(電力電子器件故障診斷)

電力電子器件缺點(diǎn)診斷培訓(xùn)中心電力半導(dǎo)體器件的飛速開展大大拓寬了電力電子技術(shù)的運(yùn)用范圍。無論是信息技術(shù)，還是電力技術(shù)，都離不開電力電子器件。尤其是在開關(guān)電源、伺服驅(qū)動(dòng)、感應(yīng)加熱、工業(yè)傳動(dòng)、電焊機(jī)、汽車電子、家用電器等領(lǐng)域都得到了廣泛的運(yùn)用。但在運(yùn)用中出現(xiàn)了許多缺點(diǎn)不容忽視電力電子器件根底知識(shí)電力電子器件的典型缺點(diǎn)電力電子器件的普通檢測(cè)方法電力電子器件的劣化機(jī)理電力電子器件缺點(diǎn)診斷要點(diǎn)電力電子器件形狀在線測(cè)試技術(shù)授課提綱電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的根底知識(shí)半控型器件不可控器件全控型器件按照器件可以被控制電路信號(hào)所控制的程度，分為以下三類：晶閘管GTR、GTO、IGBT電力MOSFET、IGCT、IEGT電力二極管電力電子器件的分類1)電流驅(qū)動(dòng)型2)電壓驅(qū)動(dòng)型經(jīng)過從控制端注入或者抽出電流來實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或者關(guān)斷的控制僅經(jīng)過在控制端和公共端之間施加一定的電壓信號(hào)就可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或者關(guān)斷的控制按照驅(qū)動(dòng)電路加在器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)，分為兩類：電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的分類按照器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分為三類：1)單極型器件2)雙極型器件3)復(fù)合型器件由一種載流子參與導(dǎo)電的器件(MOSFET)由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的器件(SCR,GTO,GTR,IGCT)由單極型器件和雙極型器件集成混合而成的器件(IGBT,IEGT)電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的分類電力電子常用器件晶閘管SCR可關(guān)斷晶閘管GTO絕緣柵雙極晶體管IGBT集成門極換流晶閘管IGCT促進(jìn)電子注入絕緣柵雙極晶體管IEGT電力電子器件的根底知識(shí)詳細(xì)闡明SCR晶閘管大容量,高過載才干，效率高，頻率低，功率因數(shù)低，諧波旁頻技術(shù)成熟、易維護(hù),構(gòu)造簡單、投資低,運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)用低,國產(chǎn)化,交交變頻仍是主流SCR器件〔國產(chǎn)〕的過載才干：以2500A/2500V為例。其通態(tài)不反復(fù)電流可達(dá)41KA〔10ms正弦半波〕，可接受電流上升率為150A/微秒，電壓上升率為500V/微秒。電力電子器件的根底知識(shí)PWM，頻率高，功率因數(shù)高可以經(jīng)過向門極施加負(fù)脈沖電流進(jìn)展關(guān)斷已達(dá)9kV、25kA、800Hz及6kV、6kA、1kHz的程度存在任務(wù)頻率較低、需設(shè)置專門的緩沖電路等缺陷GTO器件〔國產(chǎn)〕的過載才干：以2000A/2500V為例。其通態(tài)不反復(fù)電流可達(dá)14KA〔10ms正弦半波〕，可接受電流上升率為300A/微秒，電壓上升率為500V/微秒。GTO可關(guān)斷晶閘管電力電子器件的根底知識(shí)IGBT絕緣柵雙極晶體管減少通態(tài)壓降,改良方法

--平板型構(gòu)造

--溝槽工藝:促進(jìn)電子注入柵極難點(diǎn)

