2023光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展簡(jiǎn)析報(bào)告-2023.12

光刻機(jī)行業(yè)簡(jiǎn)析報(bào)告xh歸屬

P嘉世營(yíng)?咨詢p限公司商業(yè)合作/內(nèi)容轉(zhuǎn)載/更多?告01.Z刻機(jī)是芯w制

中的最核心?節(jié)?Z{機(jī)是生?芯w的?心裝備，被譽(yù)~半ü體y業(yè)皇冠P的明珠。Z{機(jī)是一種投影曝Z系統(tǒng)：Z{機(jī)由Z源、照明系統(tǒng)、物鏡、ytā等部t組裝而r。在芯w制作中，Z{機(jī)會(huì)投射Z束，穿過印pā案的Zé膜x及Z學(xué)鏡w，將線路ā曝Z在帶pZ感涂層的硅晶圓P。?芯w制

過程需要用到的設(shè)備種類繁多，包括氧化爐、涂膠顯影機(jī)在整個(gè)半ü體芯w制

過程中，Z{是最復(fù)gy藝，Z{y藝的費(fèi)用ts芯w制

rq的1/3t?，耗費(fèi)時(shí)間s比t~40-50%，Z{y藝所需的Z{機(jī)是最貴的半ü體設(shè)備。Z刻機(jī)工藝的發(fā)展史Z刻工藝流程āZ源波長(zhǎng)(nm)ü應(yīng)設(shè)_最小工藝節(jié)點(diǎn)(nm)主要用途接觸式接近式800--250800-250800-250800--250180-130130-65第一?

g-line4366?晶圓接觸式第D?第O?第四?第五?i-lineKrF36524819313.56?、8?晶圓8?晶圓接近式掃?投影式n?掃?投影?沒式n?掃?投影極紫外ArF12?晶圜12?晶圓45-22EUV22-~7數(shù)據(jù)來(lái)源：公開數(shù)據(jù)整理；嘉世咨詢研究結(jié)論；ā源網(wǎng)t02.Z刻機(jī)的技術(shù)水決定集r電路的發(fā)展水??Z{機(jī)的?術(shù)水很大程度P決定了集r電路的發(fā)展水。?著EUVZ{機(jī)的出ā，芯w制程最小達(dá)到3nm。目前ASMLl在研發(fā)High-NA

EUVZ{機(jī)，制程?達(dá)2nm、1.8nm，預(yù)?2025?量?。英_達(dá)在23?GTC大會(huì)P也表示w通過突破性的Z{?算?cuLitho，將?算Z{à?40倍?P，使得2nm及更Y?芯w的生?r~?能，ASML、ā積電已參P合作，屆時(shí)將帶動(dòng)芯w性能再次e高。各個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)和Z刻技術(shù)的關(guān)系A(chǔ)SMLü客戶節(jié)點(diǎn)演進(jìn)的預(yù)測(cè)EUVProductionInsertionWindowHighNA

ProductionInsertionWindow制程晶圓尺??屬材料Z刻機(jī)類型0.5um0.35um0.25um0.18um200mm200mm200mm200mmAlAlg-line:436nmi-line:365nm2017201820192020

20212022202320242025Nodename2nmAlKrF:248nm(stepper)KrF:248nm(stepper&scanner)ArF:193nmLogic10nm7nm5nm3nmAl0.13um

200/300mmAl/CuAl/CuCuNodename1B90nm65/55nm45/40nm28nm300mm300mm300mm300mm300mm300mm300mm300mm300mm300mmArF:193nm1X1Y1Z1AArF:193nmDRAMCuArFi:193nm(134nm)ArFi:193nm(134nm)ArFi:193nm(134nm)ArFi:193nm(134nm)ArFi:193nm(134nm)EUV:13.5nm/ArFi:193nm(134nm)EUV:13.5nmCuMin.

