2023-2024屆高考一輪復習化學教案（人教版）第六章物質結構與性質元素周期律熱點強化16物質結構與性質選擇題練習

熱點強化16物質結構與性質選擇題專練

I.（2022.天津模擬）下列化學用語表達正確的是（

OO

A.基態(tài)硫原子的軌道表示式：IS2s

B.H2S的電子式：H：S：H

C.SCh的VSEPR模型:

D.SO2分子的空間填充模型:

答案C

解析硫原子的核外電子總數(shù)為16,基態(tài)硫原子的電子排布式為Is22s22p63s23p4,基態(tài)S原

[H][??]]中中HO

子的軌道表示式為IS2s2p3s,故A錯誤；H2S為共價化合

pτ?S?H6—3×2

物，其電子式為?：??，故B錯誤；SCh分子中S原子的價層電子對數(shù)為3+—L=

3,無孤電子對，其VSEPR模型為OXo,故C正確；SO2中S的價層電子對數(shù)為2+仁蕓^

=3,故其空間結構為V形，其空間填充模型為（Co

,故D錯誤。

2.（2022.江蘇，5）下列說法正確的是（）

A.金剛石與石墨烯中的C-C-C夾角都為120。

B.SiH八SiCI4都是由極性鍵構成的非極性分子

C.楮原子（32Ge）基態(tài)核外電子排布式為4s24p2

D.IVA族元素單質的晶體類型相同

答案B

解析金剛石中的碳原子為正四面體結構，C-C-C夾角為109o28,,故A錯誤；SiH4的

化學鍵為Si—H,SiCLt的化學鍵為Si—Cl,均為極性鍵，均為正四面體，正負電荷中心重合，

均為非極性分子，故B正確；錯原子3Ge）基態(tài)核外電子排布式為[Ar]3di°4s24p?故C錯誤；

IVA族元素中的碳元素形成的石墨為混合型晶體，而硅形成的晶體硅為共價晶體，故D錯誤。

3.（2022?山東，5）A1N、GaN屬于第三代半導體材料，二者成鍵結構與金剛石相似，晶體中

只存在N—Al、N-Gat,下列說法錯誤的是（）

A.GaN的熔點高于AIN

B.晶體中所有化學鍵均為極性鍵

C.晶體中所有原子均采取sp3雜化

D.晶體中所有原子的配位數(shù)均相同

答案A

解析Al和Ga均為第HIA族元素，N屬于第VA族元素，AIN、GaN的成鍵結構與金剛石

相似，則其均為共價晶體，由于Al原子的半徑小于Ga,N-Al的鍵長小于N-Ga的鍵長，

則N-Al的鍵能較大，鍵能越大則其對應的共價晶體的熔點越高，故GaN的熔點低于AIN,

A說法錯誤；不同元素的原子之間形成的共價鍵為極性鍵，故兩種晶體中所有化學鍵均為極

性鍵，B說法正確：金剛石中每個C原子形成4個共價鍵（即C原子的價層電子對數(shù)為4）,C

原子無孤電子對，故C原子均采取sp3雜化，C原子的配位數(shù)是4,由于A1N、GaN與金剛

石結構相似，則其晶體中所有原子均采取sp3雜化，所有原子的配位數(shù)也均為4,C、D說法

正確。

4.（202Z遼寧，5）短周期元素X、Y、Z、W、Q原子序數(shù)依次增大?；鶓B(tài)X、Z、Q原子均

有兩個單電子,W簡單離子在同周期離子中半徑最小,Q與Z同主族。下列說法錯誤的是（）

A.X能與多種元素形成共價鍵

B.簡單氫化物沸點：Z<Q

C.第一電離能：Y>Z

D.電負性：W<Z

答案B

解析短周期元素X、Y、Z、W、Q原子序數(shù)依次增大，W簡單離子在同周期離子中半徑最

小，說明W為第三周期元素AL短周期元素的基態(tài)原子中有兩個單電子，可分類討論：①

為第二周期元素時，最外層電子排布為2s22p2或2s?2p4,即C或0;②為第三周期元素時，

最外層電子排布為3s23p2或3s?3p4,即Si或S。Q與Z同主族，結合原子序數(shù)大小關系可知，

則X、Z、Q分別為C、0和S,則Y為N。X為C,能與多種元素（H、0、N等）形成共價鍵，

A正確：Z和Q形成的簡單氫化物分別為HzO和H2S,由于H2O分子間能形成氫鍵，故HzO

的沸點高于H2S,B錯誤；Y為N,Z為0,N的最外層P軌道電子為半充滿結構，比較穩(wěn)