--增大容量小晶體管并聯(lián),構(gòu)造復(fù)雜

--通態(tài)壓降大----4000V~50V左右SIEMENS--1200A/3300V,500A/6500V

FUJI----1000A/2500V平板IGBT電力電子器件的根底知識(shí)IGCT集成門極換流晶閘管減少門極驅(qū)動(dòng)回路的電感，加快門極電流上升率，取消緩沖電路,加快開關(guān)速度,提高效率環(huán)狀門極,主電流全部換流到門極，把驅(qū)動(dòng)電路集成安裝在器件旁IGCT(ABB),GCT(Mitsubishi)，6KA/6KV電力電子器件的根底知識(shí)IEGT促進(jìn)電子注入絕緣柵雙極晶體管其汲取了IGBT和GTO兩者的優(yōu)點(diǎn)，稱為“注入加強(qiáng)柵晶體管〞，它是在溝槽型IGBT根底上，把部分溝道同P區(qū)相聯(lián)使發(fā)射極區(qū)注入加強(qiáng)，使得IEGT具有高電壓大電流和高的任務(wù)頻率，使其更適宜于高電壓大功率、高頻率的變頻安裝，IEGT具有IGBT元件電壓驅(qū)動(dòng),開關(guān)速度快，可自維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)電力電子器件的根底知識(shí)GTO、IGBT、IGCT、IEGT性能比較電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子電路中各種驅(qū)動(dòng)電路的電路構(gòu)造取決于開關(guān)器件的類型、主電路的拓?fù)錁?gòu)造和電壓電流等級(jí)。采用性能良好的驅(qū)動(dòng)電路，可以使電力電子器件任務(wù)在較理想的開關(guān)形狀，縮短開關(guān)時(shí)間，減少開關(guān)損耗，對(duì)安裝的運(yùn)轉(zhuǎn)效率、可靠性和平安性都有重要意義。另外，對(duì)電力電子器件或整個(gè)安裝的一些維護(hù)環(huán)節(jié)，如控制電路與主電路之間的電氣隔離環(huán)節(jié)及對(duì)整個(gè)電路的緩沖環(huán)節(jié)等，也設(shè)在驅(qū)動(dòng)電路或經(jīng)過驅(qū)動(dòng)電路來實(shí)現(xiàn)，這些都使得驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)尤為重要。電力電子器件的根底知識(shí)常見的驅(qū)動(dòng)電路晶閘管觸發(fā)電路GTO驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)電路電力電子器件的根底知識(shí)晶閘管觸發(fā)電路1.晶閘管對(duì)觸發(fā)電路的要求1)觸發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠大的功率2)觸發(fā)脈沖的同步及移相范圍3)觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有足夠的寬度，且前沿要陡4)為使并聯(lián)晶閘管元件能同時(shí)導(dǎo)通，觸發(fā)電路應(yīng)能產(chǎn)生強(qiáng)觸發(fā)脈沖5)應(yīng)有良好的抗干擾性能、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離電力電子器件的根底知識(shí)同步信號(hào)為鋸齒波的觸發(fā)電路同步信號(hào)為鋸齒波的觸發(fā)電路電力電子器件的根底知識(shí)晶閘管觸發(fā)電路數(shù)字觸發(fā)電路在各種數(shù)字觸發(fā)電路中，目前運(yùn)用較多的是以微機(jī)為控制中心的數(shù)字觸發(fā)器。這種觸發(fā)電路的特點(diǎn)是構(gòu)造簡單，控制靈敏，準(zhǔn)確可靠。該觸發(fā)器由脈沖同步、脈沖移相、脈沖構(gòu)成與輸出等幾個(gè)部分構(gòu)成。單片機(jī)數(shù)字觸發(fā)器的原理框圖電力電子器件的根底知識(shí)GTO對(duì)門極驅(qū)動(dòng)電路的根本要求GTO的門極驅(qū)動(dòng)電路通常包括開通驅(qū)動(dòng)電路、關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路和門極反偏電路三部分，其構(gòu)造表示圖及其理想的門極驅(qū)動(dòng)電流波形如下圖。門極驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)造表示圖及理想的門極驅(qū)動(dòng)電流波形電力電子器件的根底知識(shí)GTO驅(qū)動(dòng)電路2.門極驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例1)小容量GTO門極驅(qū)動(dòng)電路門極驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例1電力電子器件的根底知識(shí)IGBT驅(qū)動(dòng)電路1.對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的根本要求①要求驅(qū)動(dòng)電路具有較小的內(nèi)阻。②柵極驅(qū)動(dòng)電源的功率要足夠大。③要提供大小適宜的正向驅(qū)動(dòng)電壓Uge。④要提供大小適宜的反向驅(qū)動(dòng)電壓。⑤要提供適宜的開關(guān)時(shí)間。⑥要有較強(qiáng)的抗干擾才干及對(duì)IGBT的維護(hù)功能。電力電子器件的根底知識(shí)IGBT驅(qū)動(dòng)電路2.驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例1)分立元件組成的驅(qū)動(dòng)電路①實(shí)例1采用光電耦合器進(jìn)展隔離的柵極驅(qū)動(dòng)電路電力電子器件的根底知識(shí)IGBT驅(qū)動(dòng)電路2)集成驅(qū)動(dòng)電路同其他的電力電子器件一樣，由分立元件組成的IGBT驅(qū)動(dòng)電路也存在著可靠性問題。為此，目前曾經(jīng)研制出多種公用的IGBT集成驅(qū)動(dòng)電路。這些集成化驅(qū)動(dòng)模塊抗干擾才干強(qiáng)、速度快、維護(hù)功能完善，可實(shí)現(xiàn)IGBT的最優(yōu)驅(qū)動(dòng)。電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的維護(hù)在電力電子電路中，為了防止器件及線路出現(xiàn)損壞電力電子元件參數(shù)要選擇適宜、設(shè)計(jì)良好的驅(qū)動(dòng)電路；設(shè)置必要的散熱電路、必要的維護(hù)電路環(huán)節(jié)和緩沖處置電路電力電子器件的根底知識(shí)詳細(xì)闡明電力電子器件的散熱技術(shù)1)穩(wěn)態(tài)熱阻普通來說，器件散熱時(shí)的總熱阻RθJ包括兩部分：一是PN結(jié)至外殼的內(nèi)熱阻RθJc，二是由外殼至散熱器的熱阻RθJa以及散熱器至環(huán)境介質(zhì)的熱阻構(gòu)成的外熱阻RθJb。2)散熱措施①減小接觸熱阻RθJa。②減小散熱器熱阻RθJb。電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的散熱技術(shù)散熱器的選配散熱器的選配原那么是保證器件的最高運(yùn)轉(zhuǎn)結(jié)溫不超越額定結(jié)溫。選配散熱器時(shí)首先要知道所用器件的參數(shù)、負(fù)載變化情況及任務(wù)環(huán)境等條件，然后確定器件的耗散功率。由器件耗散功率和額定結(jié)溫確定必要的散熱器熱阻，借以確定散熱器的型號(hào)。