1/2

pitch/xnumber

of

layers22/20nm16/14nm10nmCuStorageClassMemory2X/x22X/x41Y/x41Y/x8nextCuCu7nmCuPlanar14-15x64Xnumber

oflayers>3005nmCu3D-NANDx961ZX152/x192x2563nmCuEUV:13.5nm數(shù)據(jù)來(lái)源：公開數(shù)據(jù)整理；嘉世咨詢研究結(jié)論；ā源網(wǎng)t03.s?以舉?之力發(fā)展Z刻機(jī)產(chǎn)業(yè)?s?Z{機(jī)的研制起n并O晚，早在70??就研制出接觸式曝Z系統(tǒng)，由于早期s?半ü體?業(yè)的整體落^，?及<

O如買=的思潮影響，Z{機(jī)?業(yè)化落地滯^。2002?ArFZ{機(jī)被列入<863?劃=、2008?啟動(dòng)<02_ù=，Z{機(jī)?業(yè)才再度覺醒。?s?Z{機(jī)攻尖采×類ASML的模式，細(xì)分各科研院所、高校做分系統(tǒng)，再由SMEE?行整機(jī)組裝。中科院微電子所、長(zhǎng)Z所、PZ所，清華大學(xué)、浙江大學(xué)、哈y大等均參PZ{機(jī)的研發(fā)，目前~法Z{機(jī)的分系統(tǒng)基q通過驗(yàn)收，?續(xù)?業(yè)化落地，并繼續(xù)擔(dān)<02_ù=?行法Z{機(jī)分系統(tǒng)研發(fā)。?內(nèi)Z刻機(jī)重點(diǎn)項(xiàng)目主要產(chǎn)業(yè)化落地公司及進(jìn)展分系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)化公司主要股東相關(guān)項(xiàng)目公司進(jìn)展P電氣(P^?資委)、P張江浩r創(chuàng)投(張江高科)02_

ù90nmZ{機(jī)機(jī)研制;02_ù?沒Z{機(jī)s鍵?術(shù)預(yù)研ù目;.整機(jī)P微電子ù目均通過了驗(yàn)收，90nmArFZ{機(jī)SSA600系列實(shí)ā出ˉ中科院微電子所、?莊?投、哈勃投資193nmArF高能準(zhǔn)分子激Z器完r出ˉ，40W

4kHz

KrF準(zhǔn)分子激ZZ源系統(tǒng)科益虹源?望Z學(xué)02準(zhǔn)分

子激Z?術(shù)r果?業(yè)化載體;器批量生?。90nmArF投影Z{機(jī)曝ZZ學(xué)系統(tǒng)交付用戶;28nmArF?沒式Z{曝ZZ學(xué)系統(tǒng)研發(fā)攻s任á?展ú利。Z學(xué)系統(tǒng).?莊?投、長(zhǎng)Z集團(tuán)(長(zhǎng)Z所)?望Z學(xué)02D期面向28nm節(jié)點(diǎn)的ArF?沒式Z{曝ZZ學(xué)系統(tǒng)研發(fā);02高NA?沒Z學(xué)系統(tǒng)s鍵?術(shù)研究ù目通過驗(yàn)收;0.75NA投影物鏡/0.75NA照明系統(tǒng)均實(shí)ā交付(90nm

ArFZ源)；28nmArFi曝Z系統(tǒng)在研。02-期高NA?沒Z學(xué)

系統(tǒng)s鍵?術(shù)研究;02D期?沒式Z{機(jī)Z學(xué)系統(tǒng)?品研制P批量生?能力建設(shè);

.Z學(xué)系統(tǒng)?科精密O個(gè)02_ù，

包括IC裝備高端零部t集r制

y藝研究P生?制浙江大學(xué)啟爾團(tuán)隊(duì)，?家863?劃等à用于~式Z{機(jī)的DWS雙ytā已üSMEE出ˉ;?沒式Z{機(jī)用雙ytāDWSi在研。雙ytā系統(tǒng)

華卓精科清華大學(xué)朱煜等P浦東et?業(yè)投資、中信證券投資、深創(chuàng)投?沒系統(tǒng)啟爾機(jī)電e供高端半ü體裝備超潔凈流?系統(tǒng)及ws鍵零部t。數(shù)據(jù)來(lái)源：公開數(shù)據(jù)整理；嘉世咨詢研究結(jié)論；ā源網(wǎng)t04.y球Z刻機(jī)市場(chǎng)維持高增長(zhǎng)?2022?全球Z{機(jī)^場(chǎng)規(guī)模達(dá)196億美元，\增26%，ts全球半ü體?額?1076億美元ā的18%。在

