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文檔簡介

硅外延生長本課程是關(guān)于硅外延生長的介紹，從定義、歷史發(fā)展到應(yīng)用領(lǐng)域，深入了解硅外延生長的原理和方法。硅外延生長概述什么是硅外延生長？硅外延生長是一種通過在硅基底上沉積高品質(zhì)單晶硅薄膜的過程。硅外延生長的歷史發(fā)展硅外延技術(shù)從二十世紀(jì)六十年代就開始發(fā)展，并隨著半導(dǎo)體工業(yè)的高速發(fā)展一直得到迅速發(fā)展。硅外延生長的應(yīng)用領(lǐng)域現(xiàn)代半導(dǎo)體類產(chǎn)品如計算機(jī)芯片、智能手機(jī)和光通信等都需要硅外延生長技術(shù)。硅外延生長的原理與方法硅外延生長的原理硅外延生長是核形成、晶核的成長與自發(fā)疇界移動等復(fù)雜過程的綜合表象。硅外延生長的方法氣相外延法液相外延法氣相外延法1原理與流程氣相外延法是指以光刻膠為模板，在硅片上生長SiGe薄膜的方法。2工藝參數(shù)氣相外延生長的基本工藝參數(shù)有襯底溫度、反應(yīng)氣體流量、反應(yīng)時間和硅和外延材料供應(yīng)速率。3應(yīng)用用于光子集成芯片、高分辨率圖像傳感器和生物傳感器等領(lǐng)域。液相外延法1原理與流程液相外延法是指用硅基底與融合錫（或石墨）作為液相反應(yīng)體，在相應(yīng)條件下長出外延晶體。2工藝參數(shù)液相外延法的工藝參數(shù)有溶液成分，溶液溫度，外延晶體生長速率和升溫速率等。3應(yīng)用用于太陽能電池電極、太陽能電池背反射層、光子晶體、一維納米線等領(lǐng)域。硅外延生長中的關(guān)鍵問題1晶體質(zhì)量改善外延晶體質(zhì)量是硅外延生長技術(shù)需要解決的重要問題，會直接影響到器件的穩(wěn)定性和性能。2晶體缺陷硅外延生長晶體缺陷普遍存在，需要進(jìn)一步的研究和控制來規(guī)避。3其他問題包括雜質(zhì)控制、單晶硅晶格離子注入、晶格應(yīng)力控制等等。硅外延生長的未來發(fā)展趨勢硅外延生長技術(shù)將繼續(xù)發(fā)展，主要趨勢是提高生長效率和晶體質(zhì)量。發(fā)展方向晶體質(zhì)量控制、研究新的襯底材料以及外延材料和外延工藝的不斷創(chuàng)新。未來展望

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