太陽電池培訓講義

后段培訓報告

講師：黎劍騎培訓時間：2021、9目錄后段工藝培訓內(nèi)容學習體會Roth&Rau

PECVDBACCINI絲網(wǎng)印刷Despatch燒結爐Halm測試總結Roth&RauPECVD

1、板式鍍膜設備介紹

2、鍍膜原理及作用

3、鍍膜工藝流程與工藝控制分析

4、鍍膜常見問題及其解決方法5、鍍膜現(xiàn)階段改進狀況目錄Roth&Rau鍍膜設備CentrothermPECVDRoth&Rau

PECVDPECVD：PlasmaEnhancedChemicalVapourDeposition(等離子增強化學氣相沉積)

等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，發(fā)生電離，局部外層電子脫落原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合物組成的一種形態(tài)，這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)即第四態(tài)。等離子體從宏觀來說也是電中性，但是在局部可以為非電中性。鍍膜原理及作用---是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子化學活性很強，很容易發(fā)生反響，在硅片上沉積出所期望的薄膜。所用的活性氣體為SiH4和NH3。這些氣體經(jīng)解離后反響，在硅片上長出氮化硅膜?？梢愿鶕?jù)改變硅烷對氨的比率，來得到不同的折射指數(shù)。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生，使得晶片的氫鈍化性十分良好。PECVD工作原理SiNx:H介紹:

正常的SiNx的Si/N之比為，即Si3N4。但是PECVD沉積氮化硅的化學計量會隨工藝不同而變化，Si/N變化的范圍在左右。除了Si和N，PECVD的氮化一般還包含一定比例的氫原子，即SixNyHz或SiNx:H.PECVD的作用

-生成Si3N4減反膜和H鈍化Si3N4膜的認識Si3N4膜的顏色隨著它的厚度的變化而變化，其理想的厚度是73—77nm之間，但實際控制在85±2nm之間，外表呈現(xiàn)的顏色是深藍色。Si3N4膜的折射率在1.9—2.1之間為最正確，實際控制在2.07±2之間，用橢偏移進行測量。Si3N4膜顏色和厚度對照表H鈍化技術對于Mc—Si，因存在較高的晶界、點缺陷（空位、填隙原子、金屬雜質(zhì)、氧、氮及他們的復合物），因此對材料表面和體內(nèi)缺陷進行鈍化就顯得特別重要。鈍化硅體內(nèi)的懸掛鍵等缺陷。在晶體生長中受應力等影響造成缺陷越多的硅材料，氫鈍化的效果越好。氫鈍化可采用離子注入或等離子體處理。在多晶硅太陽電池表面采用PECVD法鍍上一層氮化硅減反射膜，由于硅烷分解時產(chǎn)生氫離子，對多晶硅可產(chǎn)生氫鈍化的效果。應用PECVDSi3N4可使表面復合速度小于20cm/s。鍍膜工藝流程手動加載工藝試片上片鍍膜下片流程鍍膜工藝過程控制

1、膜厚、折射率為滿足現(xiàn)階段工藝要求，兩者分別控制在：膜厚：85±2

折射率：2.07±2方案號序號123451SiH4280250150150308030NH36006806806801504501502SiH4280250150150000NH36006806806801504501503SiH40280200150308030NH310006806806801504501504SiH40280200150000NH31000680680680150450150現(xiàn)階段正在進行三成膜實驗，其實驗方案如下:

2.微波功率、溫度通過實驗比照，目前確定微波功率：3000w；溫度400℃.

溫度400℃比照試驗如下：實驗結果批次號IscUocFFEtaRSRshIrev2低效備注B0098.440.61978.6616.89%0.0024650.2192350℃B0028.460.6278.7416.99%0.0025340.2333400℃Range0.020.0010.080.10%0690.014150℃B0088.510.62178.0416.920.002534.80.1810350℃B0108.520.62178.1616.980.002573.80.1742400℃Range0.010.010.120.06%038.9820.007250℃鍍膜異常與解決方法鍍膜現(xiàn)階段改進狀況SIH4NH3SIH4NH3原掛鉤形狀改善后掛鉤形狀該區(qū)域由于氣體被鉤點擋住，所以掛鉤點較大。該區(qū)域由于有傾斜角度，氣體可以通過，所以掛鉤點較小?！仓挥凶钸吘壟c掛鉤接觸局部有印痕〕硅片鍍膜外觀掛勾印改善：印痕明顯變小掛鉤印明顯變小掛鉤印明顯變小改善后鍍膜鉤點偏離電池片的有效區(qū)域，且鉤點面積也大為縮小，有效的防止了漏電，同時也大大改善了電池片絕緣性能。掛鉤點照片比照：鍍膜后印刷后BACCINI絲網(wǎng)印刷

