高中化學(xué)課時作業(yè)（人教版選修第二冊）課時作業(yè)13

課時作業(yè)13共價晶體1．下列物質(zhì)的晶體直接由原子構(gòu)成的一組是()①CO2②SiO2③晶體Si④白磷⑤氨基乙酸⑥固態(tài)HeA．①②③④⑤⑥ B．②③④⑥C．②③⑥ D．①②⑤⑥2．下列說法錯誤的是()A．干冰晶體中每個分子周圍最近的分子有12個，而二氧化硅晶體中，每個硅原子周圍只有4個氧原子B．C2H5OH與C2H5Br相比，前者的相對分子質(zhì)量小于后者，而沸點卻高于后者，其原因是前者的分子間存在氫鍵C．非金屬單質(zhì)只能形成分子晶體D．金剛石熔化時斷裂共價鍵3．下列有關(guān)物質(zhì)的熔點高低順序正確的是()A．HF<HCl<HBrB．金剛石<碳化硅<晶體硅C．CH3(CH2)3CH3>CH3(CH2)8CH3D．H2O>H2S，SO2<SeO24．金剛石是共價鍵三維骨架結(jié)構(gòu)，如圖所示，下列說法中正確的是()A．金剛石晶體中的最小碳原子環(huán)由6個碳原子構(gòu)成B．金剛石晶體中的碳原子是sp2雜化g金剛石中所含C—C鍵的個數(shù)為4NAD．金剛石的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，即使在高溫下也不和O2反應(yīng)5．二氧化硅晶體是三維骨架結(jié)構(gòu)，其晶體模型如圖所示。下列有關(guān)二氧化硅晶體的說法正確的是()A．二氧化硅晶體最小環(huán)上含有12個原子B．每個硅原子為4個最小環(huán)所共有C．從晶體結(jié)構(gòu)可知，1molSiO2擁有2molSi—O鍵D．SiO2晶體是由極性共價鍵與非極性共價鍵共同構(gòu)成的6．下列有關(guān)共價晶體的敘述不正確的是()A．金剛石和二氧化硅晶體的最小結(jié)構(gòu)單元都是正四面體B．含1molC的金剛石中C—C鍵數(shù)目是2NA，1molSiO2晶體中Si—O鍵數(shù)目是4NAC．水晶和干冰在熔化時，晶體中的共價鍵都會斷裂D．SiO2晶體是共價晶體，所以晶體中不存在分子，SiO2不是它的分子式7．利用反應(yīng)CCl4＋4Naeq\o(→,\s\up7(973K),\s\do5(Ni—Co))C(金剛石)＋4NaCl可實現(xiàn)人工合成金剛石。下列關(guān)于該反應(yīng)的說法錯誤的是()A．C(金剛石)屬于共價晶體B．該反應(yīng)利用了Na的強還原性C．CCl4和C(金剛石)中的C的雜化方式相同D．NaCl晶體中每個Cl－周圍有8個Na＋8．氮化硼(BN)晶體有多種相結(jié)構(gòu)。六方相氮化硼是通常存在的穩(wěn)定相，與石墨相似，具有層狀結(jié)構(gòu)，可作高溫潤滑劑，但不能導(dǎo)電。立方相氮化硼是超硬材料，有優(yōu)異的耐磨性。它們的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。關(guān)于這兩種晶體的說法，正確的是()A．立方相氮化硼含配位鍵B→NB．六方相氮化硼層間作用力小，所以質(zhì)地軟，熔點低C．兩種氮化硼中的硼原子都是采用sp2雜化D．六方相氮化硼晶體其結(jié)構(gòu)與石墨相似卻不導(dǎo)電，原因是沒有可以自由移動的電子9．氮化硼具有抗化學(xué)侵蝕性質(zhì)，不易被無機酸和水侵蝕，硬度很高，與金剛石接近。如圖是一種納米立方氮化硼的晶胞結(jié)構(gòu)。以下說法錯誤的是()A．納米立方氮化硼熔點較低B．N原子的配位數(shù)為4C．硼原子的2s和2p原子軌道發(fā)生sp3雜化D．納米立方氮化硼屬于共價晶體，可加工制成超硬材料10．β-氮化碳的硬度超過金剛石晶體，成為首屈一指的超硬新材料，已知該氮化碳的二維晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法不正確的是()A．該晶體中的碳、氮原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)B．該晶體中碳顯＋4價，氮顯－3價C．該晶體中每個碳原子與四個氮原子相連，每個氮原子與三個碳原子相連D．該晶體的分子式為C3N411．請按要求填空：(1)C、N元素形成的新材料具有如圖所示的結(jié)構(gòu)，該晶體的化學(xué)式為________。(2)氮化碳和氮化硅晶體結(jié)構(gòu)相似，是新型的非金屬高溫陶瓷材料，它們的硬度大、熔點高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。①氮化硅的硬度________(填“大于”或“小于”)氮化碳的硬度，原因是________________________________；②已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中，原子間都以單鍵相連，且氮原子與氮原子不直接相連、硅原子與硅原子不直接相連，同時每個原子都滿足最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，請寫出氮化硅的化學(xué)式：________。(3)第ⅢA、ⅤA族元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅相似。在GaN晶體中，每個Ga原子與________個N原子相連，與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間結(jié)構(gòu)為________，GaN屬于________晶體。12．鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]________，有________個未成對電子。(2)比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規(guī)律及原因________________________________________________________________________________________________________________________________________________。GeCl4GeBr4GeI4熔點/℃－26146沸點/℃186約400(3)光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是________。(4)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為______________，微粒之間存在的作用力是______________。(5)晶胞有兩個基本要素：①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。如圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