電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的維護(hù)1.晶閘管的維護(hù)1)晶閘管的串并聯(lián)(1)晶閘管的串聯(lián)(a)電壓分配(b)靜態(tài)均壓電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的維護(hù)(2)晶閘管的并聯(lián)(a)電流分配(b)晶閘管并聯(lián)電路(a)電阻均流(b)電抗均流電阻均流與電抗均流晶閘管并聯(lián)時(shí)的電流分配電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的維護(hù)2)晶閘管的維護(hù)(1)過電壓維護(hù)按過電壓維護(hù)的部位來分，有交流側(cè)維護(hù)、直流側(cè)維護(hù)和元件維護(hù)等幾部分。晶閘管安裝可采用的過電壓維護(hù)措施電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的維護(hù)(2)過電流維護(hù)晶閘管安裝能夠采取的過電流維護(hù)措施1－進(jìn)線電抗器；2－電流檢測(cè)和過流繼電器；3－交流側(cè)快熔；4－晶閘管串聯(lián)快熔；5－直流側(cè)快熔；6－過流繼電器；7－直流快速開關(guān)電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的維護(hù)(3)電壓上升率du/dt及其限制晶閘管在阻斷形狀下存在結(jié)電容。當(dāng)加在晶閘管上的正向電壓上升率du/dt較大時(shí)，結(jié)電容充電電流起到觸發(fā)電流的作用，使晶閘管誤導(dǎo)通，呵斥安裝的失控。因此，必需采取措施抑制du/dt。晶閘管的RC維護(hù)電路可以起到抑制du/dt的作用。在每個(gè)橋臂串入橋臂電抗器也是防止過大呵斥晶閘管誤導(dǎo)通的有效方法。此外，對(duì)于小容量的晶閘管，在其門極和陰極之間接一電容，使du/dt產(chǎn)生的充電電流不流過結(jié)電容，而經(jīng)過電容C流到陰極，也能防止因du/dt過大而使晶閘管誤導(dǎo)通。電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的維護(hù)(4)電流上升率di/dt及其限制晶閘管在導(dǎo)通瞬間，電流集中在門極附近，隨著時(shí)間的推移導(dǎo)通區(qū)才逐漸擴(kuò)展，直到整個(gè)結(jié)面導(dǎo)通為止。在此過程中，電流上升率di/dt應(yīng)限制在通態(tài)電流臨界上升率以內(nèi)，否那么將導(dǎo)致門極附近過熱，損壞晶閘管。增大阻容維護(hù)中電阻值可以減小di/dt，但會(huì)降低阻容維護(hù)對(duì)晶閘管過電壓維護(hù)的效果。在晶閘管回路串聯(lián)電感是限制di/dt的有效方法。晶閘管的維護(hù)是關(guān)系到晶閘管安裝能否平安可靠地運(yùn)轉(zhuǎn)的問題，但對(duì)于維護(hù)安裝的定量計(jì)算還沒有成熟的和一致的計(jì)算方法，有待于進(jìn)一步研討和實(shí)際。電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的維護(hù)2.全控型電力電子器件的維護(hù)1)GTR的過電流維護(hù)GTR的過電流維護(hù)電路電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的維護(hù)2)IGBT的過電流維護(hù)(a)電阻維護(hù)電路(b)霍爾傳感器維護(hù)電路IGBT的過電流維護(hù)電路電力電子器件的根底知識(shí)基于IGCT的中壓大容量傳動(dòng)安裝的維護(hù)(有源整流器與逆變器均用IGCT時(shí))DC-Bus=~=~ExcitationCircuit2x5/3.16kV6000kVAIIIy0/Yd11150kVA380/380Vprel.125kVA/trafoACM6209_A12_1s9_1s9_ABBAMZSynchronousmotorwithbrushesInverter9MVAInverter9MVA4600kW3050V884A450-650/750rpm2AC380V穿孔主傳動(dòng)系統(tǒng)圖10kV電力電子器件的根底知識(shí)第1級(jí)維護(hù)：調(diào)理系統(tǒng)本身的限流維護(hù)。第2級(jí)維護(hù)：運(yùn)轉(zhuǎn)過電流維護(hù)(電機(jī)突加負(fù)載、調(diào)理不當(dāng)、電機(jī)堵轉(zhuǎn))，特點(diǎn)是電流流入電機(jī)繞組，其電流因其回路電感較大而上升較慢，所以采取關(guān)斷一切IGCT的方法來實(shí)現(xiàn)維護(hù)。第3級(jí)維護(hù)：短路維護(hù)(IGCT損壞、IGCT誤觸發(fā)、逆變器內(nèi)部短路等)，特點(diǎn)是電流不流入電機(jī)，其電流上升率僅取決于主回路電感，電流上升非?？欤絀GCT的最大可關(guān)斷電流時(shí)其維護(hù)沒起作用，那么安裝會(huì)嚴(yán)重?fù)p壞。所以，短路的維護(hù)原那么就是當(dāng)短路電流還未到達(dá)IGCT的最大可關(guān)斷電流時(shí)開通一切IGCT器件來共同分擔(dān)短路電流，防止器件損壞和缺點(diǎn)擴(kuò)展。電力電子器件的根底知識(shí)1.根本方式緩沖電路通常由電阻、電容、電感及二極管組成，其根本類型可分為關(guān)斷緩沖電路、開通緩沖電路和復(fù)合緩沖電路幾種方式。1)關(guān)斷緩沖電路關(guān)斷緩沖電路又稱為抑制電路，用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓。關(guān)斷緩沖電路電力電子器件的根底知識(shí)緩沖電路2)開通緩沖電路開通緩沖電路又稱為di/dt抑制電路，用于抑制器件開經(jīng)過程中的電流過沖和di/dt。開通緩沖電路電力電子器件的根底知識(shí)3)復(fù)合緩沖電路將關(guān)斷緩沖電路和開通緩沖電路結(jié)合在一同所構(gòu)成的電路稱為復(fù)合緩沖電路，它可以在GTR關(guān)斷和開通時(shí)均起到維護(hù)作用，因此在實(shí)踐中運(yùn)用較多。(a)耗能式電路(b)饋能式電路電力電子器件的根底知識(shí)(a)小容量(b)中容量(c)大容量用于IGBT橋臂模塊的緩沖電路電力電子器件的根底知識(shí)1〕電源類2〕交流電力控制器類3〕電機(jī)傳動(dòng)類4〕高壓直流輸電類5〕無功補(bǔ)償6〕其它電力電子安裝的運(yùn)用電力電子器件的根底知識(shí)基于晶閘管的三相橋式電力電子安裝在電氣傳動(dòng)中的運(yùn)用最廣泛MM供電系統(tǒng)主電路圖~35KV晶閘管三相橋式電力電子安裝主電路AKAK－＋10并10并10并10并10并10并電力電子器件的根底知識(shí)由晶閘管組成的電流源變頻安裝電力電子器件的根底知識(shí)基于晶閘管的交交變頻安裝典型運(yùn)用于寶鋼2050熱軋主傳動(dòng)電力電子器件的根底知識(shí)基于GTO的大功率三電平PWM變頻調(diào)速系統(tǒng)寶鋼1580主傳動(dòng)GTO：6KV，6KA。在機(jī)車牽引、交流電機(jī)調(diào)速等領(lǐng)域被廣泛推行運(yùn)用電力電子器件的根底知識(shí)基于GTO器件構(gòu)成的電力電子傳動(dòng)安裝電力電子器件的根底知識(shí)基于IGCT構(gòu)成電力電子安裝ABB-ACS6000上海寶鋼分公司鋼管廠穿孔機(jī)電力電子器件的根底知識(shí)大功率IEGT交直交變頻調(diào)速安裝寶鋼三熱軋：4.5KV，5.5〔TMEIC：Tpey:ST2100GXH24〕IEGT整流器和逆變器中間電平導(dǎo)通電力電子器件的根底知識(shí)

