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版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
ICS29.180
K41
DB13
河北省地方標(biāo)準(zhǔn)
DB13/T2005—2014
電阻分壓電子式電壓互感器
DB13/T2005—2014
電阻分壓電子式電壓互感器
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電阻分壓電子式電壓互感器的使用條件、技術(shù)要求、試驗(yàn)分類、標(biāo)志和補(bǔ)充要求。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于新制造、修理后的模擬量或數(shù)字量輸出的電阻分壓電子式電壓互感器,供頻率為15
Hz~100Hz的電氣測(cè)量?jī)x器和電氣保護(hù)裝置使用。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本標(biāo)準(zhǔn)的引用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅所注日期的版本適用于本標(biāo)
準(zhǔn)。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB311.1-2012絕緣配合第1部分:定義、原則和規(guī)則
GB1207-2006電磁式電壓互感器
GB4208-1993外殼防護(hù)等級(jí)(IP代碼)
GB/T4798.3-1990電工電子產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境條件第3部分:有氣候防護(hù)場(chǎng)所固定使用
GB4820工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)射頻設(shè)備騷擾特性限值和測(cè)量方法
GB/T5582高電壓電力設(shè)備外絕緣污穢等級(jí)
GB/T7354-2003局部放電測(cè)量
GB11604高壓電氣設(shè)備無線電干擾測(cè)量方法
GB/T16927.1高電壓試驗(yàn)技術(shù)第1部分:一般定義及試驗(yàn)要求
GB/T16927.2高電壓試驗(yàn)技術(shù)第2部分:測(cè)量系統(tǒng)
GB/T17626(所有部分)電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)
GB/T20840.7-2007互感器第7部分:電子式電壓互感器
DL/T726電力用電壓互感器訂貨技術(shù)條件
3術(shù)語和定義
GB/T20840.7界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。
3.1
電阻分壓電子式電壓互感器(REVT)
是一種以精密分壓電阻作為一次電壓傳感器的電子式互感器,在正常使用條件下,其二次電壓實(shí)質(zhì)
上正比于一次電壓,且相位差在聯(lián)結(jié)方向正確時(shí)接近于零。該互感器的一次和二次的公共端子直接接地。
4通用要求
4.1概述
所有的電阻分壓電子式電壓互感器(以下簡(jiǎn)稱REVT)皆適合于測(cè)量用,但有一些類型也可適合于保
護(hù)用。測(cè)量和保護(hù)雙用途的REVT應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)的全部條款。
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4.2咨詢、招標(biāo)和訂貨所需內(nèi)容
為咨詢或訂購(gòu)REVT提出技術(shù)條件時(shí),需按表1列出的項(xiàng)目確定其性能。
表1REVT的規(guī)范內(nèi)容
額定值縮寫符號(hào)條款編號(hào)
額定機(jī)械強(qiáng)度FR7.7
設(shè)備最高電壓Um7.1
額定絕緣水平7.1
使用條件5
額定頻率?r6.4
額定一次電壓Upr6.1
額定二次電壓Usr6.1
額定電壓因數(shù)ku6.3
額定輸出Sr6.2
準(zhǔn)確級(jí)9.3
短路承受能力7.3
互感器準(zhǔn)確度的環(huán)境穩(wěn)定性能9.3.2
互感器準(zhǔn)確度長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行穩(wěn)定性能9.3.4
5使用條件
5.1環(huán)境條件
應(yīng)達(dá)到下列要求:
——海拔高度:≤1000m;
——環(huán)境溫度:-5℃~+45℃(戶內(nèi));-40℃~+70℃(戶外);
——最大日溫差:25K;
——最大相對(duì)濕度:95%(日平均);90%(月平均);
——大氣壓力:86kPa~106kPa;
——抗震能力:水平加速度0.30g,垂直加速度0.15g;
——風(fēng)速:不大于35m/s(戶外)。
注1:以上環(huán)境條件可根據(jù)具體工程調(diào)整。
注2:安裝處海拔超過1000m時(shí),在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下的弧閃距離,應(yīng)由使用地區(qū)要求的額定耐受電壓乘以按圖1查得