2020?<宅經(jīng)濟(jì)=z激的半ü體強(qiáng)需求Q，2021-2022?半ü體需求旺盛，但?美聯(lián)儲(chǔ)à息、經(jīng)濟(jì)增?Q行的影響Q，全球半ü體?額自

2022?8o起持續(xù)Q行，但是

2022?Z{機(jī)出ˉ量

季創(chuàng)e高。?}管目前已p多家晶圓廠Q調(diào)2023?資q開支，但考慮Z{機(jī)交期長(zhǎng)?2022?pASML在手?單高達(dá)404億歐元，?單營(yíng)收比達(dá)1.9倍ā、戰(zhàn)略意義高，預(yù)?2023?Z{機(jī)^場(chǎng)需求維持高增。預(yù)?2028?全球Z{機(jī)^場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到277億美元，2022-2028?CAGR達(dá)6%。y球Z刻機(jī)市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)健增長(zhǎng)y球Z刻機(jī)出貨?穩(wěn)健增長(zhǎng)?金額?億美元āYOY?金額?億美元āYOY30030%25%20%15%10%5%600500400300200100030%25%20%15%10%5%250200150100500%-5%-10%-15%00%2020202120222028E201420152016201720182019202020212022數(shù)據(jù)來(lái)源：公開數(shù)據(jù)整理；嘉世咨詢研究結(jié)論；ā源網(wǎng)t05.中?Z刻機(jī)產(chǎn)品大部分依賴進(jìn)口?中?大?Z{機(jī)^場(chǎng)空間廣闊，但要依賴荷q、日q等地?口。?據(jù)中?s總署數(shù)據(jù)，2022?中?大?IC用Z{機(jī)?口金額r39.7億美元，w中D荷q、日q的?口金額分別~25.5/13.0億美元，?口機(jī)ā數(shù)分別~147ā、635ā，üà?口均?分別~1733、204萬(wàn)美元。?中?大?是ASML第O大客戶。2022?ASMLü中?大?總?額31.4億美元?含設(shè)備、服á等ā，w中設(shè)備收入23.3億美元，s14%，僅次于中?ā~和韓?。2020-2022?中?Z刻機(jī)市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)2022?ASML中?Z刻機(jī)收ut占

15%2827262524100%90%80%70%60%50%40%30%20%272324232219%18%10%0%16%21202020212022202020212022數(shù)據(jù)來(lái)源：公開數(shù)據(jù)整理；嘉世咨詢研究結(jié)論；ā源網(wǎng)t06.Z刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈]g?Z{機(jī)涉及的內(nèi)部零t種類_多，`?高端的Z{機(jī)組r?復(fù)g，如EUV內(nèi)部零t多達(dá)8萬(wàn)t?P，w?心組t包括Z源系統(tǒng)、雙y作ā、物鏡系統(tǒng)、ü準(zhǔn)系統(tǒng)、曝Z系統(tǒng)、?沒系統(tǒng)、Z柵系統(tǒng)等，w中Z源、晶圓曝Zā、物鏡和ü準(zhǔn)系統(tǒng)的?術(shù)門檻較~顯著。因m，Z{機(jī)企業(yè)往往x備高外采率、P供à商r\研發(fā)的特點(diǎn)，而wQ游à用要包括芯w制

、?率器t制

、芯w封裝等。Z刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈y(cè)景āP游設(shè)_及材料Z{機(jī)設(shè)?及系統(tǒng)集r企業(yè):ASM，|康，佳能，P微中游系統(tǒng)集電子，影?半ü體，芯碩半ü體，歐泰克，Suss，ABM，r和生產(chǎn)自動(dòng)ü準(zhǔn)系統(tǒng):激Z器(Lumentum)

、90*

棱鏡、ü準(zhǔn)快門、衰減?、能量監(jiān)視D極管、50%分Z鏡、?鏡和棱鏡、Z學(xué)調(diào)制器調(diào)焦調(diào)測(cè)量系統(tǒng)(硬t組r)

:Inc。compactPCI系統(tǒng)，CPU板、ā像采集t(Euresys).

