基于表面等離子體的超分辨干涉光刻仿真研究的開(kāi)題報(bào)告

基于表面等離子體的超分辨干涉光刻仿真研究的開(kāi)題報(bào)告一、選題背景隨著半導(dǎo)體芯片制造工藝的不斷進(jìn)步，精細(xì)加工技術(shù)的要求也日益提高。超分辨干涉光刻技術(shù)是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種新型光刻技術(shù)，其具有高分辨率、低成本、高效率等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為當(dāng)前芯片制造領(lǐng)域中備受關(guān)注的技術(shù)之一。其中，基于表面等離子體的超分辨干涉光刻技術(shù)是目前最為熱門(mén)的一種技術(shù)。該技術(shù)使用的是高清晰度硅基平板上的表面等離子體共振效應(yīng)，可以大幅提高光刻技術(shù)的分辨率，從而滿足芯片制造中對(duì)于高精度加工的要求。二、研究目的本研究旨在通過(guò)數(shù)值模擬方法對(duì)基于表面等離子體的超分辨干涉光刻技術(shù)進(jìn)行仿真研究，以探究其在芯片制造領(lǐng)域中的應(yīng)用前景及潛力。具體來(lái)說(shuō)，我們將利用有限元方法對(duì)超分辨干涉光刻過(guò)程中的光場(chǎng)分布、等離子體分布、電場(chǎng)分布等進(jìn)行建模，并分析其中的物理機(jī)制，為芯片制造技術(shù)的實(shí)踐應(yīng)用提供科學(xué)依據(jù)。三、研究?jī)?nèi)容1.對(duì)基于表面等離子體的超分辨干涉光刻技術(shù)進(jìn)行研究，分析其物理原理及優(yōu)勢(shì)。2.基于有限元方法建立超分辨干涉光刻過(guò)程的光場(chǎng)、電場(chǎng)、等離子體分布等數(shù)值模型。3.通過(guò)仿真計(jì)算，對(duì)上述數(shù)值模型進(jìn)行分析，探究超分辨干涉光刻過(guò)程中的物理機(jī)制。4.針對(duì)仿真結(jié)果，提出優(yōu)化建議和技術(shù)方案，為芯片制造領(lǐng)域的實(shí)踐應(yīng)用提供理論支持。四、研究方法本研究將采用有限元方法對(duì)基于表面等離子體的超分辨干涉光刻技術(shù)進(jìn)行數(shù)值模擬。利用該方法，我們可以建立光場(chǎng)分布、等離子體分布、電場(chǎng)分布等模型，并通過(guò)模擬計(jì)算分析其各項(xiàng)物理參數(shù)的變化規(guī)律。同時(shí)，我們還可以通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，進(jìn)一步檢測(cè)數(shù)值模擬的準(zhǔn)確性和有效性。五、研究意義本研究對(duì)于加深人們對(duì)基于表面等離子體的超分辨干涉光刻技術(shù)的理解，推動(dòng)該技術(shù)的發(fā)展具有重要意義。超分辨干涉光刻技術(shù)的高效、低成本、高分辨率的特點(diǎn)，為芯片制造領(lǐng)域帶來(lái)了廣闊的應(yīng)用前景，對(duì)于促進(jìn)我國(guó)高端技術(shù)的發(fā)展也具有重要的戰(zhàn)略意義。六、研究計(jì)劃本研究擬于2021年9月至2022年6月期間完成，具體計(jì)劃如下：1.9月：完成文獻(xiàn)調(diào)研，制定研究方案。2.10月-12月：建立數(shù)值模型，開(kāi)展數(shù)值模擬，檢驗(yàn)?zāi)M結(jié)果。3.1月-3月：開(kāi)展實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，并對(duì)模擬結(jié)果進(jìn)行修改優(yōu)化。4.4月-6月：撰寫(xiě)論文，完成論文答辯。七、參考文獻(xiàn)[1]Zhang,T.,Wu,M.,Shen,Q.,Pang,X.,&Xu,T.(2021).Areviewofsurfaceplasmonpolaritoninterferencelithography.OpticsandLasersinEngineering,136,106150.[2]Chen,Y.,Lei,N.,Kang,H.,Zhang,X.,Zhao,Y.,Liu,X.,...&Hu,Y.(2020).Nanopatterningwithlarge-area254nmUVinterferencelithographyusingasingle-pulselaser.JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,31(2),1626-1631.[3]Tang,Y.,Han,J.,Chen,J.,&Chen,Q.(2020).Plasmonic-enhancedPhotoresistReductionThroughSurfacePlasmon-PolaritonPropagation,Interference,andLocalizedFieldsforNanolithography.IEEEPhotonicsTechnologyLetters,32(8),466-469.[4]Xu,X.W.,Zhu,Z.Y.,Qi,L.Y.,Hua,Y.L.,Wang,H.P.,Wei,Z.F.,&Ye,H.(2014).Plasmoniclithographybasedon