1、絲網(wǎng)印刷設備介紹

2、絲網(wǎng)印刷原理/目的

3、絲網(wǎng)印刷構造分析4、絲網(wǎng)印刷條件和工藝過程5、絲網(wǎng)印刷不良因素與相應對策目錄絲網(wǎng)印刷機整體瞰圖PrintDryUnload采用意大利BACCINI印刷軟件參數(shù)控制含義EnableMagazineLoader機器運行時從承載盒中吸取硅片EnablePrinting選項不勾選時，印刷過程被跳過EnableFlip-Over不勾選時，翻轉(zhuǎn)器不工作EnableLoadBreakageWafer不勾選時，翻轉(zhuǎn)器不檢查是否硅片破損EnableOvenHeating允許爐子加熱EnableUnloadOven爐子只出硅片而不進硅片EnableBypassOven硅片在行走擘上直接進入下一工序Dispenser設置自動添加漿料的頻率EnableWaferAlignment允許在印刷之前通過攝像來校準硅片EnableScreenAlignment對網(wǎng)板上的基準標記進行定位CheckBreakageBefore檢查硅片在印刷前是否破碎PaperChange印刷次數(shù)達到設置的數(shù)字時，機器停運行SingleNest強制機器只在設定的那個臺面上印刷絲網(wǎng)印刷操作界面非印刷相關的硬件參數(shù)印刷參數(shù)常用操作界面主要分Cycle、Print、Operator等界面：25通過括刀一次移動通過括刀來回移動印刷二次。先括刀往前移動，印刷一次。印刷完成后電池到網(wǎng)板的距離印刷位置向上移動至停止位置的速度印刷時括刀的位置印刷和回墨完成后，印刷頭的停止位置印刷時括刀下降的壓力〔100左右〕括刀夾持器的水平移動能修正網(wǎng)板的位置印刷完成后程序延遲抬高網(wǎng)板和括刀的時間印刷速度〔200左右〕刮漿料速度印刷類型、偏移Alternatesqueegee單程印刷：刮刀向前運動印刷一片片子，向后返回印刷下一片

Doublesqueegee兩次印刷：對每一塊片子向前印刷一次，再向后印刷一次；

SqueegeeandFlood印刷后回料〔常用〕

Floodandsqueegee回料后印刷；

X,Y,Thetapieceoffsets網(wǎng)板位置在三個方向上偏移量。PRINTINGTYPE1OFFSETS2

Snap-off網(wǎng)版間距印刷時電池到網(wǎng)板的距離；Park網(wǎng)版停止位置，印刷完成后電池到網(wǎng)板的距離；Speedupward網(wǎng)板上升速度;網(wǎng)版、刮板