的因數(shù)k來確定。
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圖2海拔校正因數(shù)
5.2系統(tǒng)運(yùn)行條件
運(yùn)行條件要求見表2。
表2運(yùn)行條件要求
標(biāo)稱電壓最高電壓額定頻率
系統(tǒng)中性點(diǎn)接地方式
(kV)(kV)(Hz)
50055050有效接地
33036350有效接地
22025250有效接地
11012650有效接地
6672.550有效接地
3540.550接地系統(tǒng)或絕緣系統(tǒng)
202450接地系統(tǒng)或絕緣系統(tǒng)
1517.550接地系統(tǒng)或絕緣系統(tǒng)
101250接地系統(tǒng)或絕緣系統(tǒng)
67.250接地系統(tǒng)或絕緣系統(tǒng)
33.650接地系統(tǒng)或絕緣系統(tǒng)
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6額定值
6.1額定電壓標(biāo)準(zhǔn)值
6.1.1額定一次電壓和二次輸出電壓(模擬量)值
REVT額定一次電壓和相應(yīng)的二次輸出(模擬量)電壓值確定,按表3參照?qǐng)?zhí)行。
表3額定一、二次電壓值
設(shè)備最高電壓系統(tǒng)標(biāo)稱電壓REVT額定一次電壓二次輸出電壓值
Um(kV)(kV)Upr(kV)Usr(V)
3.633/32/3
7.266/32/3
121010/32/3
17.51515/34/3
242020/34/3
40.53535/34/3
72.56666/36.5/3
126110110/36.5/3
252220220/36.5/3
363330330/36.5/3
550500500/36.5/3
注:REVT的二次輸出采用數(shù)字信號(hào)時(shí)按附錄A執(zhí)行。
6.2額定輸出標(biāo)準(zhǔn)值
6.2.1額定輸出標(biāo)準(zhǔn)值為0.001VA、0.01VA、0.1VA、0.5VA、1VA、2.5VA、5VA、10VA、15VA、25VA、
30VA。
6.2.2推薦的額定輸出值為:
a)二次電壓≤10V的REVT:0.001VA、0.01VA、0.1VA、0.5VA;
b)二次電壓>10V的REVT:1VA、2.5VA、5VA、10VA、15VA、25VA、30VA。
6.3額定電壓因數(shù)標(biāo)準(zhǔn)值
電阻分壓電子式接地電壓互感器的額定電壓因數(shù)取決于三相系統(tǒng)的接地故障因數(shù)。對(duì)應(yīng)于不同接
地方式的電壓因數(shù)標(biāo)準(zhǔn)值及其允許時(shí)間一并列于下表4。
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表4額定電壓因數(shù)標(biāo)準(zhǔn)值(ku)
額定電壓因數(shù)額定時(shí)間一次端子聯(lián)結(jié)方式和系統(tǒng)接地方式
任一電網(wǎng)的相間。
1.2連續(xù)
任一電網(wǎng)中的變壓器中性點(diǎn)與地之間。
1.2連續(xù)
中性點(diǎn)有效接地系統(tǒng)的相與地之間。
1.530s
1.2連續(xù)
帶有接地故障自動(dòng)切除的中性點(diǎn)非有效接地系統(tǒng)的相與地之間。
1.930s
1.2連續(xù)無接地故障自動(dòng)切除的中性點(diǎn)絕緣系統(tǒng)或無接地故障自動(dòng)切除的共
1.98h振接地系統(tǒng)的相與地之間。
6.4額定標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍
額定標(biāo)準(zhǔn)頻率為50Hz。測(cè)量準(zhǔn)確級(jí)的頻率標(biāo)準(zhǔn)參考范圍應(yīng)為額定頻率的99%~101%,保護(hù)準(zhǔn)確級(jí)則為
96%~102%。
6.5輔助電源
應(yīng)滿足以下要求:
a)宜采用直流供電,額定電壓:DC220/DC110V;
b)允許偏差:20%~+15%;
c)紋波系數(shù):不大于5%。
7技術(shù)要求
7.1一次傳感器的絕緣要求
7.1.1一次端子的額定絕緣水平
REVT一次電壓傳感器的額定絕緣水平依據(jù)其設(shè)備最高電壓Um。額定一次電壓乘以額定電壓因數(shù)應(yīng)不
超過Um。
7.1.1.1對(duì)于設(shè)備最高電壓3.6kV≤Um<300kV的REVT的一次端子,其額定絕緣水平由額定雷電沖擊和
工頻耐受電壓確定,應(yīng)按表5選取。
表5設(shè)備最高電壓3.6kV≤Um<300kVREVT一次端子額定絕緣水平
額定絕緣水平截?cái)嗬纂姏_擊(內(nèi)絕緣)
設(shè)備最高電壓標(biāo)稱電壓額定短時(shí)工頻耐受電壓額定雷電沖擊耐受電壓耐受電壓
(方均根值)(方均根值)(方均根值)(峰值)(峰值)
kVkVkVkVkV
3.63254045
7.26306065
1210427585
17.51555105115
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表5(續(xù))
額定絕緣水平截?cái)嗬纂姏_擊(內(nèi)絕緣)
設(shè)備最高電壓標(biāo)稱電壓額定短時(shí)工頻耐受電壓額定雷電沖擊耐受電壓耐受電壓
