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文檔簡介

2022屆高三化學(xué)二輪復(fù)習(xí)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專題練習(xí)

一、選擇題(共17題)

1.25℃,一個(gè)大氣壓下呈氣態(tài)的化合物、降溫使其固化得到的晶體屬于

A.分子晶體B.原子晶體

C.離子晶體D.何種晶體無法判斷

2.下列有關(guān)化學(xué)用語使用正確的是

A.石英的分子式:SiO2

II

B.NH4cl的電子式:|II:W:IIICI-

11

C.Cr原子的基態(tài)簡化電子排布式為[Ar]3d54sl

2s2p

D.基態(tài)碳原子最外層的電子排布圖為

3.如圖是從NaCl或CaF2晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖,其中屬于從CaF?晶體中分割出來的結(jié)構(gòu)

圖是()

D.只有圖(4)

4.下列晶體在相同條件下熔點(diǎn)由低到高排列正確的是

A.金剛石碳化硅晶體硅B.HFHCIHBr

C.金屬鉀金屬鈉金屬鋰D.二氧化硅氯化鈉干冰

5.下列與等離子體無關(guān)的是()

A.等離子體顯示器B.日光燈和霓虹燈

C.把溫度升高到幾千攝氏度時(shí)水蒸氣發(fā)生的變化D.液晶顯示器

6.下列物質(zhì)所屬晶體類型分類正確的是

選項(xiàng)ABCD

原子晶體石墨生石灰碳化硅金剛石

分子晶體冰固態(tài)氨氯化鈉干冰

離子晶體氮化鋁食鹽明研氧化鋁

金屬晶體銅汞鋁鐵

A.AB.BC.CD.D

7.下列物質(zhì)的熔點(diǎn)或沸點(diǎn)比較正確的是()

A.沸點(diǎn):H2O>H2S>H2Se

B.熔點(diǎn):F2>C12>Br2

C.沸點(diǎn):CH4>SiH4>GeH4

D.熔點(diǎn):Li>Na>K

8.下列各組物質(zhì)中化學(xué)鍵類型與晶體類型均相同的是

A.HC1NaClB.SiO2CO2

C.Na2co3KCIO3D.H2O2Na2O2

9.下面的排序中,不氐碉的是

A.熔點(diǎn)由高到低:Rb>K>Na

B.熔點(diǎn)由高到低:GeH4>SiH4>CH4

C.硬度由大到?。航饎偸?gt;碳化硅〉晶體硅

D.晶格能由大到?。篈lF3>MgF2>NaF

10.檢驗(yàn)?zāi)彝榕cNaOH乙醇溶液共熱生成的氣體中是否含有乙烯,裝置如圖1所示。下列說法不正確的

,(體

酸性高鉆

取件溶液

圖1圖2

A.裝置①的作用是除去乙醇

B.裝置②的現(xiàn)象是高鎰酸鉀酸性溶液紫色褪去

C.將生成的氣體直接通入澳的四氯化碳溶液也可以達(dá)到實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

D.圖2所示NaBr晶胞中,每個(gè)Na+周圍距離最近的Na+數(shù)目為4個(gè)

11.下列判斷中不正確的是

A.熔融態(tài)能夠?qū)щ姷木w一定是離子晶體

B.不同族元素氧化物可形成同類晶體

C.同族元素氧化物可形成不同類型晶體

D.氯化錢固體屬于離子晶體,加熱使其分解時(shí)破壞了離子鍵和共價(jià)鍵

12.下列性質(zhì)符合分子晶體的是

A.熔點(diǎn)1070℃,易熔于水,水溶液能導(dǎo)電

B.熔點(diǎn)是10.31℃,液體不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電

C.熔點(diǎn)97.81C,質(zhì)軟,能導(dǎo)電,密度是0.97g/cm3

D.熔點(diǎn)973℃,熔化時(shí)能導(dǎo)電,水溶液也能導(dǎo)電

13.設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,下列說法正確的是

A.124gp4含有P—P鍵的個(gè)數(shù)為4NA

B.12g石墨烯(單層石墨)中含有C—C鍵的數(shù)目為3NA

C.60gsiO2中含Si—0鍵的個(gè)數(shù)為2NA

D.六方最密堆積的配位數(shù)是12,空間利用率是74%

14.《天工開物》記載:“凡火藥以硝石、硫黃為主,草木灰為輔……而后火藥成聲其中涉及的主要反應(yīng)

占燃

為:S+2KN03+3C^=K2S+3C02f+NJo下列說法正確的是

A.電負(fù)性:N>0B.CO,分子中C原子為sp雜化

C.單質(zhì)硫?qū)儆诠矁r(jià)晶體D.KNOJ中化學(xué)鍵只有。鍵

15.下列說法不正確的是

A.NC13中NY1鍵的鍵長比CCI4中C—C1鍵的鍵長短

B.I;離子的空間結(jié)構(gòu)是V形

C.Fe成為陽離子時(shí)首先失去能量最高的3d軌道電子

D.區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶體及非晶體的最可靠方法是對固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)