一期工程：晶閘管〔SCR：4000V/800A〕、快速晶閘管(FASCR:1600V/800A)、GTR晶體管二期工程：晶閘管〔SCR:3300V/2200A〕、可關(guān)斷晶閘管〔GTO：6000V/6000A〕三期工程：晶閘管〔SCR：2500V/3200A〕、絕緣柵雙極晶體管〔IGBT：〕、電力場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET：500V/240A〕規(guī)劃工程及技術(shù)改造工程：晶閘管〔SCR：五英寸管〕、絕緣柵雙極晶體管〔IGBT：〕、注射加強(qiáng)型門極晶體管〔IEGT：4500V/4000A〕、集成門極換流晶閘管〔IGCT：4500/3800A〕典型電力電子器件在寶鋼運(yùn)用總況電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件在梅鋼公司的運(yùn)用舉例序號(hào)設(shè)備名稱主要功能電路結(jié)構(gòu)電力電子器件使用情況種類數(shù)量容量1F3~F6主機(jī)軋線主傳動(dòng)可控硅整流器12/6可控硅2165640KW2換輥、除磷輥道換輥、除磷交直交變頻器IGBT6675KW3F1-F6壓下電動(dòng)壓下可控硅整流器可控硅36250KW電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件在梅山公司的運(yùn)用舉例序號(hào)設(shè)備名稱主要功能電路結(jié)構(gòu)電力電子器件使用情況種類數(shù)量容量1變頻器調(diào)速控制交直交變頻器IGBT110臺(tái)31613.2KW2同步機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)勵(lì)磁可控硅整流可控硅12套5030kw3強(qiáng)磁機(jī)磁場(chǎng)控制可控硅整流可控硅20套1200kw電力電子器件的根底知識(shí)高壓大功率電力電子器件運(yùn)用趨勢(shì)電力電子器件的根底知識(shí)IGBT為主體，第四代產(chǎn)品，制造程度2.5kV/1.8kA，兆瓦以下首選。仍在不斷開展，與IGCT等新器件猛烈競爭，試圖在兆瓦以上取代GTO。GTO：兆瓦以上首選，制造程度6kV/6kA。光控晶閘管：功率更大場(chǎng)所，8kV/3.5kA，安裝最高達(dá)300MVA，容量最大。電力MOSFET：長足提高，中小功率領(lǐng)域特別是低壓，位置結(jié)實(shí)。功率模塊和功率集成電路是如今電力電子開展的一個(gè)共同趨勢(shì)。當(dāng)前的格局:電力電子器件的根底知識(shí)電力電子器件的典型缺點(diǎn)電力電子器件損壞的實(shí)例電力電子器件的典型缺點(diǎn)案例1樓主夜大學(xué)生