(方均根值)(方均根值)(方均根值)(峰值)(峰值)
kVkVkVkVkV
242065125140
40.53595200220
140325360
72.566
160350385
480
126110200530
550
360850950
252220
3959501050
注:對(duì)于暴露安裝的產(chǎn)品,應(yīng)選擇最高的絕緣水平。
7.1.1.2對(duì)于設(shè)備最高電壓Um≥300kV的REVT的一次端子,其額定絕緣水平由額定操作沖擊耐受電壓
和額定雷電沖擊耐受電壓確定,應(yīng)按表6選取。
表6設(shè)備最高電壓Um≥300kVREVT一次端子額定絕緣水平
額定絕緣水平截?cái)嗬纂姏_擊
額定工頻
額定操作沖擊額定雷電沖擊(內(nèi)絕緣)耐受
設(shè)備最高電壓標(biāo)稱電壓耐受電壓
耐受電壓耐受電壓電壓
(方均根值)(方均根值)(方均根值)
(峰值)(峰值)(峰值)
kVkVkV
kVkVkV
85010504601175
363330
95011755101300
105014256301550
550500
117515506801675
注:對(duì)于暴露安裝的產(chǎn)品,應(yīng)選擇最高的絕緣水平。
7.1.2一次端子的其他絕緣要求
7.1.2.1工頻耐受電壓
設(shè)備最高電壓Um≥300kV的REVT的一次端子,亦應(yīng)能承受按表5選擇相對(duì)應(yīng)的工頻耐受電壓。
7.1.2.2局部放電
7.1.2.2.1局部放電技術(shù)要求適用于Um≥7.2kV的REVT。
7.1.2.2.2REVT按10.2.4規(guī)定的程序,經(jīng)施加預(yù)加電壓后,在表7所規(guī)定局部放電測(cè)量電壓下的局部
放電水平,應(yīng)不超過表7規(guī)定的限值。
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表7局部放電測(cè)量電壓和允許水平
一次端子的局部放電測(cè)量電壓局部放電允許水平
系統(tǒng)接地方式
連接方式(方均根值)kVpC
U50
中性點(diǎn)接地系統(tǒng)m
相對(duì)地
(接地故障因數(shù)≤1.4)20
1.2Um3
1.2U50
中性點(diǎn)絕緣或非有效接地系統(tǒng)m
相對(duì)地
(接地故障系數(shù)>1.4)20
1.2Um3
注1:如果系統(tǒng)中性點(diǎn)的接地方式未注明時(shí),則按中性點(diǎn)絕緣或非有效接地系統(tǒng)考慮。
注2:局部放電的允許值也適合于非額定值的頻率。
注3:當(dāng)REVT的額定電壓明顯低于該系統(tǒng)的最高電壓Um時(shí),可由制造方與用戶協(xié)商規(guī)定較低的預(yù)加電壓和局部放電測(cè)
量電壓值。
7.1.2.3截?cái)嗬纂姏_擊耐受電壓
7.1.2.3.1如果另有補(bǔ)充規(guī)定,一次電壓端子也應(yīng)能承受截?cái)嗬纂姏_擊電壓,其峰值為額定雷電沖擊電
壓的115%(按照表5、表6相對(duì)應(yīng)的Um選取)。
7.1.2.3.2即使這不是高壓傳感器本身技術(shù)所要求的,截?cái)嗬纂姏_擊試驗(yàn)也有助于檢驗(yàn)二次轉(zhuǎn)換器耐
受感應(yīng)高電壓作用的能力。試驗(yàn)布置應(yīng)由制造廠和用戶協(xié)商規(guī)定。
7.1.3外絕緣要求(污穢)
對(duì)帶有易受污穢的支柱型的戶外型REVT,其給定污穢等級(jí)下的最小標(biāo)稱爬電比距按表8選取。
表8爬電距離
最小標(biāo)稱爬電比距爬電距離
污穢等級(jí)
mm/kV弧閃距離
Ⅰ輕16
≤3.5
Ⅱ中20
Ⅲ重25
≤4.0
Ⅳ嚴(yán)重31
注1:表面絕緣特性深受支柱型的形狀影響。
注2:在極輕的污穢地區(qū),根據(jù)運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)可采用標(biāo)稱爬電比距低于16mm/kV,但最低約為12mm/kV。
注3:對(duì)于特別嚴(yán)重的污穢情況,標(biāo)稱爬電比距取31mm/kV可能不滿足。根據(jù)運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)和/或試驗(yàn)室試驗(yàn)結(jié)果,可采用更
大的爬電比距,但對(duì)某些情況有必要考慮沖洗的可行性。
注4:對(duì)于易受污穢的支柱型的戶內(nèi)型REVT,可參照本規(guī)定選取其表面絕緣的爬電比距。
7.2低電壓器件的絕緣要求
低電壓器件一般包括多個(gè)相互電氣絕緣的獨(dú)立電路。其絕緣應(yīng)能滿足以下要求。
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7.2.1工頻電壓耐受能力
耐受電壓水平:2kV(方均根值)。
7.2.2沖擊電壓耐受能力
耐受電壓水平:5kV
7.3短路承受能力
REVT的設(shè)計(jì)和制造,在額定電壓下,應(yīng)能承受二次電壓端子間外部短路歷時(shí)120s的機(jī)械效益和熱效
應(yīng)而無損傷。
7.4溫升限值
7.4.1通用要求
REVT的設(shè)計(jì)和制造,應(yīng)能承受下述條件的熱效應(yīng),各器件溫升不超過規(guī)定限值45K且無損傷:
——規(guī)定的最高環(huán)境溫度;
