用于tft干刻工藝中的清洗方法

用于tft干刻工藝中的清洗方法專利名稱:用于tft干刻工藝中的清洗方法技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法。背景技術(shù)：在TFT(薄膜晶體管)制造過程中某些工程需要采用到干刻工藝(DryEtching)，干刻工藝是采用低壓氣體在高頻電場下的生成的等離子體來起到刻蝕作用的。在該過程中，工藝氣體與被刻蝕的物質(zhì)發(fā)生化學反應生成其他產(chǎn)物，其中有一部分會沉積在工藝腔體的內(nèi)表面，沉積的物質(zhì)較多則會污染腔室的環(huán)境。針對干刻工藝中生成物的沉積一般都采取濕式清掃(WetClean)的方法——即用潔凈布蘸酒精后擦洗。該方法需要開啟腔室，對于真空設(shè)備、開啟腔室后再恢復到真空狀態(tài)需要很長的時間(5代線的干刻設(shè)備需要5小時以上)再加上本身清掃所需的時間，對生產(chǎn)的影響很大。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供用一種簡便的TFT干刻工藝中的清洗方法。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法，調(diào)整RF的參數(shù)對干刻工藝中附著在設(shè)備內(nèi)壁上的沉積物進行再刻蝕，進而清除這些沉積物。其中，將上部電機功率調(diào)整為8千瓦，下部電極功率調(diào)整為2千瓦，氧氣流量為900毫升/平方米，SF6的流量為100毫升/平方米，壓力為1.3帕，處理時間為3×50秒。本發(fā)明的積極進步效果在于無需開腔也能達到一定的清洗效果，可減少沉積物的生成以及由其導致的灰塵，延長設(shè)備的使用時間，同時配合濕法清掃(WetClean)則可以達到理想的效果并且能節(jié)約大量的時間。圖1為使用本發(fā)明的方法前后對比圖表。具體實施方式下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實施例，以詳細說明本發(fā)明的技術(shù)方案。一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法，調(diào)整RF(射頻)的參數(shù)對干刻工藝中附著在設(shè)備內(nèi)壁上的沉積物進行再刻蝕，進而清除這些沉積物。其中，將上部電機功率調(diào)整為8千瓦，下部電極功率調(diào)整為2千瓦，氧氣流量為900毫升/平方米，SF6(六氟硫)的流量為100毫升/平方米，壓力為1.3帕，處理時間為3×50秒。如圖1所示，使用本方法后，設(shè)備中的灰塵量下降明顯。所檢查的灰塵規(guī)格(3≤S≤5，5≤M≤10，5≤M≤10，單位um)。權(quán)利要求1.一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法，其特征在于，調(diào)整RF的參數(shù)對干刻工藝中附著在設(shè)備內(nèi)壁上的沉積物進行再刻蝕，進而清除這些沉積物。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于TFT干刻工藝中的清洗方法，其特征在于，將上部電機功率調(diào)整為8千瓦，下部電極功率調(diào)整為2千瓦，氧氣流量為900毫升/平方米，SF6的流量為100毫升/平方米，壓力為1.3帕，處理時間為3×50秒。專利摘要本發(fā)明公開了一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法，調(diào)整RF的參數(shù)對干刻工藝中附著在設(shè)備內(nèi)壁上的沉積物進行再刻蝕，進而清除這些沉積物。本發(fā)明無需開腔也能達到一定的清洗效果，可減少沉積物的