薄化制程簡(jiǎn)介

1薄化製程簡(jiǎn)介追求效率，爭(zhēng)分奪秒。提升品質(zhì)，精益求精。葉美娟品保部協(xié)輔課2大綱薄化需求說明薄化方式封邊製程介紹蝕刻製程介紹拋光製程介紹3薄化需求說明輕、薄是現(xiàn)今都會(huì)男女對(duì)一切3C產(chǎn)品的基本要求，而薄化製程就是滿足他們的武器之一。手機(jī)筆電4薄化於製程流程中的位置Cell組立薄化切裂薄化鍍膜TFTCF5薄化的方式物理研磨化學(xué)蝕刻利用玻璃與研磨粉之間的摩擦作用，將玻璃切削，達(dá)到薄化的目的。利用玻璃與藥液相互反應(yīng)，達(dá)到化學(xué)減薄的作用。6薄化方式比較研磨蝕刻薄化速率研磨速率：

約3~7um/min蝕刻速率：

約4~25um/min每次投入數(shù)1~4sh/batch4~24sh/batch品質(zhì)影響易受應(yīng)力破壞蝕刻相關(guān)不良7薄化流程封邊蝕刻入料檢拋光繳庫出貨檢入料8封邊封邊製程介紹封邊原理封邊製程流程封邊材料選擇前製程對(duì)封邊影響封邊不良種類9封邊原理方法一：針筒塗

(現(xiàn)行SH塗膠)方法二：蓋印式

(現(xiàn)行CUT塗膠)方法三：滾筒式

(開發(fā)中)方法四：自動(dòng)塗佈

(未開發(fā))方法五：Dummy框膠取代

(未開發(fā))方法六：膠水塗佈式

(未開發(fā))10封邊流程插卡匣入料塗膠擦膠檢查UV固化滲膠不足滲膠足11封邊材料選擇成分：UV膠、熱固膠、熱塑膠、快乾膠(揮發(fā)不含有機(jī)污染成分)抗酸能力：抵擋HF侵蝕黏度：太低會(huì)造成滲入量無法控制，造成膠材污染面內(nèi)，太高則會(huì)使膠無法滲

入CellGap中，故要適中辨識(shí)度：具顏色易於辨識(shí)是否有斷膠與滲膠不足問題固化方式：UV燈照射、自然揮發(fā)、加熱固化、冷卻固化皆可固化時(shí)間：所需時(shí)間越短，產(chǎn)能越高除膠便利性：固化前、後需易於清除殘膠，以免影響蝕刻品質(zhì)玻璃黏附性：與玻璃接著強(qiáng)度需足夠硬化收縮(膨脹)率：收縮(膨脹)率低以防止斷膠或膠溢出12封邊不良種類UV膠斷線、未固化：

影響製程：蝕刻、拋光

造成不良：蝕刻液入、研磨液入

預(yù)防：滲膠深度2~3mmUV殘膠過多：

影響製程：切裂、蝕刻

造成不良：(1)切裂：玻璃掉片、玻璃裂傷

(2)蝕刻：玻璃周圍蝕刻不均

預(yù)防：擦拭、檢查、刮膠UV膠污染玻璃表面：

影響製程：蝕刻

造成不良：表面髒污

預(yù)防：作業(yè)手法13蝕刻蝕刻製程介紹玻璃蝕刻原理蝕刻方式比較蝕刻製程流程不良種類介紹技術(shù)開發(fā)14玻璃蝕刻原理-化學(xué)反應(yīng)玻璃蝕刻反應(yīng)：

SiO2+4HF

SiF4+2H2O+TSiF4+2HFH2SiF6影響反應(yīng)速率因子：溫度使分子帶有足夠能量進(jìn)行有效碰撞濃度增加分子碰撞機(jī)率生成物去除率清除覆蓋於反應(yīng)物表面的生成物藥液成分H2SiF6、HCl等皆會(huì)影響能量LowTemp.HighTemp.反應(yīng)門檻SiO2HFHFHFHFSiO2HFHFHFHF生成物反應(yīng)不反應(yīng)15蝕刻方式浸泡式：噴灑式：瀑流式：HFbubble16蝕刻方式比較浸泡式噴灑式瀑流式蝕刻速率產(chǎn)能HF、廢液cost人力需求設(shè)備成本設(shè)備維護(hù)：優(yōu)等：次等：再次等17單面蝕刻機(jī)流程貼背膠入料上Jig貼邊膠LD水洗3道蝕刻風(fēng)刀ULD除膠/清潔HF18雙面蝕刻機(jī)流程玻璃上Jig入料LD水洗3道蝕刻風(fēng)刀ULDChamberJIGRollerbubble清潔19Dip蝕刻機(jī)流程玻璃插卡匣入料LD水洗3槽蝕刻ULD清潔LDHFDI1DI2DI3ULD20薄化精度要求厚度量測(cè)方式：分離卡1432蝕刻厚度越多，精度誤差越大蝕刻精度能力：(1.0t?t)客戶厚度要求：合板厚度±50um、單板厚度±25um