——額定頻率;
——1.2倍額定一次電壓;
——輔助電源電壓和二次負(fù)荷綜合作用,使二次轉(zhuǎn)換器具有最大的內(nèi)部功耗。
7.4.2補(bǔ)充要求
REVT的設(shè)計(jì)和制造,應(yīng)能無損傷地承受7.4.1所述條件的熱效應(yīng),但電壓因數(shù)和時(shí)間按照表4的規(guī)定。
7.5無線電干擾電壓(RIV)要求
無線電干擾電壓試驗(yàn)的目的是檢驗(yàn)REVT上電暈放電的發(fā)射。電暈放電主要原因是高壓零部件和瓷箱
表面的局部放電。此試驗(yàn)適合于Um≥126kV的REVT。其要求和試驗(yàn)程序見GB1207-2006。
7.6傳遞過電壓要求
傳遞過電壓試驗(yàn)的目的是檢驗(yàn)傳遞過電壓從REVT一次向二次輸出或電源的傳播狀態(tài)。過電壓產(chǎn)生的
主要原因是高壓設(shè)備的操作。其要求和試驗(yàn)程序見GB1207-2006。
7.7結(jié)構(gòu)要求
7.7.1REVT的絕緣材料應(yīng)具有高機(jī)械強(qiáng)度、低介電損耗和抗老化特性。對(duì)于Um≥72.5kV的REVT能承
受的靜態(tài)載荷執(zhí)行GB/T20840.7標(biāo)準(zhǔn)中第6.11條的規(guī)定。
7.7.2REVT的瓷套材質(zhì)宜選用硅橡膠,傘裙結(jié)構(gòu)宜選用不等徑大小傘。
7.7.3REVT應(yīng)為防水結(jié)構(gòu),有良好的密封性能;硅橡膠外套應(yīng)設(shè)計(jì)有足夠的機(jī)械強(qiáng)度、絕緣強(qiáng)度和剛
度;絕緣及其裝配件的結(jié)構(gòu)應(yīng)保證其任何部分因熱脹冷縮引起的應(yīng)力不致于導(dǎo)致結(jié)構(gòu)損傷。
7.7.4REVT的結(jié)構(gòu)應(yīng)便于現(xiàn)場(chǎng)安裝,不允許在現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行裝配工作。
7.7.5金屬件外露表面應(yīng)根據(jù)需方要求著相應(yīng)顏色,產(chǎn)品銘牌及端子應(yīng)符合圖樣要求。
7.7.6所有端子及緊固件應(yīng)有足夠的機(jī)械強(qiáng)度和保護(hù)良好的導(dǎo)電接觸。
8
DB13/T2005—2014
7.7.7接地螺栓直徑不得小于8mm,接地處金屬表面平坦,連接孔的接地板面積足夠,并在接地處旁標(biāo)
有明顯的接地符號(hào)。
7.8防護(hù)等級(jí)
對(duì)于高電壓設(shè)備的包含電源電路零件并可從外部透入的所有外殼,以及所有高電壓設(shè)備裝置的低電
壓控制電路和/或輔助電路及機(jī)械操作機(jī)構(gòu)的外殼,皆應(yīng)按照GB/T4208.7規(guī)定其防護(hù)等級(jí)。
7.9電磁兼容要求
布置在無任何抗干擾措施的配電裝置區(qū)內(nèi)REVT,要求其抗干擾性能符合IEC標(biāo)準(zhǔn)要求,并應(yīng)通過表9
中電磁兼容試驗(yàn),獲得相應(yīng)的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。
表9抗擾度要求和試驗(yàn)
試驗(yàn)引用標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)酷等級(jí)評(píng)價(jià)準(zhǔn)則
電壓慢變化抗擾度GB/T17626.29+20%~-20%A
50%暫降×0.1sc
電壓暫降和短時(shí)中斷抗擾度GB/T17626.29A
中斷×0.05sc
浪涌(沖擊)抗擾度GB/T17626.54B
電快速瞬變脈沖群抗擾度GB/T17626.44B
振蕩波抗擾度GB/T17626.123B
靜電放電抗擾度GB/T17626.22B
工頻磁場(chǎng)抗擾度GB/T17626.85A
脈沖磁場(chǎng)抗擾度GB/T17626.95B
阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度GB/T17626.105B
射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度GB/T17626.33A
注1:A——滿足準(zhǔn)確度規(guī)范限值以內(nèi)的正常性能。
注2:B——允許與保護(hù)無關(guān)的測(cè)量性能暫時(shí)下降或能夠自動(dòng)恢復(fù)的自診斷動(dòng)作。不允許復(fù)位或重新啟動(dòng)。不允許輸出過
電壓超過500V。對(duì)于保護(hù)用電子式互感器,不允許性能下降致使繼電保護(hù)裝置誤動(dòng)。
8試驗(yàn)分類
本標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的試驗(yàn)分為型式試驗(yàn)、例行試驗(yàn)和特殊試驗(yàn)。
8.1型式試驗(yàn)
對(duì)每種型式互感器所進(jìn)行的試驗(yàn),用于驗(yàn)證按同一技術(shù)規(guī)范制造的互感器均應(yīng)滿足、且在例行試驗(yàn)
中未包括的要求。
注:在一臺(tái)具有較小差別的互感器上所做的型式試驗(yàn),經(jīng)制造方和用戶協(xié)商同意,也可認(rèn)為有效。