Down-stop

刮板高度，這是印刷時刮刀的位置；Park

刮板的停止位置，印刷和回墨完成后，印刷頭的停止位置；Pressure

刮刀壓力；SCREEN3QUEEGEE4Position1

刮刀起始位置；Position2印刷后的返回位置;Position3

印刷后停止位置Position4

印刷后開始返回時位置，機器印刷時括刀后退的開始位置。印刷位置、回料刀Printingspeed

印刷速度;Floodspeed

回料速度ADVANCEMENT5FLOODSUEEGEE6Snap-off這個參數(shù)關系到Z向電機的運動，因為向下是正向，所以這個參數(shù)是一個負數(shù)。絲網(wǎng)間距的零點由壓力傳感器來決定，每次照點時會進行一次零點的尋找。絲網(wǎng)間距的調(diào)節(jié)規(guī)律是設置值越大，透墨量越高，當?shù)竭_一定高度時，油墨無法觸及承印物外表時就會造成印刷不全或無法印刷；設置值越小，透墨量越低，當?shù)偷揭欢ǜ叨葧r，硅片無法在設定的脫離速度和真空的帶動下脫離網(wǎng)版而粘黏在網(wǎng)版上就是粘片；網(wǎng)版間距印刷時電池到網(wǎng)板的距離。Park網(wǎng)版停止位置印刷完成后電池到網(wǎng)板的距離，這個參數(shù)也是個負數(shù)。此值設定偏低時會造成網(wǎng)版在印刷完成后由于位置較低而刮花印刷圖形；這是Z向電機在印刷完成后從印刷位置向上移動至停止位置的速度。此值設定過慢時，會使硅片來不及脫離網(wǎng)版而造成粘片；網(wǎng)板上升速度Speedupward這是印刷時刮刀的位置，這個參數(shù)的零點以網(wǎng)版承載漿料的一面為準，由于絲網(wǎng)間距和刮板高度為兩個不同的電機進行控制，所以他們并不與snape-off相關聯(lián)，如果操作人員改變了snap-off，一定要同步修改這個參數(shù)，但一般在壓力模式下，此值變更的意義不大；

Down-stop

刮刀高度Pressure印刷時括刀下降到Down-stop位置，這個位置的參數(shù)必須設置得比電池稍低〔0.3-0.4mm應該足夠了)，這樣實際的壓力〔左邊顯示的數(shù)值〕才能到達設置值。單位是牛頓，在壓力模式下，印刷壓力越大，瞬時刮刀下降的位置就會越低，很可能會遠超過0.3-0.4mm,對網(wǎng)版和印刷質(zhì)量造成比較大的損害，所以在日常設定印刷壓力時需以小為宜。實際參數(shù)設定時，壓力越大，承印量越小，壓力越小，承印量越大，，壓力的變化實際是刮刀位置的變化。刮刀壓力，Park刮刀的停止位置印刷和回墨完成后，印刷頭的停止位置。通過印刷，在半導體上形成上下電極，將半導體中被內(nèi)電場別離的電子、空穴經(jīng)由電極收集輸出到電池體外，形成電流。絲網(wǎng)印刷目的利用絲網(wǎng)圖形局部網(wǎng)孔透漿料，非圖文局部網(wǎng)孔不透漿料的根本原理進行印刷。印刷時在絲網(wǎng)一端倒入漿料，用刮刀在絲網(wǎng)的漿料部位施加一定壓力，同時朝絲網(wǎng)另一端移動。漿料在移動中被刮板從圖形局部的網(wǎng)孔中擠壓到基片上。印刷過程中刮板始終與絲網(wǎng)印版和承印物呈線接觸，接觸線隨刮刀移動而移動，而絲網(wǎng)其它局部與承印物為脫離狀態(tài)，保證了印刷尺寸精度和防止蹭臟承印物。當刮板刮過整個印刷區(qū)域后抬起，同時絲網(wǎng)也脫離基片，并通過回墨刀將漿料輕刮回初始位置，工作臺返回到上料位置，至此為完整的一個印刷行程。絲網(wǎng)印刷原理絲網(wǎng)印刷功能構造從上圖可以看出，一個完整的印刷過程需要刮刀、網(wǎng)版、漿料和絲網(wǎng)再配以工作臺和刮板的運動來完成，下面介紹一下網(wǎng)版：網(wǎng)版----種類1絲網(wǎng)構造絲網(wǎng)的材料主要有:尼龍網(wǎng)漿料的透過性好，回彈性好，靜電小，耐磨，印跡較差，耐酸性差。不銹鋼絲網(wǎng)拉伸高，漿料的透過性好，印跡精密穩(wěn)定，缺乏處就是伸張后不易恢復原狀。鍍鎳滌綸網(wǎng)在聚酯網(wǎng)的根底上鍍2-5um的鎳料而成，低伸長、高張力，耐磨性，靜電性都較好。漏料通暢，印跡厚薄均勻。印刷對絲網(wǎng)的要求：1.抗張強度大2.斷裂伸長度小3.回彈性好4.漿料的通過性好5.耐抗性好網(wǎng)版----參數(shù)2目數(shù)絲網(wǎng)的目數(shù)是指每平方厘米絲網(wǎng)所據(jù)有的目數(shù)。目前我們柵線網(wǎng)目數(shù)325目/cm2