玻璃來料規(guī)格：?jiǎn)伟?00um±50um

蝕刻製程精度：?jiǎn)伟迦コＡШ穸取?um~±20um來料規(guī)格需加嚴(yán)才有可能達(dá)到客戶需求21蝕刻後發(fā)生的不良

刮、刺傷導(dǎo)輪痕表面髒污流水紋蝕刻不均22刮、刺傷不良成因(2)玻璃中的氣泡或金屬氧化物脫落(1)玻璃表面刮刺傷放大蝕刻前蝕刻後23刮、刺傷不良放大效應(yīng)蝕刻寬度：137.8um深度：12.5um寬度：2.7um深度：0.74um蝕刻寬度：268.4um深度：66.5um寬度：5.0um深度：1.3um輕微刮傷：嚴(yán)重刮傷：0.7t0.25t0.7t0.25t24導(dǎo)輪痕不良、表面髒污不良(1)導(dǎo)輪痕：(2)表面髒污：成因：Array、CF、Cell製程中與玻璃背面接觸的C/V，對(duì)玻璃造成凹、凸痕跡對(duì)策：找出相關(guān)位置的機(jī)構(gòu)進(jìn)行材質(zhì)或機(jī)械動(dòng)作的改善成因：UV殘膠、人員指紋、sludge殘留、背膠殘膠、擦拭痕跡對(duì)策：清潔能力加強(qiáng)、人員訓(xùn)練加強(qiáng)25流水紋不良、蝕刻不均蝕刻不均成因：流水紋成因：沖刷不均勻曝氣不均勻藥液殘留a.b.c.26蝕刻液技術(shù)開發(fā)NH4F<==>NH3+HF(1)Lifetime：

使用緩衝溶液延長(zhǎng)藥水壽命Protectiveagent保護(hù)劑HighetchingrateLowetchingrate(2)Dimple（酒窩）抑制：

降低凹洞的蝕刻速率27沾附現(xiàn)象SIO2SIO2介面活性劑蝕刻液技術(shù)開發(fā)(3)玻璃或Sludge回沾改善(凸點(diǎn)、表面粗糙度)：霧狀不良之玻璃表面roughness<0.5um蝕刻後之玻璃表面roughness<0.015um未蝕刻之玻璃表面roughness<0.01um28蝕刻液濃度影響蝕刻系統(tǒng)過濾系統(tǒng)50%HF超過容量

需排放Sludge排放(1)成本影響：(2)Sludge沾附設(shè)備：a.濃度越高

沾附越嚴(yán)重b.加入HNO3或介面活性劑可減緩此現(xiàn)象29蝕刻液濃度監(jiān)控方式(1)導(dǎo)電度計(jì)：(2)酸鹼滴定：30過濾系統(tǒng)需要過濾系統(tǒng)的原因：回收HF以節(jié)省藥液成本防止Sludge影響蝕刻品質(zhì)防止Sludge沾附機(jī)臺(tái)濾下來的Sludge蝕刻系統(tǒng)沈降系統(tǒng)調(diào)藥系統(tǒng)供藥系統(tǒng)過濾系統(tǒng)排Sludge排廢酸定期清潔31拋光製程介紹拋光的原理拋光機(jī)的種類拋光耗材影響拋光速率、均勻性因子拋光製程流程拋光相關(guān)不良32拋光的原理-研磨切削吸附Pad研磨Pad玻璃面板吸附Pad玻璃面板水+拋光粉拋光粉水玻璃研磨Pad上定盤下定盤吸附Pad壓力利用研磨粉將玻璃切削，去除微量厚度拋光是否一定得在玻璃蝕刻之後？33拋光機(jī)種類友誠(單面)：MECS：

(單面)雙面式：34拋光耗材研磨Pad：吸附Pad：Slurry：多孔性高分子材質(zhì)，面板貼附時(shí)會(huì)將微細(xì)氣孔中的空氣擠出，形成真空吸著。主成份為氧化鈰，藉由氧化鈰與玻璃表面接觸、切削來去除微量的玻璃。承載拋光液，且不至於刮傷玻璃表面，隨著使用時(shí)間增加，雜質(zhì)漸漸積存於孔洞及溝槽，需適當(dāng)修整。35影響拋光速率、均勻性因子拋光速率拋光均勻性備註壓力V壓力與研磨力量原則上成正比研磨粉濃度V研磨粒子濃度需適中、粒子分散性需佳研磨粉粒徑V粒徑越大，研磨速率越高，粗糙度越差定盤轉(zhuǎn)速V切線速度越快，切削力越強(qiáng)定盤擺幅V定盤擺動(dòng)來均衡轉(zhuǎn)速高與低的區(qū)域定盤平行度V平行度影響施力均勻度定盤平整度V平整度不佳將造成凹陷區(qū)域研磨率低Pad特性VVPad材質(zhì)與設(shè)計(jì)影響研磨液散佈

Pad硬度影響拋光均勻性36拋光製程流程貼片研磨卸片清洗入料37拋光相關(guān)不良加壓前加壓後面內(nèi)Gap、Spacer打痕：(spacer受擠壓破壞、位移)BallspacerPS破片：

1.玻璃貼附不佳發(fā)生滑片

2.人員卸片不當(dāng)(動(dòng)作、水氣槍選擇)

3.拋光過程中異物壓傷玻璃

4.Pad受損破壞玻璃

5.切裂Crack38結(jié)語封邊：

目的--將合板間的Gap封住，防止液體滲入破壞Panel

做法--