下列試驗(yàn)是型式試驗(yàn),詳見有關(guān)條文:
a)額定雷電沖擊試驗(yàn)(見9.1.2);
b)操作沖擊試驗(yàn)(見9.1.3);
c)戶外型REVT的濕試驗(yàn)(見9.2);
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d)準(zhǔn)確度試驗(yàn)(見9.3);
e)異常條件耐受能力試驗(yàn)(見9.4);
f)無線電干擾電壓試驗(yàn)(見9.5);
g)傳遞過電壓試驗(yàn)(見9.6);
h)電磁兼容試驗(yàn):發(fā)射試驗(yàn)(見9.7);
i)電磁兼容試驗(yàn):抗擾度試驗(yàn)(見9.8);
j)低壓器件的沖擊耐壓試驗(yàn)(見9.9)。
除非另有規(guī)定,各項(xiàng)絕緣型式試驗(yàn)應(yīng)在同一互感器上進(jìn)行。REVT應(yīng)在經(jīng)受8.1規(guī)定的型式試驗(yàn)外,還
能經(jīng)受8.2規(guī)定的全部例行試驗(yàn)。
8.2例行試驗(yàn)
每臺(tái)REVT都應(yīng)承受的試驗(yàn)。下列試驗(yàn)是例行試驗(yàn)。詳見有關(guān)條文:
a)端子標(biāo)志檢驗(yàn)(見10.1);
b)一次電壓端的工頻耐壓試驗(yàn)(見10.2);
c)局部放電測(cè)量(見10.2);
d)低壓器件的工頻耐壓試驗(yàn)(見10.3);
e)準(zhǔn)確度試驗(yàn)(見10.4)。
除了e)準(zhǔn)確度試驗(yàn)應(yīng)在b)、c)、d)試驗(yàn)后進(jìn)行外,其他試驗(yàn)的順序或可能的組合均未標(biāo)準(zhǔn)化。
一次端的重復(fù)性工頻耐壓試驗(yàn)應(yīng)在規(guī)定試驗(yàn)電壓值的80%下進(jìn)行。
8.3特殊試驗(yàn)
除型式試驗(yàn)或例行試驗(yàn)之外經(jīng)制造方和用戶協(xié)商同意的試驗(yàn)。下列試驗(yàn)是特殊試驗(yàn)。詳見有關(guān)條文:
a)一次電壓端的截?cái)嗬纂姏_擊試驗(yàn)(11.1);
b)機(jī)械強(qiáng)度試驗(yàn)(11.2)。
9型式試驗(yàn)
9.1一次電壓端的沖擊試驗(yàn)
9.1.1一般要求
9.1.1.1沖擊試驗(yàn)應(yīng)按GB/T16927.1的規(guī)定進(jìn)行。
9.1.1.2沖擊試驗(yàn)一般是施加參考電壓和額定耐受電壓。參考沖擊電壓應(yīng)為額定沖擊耐受電壓的50%~
75%。沖擊電壓的峰值和波形應(yīng)予記錄。
9.1.1.3參考電壓和額定耐受電壓下所記錄各種波形的變異,可作為試驗(yàn)中絕緣損壞的依據(jù)。
9.1.2額定雷電沖擊試驗(yàn)
試驗(yàn)電壓取決于設(shè)備最高電壓和規(guī)定的絕緣水平,應(yīng)是表5和表6的相應(yīng)值(見7.1.1)。試驗(yàn)電壓應(yīng)施
加在一次電壓傳感器的一次端子與地之間。一次電壓傳感器的接地端子或REVT的非被試端子、座架和箱
殼(如果有)應(yīng)連在一起接地。對(duì)于三相REVT,應(yīng)將三相的一次電壓端子連接在一起承受相應(yīng)的額定雷
電沖擊試驗(yàn),其他非被測(cè)試端子應(yīng)連在一起接地。記錄其他補(bǔ)充量的波形可以提髙示傷能力。
9.1.2.1一次電壓端Um<300kV
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試驗(yàn)應(yīng)在正和負(fù)兩種極性下進(jìn)行。每一極性連續(xù)沖擊15次,應(yīng)作大氣條件校正。如果試驗(yàn)滿足下列
要求,則REVT通過本試驗(yàn):
a)非自恢復(fù)內(nèi)絕緣不發(fā)生擊穿;
b)非自恢復(fù)外絕緣不出現(xiàn)閃絡(luò);
c)每一極性下自恢復(fù)外絕緣出現(xiàn)閃絡(luò)不超過2次;
d)未發(fā)現(xiàn)絕緣損壞的其他證據(jù)(例如,所記錄各種波形的變異)。
注:施加正、負(fù)扱性沖擊各15次,是針對(duì)外絕緣試驗(yàn)而規(guī)定的。
9.1.2.2一次電壓端Um≥300kV
試驗(yàn)應(yīng)在正和負(fù)兩種極性下進(jìn)行。每一極性連續(xù)沖擊3次,不須作大氣條件校正。如果試驗(yàn)滿足下列
要求,則REVT通過本試驗(yàn):
a)不發(fā)生擊穿;
b)未發(fā)現(xiàn)絕緣損壞的其他證據(jù)(例如,所記錄各種波形的變異)。
9.1.3操作沖擊試驗(yàn)
9.1.3.1試驗(yàn)電壓取決于設(shè)備最高電壓和規(guī)定的絕緣水平,應(yīng)是7.1.1中表5的相應(yīng)值。試驗(yàn)電壓應(yīng)
施加在一次電壓傳感器的一次電壓端子與地之間。一次電壓傳感器的接地端子和非被測(cè)試端子、座架和
箱殼(如果有)應(yīng)連在一起接地。
9.1.3.2低壓端子可連在一起接地,或者非接地二次端子可以懸空或連接髙阻抗裝置以記錄試驗(yàn)時(shí)出現(xiàn)
在二次電壓端子上的電壓波形。
9.1.3.3試驗(yàn)應(yīng)在正和負(fù)兩種極性下進(jìn)行。每一極性下連續(xù)沖擊15次,應(yīng)作大氣條件校正。
9.1.3.4戶外型REVT應(yīng)僅承受濕試驗(yàn),不要求進(jìn)行干試驗(yàn)。