16.原子序數(shù)小于18的八種連號元素,它們單質(zhì)的熔點(diǎn)隨原子序數(shù)增大而變化的趨勢如圖所示.圖中X元

素應(yīng)屬

A.IHA族B.IVA族C.VA族D.VIA族

17.設(shè)NA為阿伏伽德羅常數(shù)的值,下列敘述不無硬的是

A.含16g氧原子的二氧化硅晶體中含有的。鍵數(shù)目為2NA

B.Imol甲基(一CH3)所含電子數(shù)為9NA

C.12克石墨中含有的共價(jià)鍵數(shù)目為L5NA

D.2moiSO2和ImolCh在一定條件下反應(yīng)所得混合氣體分子數(shù)等于2NA

二、綜合題(共6題)

18.某同學(xué)設(shè)計(jì)了如圖所示的裝置,可比較HNCh、H2cCh、H2SQ3的酸性強(qiáng)弱,進(jìn)而比較氮、碳、硅元素

非金屬性強(qiáng)弱。供選擇的試劑:稀硝酸、稀硫酸、碳酸鈣固體、碳酸鈉固體、硅酸鈉溶液、澄清石灰水、

飽和碳酸氫鈉溶液

(1)儀器a的名稱:。

(2)錐形瓶中裝有某可溶性正鹽,a中所盛試劑為。

(3)裝置B所盛試劑是,其作用是o

(4)裝置C所盛試劑是,C中反應(yīng)的離子方程式是。

(5)通過實(shí)驗(yàn)證明碳、氮、硅的非金屬性由強(qiáng)到弱的順序是o

(6)寫出碳、氮、硅三元素的簡單氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性由強(qiáng)到弱的順序是(寫化學(xué)式)

(7)寫出碳、氮、硅三元素的簡單氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)由高到低的順序是(寫化學(xué)式)。

19.鋅是人體必需的微量元素之一,起著極其重要的作用,回答下列問題:

(1)請寫出Z/+的核外電子排布式。

(2)ZnCL熔點(diǎn)為275℃,而CaCL的熔點(diǎn)為782℃,請分析熔點(diǎn)不同的原因:。

(3)Zn?+能與多種微粒形成配合物,如ZM+與CNCT可形成[Zn(CNO)F-,[Zn(CNO)4]2-中配位原子為

,[Zn(CNO)4F-的組成中非金屬元素的電負(fù)性大小順序?yàn)?;Zn?+與CN-可形成

[Zn(CN)4]2-,[Zn(CN)4『-中◎鍵、兀鍵和配位鍵的個(gè)數(shù)比為:配合物Zn(NH3)4CC)3中陰離子的空間

構(gòu)型為,N原子的雜化方式為o

(4)Zn與S所形成化合物的晶胞如圖1所示,圖2為晶胞沿y軸的投影1:1平面圖:

圖I

①晶胞中S原子的配位數(shù)為。

②晶胞中最近的兩個(gè)S原子之間的距離為pm。

③設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則該晶胞的密度是gem3(列出計(jì)算表達(dá)式)。

哌替咤鹽酸鹽G有鎮(zhèn)痛作用,其合成路線如下。回答下列問題:

FE

(1)寫出A的結(jié)構(gòu)簡式:;B中含有碳碳雙鍵,則B的名稱為

(2)G中含氧官能團(tuán)名稱為;B-C的反應(yīng)類型為。

(3)E的結(jié)構(gòu)簡式為o

(4)寫出C_D的化學(xué)方程式:。

(5)M與E互為同分異構(gòu)體,符合下列條件的M有種。

①屬于芳香a-氨基酸;

②含有兩個(gè)六元環(huán)。

其中一種同分異構(gòu)體,一NH2被H原子取代后,除苯基上H原子外,其他核磁共振氫譜的峰面積比為

4:4:1:1:1,該同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡式為。

(6)請結(jié)合以上合成路線,寫出以H3CNHCH2cl和CH2=CHC1及上述流程中出現(xiàn)的物質(zhì)為原料合成

C6H5

的路線.