，

按1(cm)=10000(um),網(wǎng)孔的大小在35um右左。絲網(wǎng)的目數(shù)決定了印刷中的過料量。

膜厚絲網(wǎng)的需求膜厚是絲網(wǎng)在無張力狀態(tài)下的測定值。厚度由構成絲網(wǎng)厚度是指絲網(wǎng)與底面之間的距離，一般以um計量。厚度應的直徑?jīng)Q定。它決定了過料量和柵線的高寬。絲網(wǎng)的開口率又稱絲網(wǎng)的通孔率、網(wǎng)孔面積百分率，即單位面積的絲網(wǎng)內(nèi)，網(wǎng)孔面積所占的百分率。在絲網(wǎng)的制作過程中，絲網(wǎng)是一整塊帶孔的編織物，為了到達漏墨需要，要用專用膠將其限制漏墨的地方堵孔，這樣就形成絲網(wǎng)的開口率。

開口率絲網(wǎng)張網(wǎng)角度絲網(wǎng)加網(wǎng)角度又稱目---線交角〔網(wǎng)屏與絲網(wǎng)加角〕。絲網(wǎng)的三種加網(wǎng)角度交角45o絲網(wǎng)節(jié)結和網(wǎng)孔干擾最大，印跡忽粗忽細，線條的在現(xiàn)性差。交角10o絲網(wǎng)與細線邊段緊挨段長，缺料量大，會形成鋸齒。印跡受干擾小，印跡再現(xiàn)性好。

線徑開口率概念:線的直徑,一般線徑為:20um。開口線徑概念：空間面積與全體面積的比率。開口率〔%〕=〔開口/〔開口+線徑〕〕2×100%例325目線徑28um開口50um(50/(50+28))2×100%=41%吐出量〔透墨量〕概念：絲網(wǎng)單位面積內(nèi)油墨透過網(wǎng)孔的總量。在實際的印刷中，通過絲網(wǎng)的油墨量受絲網(wǎng)的材質(zhì)、性能、規(guī)格、漿料的粘度、刮條的硬度、壓力、速度以及網(wǎng)版與承印物的間隙等左右。透墨量〔um〕=開口率×絲網(wǎng)厚度例325目線徑28um厚度60um網(wǎng)版----廠家統(tǒng)計（正銀網(wǎng)版）3昆山良品絲印器材村上精密制版上海樂邦絲印器材.蘇州特網(wǎng)絲印器材.目數(shù)張力膜厚325/2328N18μm290/2028N20μm例：良品正銀網(wǎng)版需求參數(shù)漿料----組成與作用4

漿料是由金屬粉、玻璃料和有機載體組成的半混合型粘稠體，銀粉純度≥99．99％，粒度≤1um，含銀量75％，呈鱗片或球粒狀．銀粉經(jīng)高溫燒結后，形成三維網(wǎng)狀結構，使銀硅有好的歐姆接觸。

組成作用玻璃料為無定型硬質(zhì)顆粒，生產(chǎn)中使用原料為PbO、SiO2、TiO2等電子級原料混勻后，在高溫下進行固相反映，形成無序結構的玻璃質(zhì)勻質(zhì)體，化學性穩(wěn)定。主要作用是使網(wǎng)狀結構的金屬銀牢固地粘附在硅片上，增強電極牢固度．

松油醇是一種無色粘稠液體或低溶點透明結晶．固化點40℃，沸點220.85℃能溶解乙基纖維素．不溶于水，溶于乙醇等有機劑。

增稠劑成增稠劑的作用是增加槳料的粘度和塑性，在一定的溫度下能成形堅膜，300o以上能完全燃燒揮發(fā)掉，且不留灰粉。能使?jié){料保持在均勻的穩(wěn)定懸浮狀態(tài)，防止?jié){料結塊，保持其流變性。另外，漿料的觸變性主要通過增稠劑來實現(xiàn)。乙基纖維素，主要具有粘合、填充、成膜作用，溶于有機物，燃燒時灰份及低，能生成堅膜，溶點165-185℃.漿料----特性（技術指標）5黏度觸變性

