易錯專題08 晶體結(jié)構(gòu)和晶胞計算-2024年高考化學(xué)考前易錯聚焦含解析

易錯專題08晶體結(jié)構(gòu)和晶胞計算-2024年高考化學(xué)考前易錯聚焦易錯專題08晶體結(jié)構(gòu)和晶胞計算聚焦易錯點：?易錯點一晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)?易錯點二晶胞計算典例精講易錯點一晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)【易錯典例】例1（1）晶胞有兩個基本要素：①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置，下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0,0,0）；B為（，0，）；C為（，，0）。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為______。②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm，其密度為__________g·cm-3（列出計算式即可）。③GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77.9℃，其原因是__________________。（2）單質(zhì)銅及鎳都是由______鍵形成的晶體。某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為_____。②若合金的密度為dg/cm3，晶胞參數(shù)a=________nm。③第ⅡA族金屬碳酸鹽分解溫度如下：BeCO3MgCO3CaCO3SrCO3BaCO3分解溫度100℃540℃960℃1289℃1360℃分解溫度為什么越來越高？_______________________。（3）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρg·cm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如左圖所示。該晶體的類型為_______,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol-1和MAsg·mol-1，原子半徑分別為rGapm和rAspm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_____。甲烷晶體的晶胞如右圖所示，該晶胞中含有個甲烷分子，此晶體在常溫、常壓下不能存在的原因______________________。關(guān)注公眾號《全元高考》微信公眾號《全元高考》2024屆高三押題群享各大主流機(jī)構(gòu)押題，王h雄/天xing掃碼添加微信進(jìn)群【解題必備】一、判斷晶體類型的5種方法1．依據(jù)構(gòu)成晶體的粒子和粒子間的作用判斷(1)離子晶體的構(gòu)成粒子是陰、陽離子，粒子間的作用是離子鍵。(2)原子晶體的構(gòu)成粒子是原子，粒子間的作用是共價鍵。(3)分子晶體的構(gòu)成粒子是分子，粒子間的作用為分子間作用力。(4)金屬晶體的構(gòu)成粒子是金屬陽離子和自由電子，粒子間的作用是金屬鍵。2．依據(jù)物質(zhì)的分類判斷(1)金屬氧化物(如K2O、Na2O2等)、強(qiáng)堿(NaOH、KOH等)和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體。(2)大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅等)，氣態(tài)氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(除有機(jī)鹽外)是分子晶體。(3)常見的原子晶體單質(zhì)有金剛石、晶體硅、晶體硼等，常見的原子晶體化合物有碳化硅、二氧化硅等。(4)金屬單質(zhì)是金屬晶體。3．依據(jù)晶體的熔點判斷(1)離子晶體的熔點較高，常在數(shù)百至一千攝氏度以上。4．依據(jù)導(dǎo)電性判斷(1)離子晶體水溶液及熔化時能導(dǎo)電。(2)原子晶體一般為非導(dǎo)體。(3)分子晶體為非導(dǎo)體，而分子晶體中的電解質(zhì)(主要是酸和強(qiáng)極性非金屬氫化物)溶于水，使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂形成自由離子也能導(dǎo)電。(4)金屬晶體是電的良導(dǎo)體。5．依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷(1)離子晶體硬度較大或略硬而脆。(2)原子晶體硬度大。(3)分子晶體硬度小且較脆。(4)金屬晶體多數(shù)硬度大，但也有較低的，且具有延展性。注意上述總結(jié)的都是一般規(guī)律，具體比較時要具體問題具體分析，如金屬晶體的熔、沸點差別很大，如鎢、鉑等熔點很高，而汞、鎵、銫等熔點卻很低；金屬晶體的熔點不一定比分子晶體的熔點高，如Na的熔點為97.8℃，尿素的熔點為132.7℃；原子晶體的熔點不一定比離子晶體高，如MgO的熔點為2852℃，石英的熔點為1710℃。二、物質(zhì)熔沸點高低比較規(guī)律比較類型比較規(guī)律不同類型晶體原子晶體>離子晶體>分子晶體，金屬晶體的熔、沸點差別很大，如鎢、鉑等熔點很高，汞、銫等熔點很低同類晶體原子晶體看成鍵原子半徑和，半徑和越小，晶體的熔、沸點越高、硬度越大離子晶體依據(jù)靜電原理進(jìn)行分析，一般地說，陰、陽離子的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子鍵越強(qiáng)，相應(yīng)地晶格能越大，熔、沸點越高分子晶體注意，組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，相對分子質(zhì)量越大，熔沸點越高(若分子間存在氫鍵，則含有氫鍵的熔、沸點高些)。組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子晶體(相對分子質(zhì)量接近)，分子的極性越大，其熔、沸點越高。如CO>N2，CH3OH>CH3CH3金屬晶體看金屬離子半徑越小，離子電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，金屬熔、沸點就越高。如熔、沸點：Al>Mg>Na【變式突破】1.鈣鈦礦(CaTiO3)型化合物是一類可用于生產(chǎn)太陽能電池、傳感器、固體電阻器等的功能材料，回答下列問題：(1)基態(tài)Ti原子的核外電子排布式為____________。(2)Ti的四鹵化物熔點如下表所示，TiF4熔點高于其他三種鹵化物，自TiCl4至TiI4熔點依次升高，原因是____________。化合物TiF4TiCl4TiBr4TiI4熔點/℃377﹣24.1238.3155(3)CaTiO3的晶胞如圖(a)所示，其組成元素的電負(fù)性大小順序是__________；金屬離子與氧離子間的作用力為__________，Ca2+的配位數(shù)是__________。(4)一種立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的金屬鹵化物光電材料的組成為Pb2+、I﹣和有機(jī)堿離子，其晶胞如圖(b)所示。其中Pb2+與圖(a)中__________的空間位置相同，有機(jī)堿中，N原子的雜化軌道類型是__________；若晶胞參數(shù)為anm，則晶體密度為_________g·cm-3(列出計算式)。(5)用上述金屬鹵化物光電材料制作的太陽能電池在使用過程中會產(chǎn)生單質(zhì)鉛和碘，降低了器件效率和使用壽命。我國科學(xué)家巧妙地在此材料中引入稀土銪(Eu)鹽，提升了太陽能電池的效率和使用壽命，其作用原理如圖(c)所示，用離子方程式表示該原理_______、_______。2．Cu及其化合物在醫(yī)藥、催化、材料等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：(1)通過如圖1所示反應(yīng)可以實現(xiàn)銅離子的富集，進(jìn)行回收。