COOC,H5

20.有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個(gè)未成對電子,A,比B少一個(gè)電子層,

B原子得一個(gè)電子填入3P軌道后,3P軌道已充滿;C原子的p軌道中有3個(gè)未成對電子,其氣態(tài)氫化物在

水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4,其最高價(jià)氧

化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其

中A+與D”離子數(shù)之比為2:1。請回答下列問題:

(DB的電子排布式為,在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是雜化。

(2)C的氫化物的空間構(gòu)型為,其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點(diǎn)最高的原因是

(3)B元素的電負(fù)性D元素的電負(fù)性(填“>”、"V”或“=”),用一個(gè)化學(xué)方程式說明B、D兩元素

形成的單質(zhì)的氧化性強(qiáng)弱:。

(4)如圖所示是R形成的晶體的晶胞,設(shè)晶胞的棱長為acm。試計(jì)算R晶體的密度為。(阿伏加

德羅常數(shù)用NA表示)

21.銅是人類最早使用的金屬之一。

(1)銅元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為其核外能級能量的高低3d4s(填或"=")

(2)Cu與元素A能形成如下圖所示的兩種化合物甲和乙。元素A是短周期非金屬元素,A的常見氧化物

常溫下為液態(tài),其熔沸點(diǎn)比同主族其他元素的氧化物高。

甲乙

①兩種化合物的化學(xué)式分別為:甲,乙___________。

②熱穩(wěn)定性甲_________乙(填“>”、"V"或“=”),試從原子結(jié)構(gòu)上解釋原因—

(3)銅離子形成的某種配合物陽離子具有軸向狹長的八面體結(jié)構(gòu)(如下圖)。

已知兩種配體都是10電子的中性分子,且都含氫元素。

①兩種配體分子的配位原子電負(fù)性大小為(填元素符號),其中熱穩(wěn)定性較弱的配體為(用電子式

表示)。

②該配合物陽離子與SO’?一形成的配合物X的化學(xué)式為.

(4)Cu單質(zhì)的晶體為面心立方堆積,其晶胞立方體的邊長為acm,Cu的相對原子質(zhì)量為63.5,單質(zhì)Cu的

密度為pg/cn?,則阿伏加德羅常數(shù)可表示為moH(含“a、p的代數(shù)式表示)。

22.二茂鐵[(C5H5”Fe]是由一個(gè)二價(jià)鐵離子和2個(gè)環(huán)戊烯基負(fù)離子構(gòu)成,它的發(fā)現(xiàn)可以說是有機(jī)金屬化合物

研究中具有里程碑意義的事件,它開辟了金屬有機(jī)化合物研究的新領(lǐng)域,促進(jìn)了金屬有機(jī)化學(xué)的發(fā)展。二

茂鐵可以用還原鐵粉與環(huán)戊二烯在氮?dú)夥諊邪l(fā)生反應(yīng)而制得。

請回答下列問題:

(1)二茂鐵的熔點(diǎn)是173℃(在100℃時(shí)開始升華),沸點(diǎn)是2.19℃,不溶于水,易溶于苯、乙醛等非極性溶

劑。據(jù)此可推斷二茂鐵晶體為晶體,由此可進(jìn)一步推知,在二茂鐵結(jié)構(gòu)中,JH:與Fe2+之間形成的

化學(xué)鍵類型是;

(2)①寫出等物質(zhì)的量的環(huán)戊二烯與漠反應(yīng)的兩個(gè)化學(xué)方程式,

②H2C=CH-C三C—CH3是環(huán)戊二烯的一種同分異構(gòu)體,在其分子結(jié)構(gòu)中處于同一平面上的原子個(gè)數(shù)最多有

______個(gè)。

23.(1)硫的基態(tài)原子核外有個(gè)未成對電子,浪的基態(tài)原子價(jià)層電子排布圖為。

(2)基態(tài)銅原子的M能層的電子排布式____________鋁原子核外電子云有種不同的伸展方向,

有種不同運(yùn)動狀態(tài)的電子。

(3)C、N、O三種元素,第一電離能由大到小順序?yàn)?電負(fù)性最大的是,

(4)與CO;'互為等電子體的一種分子為(用化學(xué)式表示);CO1的立體構(gòu)型為。

(5)元素N有多種氫化物均具有重要的用途。N2H4分子中含有個(gè)。鍵,其中的氮原子雜化類型

是O

(6)已知硫存在同素異形體S4、S6、S8,其結(jié)構(gòu)如圖所不。三者熔沸點(diǎn)高低順序是S4Vs6Vs8,主要原因是

X乂M

(7)碳元素有多種同素異形體。石墨層狀結(jié)構(gòu)中,平均每個(gè)正六邊形占有的碳原子數(shù)是個(gè);石墨

烯與金屬M(fèi)可以形成一種插層化合物。其中M層平行于石墨層(晶胞如圖甲所示),其垂直于石墨層方向的

投影如圖乙所示,則該插層化合物的化學(xué)式為

甲乙

參考答案

1.A

【詳解】

原子晶體、離子晶體的熔沸點(diǎn)較高,在常溫常壓下不可能呈氣態(tài),常溫常壓下呈氣態(tài)的化合

物,由分子構(gòu)成單位物質(zhì),說明對應(yīng)晶體的沸點(diǎn)較低,應(yīng)為分子晶體,答案選A。

2.C

【詳解】

A.二氧化硅為原子晶體,不存在分子式,其化學(xué)式為SiCh,A項(xiàng)錯(cuò)誤;