又稱內(nèi)摩擦，一層流體對另一層流體做相對移動時產(chǎn)生的阻力，它是流體內(nèi)部阻礙其流動的一種特性單位為泊或厘泊。漿料的粘度在4000-12000厘泊左右。粘度變化與印刷的關系：漿料在印刷過程中粘度俞穩(wěn)定俞好，漿料在片子上時粘度俞大俞好。觸變性指漿料〔液體〕在應力情況下粘度迅速下降，去除外力后粘度恢復的能力。觸變性在漿料上的表現(xiàn)，漿料在靜置一段時間后其粘度變大，充分攪拌漿料變稀，粘度變小現(xiàn)象。印刷漿料的觸電變性越小越好。

粘彈性流動性漿料的流動性是粘度的倒數(shù)，粘度大那么流動性小，反之那么大。流動性俞大，那么印跡不明晰；流動性小，印刷易斷線。粘彈性是指漿料受刮板壓力后被前剪徹斷裂，網(wǎng)版彈起，漿料迅速回彈的性能，漿料和承印物粘接，和絲網(wǎng)脫離，出現(xiàn)迅速脫離的現(xiàn)象。粘彈性和漿料的粘度有很大的關系，粘度大粘彈性大，絲網(wǎng)別離時拉絲象現(xiàn)嚴重。網(wǎng)孔殘內(nèi)殘留量多，易用堵孔。概念：是指漿料受外力作用變形后，能完全或局部保持其變形的性質(zhì)。漿料是處于半流體和固體之的濃稠懸浮膠體，所以既有流動性，又有可塑性。漿料的固體含量高可塑性高，反之那么低?？伤苄阅鼙ＷC印跡的精度。可塑性技術指標背銀技術指標技術指標粘度（pa.s）45-75

項目

指標固含量（%）63-67

固含量

75-85精細度（um）≤15

粘度

10-60方阻（m∩/□）<1.2

細度

<15烘干厚度16-25

翹曲度

<1.5燒結后厚度

例：正電極漿料漿料----廠家6正電極漿料背銀漿料廠家

型號

北京合眾創(chuàng)能光電技術有限公司ROV20120716-2杭州正銀電子材料有限公司RS8805歐耐爾（江蘇）新型材料有限公司BS4261/BA128A寧波廣博納米新型材料有限公司SR426E蘇州柏特瑞新型材料有限公司AGB-920A上海玻納電子BN301西安創(chuàng)聯(lián)光電新材料有限公司CLB-233美國太陽化學（SunChemical）

武漢優(yōu)樂

赫利氏SOL210S/230S上海皓日太陽能科技有限公司RC410-2西安銀泰新能源材料科技有限公司YT-61ABASFGV37362121-A衡量正電極拉力測試合格〔4N〕，目前入圍有：1、上海皓日2、賀禮仕背電場漿料背電場漿料廠家

型號

美國太陽化學（SunChemical）437W1/437K東洋鋁漿HD171無錫光禾光電科技有限公司GHAL821A2/GHAL6系列

碩禾電子材料股份有限公司138系列廣州儒新科技開發(fā)有限公司RX8212E7/RX8252X廣州儒新科技開發(fā)有限公司6080-28K5A對于背電場的選擇，主要考慮其對開壓的提高以及弓區(qū)度的大小，目前碩和138漿料優(yōu)勢最為顯著。正電極正銀漿料廠家

型號

上海皓日LX118-S351蘇州晶銀新材料股份有限公司FC088A上?？镉铍娮蛹夹g有限公司TC-298S則武NP-4694A晶銀FC088A杜邦PV17APV17ALG-FG590

