《硅基厚金屬膜電鍍工藝技術(shù)規(guī)范》編制說(shuō)明

2《硅基厚金屬膜電鍍工藝技術(shù)規(guī)范》編制說(shuō)明一、工作簡(jiǎn)況，包括任務(wù)來(lái)源、制定背景（包括目的、意義）、起草單位、根據(jù)中國(guó)國(guó)際科技促進(jìn)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)化工作委員會(huì)），處理器集成在一個(gè)芯片上。這種集成性帶來(lái)了巨大機(jī)械傳感器與執(zhí)行器、高性能互聯(lián)結(jié)構(gòu)和三維集成基板硅基厚金屬膜制造工藝是高性能微機(jī)械開(kāi)關(guān)/繼電型、金屬電鍍、表面平整化、控制釋放等通用性方現(xiàn)結(jié)構(gòu)性和功能性金屬材料的多樣化異質(zhì)集成與三國(guó)外以Metal-MUMPs(Meta厚金屬膜制造工藝已相對(duì)成熟，與6英寸及以上標(biāo)用階段。國(guó)內(nèi)厚金屬膜工藝研究處于起步階段，在2-大面積、高精度、大厚度和兼容性核心挑戰(zhàn)3的、規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)，以指導(dǎo)這一領(lǐng)域的發(fā)展和應(yīng)用，推動(dòng)有助于促進(jìn)行業(yè)內(nèi)各方的合作和交流。這不僅有助于提高M(jìn)業(yè)創(chuàng)造更多的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)朝著標(biāo)清華大學(xué)、南方科技大學(xué)、東南大學(xué)、上海4.1.1成立標(biāo)準(zhǔn)制定工作組2023年5月，清華大學(xué)牽頭成立標(biāo)準(zhǔn)制定工作組。工作4.1.2確定工作計(jì)劃2023年6月，清華大學(xué)作為項(xiàng)目承擔(dān)單位，與項(xiàng)目參與修訂編制組編制組，初步擬定了標(biāo)準(zhǔn)編制的工作目計(jì)劃于2024年3月份完成標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行意見(jiàn)征求、44.1.3查詢國(guó)內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和文獻(xiàn)資料硅基厚金屬膜電鍍工藝技術(shù)尚無(wú)國(guó)內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)在標(biāo)準(zhǔn)編寫過(guò)程中，參考了《GB/T1031-2009產(chǎn)品幾輪廓法表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值》、《GB/T26111-2010微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)術(shù)語(yǔ)》《GB/T28275-2012硅基MEMS制造技術(shù)氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范》、《GB/硅基MEMS制造技術(shù)基于SOI硅片的MEMS工藝規(guī)范》、《GB/T3284.1.4標(biāo)準(zhǔn)起草階段術(shù)語(yǔ)和定義、工藝流程、工藝加工能力、工藝保4.1.5標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)階段2024年3月向中國(guó)國(guó)際科技促進(jìn)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)化工作委員會(huì)提二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則、主要內(nèi)容及其確定依據(jù)，修訂標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，還包括修訂前后下性能演化機(jī)理與工藝調(diào)控方法以及功能性厚深入的探索，在層間結(jié)合力、金屬膜厚度、厚5開(kāi)展了大量工藝試驗(yàn)，使標(biāo)準(zhǔn)的制定更加有利于生產(chǎn)和本標(biāo)準(zhǔn)基于項(xiàng)目組多次工藝試驗(yàn)的基礎(chǔ)，給程。同時(shí)，本標(biāo)準(zhǔn)參考了《GB/T32814-2016硅基MEMS制造規(guī)范》和《GB/T32815-2016硅基MEMS制造技術(shù)能力、工藝保障條件要求和安全與環(huán)境操作要求等本標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)硅基厚金屬膜電鍍工藝，以工藝保障條件要求、原材料及輔助材料要求、安全與慮。標(biāo)準(zhǔn)給出了硅基厚金屬膜電鍍工藝的具體流相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)保持一致。標(biāo)準(zhǔn)編制的所有階段均遵守國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《G本標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)流程基于清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)多年來(lái)開(kāi)金屬膜電鍍工藝試驗(yàn)。具體參數(shù)來(lái)源于項(xiàng)目研究成口預(yù)研、國(guó)家重大專項(xiàng)等科研項(xiàng)目10余項(xiàng)，獲國(guó)家二等獎(jiǎng)2項(xiàng)、國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)2項(xiàng)，省部級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)5擴(kuò)展的硅基MEMS加工平臺(tái)，開(kāi)發(fā)了180項(xiàng)核心工藝和6程的具體工藝參數(shù)進(jìn)行反復(fù)試驗(yàn)和效果評(píng)估，基于硅基厚金屬膜電鍍工藝方法，可以加工制備M片上天線在內(nèi)的典型器件；利用各類MEMS器件表征模型與加工工藝，并通過(guò)反復(fù)迭代，優(yōu)化器件設(shè)計(jì)三、試驗(yàn)驗(yàn)證的分析、綜述報(bào)告，技術(shù)經(jīng)濟(jì)論證，預(yù)期的經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)效2016硅基MEMS制造技術(shù)基于SOI硅片的MEMS工藝規(guī)范》和《GB/T3281型、金屬電鍍、表面平整化、控制釋放等通用性方現(xiàn)結(jié)構(gòu)性和功能性金屬材料的多樣化異質(zhì)集成與三社會(huì)效益方面，硅基厚金屬膜制造工藝是MEMS用于加工金屬微機(jī)械傳感器與執(zhí)行器、高性能互聯(lián)結(jié)構(gòu)7抗腐蝕等優(yōu)勢(shì)，硅基厚金屬膜制造工藝是高性能微雜微系統(tǒng)集成的賦能技術(shù)之一，在航空航天、軍事國(guó)防和民生健康領(lǐng)域有十分迫切的需求。四、與國(guó)際、國(guó)外同類標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)內(nèi)容的對(duì)比情況，或者與測(cè)試的樣機(jī)的有關(guān)數(shù)據(jù)對(duì)比情況五、以國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)的起草情況，以及是否合規(guī)引用或者采用國(guó)際國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)，并說(shuō)明未采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的原因六、與有關(guān)法律、行政法規(guī)及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系1、按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》七、重大分歧意見(jiàn)的處理經(jīng)過(guò)和依據(jù)九、實(shí)施標(biāo)準(zhǔn)的要求