9.1.3.5如果試驗(yàn)滿足下列要求,則該互感器通過本試驗(yàn):
a)非自恢復(fù)內(nèi)絕緣不發(fā)生擊穿;
b)非自恢復(fù)外絕緣不出現(xiàn)閃絡(luò);
c)每一極性下自恢復(fù)外絕緣出現(xiàn)閃絡(luò)不超過2次;
d)未發(fā)現(xiàn)絕緣損壞的其他證據(jù)(例如,所記錄各種波形的變異)。
9.2戶外型REVT濕試驗(yàn)
為了檢驗(yàn)外絕緣的性能,戶外型互感器應(yīng)承受淋雨試驗(yàn)。濕試程序應(yīng)按GB/T16927.1的規(guī)定。
9.2.1一次電壓端子Um<300kV
試驗(yàn)應(yīng)按10.2.2用工頻電壓進(jìn)行,其大氣條件校正按GB/T16927.1的規(guī)定。
9.2.2一次電壓端Um≥300kV
試驗(yàn)應(yīng)按9.1.3用操作沖擊電壓進(jìn)行。
9.3準(zhǔn)確度試驗(yàn)
9.3.1基本準(zhǔn)確度試驗(yàn)
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9.3.1.1為驗(yàn)證是否符合13章和14章的要求,按照表10和表11以及規(guī)定的各電壓值,在額定頻率和
5℃~40℃的環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試。
9.3.1.2測(cè)試時(shí)應(yīng)對(duì)電壓誤差和相位誤差數(shù)據(jù)進(jìn)行持續(xù)采樣,額定電壓35kV及以下電壓等級(jí)產(chǎn)品采樣
時(shí)間不小于10min;額定電壓35kV以上電壓等級(jí)產(chǎn)品采樣時(shí)間不小于30min。所記錄的電壓誤差和相位
誤差數(shù)據(jù)均應(yīng)不超過相應(yīng)準(zhǔn)確級(jí)的誤差限值。
9.3.2準(zhǔn)確度與溫度關(guān)系試驗(yàn)
9.3.2.1本試驗(yàn)是對(duì)9.3.1試驗(yàn)的補(bǔ)充,試驗(yàn)應(yīng)當(dāng)在下列條件下進(jìn)行:
a)額定頻率;
b)額定負(fù)荷
c)施加額定電壓;
d)測(cè)試過程中被試產(chǎn)品一直處于正常工作狀態(tài);
e)戶內(nèi)和戶外元器件處在其規(guī)定的最高和最低環(huán)境氣溫。
9.3.2.2溫度的變化速率為20K/h,按照產(chǎn)品尺寸與結(jié)構(gòu)選定熱時(shí)間常數(shù),熱時(shí)間常數(shù)小于2h的按2h
選擇。測(cè)試時(shí),戶外部分處于其最高環(huán)境溫度時(shí)戶內(nèi)部分也應(yīng)處于其最高環(huán)境溫度;戶外部分處于其最
低溫度時(shí),戶內(nèi)部分也應(yīng)處于其最低溫度。固定測(cè)試點(diǎn)按照?qǐng)D2溫度循環(huán)測(cè)量點(diǎn)選擇。為了動(dòng)態(tài)檢測(cè)互
感器準(zhǔn)確度隨溫度變化量,還應(yīng)在1、2測(cè)試點(diǎn)、4、5測(cè)試點(diǎn)、5、6測(cè)試點(diǎn)和8、9測(cè)試點(diǎn)之間分別隨機(jī)
選擇一個(gè)測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試。15個(gè)測(cè)試點(diǎn)的電壓誤差和相位誤差均應(yīng)不超過相應(yīng)準(zhǔn)確級(jí)的誤差限值。
圖3溫度循環(huán)測(cè)量點(diǎn)
9.3.3測(cè)量用REVT抗雜散電容影響要求
本準(zhǔn)確度試驗(yàn)是對(duì)9.3.1試驗(yàn)的補(bǔ)充,在電阻分壓電子式互感器四周距離互感器一次端1.2倍相應(yīng)
電壓等級(jí)電氣間隙處放置接地的導(dǎo)體板,在80%的額定電壓、功率因數(shù)0.8(滯后)及額定頻率的情況下
測(cè)試其電壓誤差和相位誤差分別記為u1和e1。撤離所有接地導(dǎo)體板,在80%的額定電壓、功率因數(shù)0.8
(滯后)及額定頻率的情況下測(cè)試其電壓誤差和相位誤差分別記為u2和e2。雜散電容引起的電壓誤差
(u1u2)的絕對(duì)值和雜散電容引起的相位誤差(e1e2)均應(yīng)不超過相應(yīng)準(zhǔn)確級(jí)誤差限值的1/4。
9.3.4誤差波動(dòng)試驗(yàn)
為驗(yàn)證是否符合本標(biāo)準(zhǔn)第13.5條和第14.5條的規(guī)定要求,在額定電壓、額定頻率、100%額定負(fù)荷和
5℃~40℃的環(huán)境下測(cè)試。由互感器校驗(yàn)裝置連續(xù)記錄4h內(nèi)的電壓誤差和相位誤差數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)采樣頻率不
得小于1Hz。4h內(nèi)電壓誤差和相位誤差波動(dòng)的峰-峰值均應(yīng)不超過相應(yīng)準(zhǔn)確級(jí)誤差限值的1/2。
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9.3.5器件互換準(zhǔn)確度試驗(yàn)
9.3.5.1為驗(yàn)證是否符合本標(biāo)準(zhǔn)第13.2條和第14.2條的規(guī)定要求,在額定電壓、額定頻率、100%額定