B.NH4cl的電子式為:[H:N:>|][;c(:],B項(xiàng)錯(cuò)誤;

C.Cr原子3d軌道為半滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),所以其基態(tài)簡化電子排布式為[Ar]3d54slC項(xiàng)正確;

252p

D.基態(tài)碳原子價(jià)電子排布式為2s22P2,其最外層的電子排布圖為:回叵由□,D項(xiàng)

錯(cuò)誤;

答案選C。

3.A

【詳解】

由于在CaF2晶體中,每個(gè)Ca2+周圍同時(shí)吸引著最近的等距離的8個(gè)F,即鈣離子的配位數(shù)

為8,每個(gè)F周圍同時(shí)吸引著最近的等距離的4個(gè)Ca?+,即氟離子的配位數(shù)為4,圖(1)中

符合條件離子的配位數(shù)為4,圖(3)中離子的配位數(shù)為8,也符合條件,故選A。

4.C

【詳解】

A.金剛石、碳化硅、晶體硅都為原子晶體,形成原子晶體的原子半徑越小,共價(jià)鍵越強(qiáng),

其熔沸點(diǎn)越高,原子半徑是C>Si,則熔點(diǎn)由低到高的順序是:晶體硅(碳化硅〈金剛石,

A項(xiàng)錯(cuò)誤;

B.HF分子間存在氫鍵,其熔點(diǎn)最高,B項(xiàng)錯(cuò)誤;

C.同主族金屬元素,原子半徑越小,金屬鍵鍵能越大,熔沸點(diǎn)越大,則熔點(diǎn)由低到高的順

序是:金屬鉀〈金屬鈉〈金屬鋰,C項(xiàng)正確;

D.二氧化硅是原子晶體,氯化鈉是離子晶體,干冰是分子晶體,則熔點(diǎn)由低到高的順序是:

干冰(氯化鈉〈原子晶體,D項(xiàng)錯(cuò)誤;

答案選C。

5.D

【分析】

高溫加熱、用X射線、紫外線和丫射線來照射氣體,可以使氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體,等離子

體是物質(zhì)的第四態(tài),即電離了的“氣體”,據(jù)此分析判斷。

【詳解】

A.等離子體顯示器是通過等離子體顯示圖像和文字,與等離子體有關(guān),故A不選;

B.日光燈和霓虹燈中氣體被電離形成了等離子體,與等離子體有關(guān),故B不選;

C.把溫度升高到幾千攝氏度時(shí)?,水蒸氣被電離形成了等離子體,與等離子體有關(guān),故C不

選;

D.液晶顯示器是通過液晶顯示圖像和文字,與等離子體無關(guān),故D選;

故選Do

6.D

【詳解】

A.生石灰為CaO,為離子晶體,故A錯(cuò)誤;B.氯化鈉為活潑金屬的氯化物,為離子晶體,

故B錯(cuò)誤;C.氮化鋁常用作砂輪及耐高溫的材料,熔融時(shí)不導(dǎo)電為共價(jià)化合物,熔點(diǎn)高、

硬度大,為原子晶體,故C錯(cuò)誤;D.金剛石為原子晶體,干冰為分子晶體,氧化鋁為離子

晶體,F(xiàn)e為金屬單質(zhì)為金屬晶體,故D正確,故選D。

7.D

【詳解】

A.水分子間含有氫鍵,沸點(diǎn)最高。一般來說,組成與結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對分子質(zhì)量越

大,沸點(diǎn)越高,則沸點(diǎn):H2Se>H2S,故A錯(cuò)誤;

B.一般來說,組成與結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,熔點(diǎn)越高,則熔點(diǎn)Br2>Cl2>F2,

故B錯(cuò)誤;

C.CH4、SiHhGeH4均為分子晶體,則沸點(diǎn):GeH4>SiH4>CH4,故C錯(cuò)誤;

D.金屬鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高,則熔點(diǎn):Li>Na>K,故D正確;

故答案選:D。

8.C

【分析】

一般非金屬元素之間形成共價(jià)鍵,金屬元素與非金屬元素形成離子鍵,由分子構(gòu)成的晶體為

分子晶體,由離子構(gòu)成的晶體為離子晶體,由金屬原子和自由電子構(gòu)成的為金屬晶體,由原

子構(gòu)成的且為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體為原子晶體,以此來解答。

【詳解】

A.HC1屬于分子晶體,氫原子和氯原子之間形成的是共價(jià)鍵;NaCl屬于離子晶體,鈉離子

和氯離子之間存在離子鍵,故A錯(cuò)誤;

B.SiCh是原子晶體,硅原子和氧原子之間通過共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu);C02屬于分子晶體,