赫利氏9411、9235上海皓日太陽能科技有限公司LX118-S350三星PA-SF8510A正銀漿料的使用考慮其印刷質(zhì)量、本錢、效率等因素，目前主要以推進過產(chǎn)化漿料為主〔上海皓日漿料、晶銀〕；現(xiàn)最優(yōu)選擇還是賀禮仕9411。絲網(wǎng)印刷條件漿料通過絲網(wǎng)轉(zhuǎn)移到片子上的過程可以用上圖說明：A為添充絲網(wǎng)的每一個通孔，B為在刮版的直下方，通孔中的漿料受較大的壓力，C為隨著下一個瞬間離版操作，構成通孔的絲網(wǎng)線上升，D為漿料隨網(wǎng)版的剪切應力及片子的粘附力別離，E為漿料因其粘彈性由絲狀復原.絲網(wǎng)印刷工藝流程圖AR-coatingRearsidecontactpastewet印背電極：銀鋁漿ScreenprintingRearsidecontactpastedry烘干背電極HighspeedconveyordryerAluminumpastewet印背場：鋁漿ScreenprintingAluminumpastedry烘干背場Highspeedconveyordryer印正電極：銀漿Screenprinting烘干正電極Fastfiringfurnacewithintegrateddryer絲網(wǎng)印刷工藝過程詳解背電極為最終電池片提供物理上的正電極。漿料：Ag/Al漿在電池片的正極面〔p區(qū)〕用銀漿料印刷兩條電極導線〔寬約3～4mm〕作為電池片的電極。〔1〕與硅片外表和背場鋁形成良好的歐姆接觸,形成較低的接觸電阻；〔2〕有良好的歐姆接觸特性和焊接性能，附著性好，對外輸出電流。所謂歐姆接觸，是指金屬與半導體的接觸，而其接觸面的電阻遠小于半導體本身的電阻，使得組件操作時，大局部的電壓降在活動區(qū)〔Activeregion)而不在接觸面。背電極背電場對鋁漿的技術要求形成鋁背p－p+結，提高開路電壓；形成硅鋁合金對硅片進行有效地吸雜，提高效率；能與硅形成牢固的歐姆接觸；有優(yōu)良的導電性；化學穩(wěn)定性好；有適宜大規(guī)模生產(chǎn)的工藝性；價格較低。鋁的特性熔點：660.37℃，具有良好的導熱性、導電性和延展性。在空氣中其外表會形成一層致密的氧化膜，使之不能與氧、水繼續(xù)作用。鋁板對光的反射性能也很好，EF費米能級N+PP+Ec導帶Ev價帶背電場太陽能電池能帶圖○鋁背場的作用●1.背鋁作為背電場能夠阻擋電子的移動，減小了外表的復合率，有利于載流子的吸收；●2.減少光穿透硅片,增強對長波的吸收；●3.Al吸雜，形成重摻雜，提高少子壽命；●4.鋁的導電性能良好，金屬電阻小，而且鋁的熔點相對其他的適宜金屬來說熔點低，有利于燒結?！?.在燒結時p-type的鋁摻雜滲入形成使原本摻雜硼的p-typeSi形成一層數(shù)微米厚的p+-typeSi作為背場，以降低背外表復合速度來提高電池的開路電壓Voc?！?.因為硅片吸收系數(shù)差，當厚度變薄時襯底對入射光的吸收減少，此時背場的存在對可以抵達硅片深度較深的長波長光吸收有幫助，所以短路電流密度Jsc的影響就更明顯。●7.p和p+的能階差也可以提升Voc，p+可以形成低電阻的歐姆接觸所以填充因子FF也可改善。正電極電極材料的選擇能與硅形成牢固的接觸；這種接觸應是歐姆接觸，接觸電阻小；有優(yōu)良的導電性；純度適當；化學穩(wěn)定性好；銀的特性熔點：961.78℃，電阻率：1.586×10^-8Ω·m〔20℃〕銀的特征氧化數(shù)為+1，其活動性比銅差，常溫下，甚至加熱時也不與水和空氣中的氧作用。有很好的柔韌性和延展性，是導電性和導熱性最好的金屬。在電池片的正面〔N型層〕同時用銀漿料印刷一排間隔均勻的柵線和兩條電極。搜集光生電流，提供電池片物理上的負電極。漿料:Ag漿。設計理念：提高電流的收集效率、低金屬柵線電阻、低接觸電阻、低遮光面積。柵線高寬要求：盡可能大的高寬比意義：減少由于柵線遮光造成的電池功率失，同時較大柵線橫截面可以降低柵線的體電阻從而降低由柵線電阻引起的功率損失。柵線60故障現(xiàn)象造成原因解決方法備注粘板絲網(wǎng)間距太小加大絲網(wǎng)間距調(diào)大snap-off絕對值印刷刮條不平檢查刮條的平整度可放在玻璃門上檢查平整度硅片有厚薄不均檢查來料