負(fù)荷和5℃~40℃的環(huán)境下測(cè)試其器件互換準(zhǔn)確度。
9.3.5.2該試驗(yàn)應(yīng)當(dāng)在9.3.1基本準(zhǔn)確度試驗(yàn)之后進(jìn)行。對(duì)通過基本準(zhǔn)確度試驗(yàn)的電阻分壓電子式互感
器,更換其一次轉(zhuǎn)換器(若有)、二次轉(zhuǎn)換器(若有)及其他可更換器件后,在不進(jìn)行再次校準(zhǔn)的情況
下對(duì)整個(gè)互感器進(jìn)行準(zhǔn)確度測(cè)試,其電壓誤差和相位誤差均應(yīng)不超過相應(yīng)準(zhǔn)確級(jí)的誤差限值。
9.3.6測(cè)量用REVT準(zhǔn)確度相互影響試驗(yàn)
9.3.6.1本項(xiàng)試驗(yàn)只適合作為組合電子式互感器的一部分的REVT。用于驗(yàn)證電流互感器對(duì)電壓互感器
準(zhǔn)確度的影響,是否符合本標(biāo)準(zhǔn)第13.7條和第14.7條的規(guī)定要求。
9.3.6.2在5℃~40℃的環(huán)境下測(cè)試。在組合電子式互感器的被測(cè)電壓互感器施加80%的額定電壓、功
率因數(shù)0.8(滯后)及額定頻率的情況下,所有電流互感器施加相應(yīng)相位120%額定電流時(shí),進(jìn)行準(zhǔn)確度
測(cè)試,電壓互感器的誤差應(yīng)不超過相應(yīng)準(zhǔn)確級(jí)的誤差限值。
9.3.7三相電阻分壓電子式互感器阻抗一致性試驗(yàn)
為驗(yàn)證是否符合本標(biāo)準(zhǔn)第13.6條和第14.6條的規(guī)定要求,應(yīng)當(dāng)分別測(cè)量組成三相REVT的每一相一次
端子和公共接地端子之間的阻抗。任意兩相阻抗之差的絕對(duì)值均應(yīng)不超過三相阻抗數(shù)學(xué)平均值的0.5%。
注:建議采用電橋法進(jìn)行測(cè)量,準(zhǔn)確度等級(jí)不低于0.05級(jí)。
9.4異常條件承受能力試驗(yàn)
按GB/T20840.7-2007標(biāo)準(zhǔn)的8.4節(jié)的試驗(yàn)程序進(jìn)行試驗(yàn)。
9.5無線電干擾電壓試驗(yàn)
按GB1207標(biāo)準(zhǔn)的9.5節(jié)的試驗(yàn)程序進(jìn)行試驗(yàn)。
9.6傳遞過電壓試驗(yàn)
按GB1207標(biāo)準(zhǔn)的11.2節(jié)的試驗(yàn)程序進(jìn)行試驗(yàn)。
9.7電磁兼容發(fā)射試驗(yàn)
9.7.1按GB4824的試驗(yàn)程序進(jìn)行試驗(yàn)。
9.7.2試驗(yàn)在電波暗室中進(jìn)行。
9.7.3對(duì)一次轉(zhuǎn)換器(采樣單元)、二次轉(zhuǎn)換器(合并單元)進(jìn)行電源端子騷擾電壓測(cè)試和電磁輻射騷
擾測(cè)試。
9.7.4試驗(yàn)限值規(guī)定為A級(jí)。
9.8電磁兼容抗擾度試驗(yàn)
為驗(yàn)證是否符合7.9條的要求,進(jìn)行本試驗(yàn)。
9.8.1諧波和諧間波抗擾度試驗(yàn)
9.8.1.1試驗(yàn)按照IEC61000-4-13的試驗(yàn)程序進(jìn)行。
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9.8.1.2試驗(yàn)二次轉(zhuǎn)換器(合并單元)交流電源端口。
9.8.1.3嚴(yán)重等級(jí)為2級(jí),性能評(píng)價(jià)應(yīng)為A級(jí)。
9.8.2慢電壓變化抗擾度試驗(yàn)
9.8.2.1試驗(yàn)按照GB/T17626.11的規(guī)定,所用電壓波動(dòng)范圍為其標(biāo)稱值的+20%~-20%。
9.8.2.2試驗(yàn)一次轉(zhuǎn)換器(采樣單元)、二次轉(zhuǎn)換器(合并單元)的直流供電電源端口。
9.8.2.3性能評(píng)價(jià)應(yīng)為A級(jí)。
9.8.3電壓暫降和短時(shí)中斷抗擾度試驗(yàn)
試驗(yàn)按照GB/T17626.11的規(guī)定,直流電源電壓暫降為其標(biāo)稱值得50%,歷時(shí)0.1s。直流電源中斷歷
時(shí)0.05s。
試驗(yàn)一次轉(zhuǎn)換器(采樣單元)、二次轉(zhuǎn)換器(合并單元)的直流供電電源端口。
性能評(píng)價(jià)應(yīng)為A。
9.8.4浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)
9.8.4.1按照GB/T17626.5的規(guī)定,嚴(yán)酷等級(jí)4級(jí)。
9.8.4.2試驗(yàn)端口為高壓線端口以及一次轉(zhuǎn)換器(采樣單元)、二次轉(zhuǎn)換器(合并單元)的電源端口。
9.8.4.3性能評(píng)價(jià)應(yīng)為A。
9.8.5電快瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)
9.8.5.1按照GB/T17626.4的規(guī)定,嚴(yán)酷等級(jí)4級(jí)。
9.8.5.2試驗(yàn)端口為一次轉(zhuǎn)換器(采樣單元)、二次轉(zhuǎn)換器(合并單元)的電源端口。
9.8.5.3性能評(píng)價(jià)應(yīng)為A。
9.8.6振蕩波抗擾度試驗(yàn)