碳原子與氧原子之間形成的是共價(jià)鍵,故B錯(cuò)誤;

C.Na2co3KCIO3均為離子晶體,均存在離子鍵,故C正確;

D.H2O2屬于分子晶體,氫原子和氧原子之間形成的是共價(jià)鍵;NazCh屬于離子晶體,鈉離子

和過氧根離子之間存在離子鍵,故D錯(cuò)誤;

答案:C

9.A

【解析】

【詳解】

A.鈉、鉀、鋤屬于金屬晶體,熔點(diǎn)與金屬鍵的強(qiáng)弱有關(guān),金屬離子的電荷越多、離子半徑越

小,金屬鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。鈉、鉀、枷離子的電荷相同,半徑由大到小的順序?yàn)镽b>K

>Na,沸點(diǎn)由低到高的順序?yàn)镽b<K<Na,故A項(xiàng)錯(cuò)誤;

B.GeH4、SiM、CH4都屬于分子晶體,熔化時(shí)破壞的是分子間作用力,范德華力與相對分子

質(zhì)量有關(guān),所以熔點(diǎn)由到高低:GeH4>SiH4>CH4,故B項(xiàng)正確;

C.原子晶體中,原子半徑越小,化學(xué)鍵越短,鍵能越大,化學(xué)鍵越強(qiáng),硬度越大。所以硬度

由大到?。航饎偸?gt;碳化硅〉晶體硅,故C項(xiàng)正確;

D.離子晶體中離子所帶電荷越多、半徑越小,晶格能越大,晶格能由大到?。篈IF3>MgF2

>NaF,故D項(xiàng)正確;

綜上所述,本題正確答案為A。

10.D

【分析】

澳乙烷與NaOH乙醇溶液共熱發(fā)生消去反應(yīng)生成乙烯,由于乙醇易揮發(fā),生成的乙烯中會

混有乙醇,據(jù)此分析。

【詳解】

A.乙醉與水互溶,乙烯難溶于水,所以可以用水除去混有的乙醉,A正確;

B.生成的氣體中含有乙烯,乙烯可以還原酸性高鋸酸鉀溶液使其褪色,B正確;

C.乙烯可以和溟的四氯化碳溶液發(fā)生加成反應(yīng)使其褪色,而揮發(fā)出的乙醇不能使浸的四氯

化碳溶液褪色,C正確;

D.以體心鈉離子為例,距離最近的鈉離子棱心上,所以有12個(gè),D錯(cuò)誤;

綜上所述答案為D。

11.A

【詳解】

A.熔融態(tài)能夠?qū)щ姷木w不一定是離子晶體,可能是金屬晶體,A錯(cuò)誤;

B.不同族元素氧化物可形成同類晶體,例如氧化鈉、氧化鎂等均是離子晶體,B正確;

C.同族元素氧化物可形成不同類型晶體,例如二氧化硅是共價(jià)晶體,二氧化碳是分子晶體,

C正確;

D.氯化錠是離子化合物,氯化鏤固體屬于離子晶體,氯化鍍中存在離子鍵和共價(jià)鍵,加熱

使其分解時(shí)生成氨氣和氯化氫,破壞了離子鍵和共價(jià)鍵,D正確;

答案選A。

12.B

【詳解】

分子晶體具有熔沸點(diǎn)低、符合相似相溶原理,自身一般不導(dǎo)電,溶于水后導(dǎo)電的性質(zhì):

A.熔點(diǎn)1070C,易熔于水,水溶液能導(dǎo)電,沸點(diǎn)較高,是離子晶體的性質(zhì),A錯(cuò)誤;

B.熔點(diǎn)是10.31℃,液體不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電,是分子晶體的性質(zhì),B正確;

C.熔點(diǎn)97.81℃,質(zhì)軟,能導(dǎo)電,密度是0.97g/cm3,分子晶體不導(dǎo)電,是金屬晶體,C錯(cuò)

誤;

D.熔點(diǎn)973℃,熔化時(shí)能導(dǎo)電,水溶液也能導(dǎo)電,是離子晶體,D錯(cuò)誤;

答案選B。

13.D

【詳解】

124月

A、n(P)=—=,=1mol,1個(gè)P4分子含有6個(gè)P-P鍵,因此124gp4含有的P-P鍵

4M124^!mol

的物質(zhì)的量為6mol,P-P鍵的個(gè)數(shù)為6NA,故A錯(cuò)誤;

B、12g石墨中含有碳原子的物質(zhì)的量n=E=而字7=lmoL在石墨晶體中一個(gè)碳原子形

MYigImol

成3個(gè)C-C鍵,每個(gè)C-C鍵由2個(gè)碳原子構(gòu)成,因此12g石墨中含有C-C鍵的物質(zhì)的量為

Imolx3x1=1.5mol,C-C鍵的個(gè)數(shù)為1.5NA,故B正確;

M760j?

