《MMIC學習手冊》課件

MMIC學習手冊---LongQdB，dBm，dBi，dBd，dBcdb是一個純計數(shù)單位。對于功率，dB=10lg〔A/B〕，對于電流或者電壓，db=20lg〔A/B〕。一般來說，db和db之間只有減運算，沒有乘除運算。比方dbm減去dbm，得到的結果的單位是db，表示的是兩個功率之間的比值，很常見的是信號功率減去噪聲功率，得到的是信噪比〔SNR〕。dbm：是一個考征功率絕對值的值，計算為10lg〔功率值/1mw〕。比方1mw的發(fā)射功率，10*lg〔1mw/1mw〕=0dbm.40W的發(fā)射功率10lg(40w/1mw)=10lg(4*10000)=40+10lg4=46dbm.經(jīng)驗算法：左邊+10，右邊*10;左邊+3，右邊*2.0+10dbm=1mw*10.20dbm=1mw*10*10.30dbm=1mw*10*10*10.-50dbm=0dbm-10-10-10-10-10=1mw/10/10/10/10/10=0.00001mw.另外：+3db=*2；+1db=*1.25+2db=*1.6+4db=*2.5+6db=*4+7db=*5注意，經(jīng)驗的優(yōu)先度的計算中，10db第一，6db，3db第二，4db第三。1db的話最好少用，近似度太低了。dbi和dbd是考征增益的值〔功率增益〕。兩者都是一個相對值，但是考征基準不一樣。Dbi考征的基準為全方向性天線，dbd的考征基準為偶極子，兩者略有不同，一般地我們經(jīng)驗性認為，考征同一個增益，dbi考征出來的要比dbd考證出來的大2.15。比方說GSM900天線增益可以為13dbd〔15.15dbi〕，GSM1800天線增益可以為15dbd〔17.15dbi〕。小數(shù)點后面的值有時候忽略。dbc：也是用來表示功率的相對單位，與db計算一樣。一般地是用來度量與載波〔carrier〕功率的相對值。如用來度量干擾—同頻干擾，互調干擾，交調干擾，帶外干擾，以及耦合，雜散等相對值。用在dbc的地方，原那么上也可以用db代替。MMIC根底知識射頻波段：300MHz~3GHz.UHF(特高頻)微波段：3GHz~30GHz.SHF(超高頻)毫米波段：30GHz~300GHz.EHF(極高頻)亞毫米波段：300GHz~3000GHz.THzMMIC的設計思想：從傳統(tǒng)的以“摻雜工程〞為根底的理論變?yōu)橐浴罢{節(jié)〞化合物中個元素成分而改變其能帶結構的“能帶工程〞原理。MMIC的工作頻率：1GHz~100GHz單片射頻微波集成電路〔RFIC/MMIC〕是將各種有源或者無源元件制作在同一片半導體基片上的射頻微波電路。微波根底MMIC設計方法集總元件式MMIC使用螺旋電感、疊片式電容、電阻等集總元件實現(xiàn)偏置、匹配、濾波等功能的MMIC。特點：高集成/封裝密度低直流功耗噪聲性能好分布式MMIC使用微帶線、共勉波導〔CPW〕、MEMS線等傳輸線元件實現(xiàn)偏置、匹配、濾波等功能的MMIC特點：高工作頻率頻率低時尺寸大傳輸線損耗大時噪聲性能差應用于MMIC的主要有源元件GaAs金屬半導體場效應管〔GaAsMESFET〕砷化鎵髙電子遷移率晶體管〔包括常規(guī)型和贗同品型〕〔GaAsHEMT/HFET/PHEMT〕砷化鎵異質結雙極晶體管〔GaAsHBT〕硅雙極晶體管〔SiBJT〕鍺硅異質結雙極晶體管〔SiGeHBT〕硅互補金屬氧化物半導體器件〔SiCMOS〕硅鍺硅互補金屬氧化物半導體器件〔SiBICMOS〕磷化銦髙電子遷移率晶體管〔InPHEMT〕磷化銦異質結雙極晶體管〔InPHBT〕硅雙垂直溝道金屬氧化物半導體場〔LDMOS〕氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)碳化硅金屬半導體場效應管(SiCMESFET)碰撞雪崩及度越時間二極管、PIN二極