9.8.6.1按照GB/T17626.12的規(guī)定,嚴(yán)酷等級(jí)3級(jí)。
9.8.6.2試驗(yàn)端口為一次轉(zhuǎn)換器(采樣單元)、二次轉(zhuǎn)換器(合并單元)的電源端口。
9.8.6.3性能評(píng)價(jià)應(yīng)為A。
9.8.7靜電放電抗擾度試驗(yàn)
9.8.7.1按照GB/T17626.2的規(guī)定,嚴(yán)酷等級(jí)2級(jí)。
9.8.7.2試驗(yàn)對(duì)象為二次轉(zhuǎn)換器(合并單元)外殼。
9.8.7.3性能評(píng)價(jià)應(yīng)為A。
9.8.8工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)
9.8.8.1按照GB/T17626.8的規(guī)定,嚴(yán)酷等級(jí)5級(jí)。
9.8.8.2試驗(yàn)對(duì)象為二次轉(zhuǎn)換器(合并單元)。
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9.8.8.3性能評(píng)價(jià)應(yīng)為A。
9.8.9脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)
9.8.9.1按照GB/T17626.9的規(guī)定,嚴(yán)酷等級(jí)5級(jí)。
9.8.9.2試驗(yàn)對(duì)象為二次轉(zhuǎn)換器(合并單元)。
9.8.9.3性能評(píng)價(jià)應(yīng)為A。
9.8.10阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)
9.8.10.1按照GB/T17626.10的規(guī)定,嚴(yán)酷等級(jí)5級(jí)。
9.8.10.2試驗(yàn)對(duì)象為二次轉(zhuǎn)換器(合并單元)。
9.8.10.3性能評(píng)價(jià)應(yīng)為A。
9.8.11射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)
9.8.11.1按照GB/T17626.3的規(guī)定,嚴(yán)酷等級(jí)3級(jí)。
9.8.11.2試驗(yàn)在電波暗室中進(jìn)行。
9.8.11.3試驗(yàn)對(duì)象為一次轉(zhuǎn)換器(采樣單元)、二次轉(zhuǎn)換器(合并單元)。
9.8.11.4性能評(píng)價(jià)應(yīng)為A。
9.9低壓器件沖擊耐壓試驗(yàn)
9.9.1本試驗(yàn)是為驗(yàn)證是否符合7.2.2規(guī)定的要求。
9.9.2低壓器件沖擊耐壓試驗(yàn)按照GB/T20840.7的8.8執(zhí)行。
10例行試驗(yàn)
10.1端子標(biāo)志檢驗(yàn)
檢驗(yàn)端子標(biāo)志的正確性(見11章)。
10.2一次電壓端的工頻耐壓試驗(yàn)和局部放電測(cè)量
10.2.1一般要求
10.2.1.1工頻耐壓試驗(yàn)應(yīng)按GB/T16927.1進(jìn)行。
10.2.1.2試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間為60s。
10.2.2一次電壓端Um<300kV
10.2.2.1Um<300kV—次電壓端的試驗(yàn)電壓,應(yīng)按設(shè)備最髙電壓Um選取本標(biāo)準(zhǔn)第7.1.1條中表4的相
應(yīng)值。
10.2.2.2REVT應(yīng)承受:試驗(yàn)電壓施加在一次電壓傳感器的髙壓端子與地之間。座架、箱殼(如果有)
和所有的低壓端子應(yīng)連在一起接地。
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10.2.3一次電壓端Um≥300kV
REVT應(yīng)承受以下試驗(yàn):試驗(yàn)電壓應(yīng)符合7.1.2規(guī)定,并按表5相應(yīng)值選取,試驗(yàn)應(yīng)按10.2.2的規(guī)定進(jìn)
行。
10.2.4局部放電測(cè)量
10.2.4.1試驗(yàn)電路和儀器
10.2.4.1.1采用的試驗(yàn)電路和儀器應(yīng)按GB/T7354的規(guī)定。試驗(yàn)電路的一些示例見GB1207—2006的
圖2~圖5。雖然這些圖是針對(duì)電磁式電壓互感器的,但也適用于REVT。
10.2.4.1.2所用儀器應(yīng)測(cè)量用皮庫(kù)(pC)表示的視在放電量q。其校正應(yīng)在試驗(yàn)電路中進(jìn)行(見GB
1207—2006的圖5示例)。
10.2.4.1.3寬頻帶儀器的頻帶寬度至少為100kHz,其上限截止頻率不超過1.2MHz。
10.2.4.1.4窄頻帶儀器的諧振頻率范圍為0.15MHz至2MHz。最好是在0.5MHz至2MHz范圍內(nèi),但如
可能,應(yīng)在靈敏度最髙的頻率下進(jìn)行測(cè)量。
10.2.4.1.5測(cè)量靈敏度應(yīng)能檢測(cè)出5pC的局部放電量水平。
10.2.4.2REVT的試驗(yàn)程序
10.2.4.2.1在按下述的程序A或程序B施加預(yù)加電壓后,將電壓降到本標(biāo)準(zhǔn)
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