C、n(SiO2)=—=—~~一7=lmol,在二氧化硅晶體中,每個(gè)硅原子形成4個(gè)Si-0鍵,因

M60g/mol

此60gsiCh中含Si-O鍵的物質(zhì)的量為4mol,Si-0鍵的個(gè)數(shù)為4NA,故C錯(cuò)誤;

D、六方最密堆積和面心立方最密堆積是空間利用率最高的結(jié)構(gòu),空間利用率均為74%,故

D正確;

故選D。

【點(diǎn)晴】

本題考查阿伏伽德羅常數(shù)的有關(guān)計(jì)算,側(cè)重于分子晶體、原子晶體、混合晶體結(jié)構(gòu)的考查,

掌握物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)是解題的關(guān)鍵。如Na2O2是由Na+和-構(gòu)成,而不是有Na+和O?-構(gòu)成;

SiCh、SiC都是原子晶體,其結(jié)構(gòu)中只有原子沒有分子,SiCh是正四面體結(jié)構(gòu),ImolSiCh

中含有的共價(jià)鍵為4NA,ImolPa含有的共價(jià)鍵為6NA等。

14.B

【詳解】

A.。的非金屬性大于N,所以電負(fù)性N<O,故A錯(cuò)誤;

B.CO2分子為直線型對稱結(jié)構(gòu),C原子為sp雜化,故B正確;

C.單質(zhì)硫是由分子通過分子間作用力結(jié)合而成,屬于分子晶體,故C錯(cuò)誤;

D.KNCh中既含離子鍵又含共價(jià)鍵,故D錯(cuò)誤;

故選B。

15.C

【詳解】

A.C原子的原子半徑大于N原子的原子半徑,則NCh中N—CI鍵的鍵長比CC14中C—C1

鍵的鍵長短,故A正確;

B.I;離子與C102離子具有相同的原子個(gè)數(shù)和價(jià)電子數(shù),互為等電子體,等電子體具有相

同的空間結(jié)構(gòu),離子氯原子的價(jià)層電子對數(shù)為4,孤對電子對數(shù)為2,C1O,離子的空

間結(jié)構(gòu)是V形,則I;離子的空間結(jié)構(gòu)也是V形,故B正確;

C.鐵原子形成陽離子時(shí)首先失去最外層4s軌道上的電子,故C錯(cuò)誤;

D.對固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)可以準(zhǔn)確的區(qū)分固體是否為晶體、準(zhǔn)晶體及非晶體,故D

正確;

故選Co

16.B

【詳解】

根據(jù)圖像可知,X的熔點(diǎn)最高,在短周期元素中,應(yīng)該是第1VA族的碳元素形成的金剛石,

所以答案選B。

17.D

【解析】A,在二氧化硅晶體中,每個(gè)氧原子與鄰近的2個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵,16g氧原子

的物質(zhì)的量為Imol,所以含有的0鍵數(shù)目為2NA,A正確。B,甲基中含1個(gè)碳原子和3

個(gè)氫原子,碳原子有6個(gè)電子,氫原子有1個(gè)電子,所以甲基共有9個(gè)電子,所以Imol甲

基(一CH3)所含電子數(shù)為9NA,B正確。C,石墨晶體中,每個(gè)碳原子與鄰近的3個(gè)碳原子形

成共價(jià)鍵,形成一個(gè)共價(jià)鍵需要2個(gè)碳原子,所以平均每個(gè)碳原子可形成1.5個(gè)共價(jià)鍵,12g

石墨含碳原子Imol,所以含有的共價(jià)鍵數(shù)目為1.5NA

,C正確。D,2moiSO2和ImolCh在一定條件下發(fā)生的反應(yīng)是一個(gè)可逆反應(yīng),并不能完全轉(zhuǎn)

化為2moiSO3,反應(yīng)所得混合氣體分子數(shù)小于2NA,所以D不正確。

18.

(1)分液漏斗

(2)稀硝酸

(3)飽和碳酸氫鈉溶液吸收氣體中硝酸

(4)硅酸鈉溶液SiO^'+CO2+H2O=H2SiO31+CO^

(5)N>C>Si

(6)NH3>CH4>SiH4

(7)NH3>SiH4>CH4

【分析】

a中裝有硝酸,裝置A中裝有碳酸鈉溶液,硝酸與碳酸鈉發(fā)生強(qiáng)酸制取弱酸的反應(yīng)生成二氧

化碳,裝置B中為飽和碳酸氫鈉溶液,可以除去揮發(fā)的硝酸,裝置C中裝有硅酸鈉溶液,

二氧化碳與硅酸鈉發(fā)生強(qiáng)酸制取弱酸的反應(yīng)生成硅酸沉淀,由此比較出酸性:HNO3>H2CO3

>H2Si03o

(1)

由圖可知,儀器a為分液漏斗;