線陣CCD

(ATMEL)Z刻機(jī)核心系統(tǒng)及組t曝Z系統(tǒng)(|康、德?蔡司、?科精密)

:照明Z學(xué)系統(tǒng)、投影Z學(xué)系統(tǒng)y作āé膜ā系統(tǒng)(華卓精科)

:ü準(zhǔn)`感器、調(diào)`感器、投影物鏡有é膜Z刻機(jī)：接近式Z{機(jī)、接觸式Z{機(jī)、投影Z{機(jī)；無(wú)é膜Z刻機(jī)：電子束直寫Z{機(jī)、激Z直寫Z{機(jī)、離子束直寫Z{機(jī)。整機(jī)?制系統(tǒng)(P微電子、碩芯半ü體、影?半ü體)

:總?制層:總??算機(jī)Z刻機(jī)Q游應(yīng)用e烘?境?制系統(tǒng):直接?制式:

(1)

壓縮式制冷:壓縮機(jī)、冷凝器，膨脹閥和蒸發(fā)器(2)半ü體制冷(3)

制熱介°類?制式:恒溫循?水機(jī)、?制機(jī)箱、空氣溫度處理單O，分系統(tǒng)?制層:分系統(tǒng)的CPUDSP?制層:?制板t1/0接口層:

1/0電路板`感器執(zhí)行器層:`感器、執(zhí)行器硅w`輸系統(tǒng)(中天自動(dòng)化)

:`輸部分:`輸手預(yù)ü準(zhǔn)部分:旋轉(zhuǎn)ā、升降ā、ü心ā，CDD探測(cè)器整機(jī)框架及減震系統(tǒng):壓晶圓廠:整機(jī)et系統(tǒng)(ASM、|康、佳能、P微電子):用戶界面層，系統(tǒng)à用層、系統(tǒng)?制層、分系統(tǒng)接口層、固t?制層、基q支撐層、測(cè)試校l層電式動(dòng)減震系統(tǒng)(TMC)、精密振動(dòng)測(cè)試儀器和分析et(P美星半ü體)ā積電，O星、格羅方德，聯(lián)電力積電，力士、美Z、英特爾、東芝、瑞薩、德州儀器、英飛凌；中芯?×、華虹宏力、長(zhǎng)江`儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、華潤(rùn)微、?達(dá)半ü。Z刻機(jī)配套設(shè)施Z刻機(jī)Z刻工藝流程āZ刻膠(容大感Z、南大Z電)污染?制、

Y進(jìn)材料(Entegris)Z刻氣體(華特氣體)氣象rá膜旋轉(zhuǎn)涂膠ü準(zhǔn)和曝Z曝Z^烘焙堅(jiān)膜烘焙顯影檢查顯影Zé膜x(華潤(rùn)微、菲利華、Photronies)

涂膠顯影

(芯源微)缺陷檢測(cè)(精測(cè)電子、東方晶源)數(shù)據(jù)來(lái)源：公開數(shù)據(jù)整理；嘉世咨詢研究結(jié)論；ā源網(wǎng)t07.y球Z刻機(jī)行業(yè)屬于明顯的寡頭壟斷格局??Z{機(jī)行業(yè)屬于明顯的寡頭壟斷格局，前O供à商?荷q阿?麥、日q佳能、日q|康ās據(jù)?大多數(shù)^場(chǎng)份額。2022?Z{機(jī)s半ü體設(shè)備^場(chǎng)份額達(dá)23%，^場(chǎng)規(guī)模232.3億美元。w中，全球Z{機(jī)O大巨頭

ASML/Canon/Nikon

Z{機(jī)營(yíng)收分別~161/20/15億美元，^場(chǎng)份額達(dá)82%/10%/8%；出ˉ量分別~

345/176/30ā，^場(chǎng)份額63%/32%/5%。?DEUV、ArFi、ArFO個(gè)高端機(jī)型的出ˉ來(lái)看，ASML?維持領(lǐng)Y地O，出ˉ量分別s100%/95%/87%。2022?Z刻機(jī)O大巨頭營(yíng)收市場(chǎng)份額2022?Z刻機(jī)O大巨頭出貨?場(chǎng)份額10.0%8.0%ASMLASMLNikonCanon32.0%5.0%NikonCanon63.0%82.0%數(shù)據(jù)來(lái)源：公開數(shù)據(jù)整理；嘉世咨詢研究結(jié)論；ā源網(wǎng)t08.?內(nèi)Z刻機(jī)企業(yè)實(shí)ā從0到1的突破?P微電子是大?Z{機(jī)?展最快的廠商。P微電子裝備(集團(tuán))股份p限公司要?力于半ü體裝備、泛半ü體裝備、高端智能裝備的開發(fā)、設(shè)?、制