發(fā)帖時(shí)間：2021-10-1610:28:23我廠一條消費(fèi)線，最近延續(xù)燒了兩臺(tái)丹佛斯變頻器〔鼓風(fēng)110KW，引風(fēng)200KW〕模塊崩碎，不知道什么緣由，請(qǐng)問我廠如今正在擴(kuò)建，施工單位運(yùn)用很多電子電焊機(jī)，和這有關(guān)系嗎？電焊機(jī)產(chǎn)生的諧波影響變頻器？怎樣處置請(qǐng)指教。

28樓回復(fù)時(shí)間：2021-10-1619:37:31我和夜大學(xué)生是同事，應(yīng)該是壞了三臺(tái)，首先一臺(tái)２００ＫＷ炸機(jī)，三塊整流模塊炸了兩塊，兩塊ＩＧＢＴ全部炸壞，高頻吸收板放電嚴(yán)重，預(yù)充電板三項(xiàng)整流模塊擊傳，檢查電機(jī)，電纜，改換損壞的空開，接觸器后改換備機(jī)，運(yùn)轉(zhuǎn)一天跳車，報(bào)警提示４，檢查三相供電正常后復(fù)位啟動(dòng)，發(fā)現(xiàn)頻率在２７ＨＺ時(shí)報(bào)警提示４，在超越３１ＨＺ時(shí)報(bào)警消逝，但是頻繁提示報(bào)警６，廠家來人檢查預(yù)充電板三項(xiàng)整流模塊擊傳，改換后正常，幾天后與它相鄰的１１０ＫＷ炸機(jī)，三塊整流模塊全部炸碎，一塊ＩＧＢＴ炸壞，高頻吸收板放電，整流驅(qū)動(dòng)和ＩＧＢＴ驅(qū)動(dòng)板損壞，廠家來人改換后正常，損失繁重，可以排除電機(jī)，電纜和環(huán)境影響，ＭＣＣ是封鎖的，裝有空調(diào)［我們指點(diǎn)辦公室都沒有空調(diào)］，供電電壓穩(wěn)定，三相也平衡，廠家也說不出什么來，只是說能夠和供電質(zhì)量有關(guān)系，真是愁人，請(qǐng)各位高人協(xié)助分析一下，電力電子器件的典型缺點(diǎn)炸壞的ＳＣＩ和ＩＧＢＴ模塊電力電子器件的典型缺點(diǎn)機(jī)器上沒有拆下的摸快電力電子器件的典型缺點(diǎn)２００ＫＷ變頻器中損壞的ＩＧＢＴ和高頻吸收板電力電子器件的典型缺點(diǎn)一臺(tái)送修的美國AB的變頻器，整流，逆變模塊都炸了，案例2電力電子器件的典型缺點(diǎn)電力電子器件的典型缺點(diǎn)電力電子器件的典型缺點(diǎn)電力電子器件的典型缺點(diǎn)燒毀的富士7MBR系列IGBT，7單元，從三菱FR-A024變頻器上換下的，圖中可看出，炸掉了輸出部份的一個(gè)橋臂案例3電力電子器件的典型缺點(diǎn)

案例41〕

缺點(diǎn)景象：某廠一管端焊縫熱處置中頻電源安裝功率達(dá)不到額定值而指令搶修。2〕

缺點(diǎn)診斷分析：由于系統(tǒng)可以送電起動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)，只是功率出不來，首先疑心整流器和逆變器有無問題，從整流電壓表指示值正?？梢耘袆e整流器也無問題，重點(diǎn)應(yīng)檢查逆變器。3〕缺點(diǎn)處置在線測(cè)逆變器脈沖無異常后，停電靜態(tài)測(cè)試逆變器晶閘管正反向電阻沒發(fā)現(xiàn)異常，再在線測(cè)試逆變晶閘管門極電阻也無異常中。這里主要是在線測(cè)試晶閘管門極電阻時(shí)沒有將門極與驅(qū)動(dòng)級(jí)斷開，所以不能真正反映出門極有無問題〔脈沖變壓器、維護(hù)二極管及電阻電容存在〕。門極與驅(qū)動(dòng)級(jí)脫開后再測(cè)試其門極電阻，發(fā)現(xiàn)一只晶閘管門極已斷路，表指示無窮大，改換該晶閘管后，電源功率到達(dá)額定輸出。4〕

缺點(diǎn)啟示這是一同晶閘管安裝不規(guī)范的典型的人為要素缺點(diǎn)，既過大力矩壓壞了晶閘管〔下線后測(cè)晶閘管門極電阻又恢復(fù)到了正常，但明顯可見晶閘管已壓變形了〕。晶閘管門極異常缺點(diǎn)診斷