網(wǎng)板張力太小更換網(wǎng)板更換網(wǎng)板前后測量網(wǎng)板張力絲網(wǎng)刮不干凈增大刮條下降深度（調(diào)大Down-stop絕對值）和印刷壓力（Pressure）不建議增大印刷壓力硅片吸附不住印刷襯紙?zhí)K更換干凈的襯紙單一臺面出現(xiàn)粘板時該可能性較大臺面太臟用干凈的酒精無塵布擦拭臺面真空吸力太小調(diào)大真空吸力漿料粘稠度太大攪拌時間太長減少攪拌時間網(wǎng)板內(nèi)漿料不要加的太多，及時擦干凈刮漿板漿料在網(wǎng)板內(nèi)停留時間過長經(jīng)常用刮漿板刮漿料加完漿料未及時蓋上蓋子，導致有機溶劑揮發(fā)加完漿料后及時蓋上蓋子漏漿輕微漏漿用干凈的無塵布擦拭網(wǎng)板

網(wǎng)板破更換網(wǎng)板絲網(wǎng)印刷不良與相應對策61故障現(xiàn)象造成原因解決方法備注印刷偏移襯紙臟導致相機自動識別系統(tǒng)識別錯誤更換襯紙

設備故障電機復位

更換新的網(wǎng)板后沒有校準相機重新校準相機

X/Y/Z軸或角度發(fā)生偏移調(diào)整X/Y/Z軸使得網(wǎng)板印刷圖形與硅片四邊完全對稱

漏漿網(wǎng)板微破且不影響圖形用薄膠帶粘住漏漿部位

印刷偏移見上面（印刷偏移解決方法）

WorkingBeam上定位卡口處有漿料用干凈的酒精布擦拭干凈

網(wǎng)板破壞嚴重無法用膠帶粘住更換網(wǎng)板

62故障現(xiàn)象造成原因解決方法備注隱裂臺面上有碎屑清理碎屑或重新更換襯紙

換紙后有不平重新更換襯紙

網(wǎng)板上沾有碎屑用干凈的無塵布擦拭網(wǎng)板

壓力偏大降低壓力

實際壓力比設定壓力大出很多刮刀高度上升

虛印印刷參數(shù)不適宜抬高絲網(wǎng)間距，適當加大壓力觀察刮條刮拭的網(wǎng)板是否干凈，加漿料時采取少加多次的方式進行加漿料刮條不平更換刮條網(wǎng)板使用時間太長更換網(wǎng)板印刷不良網(wǎng)板及刮條高度太高降低網(wǎng)板及刮條高度或降低電機高度

刮條不平更換刮條

63故障現(xiàn)象造成原因解決方法備注Ag漿偏重

減小snap-off；減小down-stop；增大pressure；減小speed

改變snap-off的效果最明顯，但需注意snap-off值改變過大會出現(xiàn)印刷不良Ag漿偏輕

增大snap-off；增大down-stop；減小pressure；增大speed

柵線變細網(wǎng)板高度太高降低snap-off，適當減小壓力

柵線變粗網(wǎng)板過度使用更換新的網(wǎng)板用干凈的酒精布擦拭后再用網(wǎng)板高度太低升高snap-off，適當增加壓力

斷柵網(wǎng)孔堵塞用干凈的無塵布將網(wǎng)板擦拭干凈

工作臺內(nèi)溫度低關閉窗或通知外圍對室內(nèi)溫度進行調(diào)整

新網(wǎng)板網(wǎng)孔沒張開用酒精布擦拭

絲網(wǎng)現(xiàn)階段改進工程降低絲網(wǎng)印刷碎片率工程取得顯著成果：目標值：0.30%絲網(wǎng)印刷本卷須知1、保持印刷平臺的清潔,隨時去除平臺上的任何碎片和異物,防止產(chǎn)生碎片或損壞網(wǎng)版。2、及時清理行走臂和烘箱里的碎片,防止堵塞電機或產(chǎn)生新的碎片。3、印刷臺上的貼紙要平整、干凈，否那么易引起碎片或報警。4、根據(jù)具體情況,及時調(diào)整印刷參數(shù)。5、出現(xiàn)報警時應首先查看報警信息顯示,然后采取相應措施。6、機器自動運行時不要翻開或調(diào)用需手動狀態(tài)下運行的軟件功能〔如攝像校正，輸入輸出顯示控制等〕，否那么會造成死機。7、設備運行中禁止修改系統(tǒng)時間，否那么會造成死機。Despatch燒結爐

