《MMIC學(xué)習(xí)手冊(cè)》課件

MMIC學(xué)習(xí)手冊(cè)---LongQdB，dBm，dBi，dBd，dBcdb是一個(gè)純計(jì)數(shù)單位。對(duì)于功率，dB=10lg〔A/B〕，對(duì)于電流或者電壓，db=20lg〔A/B〕。一般來說，db和db之間只有減運(yùn)算，沒有乘除運(yùn)算。比方dbm減去dbm，得到的結(jié)果的單位是db，表示的是兩個(gè)功率之間的比值，很常見的是信號(hào)功率減去噪聲功率，得到的是信噪比〔SNR〕。dbm：是一個(gè)考征功率絕對(duì)值的值，計(jì)算為10lg〔功率值/1mw〕。比方1mw的發(fā)射功率，10*lg〔1mw/1mw〕=0dbm.40W的發(fā)射功率10lg(40w/1mw)=10lg(4*10000)=40+10lg4=46dbm.經(jīng)驗(yàn)算法：左邊+10，右邊*10;左邊+3，右邊*2.0+10dbm=1mw*10.20dbm=1mw*10*10.30dbm=1mw*10*10*10.-50dbm=0dbm-10-10-10-10-10=1mw/10/10/10/10/10=0.00001mw.另外：+3db=*2；+1db=*1.25+2db=*1.6+4db=*2.5+6db=*4+7db=*5注意，經(jīng)驗(yàn)的優(yōu)先度的計(jì)算中，10db第一，6db，3db第二，4db第三。1db的話最好少用，近似度太低了。dbi和dbd是考征增益的值〔功率增益〕。兩者都是一個(gè)相對(duì)值，但是考征基準(zhǔn)不一樣。Dbi考征的基準(zhǔn)為全方向性天線，dbd的考征基準(zhǔn)為偶極子，兩者略有不同，一般地我們經(jīng)驗(yàn)性認(rèn)為，考征同一個(gè)增益，dbi考征出來的要比dbd考證出來的大2.15。比方說GSM900天線增益可以為13dbd〔15.15dbi〕，GSM1800天線增益可以為15dbd〔17.15dbi〕。小數(shù)點(diǎn)后面的值有時(shí)候忽略。dbc：也是用來表示功率的相對(duì)單位，與db計(jì)算一樣。一般地是用來度量與載波〔carrier〕功率的相對(duì)值。如用來度量干擾—同頻干擾，互調(diào)干擾，交調(diào)干擾，帶外干擾，以及耦合，雜散等相對(duì)值。用在dbc的地方，原那么上也可以用db代替。MMIC根底知識(shí)射頻波段：300MHz~3GHz.UHF(特高頻)微波段：3GHz~30GHz.SHF(超高頻)毫米波段：30GHz~300GHz.EHF(極高頻)亞毫米波段：300GHz~3000GHz.THzMMIC的設(shè)計(jì)思想：從傳統(tǒng)的以“摻雜工程〞為根底的理論變?yōu)橐浴罢{(diào)節(jié)〞化合物中個(gè)元素成分而改變其能帶結(jié)構(gòu)的“能帶工程〞原理。MMIC的工作頻率：1GHz~100GHz單片射頻微波集成電路〔RFIC/MMIC〕是將各種有源或者無源元件制作在同一片半導(dǎo)體基片上的射頻微波電路。微波根底MMIC設(shè)計(jì)方法集總元件式MMIC使用螺旋電感、疊片式電容、電阻等集總元件實(shí)現(xiàn)偏置、匹配、濾波等功能的MMIC。特點(diǎn)：高集成/封裝密度低直流功耗噪聲性能好分布式MMIC使用微帶線、共勉波導(dǎo)〔CPW〕、MEMS線等傳輸線元件實(shí)現(xiàn)偏置、匹配、濾波等功能的MMIC特點(diǎn)：高工作頻率頻率低時(shí)尺寸大傳輸線損耗大時(shí)噪聲性能差應(yīng)用于MMIC的主要有源元件GaAs金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管〔GaAsMESFET〕砷化鎵髙電子遷移率晶體管〔包括常規(guī)型和贗同品型〕〔GaAsHEMT/HFET/PHEMT〕砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管〔GaAsHBT〕硅雙極晶體管〔SiBJT〕鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管〔SiGeHBT〕硅互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件〔SiCMOS〕硅鍺硅互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件〔SiBICMOS〕磷化銦髙電子遷移率晶體管〔InPHEMT〕磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管〔InPHBT〕硅雙垂直溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場〔LDMOS〕氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)碳化硅金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管(SiCMESFET)碰撞雪崩及度越時(shí)間二極管、PIN二極