1〕缺點(diǎn)景象：某廠鋼管芯棒一中頻電源逆變器在熱運(yùn)轉(zhuǎn)不長時(shí)間就會(huì)發(fā)生晶閘管損壞缺點(diǎn)，改換備件后，同樣是熱運(yùn)轉(zhuǎn)一會(huì)時(shí)間又將改換的備件晶閘管損壞，明顯特征是損壞晶閘的位置根本沒有變化。1〕缺點(diǎn)診斷分析根據(jù)熱運(yùn)轉(zhuǎn)一段時(shí)間后才發(fā)生晶閘管損壞這一景象，首先應(yīng)疑心晶閘管損壞與熱有關(guān)，經(jīng)過對(duì)晶閘管殼溫測(cè)試闡明，只需晶閘管殼溫超越50℃以上后，器件就有馬上損壞能夠。由于對(duì)其它橋臂的晶閘管殼溫檢測(cè)，溫度在45℃就能堅(jiān)持其穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)。根據(jù)景象，首先排除了晶閘管本身質(zhì)量問題，重點(diǎn)疑心晶閘管安裝質(zhì)量，對(duì)其安裝晶閘管組件解體沒有發(fā)現(xiàn)問題，再察看現(xiàn)晶閘管接觸的銅母排時(shí)發(fā)現(xiàn)外表已嚴(yán)重污垢，這將是導(dǎo)致接觸電阻大，發(fā)熱大的根源。3〕問題處置對(duì)策對(duì)于銅的處置不能簡單的外表磨光砂紙打，假設(shè)經(jīng)過這樣處置后會(huì)加速銅外表氧化，會(huì)導(dǎo)致問題的更加嚴(yán)重。鑒于該安裝離改造只需半年時(shí)間，所以，此次處置采用了砂紙對(duì)銅排外表打光方法，使得設(shè)備功能快速得到了恢復(fù)。

晶閘管器件過熱損壞缺點(diǎn)診斷案例5

電鍍電源頻繁燒壞整流二極管的缺點(diǎn)診斷分析1〕缺點(diǎn)景象：該電鍍電源共有24套，其中一套整流二極管損壞后，備件上機(jī)后不久又損壞，延續(xù)發(fā)生四次。2〕缺點(diǎn)診斷分析：由于是二極管整流，與控制要素?zé)o關(guān)，直接診斷為二極管損壞后安裝質(zhì)量存在問題。3〕處置方法：規(guī)范安裝整流管后，電鍍電源運(yùn)轉(zhuǎn)穩(wěn)定。案例6

晶閘管式中頻電源安裝疑問缺點(diǎn)診斷與分析

缺點(diǎn)景象該中頻電源安裝于1985年9月投入正常運(yùn)轉(zhuǎn)，1992年8月發(fā)生第一次缺點(diǎn)。缺點(diǎn)景象為中頻電源在鋼管芯棒淬火過程中發(fā)生逆變顛覆，損壞晶閘管TA1和TA2。改換了晶閘管后，采取降低負(fù)載電壓和適當(dāng)減小電流限幅值的方法再次起動(dòng)安裝，運(yùn)轉(zhuǎn)15分鐘左右出現(xiàn)過電流跳閘，但沒有燒壞晶閘管。但是，只需加大加熱電源功率那么就會(huì)立刻發(fā)生逆變顛覆損壞晶閘管景象。電力電子器件的典型缺點(diǎn)布置部門受理單位要求前往日期實(shí)踐前往日期專業(yè)屬性缺點(diǎn)停機(jī)時(shí)間(h)設(shè)備管中電試室當(dāng)日當(dāng)日E

布置內(nèi)容2050熱軋精軋F(tuán)2可控硅缺點(diǎn)緣由調(diào)查缺點(diǎn)經(jīng)過：8月30日15:25，2050熱軋精軋F(tuán)2跳電，系統(tǒng)報(bào)“1號(hào)系統(tǒng)A相晶閘管監(jiān)控缺點(diǎn)〞。經(jīng)檢查，發(fā)現(xiàn)可控硅柜脈沖分配板SAV2122號(hào)、24號(hào)指示燈閃爍，根據(jù)缺點(diǎn)定義，判別缺點(diǎn)應(yīng)為1＃系統(tǒng)A相V261?？煽毓铔]有導(dǎo)通引起，先后改換脈沖分配板SAV21和V261?？煽毓?，缺點(diǎn)照舊。將V261?？煽毓鑼?duì)應(yīng)的脈沖光電轉(zhuǎn)換板改換后，18:00左右系統(tǒng)恢復(fù)正常。缺點(diǎn)處置期間，17:20現(xiàn)場(chǎng)實(shí)施換輥，軋機(jī)于21:50恢復(fù)消費(fèi)。填寫：王武君劉俊嶺日期：2007-8-31公司設(shè)備缺點(diǎn)跟蹤調(diào)查表布置日期：2007年8月31日編號(hào)：07－0635－1電力電子器件的典型缺點(diǎn)公司設(shè)備缺點(diǎn)跟蹤調(diào)查表布置日期：2007年9月10日編號(hào)：07－0674－1布置部門受理單位要求前往日期實(shí)踐前往日期專業(yè)屬性缺點(diǎn)停機(jī)時(shí)間(h)設(shè)備管中電試室當(dāng)日當(dāng)日E