1、燒結的目的與原理

2、燒結工藝溫度設定

3、燒結工藝形成過程4、燒結曲線分析5、燒結本卷須知和解決方法目錄燒結爐Despatch燒結爐Dspatch燒結爐結構圖Dspatch燒結爐流程圖Dspatch燒結爐控制界面01目的原理燒結目的：就是把印刷到硅片上的電極在高溫下燒結成電池片,最終使電極和硅片本身形成歐姆接觸,從而提高電池片的Isc和FF2個關鍵因素參數(shù),是電極的接觸具有電阻特性,到達生產(chǎn)高轉(zhuǎn)效率電池片的目的.燒結原理：所謂的燒結過程是要使電極和硅片本身形成歐姆接觸，其原理為當電極里金屬材料和半導體單晶硅加熱到共晶溫度時,單晶硅原子以一定比例融入到熔融的合金電極材料中.單晶硅原子融入到電極金屬中的整個過程是相當快的，一般只需要幾秒鐘的時間。融入單晶硅原子數(shù)目取決于合金溫度和電極材料的體積，燒結合金溫度越高，電極金屬材料體積越大，那么融入的硅原子數(shù)目就越多，這時的合金狀態(tài)被稱為晶體電極金屬的合金系統(tǒng).如果此時的溫度降低,系統(tǒng)開始冷卻形成再結晶層,這時原先溶入到電極金屬材料中的硅原子重新以固態(tài)形式結晶出來,也就是在金屬和晶體接觸界面上生長出一層外延層.如果外延層內(nèi)含有足夠的量的與原先晶體材料導電類型相同的雜質(zhì)成分，就獲得了用合金法工藝形成的歐姆接觸；如果在結晶層含有足夠量的與原先晶體材料導電類型異型的雜質(zhì)成分就獲得了用合金工藝形成的P-N結。燒結目的與原理燒結爐工藝溫度參數(shù)溫區(qū)溫度范圍備注1-3溫區(qū)300,330,3604-6溫區(qū)460,550,6207區(qū)溫度680±108區(qū)溫度830±109區(qū)溫度SE工藝935±5普通工藝940±5目前現(xiàn)行工藝溫度范圍(SE):燒結工藝溫度設定1工藝控制目標帶速烘干一區(qū)烘干二區(qū)烘干三區(qū)燒結一區(qū)燒結二區(qū)240300℃330℃360℃460℃550℃燒結三區(qū)燒結四區(qū)燒結五區(qū)燒結六區(qū)620℃680℃815℃930℃燒結工藝形成過程

1.開始燒結〔有機溶劑揮發(fā)〕2.加熱到450度，開始融化燒結工藝形成過程3.熔融的玻璃開始蝕刻SiN層4.加熱到670到700度，蝕穿SiN層開始熔融si的表層燒結工藝形成過程冷卻后，熔融玻璃中過量的Ag顆粒埋在Si的外表，形成電流傳導路經(jīng)燒結后電池片成品燒結曲線分析AlloyingabovetheAl-SieutecticContactFormationSolventEvaporationCoolingpart鋁硅合金化冷卻區(qū)溶劑蒸發(fā)形成良好歐姆接觸燒結爐常見問題及其解決方法1弓片a、燒結爐冷卻區(qū)冷卻效果不好—查看風扇狀況、進出水、溫度壓力等2電性能參數(shù)異常b、燒結溫度過高—調(diào)整燒結爐4、5、6、7區(qū)溫度a、漏電大：燒結爐溫度過高，PN結燒穿b、Isc、FF低：燒結溫度過低，沒有形成很好的歐姆接觸c、串聯(lián)電阻高：燒結溫度過低，銀電極柵線與硅片結合不牢；

串聯(lián)電阻低：燒結溫度過高，雖然牢固度增加，但可能會將正面P-N結壞，使得太陽電池的并聯(lián)電阻變小，電性能變壞，甚至可能

將正面P-N結燒穿，使太陽電池失效。3常見設備報警Halm測試

1、測試設備介紹

2、測試原理、目的3、測試參數(shù)更改與本卷須知

4、測試IV曲線分析