IRFPA讀出電路設(shè)計(jì)測(cè)試及可測(cè)性設(shè)計(jì)研究的開題報(bào)告_第1頁
IRFPA讀出電路設(shè)計(jì)測(cè)試及可測(cè)性設(shè)計(jì)研究的開題報(bào)告_第2頁
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IRFPA讀出電路設(shè)計(jì)測(cè)試及可測(cè)性設(shè)計(jì)研究的開題報(bào)告開題報(bào)告:一、選題背景隨著紅外技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用越來越廣泛,IRFPA(InfraredFocalPlaneArray)的應(yīng)用也越來越廣泛。IRFPA是用于從紅外輻射源獲取圖像的傳感器陣列,主要用于熱成像、紅外探測(cè)、目標(biāo)跟蹤等領(lǐng)域。IRFPA芯片本質(zhì)上是一個(gè)具有特殊功能的集成電路,是用于探測(cè)紅外輻射的探測(cè)器。在IRFPA芯片中,讀出電路是芯片中最重要的模塊之一。讀出電路的主要作用是將紅外輻射的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),以便進(jìn)行進(jìn)一步的信號(hào)處理和算法處理。因此,讀出電路的性能直接影響到整個(gè)IRFPA的性能和質(zhì)量。但是,IRFPA芯片的制造和測(cè)試非常復(fù)雜和昂貴。特別是在測(cè)試方面,仍然存在很多困難和挑戰(zhàn)。因此,如何設(shè)計(jì)有效的IRFPA讀出電路,并對(duì)其進(jìn)行測(cè)試和可測(cè)性設(shè)計(jì)研究,具有很高的研究價(jià)值和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。二、選題意義1.提高IRFPA芯片制造質(zhì)量和性能IRFPA芯片的制造過程非常復(fù)雜,因此在制造過程中常常會(huì)出現(xiàn)一些質(zhì)量問題和問題。如果設(shè)計(jì)有效的讀出電路,并進(jìn)行測(cè)試和可測(cè)性設(shè)計(jì)研究,則可以提高IRFPA芯片的制造質(zhì)量和性能。2.促進(jìn)紅外技術(shù)應(yīng)用和發(fā)展隨著紅外技術(shù)應(yīng)用的廣泛普及,IRFPA芯片應(yīng)用范圍也會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大。通過設(shè)計(jì)有效的讀出電路,并進(jìn)行測(cè)試和可測(cè)性設(shè)計(jì)研究,可以促進(jìn)紅外技術(shù)應(yīng)用和發(fā)展,推動(dòng)其廣泛的實(shí)際應(yīng)用。三、研究內(nèi)容及主要技術(shù)路線1.研究內(nèi)容(1)設(shè)計(jì)有效的IRFPA讀出電路針對(duì)IRFPA讀出電路的特殊要求,設(shè)計(jì)有效的讀出電路。包括信號(hào)放大、濾波、ADC轉(zhuǎn)換等電路。(2)測(cè)試IRFPA讀出電路針對(duì)IRFPA讀出電路的測(cè)試,制定完善的測(cè)試計(jì)劃和測(cè)試流程,進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)試和分析,確保讀出電路的性能和質(zhì)量。(3)可測(cè)性設(shè)計(jì)研究針對(duì)IRFPA芯片的可測(cè)性設(shè)計(jì),就雙面測(cè)試和雙邊測(cè)試的測(cè)試方法進(jìn)行研究,制定有效的測(cè)試方案,保證IRFPA芯片的可測(cè)性。2.主要技術(shù)路線本研究將采用以下主要技術(shù)路線:(1)先進(jìn)的模擬電路設(shè)計(jì)技術(shù),包括信號(hào)放大、濾波、ADC轉(zhuǎn)換等方面的設(shè)計(jì)。(2)精確的測(cè)試和分析技術(shù),包括信號(hào)測(cè)試、性能分析、數(shù)據(jù)處理等方面的技術(shù)。(3)雙面測(cè)試和雙邊測(cè)試的技術(shù),用于實(shí)現(xiàn)可測(cè)性設(shè)計(jì)。四、總體研究計(jì)劃1.第一年第一年的研究重點(diǎn)將放在設(shè)計(jì)有效的IRFPA讀出電路和測(cè)試讀出電路上。主要任務(wù)包括:(1)研究IRFPA讀出電路的特殊要求和設(shè)計(jì)規(guī)范,確定讀出電路的設(shè)計(jì)方案。(2)采用先進(jìn)的模擬電路設(shè)計(jì)技術(shù),實(shí)現(xiàn)讀出電路的設(shè)計(jì)和制造。(3)設(shè)計(jì)完善的測(cè)試計(jì)劃和測(cè)試流程,準(zhǔn)確測(cè)試和分析讀出電路的性能和質(zhì)量。2.第二年第二年的研究重點(diǎn)將放在可測(cè)性設(shè)計(jì)研究上。主要任務(wù)包括:(1)研究IRFPA芯片的雙面測(cè)試和雙邊測(cè)試的測(cè)試方法,制定有效的測(cè)試方案。(2)分析IRFPA芯片的可測(cè)性問題,解決實(shí)際測(cè)試中出現(xiàn)的問題。(3)對(duì)IRFPA芯片進(jìn)行實(shí)際測(cè)試和分析,比對(duì)測(cè)試結(jié)果和設(shè)計(jì)要求。3.第三年第三年的研究將針對(duì)IRFPA芯片的可靠性和性能方面進(jìn)行深入研究。主要任務(wù)包括:(1)研究IRFPA芯片的可靠性和壽命問題,開展可靠性測(cè)試和壽命測(cè)試。(2)對(duì)IRFPA芯片的性能進(jìn)行深入研究,比較不同類型的IRFPA芯片的性能。(3)總結(jié)研究成果,撰寫畢業(yè)論文和相關(guān)專業(yè)論文。五、預(yù)期成果及參考文獻(xiàn)1.預(yù)期成果(1)設(shè)計(jì)出有效的IRFPA讀出電路,并進(jìn)行測(cè)試和分析。(2)探索IRFPA芯片的可測(cè)性問題,制定有效的可測(cè)性測(cè)試方案。(3)對(duì)IRFPA芯片的性能和質(zhì)量進(jìn)行深入研究,并對(duì)IRFPA芯片的可靠性和壽命進(jìn)行測(cè)試和分析。2.參考文獻(xiàn)(1)ShengliLu,JunchaoZhang,MinHuang,HonggangQi.Faultdiagnosisforthermalinfraredfocalplanearraysusingbackpropagationneuralnetwork.InfraredPhysics&Technology,Volume80,pp.33-42,2017.(2)G.Cauquil,L.Doutre,S.Michel,L.Vilcot,etal.Anevaluationofthecharacterizationofindustrialmicrobolometerfocalplanearrayinfrareddetectors.InfraredPhysics&Technology,Volume93,pp.313-319,2018.(3)Jere-MassiNshimiyimana,Chen-QiHu,WeihuaJiang,Limitedfinal-testforinfraredfocalp

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