定，故其第一電離能比0大，C正確；W為Al,Z為0,0的電負性更大，D正確。

5.（2022?丹東市模擬）蘿卜硫素是具有美容效果的天然產(chǎn)物，其結構如圖所示，該物質由五種

短周期元素構成，其中W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，Y、Z原子核外最外層電子數(shù)相

等，下列說法錯誤的是（）

A.第一電離能：X>Y>Z

B.簡單離子半徑：Z>X>Y

C.W、X與氫原子可形成直線形化合物

D.W、X、Y分別形成的簡單氫化物的熔、沸點在同主族元素中均為最高

答案D

解析通過結構可知，蘿卜硫素含H、C,蘿卜硫素由五種短周期元素構成，則W、X、Y、

Z中有一種是C,還有一種是S;W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，Y、Z原子核外最外層

電子數(shù)相等，結合結構簡式中的成鍵數(shù)目可知：X為N,Y為O,Z為S,W為C。同一周

期從左到右，元素的第一電離能呈增大的趨勢，其中第HA族和第VA族元素的第一電離能

均高于其相鄰元素，即N的第一電離能大于0;同一主族從上到下，元素的第一電離能逐漸

減小，即。的第一電離能大于S,故第一電離能：N>0>S,A正確；N3-和。2一的核外電子

排布相同，N的原子序數(shù)小于0,故離子半徑：N3^>O2",N3-、O?-核外有2個電子層，S2

-核外有3個電子層，則離子半徑：S2^>N3^>O2^,B正確；N、C、H組成的化合物為HCN,

該分子的空間結構為直線形，C正確；X為N,Y為0,W為C,它們的簡單氧化物分別為

NH3、比0和CE,NH3和H2O分子間均存在氫鍵，使得它們的熔、沸點在同主族元素中均

為最高，CH4分子間沒有氫鍵，其熔、沸點在同主族元素中最低，D錯誤。

6.（2022?湖北，9）某立方鹵化物可用于制作光電材料，其晶胞結構如圖所示。下列說法錯誤

的是（）

A.Ca?+的配位數(shù)為6

B.與F-距離最近的是K+

C.該物質的化學式為KCaF3

D.若F?換為Cl,則晶胞棱長將改變

答案B

解析Ca?+配位數(shù)為與其距離最近且等距離的F-的個數(shù)，如圖所示，Ca?+位于體心，F(xiàn)-位于

面心，所以Ca?+的配位數(shù)為6,A正確；F-與K+的最近距離為棱長的乎，F(xiàn)-與Ca?+的最近

距離為棱長的所以與F-距離最近的是Ca?+,B錯誤；K+位于頂角，個數(shù)為J><8=l,F-

ZO

位于面心，個數(shù)為寺X6=3,Ca?+位于體心，個數(shù)為1,綜上，該物質的化學式為KCaF3,C

正確；F-與C「半徑不同，替換后晶胞棱長將改變，D正確。

7.（2022?遼寧丹東模擬）某FeJW的晶胞如圖1所示，晶胞邊長為αpm,CU可以完全替代該

晶體中a位置Fe或b位置Fe,形成Cu替代型產(chǎn)物Fe（Xr）CU“N）,。FgNV轉化為兩種Cu替代

型產(chǎn)物的能量變化如圖2所示，下列說法正確的是（）

Oa位置Fe

Ob位置Fe

▲N

圖1Fe,N、晶胞結構示意圖

能量_____CU替代a位置Fe型

轉化過程

圖2轉化過程的能量變化

A.該FevNy的化學式為Fe2N

B.與N等距且最近的N為8個

C.兩個a位置Fe的最近距離為乎apm

D.其中較穩(wěn)定的Cu替代型產(chǎn)物的化學式為FeCU3N

答案C

解析根據(jù)均攤法，F(xiàn)e.、N、.的晶胞中Fe原子數(shù)是8x1+6><；=4,N原子數(shù)是1,該Fe.N的

化學式為FeqN,故A錯誤；N原子位于晶胞體心，與N等距且最近的N為6個，故B錯誤；

兩個a位置Fe的最近距離為面對角線的一半，面對角線為啦〃pm,所以兩個a位置Fe的最

√2

近距離為為-QPm,故C正確；能量越低越穩(wěn)定，CU完全替代該晶體中b位置Fe形成的物質