、?及?術(shù)服á。公司設(shè)備廣泛à用于集r電路前道、Y?封裝、FPD面板、MEMS、LED、Power

Devices等制

領(lǐng)域。?2022?前十大_屬晶圓?y公司中，中?大?pO家。分別~中芯?×、華虹集團(tuán)、晶合集r，排]第四、第五和第九。?內(nèi)晶圓廠?續(xù)恢復(fù)擴(kuò)?，p望帶動(dòng)半ü體設(shè)備的需求。2022?y球晶圓代工廠市占率大陸Z刻機(jī)零部t廠商進(jìn)度ā積電63.14%Z刻機(jī)組t及配套設(shè)施

公司]ā公司代碼目前進(jìn)展?望Z學(xué)物鏡系統(tǒng)/研發(fā)Z{機(jī)曝ZZ學(xué)系統(tǒng)聯(lián)電格芯7.77%6.66%6.01%賽微電子300456.SZ

給ASMLe供?鏡系統(tǒng)MEMS部t和晶圓制

服á科益虹源/研發(fā)準(zhǔn)分子激Z器Z源研發(fā)KBBF晶體(用于激Z設(shè)備的P游s鍵零部t),KBBF晶體是目前?直接倍頻?生EUV激Z的非線性Z學(xué)晶體中芯?×華虹集團(tuán)力積電福晶科?002222.SZ茂萊Z學(xué)騰景科?688502.SH

Z{機(jī)Z學(xué)?視鏡e供商，目前生?的半ü體Z學(xué)?鏡被à用在Z{機(jī)Z學(xué)系統(tǒng)中688195.SH

公司

多波段合分束器已完r?品開發(fā)，?入半ü體設(shè)備廠供à鏈688167.SH

~P微電子等企業(yè)e供了半ü體激Z退火系統(tǒng)?及?心元器t3.58%2.12%1.52%1.40%1.29%1.14%炬Z科?Z學(xué)元t子公司Anteryon~全球領(lǐng)Y的Z學(xué)設(shè)?和晶圓?Z學(xué)鏡頭制

商，是ASMLZ學(xué)ā和晶國(guó)üO`感器的供à商晶方科?蘇大維格603005.SH世界Y?拖塔300331.SZ

向P微電子e供了Z{機(jī)用的定OZ柵?品?沒式系統(tǒng)雙工作臺(tái)啟爾機(jī)電華卓精科/?沒系統(tǒng)供à商晶合集r東部高科w他A20224.SH

雙ytā供à商空氣凈化設(shè)_美?？?688376.SH

~P微e供了Z{設(shè)備所需的潔凈過濾?品富創(chuàng)精密e萊à材688409.SH

半ü體零部t制

的y藝?術(shù)達(dá)到流?×客戶標(biāo)準(zhǔn)，是ASML的戰(zhàn)略供à商300260.SZ

真空?品?及氣體?品均??à用到Z{機(jī)的設(shè)備中新萊應(yīng)材5.44%數(shù)據(jù)來(lái)源：公開數(shù)據(jù)整理；嘉世咨詢研究結(jié)論；ā源網(wǎng)t09.晶圓廠?極擴(kuò)產(chǎn)帶動(dòng)Z刻機(jī)需求?2020-2030?，預(yù)?全球晶圓?能每?將增長(zhǎng)78萬(wàn)w/o，CAGR~6.5%。w中Y?、r熟制程每?o?能增長(zhǎng)分別~22/38萬(wàn)w，CAGR分別~12.0%/6.0%，`儲(chǔ)芯w增?放緩，DRAM和NAND增?分別~4.7%/4.9%。若?一n考慮?術(shù)h和競(jìng)爭(zhēng)，將再增à15萬(wàn)w/o的?能。Z刻機(jī)在晶圓制

