發(fā)現(xiàn)偏差應(yīng)及時校準，并反饋值班長。刀片損壞，未劃透芯片，重新劃片時，操作工調(diào)整基準線不當(dāng)，造成基準線與刀痕位置偏移且錯開一格芯片，劃另一方向時，劃偏。芯片上已有刀痕，重新劃片時，操作工誤判，將舊刀痕當(dāng)成新刀痕，多次調(diào)整基準線后，造成基準線與實際切割位置錯開一格芯片。操作工暫停檢查刀痕時，還需檢查藍膜上是否有刀痕，如無刀痕，則需檢查刀片或測高；值班長在處理異常時，需問清操作工當(dāng)時的具體情況，找出原因后再處理。如不能處理，則逐級向上反饋。特殊試驗芯片（一個圓片上有兩種芯片），值班長未交待清楚，操作工未仔細核對，導(dǎo)致劃壞。未按規(guī)定核對試驗單、布線圖等內(nèi)容。嚴格按規(guī)定核對試驗單、布線圖內(nèi)容。藍膜未貼平整，操作工盲目劃片，且未按規(guī)定暫停兩次，導(dǎo)致大部份芯片劃偏。藍膜不平，劃片時劃破藍膜，去離子水滲入藍膜與吸盤之間，影響真空。藍膜不平須重貼；劃片時須按規(guī)定每個方向暫停兩次。圓片貼的較偏，不在片環(huán)中心，劃片時部份芯片未劃到；4″改劃5″片時,切割直徑未改,導(dǎo)致機器以工作盤的中心為圓心，以設(shè)定的直徑為切割范圍，不在范圍內(nèi)的部份就劃不到。圓片要貼在片環(huán)中心；更換產(chǎn)品后，要檢查程序中各項參數(shù)。6″大圓片,用半自動劃片時,Y方向跳格跳過頭,導(dǎo)致劃偏.機器在Y方向可移動的范圍為162mm,在作跳步時,Y軸最后一跳已到極限,因此最后一跳間距比實際的尺寸小,而劃片時則按設(shè)定的尺寸跳,導(dǎo)致劃偏。用半自動劃大圓片時,跳格跳過頭后，一定要回跳，確定基準線在劃片槽里，才能正常劃片。圓片放置不平，清洗時甩出，打壞芯片。未按要求，將片環(huán)平口對準勾爪。操作工必須嚴格按規(guī)定操作。攝像頭偏，造成校準時，工作盤偏轉(zhuǎn)，劃片時，圓片邊緣劃偏。攝像頭與X軸不平行，校準后的圓片，劃片槽與X軸也不平行，因此圓片邊緣劃偏。定期檢查攝像頭位置；操作工發(fā)現(xiàn)攝像頭偏后，應(yīng)立即停機，維修正常后再劃片。刀片損壞，未報警，造成芯片擦傷。斷刀檢測器損壞或傳感器最大敏感度＜90%,斷刀檢測不起作用。每次更換刀片時，檢查傳感器最大敏感度是否大于90%，若小于則清洗傳感器；定期檢查斷刀檢測是否正常。芯片正面或背面碎角。刀片上有毛刺或小孔；芯片材料特殊；芯片未劃透，造成背面碎角。發(fā)現(xiàn)刀痕不良立即檢查刀片，如刀片不良，則更換，如正常則進行預(yù)切割；如材料特殊，則采用特殊的劃片方式；及時測高。劃片時掉芯片。貼膜后有氣泡；芯片背面不平整。貼膜后不能有大的氣泡；芯片背面不平整的，反饋客戶。劃片技能１.參數(shù)設(shè)置（１）ＤＡＤ３２１/３４１/--Ａ-ＷＤ-１