(2)

由分析可知,a中所盛試劑為稀硝酸;

(3)

由分析可知,裝置B所盛試劑是飽和碳酸氫鈉溶液,可以除去二氧化碳中的硝酸;

(4)

由分析可知,裝置C中裝有硅酸鈉溶液,二氧化碳與硅酸鈉溶液發(fā)生反應(yīng)生成硅酸沉淀,

離子方程式為SiO;+CO2+H2O=H2SiO3i+CO^;

(5)

元素的非金屬性越強(qiáng),其最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物的酸性越強(qiáng),酸性:HNO3>H2CO3>

FhSiCh,則非金屬性:N>C>Si;

(6)

元素的非金屬性越強(qiáng),對其氫化物的穩(wěn)定性越強(qiáng),則碳、氮、硅三元素的簡單氣態(tài)氫化物的

穩(wěn)定性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)镹%>CH4>SiH4;

(7)

NH3中含有氫鍵,其沸點(diǎn)較高,C&和SiH4都是分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,沸點(diǎn)越高,

則沸點(diǎn):NH3>SiH4>CH4,

19.Is22s22P63s23P63』。(或[Arpd")(1分)CaCL為典型的離子化合物,而ZnCb雖為

離子化合物,但有明顯的共價(jià)性(1分)0(1分)0>N>C(l分)2:2:1

(2分)平面三角形(2分)sp3(l分)①4(1分)②2a(2分)③

NQ方“xlO-i。,(3分)CH三CH(1分)氯乙烯(1-氯乙烯)(1分)酯基(1

分)加成反應(yīng)(1分)H3c一乂。(2分)

、—/xcoon

‘'CNNa.%

ILCNC22(2分)3(1

3XCH,CH,C1H3C-N^+2HC1

CN

[化學(xué)——選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]

(1)Zn的原子序數(shù)為30,其核外電子排布式為[Ar]3d。4s2,Z"+是鋅原子失去2個(gè)電子所

形成的,Zi?+的核外電子排布式為Is22s22P63s23P63d或[ArW。

(2)Ca的金屬性比Zn的強(qiáng),Ca、Zn與氯形成CaCL、ZnCl2,其中CaCb為典型的離子化

合物,熔點(diǎn)比較高,而ZnC12雖為離子化合物,但因Zn的活潑性比較弱,形成的ZnCb有

明顯的共價(jià)性,使ZnCL熔點(diǎn)比CaCL低。

(3)配位原子必須能提供孤電子對,而CNCT結(jié)構(gòu)中,O能提供孤電子對,故配位原子為

0原子,[Zn(CNO)4]2-中非金屬元素為C、N、0,同一周期從左至右,電負(fù)性逐漸增大,它

們的電負(fù)性大小順序?yàn)镺>N>C,一個(gè)[Zn(CN)4F-中Zn與4個(gè)CN一間有4個(gè)配位鍵即4個(gè)。

鍵,每個(gè)CN之間存在一個(gè)。鍵和2個(gè)兀鍵,G與兀和配位鍵的個(gè)數(shù)為8、8、4,比值為2:2:1。

Zn(NH3)4CO3中陰離子為CO:,是平面三角形,N%中的N是sp3雜化。

(4)①根據(jù)圖可看出每一個(gè)S周圍有4個(gè)Zn,配位數(shù)為4。②最近的兩個(gè)S原子之間的距

離是面對角線的一半,根據(jù)圖2可知面對角線長為4apm。最近的兩個(gè)S原子之間的距離是

2apm。③晶胞中Zn的個(gè)數(shù)為頂點(diǎn)8x5=1,面心6x^=3,共4個(gè),S在內(nèi)部,共4個(gè),化

學(xué)式為ZnS,式量為65+32,設(shè)晶胞邊長為dpm,"/=4a,d=20a,〃WA=4(65+32),p=

4x(65+32)

103gCm3

7VA(2V2axlO-)-"

[化學(xué)——選修5:有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)]

(1)根據(jù)A-BTC,可看出A與HC1和H3CNH2發(fā)生連續(xù)加成反應(yīng),所以A含有碳碳叁

鍵,為乙煥,結(jié)構(gòu)簡式為CH三CH,B中含有碳碳雙鍵,是A與HC1加成所得,所以B為

氯乙烯。

(2)根據(jù)合成路線可知,G中含氧官能團(tuán)為酯基,B生成C,發(fā)生加成反應(yīng)。

(3)根據(jù)D、F的結(jié)構(gòu),可知E中含竣基,得出E的結(jié)構(gòu)簡式為

H3C-N

COOH

(4)C生成D發(fā)生了取代反應(yīng),方程式為:

面積比正好為4:4:1:1:1。

(6)利用題干B-C-DTE-F的反應(yīng)原理,B-C為雙加成反應(yīng),而所設(shè)計(jì)的合成路線中

為單加成反應(yīng),題干中C—D和所設(shè)計(jì)合成路線中一樣均為雙取代反應(yīng),題干中DTE—F

與所設(shè)計(jì)合成路線中一樣均為水解、酯化反應(yīng),所以合成路線為:

H&NHCH2cl

20.Is22s22P63s23P6或者[Ne]3s23P6sp3三角錐形氨分子間形成氫鍵,所以氨氣比

312

同族其它元素形成的氫化物沸點(diǎn)高>Cl2+Na2S=2NaCl+S1五「g9/

【分析】

B原子得一個(gè)電子填入3P軌道后,3P軌道已充滿,B為C1元素;B-離子為C1-離子,A+比

B-少一個(gè)電子層,A+為Na+離子;C原子的p軌道中有3個(gè)未成對電子,C原子的外圍電子

排布為ns2np3,是第VA族元素,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物

中最大,所以為N元素;D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4,為第VIA族元素,最

高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,可推知D的相對原子質(zhì)量為32,其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于

中子數(shù),所以質(zhì)子數(shù)為16,D為S元素,A+是Na+離子,D?一離子是S?一離子,R是由Na+離

子與S2-離子以2:1形成的離子化合物,R是硫化鈉。

【詳解】

(1)B-離子為C「離子,電子排布式為Is22s22P63s23P6或者[Ne]3s23P6;CB3分子為NCb分子,

N原子有一對孤對電子,與Cl原子成3個(gè)&鍵,雜化軌道數(shù)為1+3=4,所以為sp3雜化。故

答案為:Is22s22P63s23P6或者[Ne]3s23P6;sp3。

(2)C的氫化物為NH3,N原子采取sp3雜化,N原子有一對孤對電子,所以NH3為三角錐形,

N原子電負(fù)性很強(qiáng),氨分子間形成氫鍵,所以氨氣比同族其它元素形成的氫化物沸點(diǎn)高。故

答案為:三角錐形;氨分子間形成氫鍵,所以氨氣比同族其它元素形成的氫化物沸點(diǎn)高。

(4)B為C1元素,D為S元素,同周期,自左而右,電負(fù)性增強(qiáng),所以電負(fù)性C1>S.利用“在

氧化還原反應(yīng)中,氧化劑氧化性大于氧化產(chǎn)物“原理,一般來說電負(fù)性越強(qiáng),元素的非金屬

性越強(qiáng),對應(yīng)的單質(zhì)的氧化性越強(qiáng),如在CL+Na2s=2NaCl+S1反應(yīng)中,C12的氧化性大于

。2的氧化性。故答案為:>;Cb+Na2s=2NaCl+SJ;

⑸A+是Na+離子,D2-離子是S2-離子,根據(jù)均攤法計(jì)算,晶胞含有S2-離子個(gè)數(shù)8x1+6x1=4,

02

含有A+是Na+離子8個(gè),即一個(gè)晶胞含有4個(gè)硫化鈉分子,所以密度為=7彳"

a'crr^

g-cm"3o

21.34。4sl>CuOCu2O<C112O中Cu的d軌道為全充滿狀態(tài),較穩(wěn)定

H

[CU(HO)2(NH3)4]SO254/(pa3)

H:N:H24

【詳解】

(1)銅原子核電荷數(shù)為29,其基態(tài)原子的電子排布式為[Ar]3d"4si,則價(jià)電子排布式為

3dl04s',根據(jù)能級圖可知其核外能級能量的高低3d>4s;

(2)元素A是短周期非金屬元素,A的常見氧化物常溫下為液態(tài),其熔沸點(diǎn)比同主族其他元

素的氧化物高,可知A為氧元素:

①甲中氧原子數(shù)目為8x94x92x^=4,Cu原子數(shù)為4,則甲的化學(xué)式為Cu。;乙中

氧原子數(shù)目為8x:+1=2,Cu原子數(shù)為4,則乙的化學(xué)式為CsO;

O

②因CsO中Cu+的電子排布式為[Ar]3dq而CuO中Cu2+的電子排布式為[Ar][Ar]3d9,明

顯Cu+的d軌道為全充滿狀態(tài),較穩(wěn)定,故穩(wěn)定性CuOVCsO;

(3)兩種配體都是10電子的中性分子,且都含氫元素,可知兩配體分別為H?O和NH3;

①兩種配體分子中N和O均有孤對電子,可與中心原子間形成配位鍵,O的非金屬性比N

u

強(qiáng),即電負(fù)性0>N,且NH3的穩(wěn)定性小于H2O,NH3的電子式為“?

H:N:H

②由該配合物陽離子的結(jié)構(gòu)可知含有4個(gè)N%和2個(gè)H2O,則與SCV-形成的配合物X的

化學(xué)式為[CU(H2O)2(NH

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