布置內(nèi)容2050熱軋F(tuán)2主傳動(dòng)跳電缺點(diǎn)緣由調(diào)查缺點(diǎn)經(jīng)過：9月7日6:42，2050正常消費(fèi)過程中精軋F(tuán)2跳電，系統(tǒng)報(bào)“1#系統(tǒng)反向過電流〞缺點(diǎn)。現(xiàn)場(chǎng)人員對(duì)該缺點(diǎn)檢測(cè)接口板進(jìn)展改換，發(fā)現(xiàn)缺點(diǎn)沒有轉(zhuǎn)移。對(duì)1#系統(tǒng)主回路可控硅進(jìn)展檢查，發(fā)現(xiàn)有可控硅導(dǎo)通短路景象。于是，將主回路可控硅拆掉逐個(gè)進(jìn)展丈量，發(fā)現(xiàn)8月30日缺點(diǎn)處置中改換的一只可控硅損壞。改換該可控硅后，系統(tǒng)恢復(fù)正常。填寫：張林劉俊嶺日期：2007-9-10電力電子器件的典型缺點(diǎn)電力電子安裝典型缺點(diǎn)

MF1F2F5F4F3F6F7F8PND1D2D3D4D5D6Q1Q2Q3Q4Q5Q6abcuvwF1：輸入電壓單相接地缺點(diǎn)；F2：整流二極管短路缺點(diǎn)；F3：直流電接地缺點(diǎn)；F4：直流電濾波電容短路缺點(diǎn)；F5：功率器件基極開路缺點(diǎn)(無驅(qū)動(dòng)信號(hào))；F6：功率器件短路缺點(diǎn)；F7：電動(dòng)機(jī)線間短路缺點(diǎn)；F8：電動(dòng)機(jī)單相接地電力電子器件的典型缺點(diǎn)電力電子安裝典型缺點(diǎn)〔晶閘管安裝〕F1：輸入電壓單相接地；F2：整流二極管短路缺點(diǎn)；F3：直流電接地缺點(diǎn)；F4：直流電濾波電容短路缺點(diǎn)；F5：功率器件基極開路缺點(diǎn)(無驅(qū)動(dòng)信號(hào))；F6：功率器件短路缺點(diǎn)；F7：電動(dòng)機(jī)線間短路缺點(diǎn)；F8：電動(dòng)機(jī)單相接地電力電子器件的典型缺點(diǎn)主要電力電子器件的缺點(diǎn)特點(diǎn)