能量低，穩(wěn)定性強，晶胞中銅原子數(shù)是8xJ=l,鐵原子數(shù)是6X^=3,N原子數(shù)是1,化學

oZ

式為Fe3CuN,故D錯誤。

8.第VA族元素的原子（以R表示）與A原子結合形成RA3氣態(tài)分子，其空間結構為三角錐

形。PCk在氣態(tài)和液態(tài)時，分子結構如圖所示，下列關于PCb分子的說法不正確的是（）

A.每個原子都達到最外層8電子穩(wěn)定結構

B.Cl-P-Cl的鍵角有120。、90。、180。三種

C.PCk受熱后會分解生成分子空間結構呈三角錐形的PCI3

D.分子中5個P—Cl的鍵能不都相同

答案A

解析P原子的最外層有5個電子，形成5個共用電子對，所以PQs中P的最外層不滿足8

電子穩(wěn)定結構，A錯誤；由圖可知，三角雙錐上下兩個頂點Cl原子與中心P原子形成的

Cl-P-Cl的鍵角為180。，中間為平面三角形，其中兩個頂點Cl原子與中心P原子形成的

Cl-P-Cl的鍵角為120°,通過中間的三角形所在的平面將三角雙錐截為兩個完全相同的三

角錐，在上面的三角錐中Cl一P-Cl的鍵角為90°,所以Cl一P—Cl的鍵角有90°、120°、180°

三種，B正確；PC15^=PCI3+Cl2t,則PCk受熱后會分解生成分子空間結構呈三角錐形

的PCb,C正確；鍵長越短，鍵能越大，因分子中P—C1的鍵長不都相同，所以鍵能不都相

同，D正確。

9.鋁離子電池常用離子液體AlCl3/]EMlMlCI作電解質，其中陰離子有AICl4、Al2Cl7,陽離

H3C-X

J飛

子為EMIM+('/十：'），EMlM+以單個形式存在時可以獲得良好的溶解性能。下列

說法錯誤的是（）

A.EMIM'中存在大π鍵，表示為ng

B.AbCb中各原子最外層均達到8電子結構

ClmOlEMINT中所含σ鍵數(shù)為17NA

D.為使EMlNr獲得良好的溶解性，不能將與N原子相連的一CH3、一C2H5替換為H原子

答案C

HC-?

3;飛

×XN?pιι

解析、/十中環(huán)上由5個原子參與成鍵，與乙基相連的N原子提供2個電子,

每個碳原子提供1個電子，與甲基相連的N原子提供1個電子，故該大π鍵應表示為ng,A

正確：Al2Cl亍中每個Al原子周圍形成4個共用電子對，則其結構式為

ClCl

ECl-Al-Cl-Al-Cl丁

ClCl,各原子最外層均達到8電子穩(wěn)定結構，B正確；單鍵為G

鍵，一個雙鍵中含有一個σ鍵和1個兀鍵，1molEMlM+中所含G鍵數(shù)為19NA,C錯誤；氮

原子上連H原子易形成分子間氫鍵，為防止離子間形成氫鍵而發(fā)生聚沉，使該離子不易以單

個形式存在，所以與N原子相連的一CH3、一C2H5不能被氫原子替換，D正確。

10?（2022?黃岡模擬）某物質用途非常廣泛，可用來制造耐火陶瓷，作顏料，還可以用于冶煉

金屬。其具有的長方體形晶胞結構可用如圖表示，己知6個N原子形成了正八面體，晶胞參

數(shù)的單位為pm,M原子的相對原子質量為〃?，N原子的相對原子質量為〃。下列說法錯誤的

是()

A.該物質的化學式可能為MN2

B.該晶胞密度為P=筆守XlO-30g?cm-3

C.M原子的配位數(shù)為6,N原子的配位數(shù)為3

D.若Nl原子的坐標為(x,X,0),則N2原子的坐標為(l—x,l-χ,0)

答案B

解析由圖示晶胞可知，一個晶胞中含有M的個數(shù)為8xJ+l=2,N的個數(shù)為4x[+2=4,

oZ

2相+4〃

故該物質的化學式可能為MN2或N?M,A正確；一個晶胞的質量為一直一g,一個晶胞的

2〃?+4〃

，”Nao2，"+4”

2113cm3

體積為ac×Io-3°Cm3,則該晶胞密度為P=O=(**∣0Inf=acN?X0°g?^'B錯誤；

由圖示晶胞可知，一個M原子周圍距離最近且相等的N原子個數(shù)為6,則M原子的配位數(shù)

為6,一個N原子周圍距離最近且相等的M原子個數(shù)為3,則N原子的