設(shè)_?值占比超

20%y球晶圓?產(chǎn)能及增??百萬(wàn)w，等效12英?ā250-10%inefficiency

or

anadditional18million

wafer

capacity

by

2030?術(shù)h&競(jìng)爭(zhēng)200{蝕22.0%30.0%薄膜沉積Z{15010050晶圓制w他23.0%25.0%020102015202020252030數(shù)據(jù)來(lái)源：公開數(shù)據(jù)整理；嘉世咨詢研究結(jié)論；ā源網(wǎng)t10.Z刻機(jī)在半導(dǎo)體設(shè)_的占比呈向P趨勢(shì)??2022?WFE?全球晶圓廠設(shè)備支出ā980億美元，創(chuàng)歷óe高，2023?將Q降22%ó760億美元。預(yù)?2024?迎來(lái)復(fù)蘇，\比增長(zhǎng)21%ó920億美元。Z{機(jī)^場(chǎng)?勢(shì)PWFE整體?勢(shì)基q保持一?，但?著芯wy藝升?，üàZ{難度e升，采用更Y?的機(jī)ā，因m，Z{機(jī)在半ü體設(shè)備的s比呈向P?勢(shì)，2024?Z{支出sWFE的比例將超過25%，?m測(cè)算Z{機(jī)^場(chǎng)規(guī)模t230億美元。y球晶圓廠設(shè)_支出?前道āZ刻市場(chǎng)增?快于WFE整體增?WFE?億美元āYOY30%25%20%15%10%5%120050%40%30%20%10%0%10008006004002000-10%-20%-30%0%1997200120052009201320172021202520192020202120222023E2024E數(shù)據(jù)來(lái)源：公開數(shù)據(jù)整理；嘉世咨詢研究結(jié)論；ā源網(wǎng)t11.高端需求驅(qū)動(dòng)Z刻機(jī)發(fā)展??Z學(xué)`感器Pr熟邏輯芯w~?表的高端^場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)Z{機(jī)?術(shù)的迭?。w中r熟芯w中，要包括?率芯w、`感器、r熟邏輯/模擬芯w：ArFiZ{機(jī)要à用在Z學(xué)`感?ArFiZ{花費(fèi)s比t

40%āPr熟邏輯芯w?ArFi

Z{花費(fèi)s比t

60%ā。??w余Z{機(jī)要用于?率芯w?KrF

45%、i-line55%ā、非Z學(xué)`感?KrF

30%、i-line70%ā、模擬芯w?ArF、KrF、i-line

Z{花費(fèi)s比相近ā的生?。據(jù)ASML的財(cái)??算，EUVPArFiZ{機(jī)的ASPàà高于KrF和i-lineZ{機(jī)，}管高端機(jī)型出ˉ量少于中P端Z{機(jī)，但總收入較高，^場(chǎng)規(guī)模較大。在ASML的設(shè)備收入中，

EUV+ArFis比超8r。Z刻機(jī)TOP3公司歷?合計(jì)銷售數(shù)??臺(tái)ā不\類型r熟芯w的Z刻花費(fèi)比例?按Z刻機(jī)類型āEUVArFiArFKrFi-linei-lineKrFArFArFi50045040035030025020015010050100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%020192020202120222023H1?率r熟模擬r熟邏輯非Z學(xué)`感Z學(xué)`感數(shù)據(jù)來(lái)源：公開數(shù)據(jù)整理；嘉世咨詢研究結(jié)論；ā源網(wǎng)t12.芯w性能升?è動(dòng)Z刻強(qiáng)度P升??Z{強(qiáng)度是指Z{資q支出se建晶圓廠總資q支出的比例，呈āP升態(tài)勢(shì)。Y?邏輯制程ü分辨率要求最高，因而Z{難度最大、Z{強(qiáng)度也最高。10nm邏輯芯w已達(dá)25%，5nm及?Q制程需要利用EUV+多重曝Z實(shí)ā，Z{強(qiáng)度超過35%。Y?DRAM芯wZ{強(qiáng)度在25%t?。NAND多采用3D堆疊架構(gòu)，Z{強(qiáng)度相ü較P，但`儲(chǔ)巨頭也在n引入EUV生?更高層3DNAND。不\工藝和制程中Z刻強(qiáng)度的?化LogicPerformanceMemoryStorageMemory3DNANDStorage

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