GTOIGBTIGCTIEGT導(dǎo)通損耗低高低高〔中〕開關(guān)損耗高中低中開關(guān)頻率低高高高耐壓高〔6500V〕中〔3300V〕高〔6500V〕高門極驅(qū)動(dòng)器獨(dú)立緊湊集成集成缺點(diǎn)率低高低低缺點(diǎn)方式無爆裂(短路無電弧爆裂〔斷路〕電弧無爆裂(短路無電弧無爆裂(短路無電弧冷卻雙面單面雙面雙面電力電子器件的典型缺點(diǎn)換流失??；調(diào)理控制異常；吸收電路異常；缺相；電聯(lián)接緊固不良；過負(fù)荷；安裝聯(lián)鎖異常；布線絕緣老化相碰；外部放電擴(kuò)展缺點(diǎn)；觸發(fā)電路引起誤觸發(fā)；通常電力電子安裝缺點(diǎn)要因電力電子器件損壞電力電子器件損壞特征電力電子器件開路電力電子器件短路；電力電子器件性能劣化缺點(diǎn)景象難保管缺點(diǎn)反復(fù)出現(xiàn)電力電子安裝的缺點(diǎn)特點(diǎn)電力電子器件的典型缺點(diǎn)電力電子器件的檢測(cè)方法電力電子器件的檢測(cè)的方法：電力電子器件常規(guī)測(cè)試電力電子器件的特殊測(cè)試電力電子器件的離線檢測(cè)走漏電流法形狀監(jiān)測(cè)技術(shù)電力電子器件的檢測(cè)方法晶閘管的簡易測(cè)試判別晶閘管的電極〔指針式萬用表法〕對(duì)于小功率晶閘管，利用“×1K〞擋，兩表筆恣意丈量兩極間電阻的阻值，直到測(cè)得某兩極正反向阻值的差值很大為止，且正向阻值約幾百歐以下，反向阻值大于幾千歐。這時(shí)，在阻值小的那次丈量中，黑表筆所接的是晶閘管的G，紅表筆接的是K，剩下的那么是A。電力電子器件的檢測(cè)方法晶閘管根本測(cè)試R×1Ω檔測(cè)：RGK、很大(上KΩ)或很小(近0Ω)那么闡明晶閘管已壞(擊穿)；R×1KΩ檔測(cè)：RAK和RAG之間正反向電阻均很小(幾十歐)，闡明兩個(gè)PN結(jié)已壞?？煽匦詼y(cè)試黑表筆接A極，紅表筆接K極，此時(shí)表針應(yīng)偏轉(zhuǎn)很小，快速短接一下A極與G極，表針偏轉(zhuǎn)角度明顯變大且能不斷堅(jiān)持，闡明管子功能正常電力電子器件的檢測(cè)方法對(duì)于大功率晶閘管，可用“×10k〞或“×1k〞擋檢測(cè)，但測(cè)得的阻值分別比上述小功率晶閘管小1～2個(gè)數(shù)量級(jí)，判別法完全一樣現(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)電力電子器件的檢測(cè)方法可以判別出來器件完全擊穿的情況器件阻斷電壓受損尚未完全擊穿時(shí)無法檢測(cè)出來因器件的參數(shù)分散性用萬用表檢測(cè)會(huì)有較大差別，會(huì)讓運(yùn)用者產(chǎn)生錯(cuò)誤判別會(huì)出現(xiàn)一種〞反常〞景象用高阻撓丈量，陽極和陰極的正向電阻很大控制極正、反向電阻很接近控制投觸發(fā)后不能維持繼續(xù)導(dǎo)通只可以用萬用表對(duì)器件進(jìn)展一些粗略的檢測(cè)應(yīng)該進(jìn)一步檢測(cè)電力電子器件的檢測(cè)方法萬用表法存在的問題2〕IGBT的簡易測(cè)試電力電子器件的檢測(cè)方法判別極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表丈量時(shí)，假設(shè)某一極與其它兩極阻值為無窮大，互換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，那么判別此極為柵極〔G〕。其他兩極再用萬用表丈量，假設(shè)測(cè)得阻值為無窮大，互換表筆后丈量阻值較小。在丈量阻值較小的一次中，那么判別紅表筆接的為集電極〔C〕；黑表筆接的為發(fā)射極〔E〕。判別好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極〔C〕，紅表筆接IGBT的發(fā)射極〔E〕，此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極〔G〕和集電極〔C〕，這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極〔G〕和發(fā)射極〔E〕，這時(shí)IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時(shí)即可判別IGBT是好的。本卷須知任何指針式萬用表皆可用于檢測(cè)IGBT。留意判別IGBT好壞時(shí)，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通，而無法判別IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管〔P-MOSFET〕的好壞。電力電子器件的檢測(cè)方法IGBT模塊能否破壞可以經(jīng)過晶體管特性測(cè)定安裝或萬用表丈量，對(duì)以下工程進(jìn)展檢查從而簡單地判別缺點(diǎn)。①G-E間的漏電流②C-E間的漏電流③可控檢測(cè)電力電子器件的檢測(cè)方法G-E間檢測(cè)如下圖，使C-E間處于短路形狀，測(cè)定G-E間的漏電流或電阻值(請(qǐng)不要在G-E間外加超出±20V的電壓。運(yùn)用萬用表時(shí)，必需確認(rèn)其內(nèi)部的蓄電池電壓在20V以下。)。假設(shè)數(shù)百nA級(jí)(運(yùn)用萬用表時(shí)電阻數(shù)十MΩ～無限大)。除此以外的形狀下，元件曾經(jīng)破壞產(chǎn)品正常，漏電流將變成的能夠性很高(普通情況，假設(shè)元件破壞，G-E間將處于短路形狀)。電力電子器件的檢測(cè)方法C-E間檢測(cè)如下圖，讓G-E間處于短路形狀，測(cè)定C-E間(銜接方式為集電極為+，發(fā)射極為-。如相反，那么FWD導(dǎo)通，C-E間將短路)的漏電流或電阻。假設(shè)產(chǎn)品正常，漏電流將處于闡明書中記載的ICES最大值以下(運(yùn)用萬用表時(shí)電阻數(shù)十MΩ～無限大)。除此以外的形狀下，元件曾經(jīng)破壞的能夠性很高(普通情況，假設(shè)元件破壞，C-E間將處于短路形狀)。電力電子器件的檢測(cè)方法可控檢測(cè)如下圖讓G—E間處于開路路形狀，C〔黑筆〕到E〔紅筆〕如相反，那么二極管D導(dǎo)通，C—E間為D導(dǎo)通阻值瞬間短接G—C后，C—E間導(dǎo)通瞬間短接G—E后，C—E間恢復(fù)阻斷，否那么元件曾經(jīng)破壞的能夠性很高。電力電子器件的檢測(cè)方法現(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)電力電子器件的檢測(cè)方法※測(cè)試過程本卷須知絕對(duì)不要對(duì)集電極一門極間進(jìn)展耐壓測(cè)試。這能夠?qū)е录姌O一門極間構(gòu)成密勒電容部分的氧化膜的絕緣破壞。在檢測(cè)中手不能接觸BE極，以免產(chǎn)生感應(yīng)電壓，損壞模塊內(nèi)部元件，最好在手腕上套一個(gè)接地環(huán)。模塊防止遭到?jīng)_擊和震動(dòng)。電力電子器件的檢測(cè)方法DUT為被測(cè)器件在DUT阻斷電壓為1000V左右時(shí)〔須大于800V〕可采用交流380V電源進(jìn)展測(cè)試D1可采用1-5A耐壓1000V以上二極管3只串聯(lián)LAMP為檢測(cè)指示燈留意燈的額定電壓要與進(jìn)線交流電壓配合假設(shè)用220V的燈泡，可根據(jù)進(jìn)線電壓高低采