①基態(tài)銅原子的核外電子有種空間運動狀態(tài)。與Cu元素同周期，基態(tài)原子有2個未成對電子的金屬元素有種。下列狀態(tài)的銅中，電離最外層一個電子所需能量最高的是(填序號)。a.[Ar]3dl04s1b.[Ar]3d94s2c.[Ar]3d10d.[Ar]3d9e.[Ar]3d84s1②M所含元素的第一電離能由大到小順序是(用元素符號表示)。③化合物X中的中心銅離子的配位數(shù)是，圖1反應(yīng)中斷裂和生成的化學(xué)鍵有(填序號)。a.離子鍵

b.p－pσ鍵

c.極性鍵

d.氫鍵

e.配位鍵(2)4－甲基咪唑(

)也可與Cu2+形成配合物，4－甲基咪唑分子中1號N原子的孤電子對因參與形成大π鍵，電子云密度降低。1號N原子雜化方式為，(填“1”或“3”)號N原子更容易與Cu2+形成配位鍵。(3)圖2是MgCu2的拉維斯結(jié)構(gòu)，Mg以金剛石方式堆積，八面體空隙和半數(shù)的四面體空隙中，填入以四面體方式排列的Cu。圖3是沿立方格子對角面取得的截面。Mg原子的半徑為pm，該晶胞中原子的空間利用率為。易錯點二晶胞的計算【易錯典例】例2（1）Cu元素與H元素可形成一種紅色化合物，其晶體結(jié)構(gòu)單元如下圖所示。則該化合物的化學(xué)式為________。（2）下圖是由Q、R、G三種元素組成的一種高溫超導(dǎo)體的晶胞結(jié)構(gòu)，其中R為＋2價，G為－2價，則Q的化合價為________。（3）已知鑭鎳合金LaNin的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖，則LaNin中n＝________。(4)硼化鎂晶體在39K時呈超導(dǎo)性。在硼化鎂晶體中，鎂原子和硼原子是分層排布的，下圖是該晶體微觀結(jié)構(gòu)的透視圖，圖中的硼原子和鎂原子投影在同一平面上。則硼化鎂的化學(xué)式為________?！窘忸}必備】1.均攤法計算晶胞中微粒數(shù)目：在使用均攤法計算晶胞中粒子個數(shù)時，要注意晶胞的形狀，不同形狀的晶胞，應(yīng)先分析任意位置上的一個粒子被幾個晶胞共用，如六棱柱晶胞中，頂點、側(cè)棱、底面上的棱、面心、體心依次被6、3、4、2、1個晶胞所共有。2.晶胞求算：若1個晶胞中含有x個微粒，則1mol晶胞中含有xmol微粒，其質(zhì)量為xMg(M為微粒的相對原子質(zhì)量)；又1個晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3g(a3為晶胞的體積，a為晶胞邊長或微粒間距離)，則1mol晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3NAg，因此有xM＝ρa(bǔ)3NA。求晶胞密度方法如下：3.晶胞結(jié)構(gòu)模型分析晶胞模型配位數(shù)681212原子半徑(r)和晶胞邊長(a)的關(guān)系2r＝a2r＝eq\f(\r(3)a,2)—2r＝eq\f(\r(2)a,2)一個晶胞內(nèi)原子數(shù)目12244.晶胞原子坐標(biāo)參數(shù)通過原子坐標(biāo)既能確定晶胞中各原子的相對位置，又可以計算原子間的距離，進(jìn)而可以計算晶胞的體積及晶體的密度。如①CsCl型離子晶體的離子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)：Cs＋為(0，0，0)；Cl－為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，\f(1,2)，\f(1,2)))。②NaCl型離子晶體的離子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)：Cl－為(0，0，0)，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，\f(1,2)，0))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，0，\f(1,2)))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0，\f(1,2)，\f(1,2)))；Na＋為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，\f(1,2)，\f(1,2)))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，0，0))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0，\f(1,2)，0))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0，0，\f(1,2)))。③ZnS型離子晶體的離子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)：Zn2＋為(0，0，0)，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，\f(1,2)，0))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，0，\f(1,2)))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0，\f(1,2)，\f(1,2)))；S2－為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(3,4)，\f(1,4)，\f(3,4)))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(3,4)，\f(3,4)，\f(1,4)))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,4)，\f(3,4)，\f(3,4)))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,4)，\f(1,4)，\f(1,4)))。注意在確定各原子的坐標(biāo)時，要注意x、y、z軸的單位標(biāo)準(zhǔn)不一定相同。5.典型晶胞結(jié)構(gòu)模型的投影圖晶胞結(jié)構(gòu)模型x、y平面上的投影圖注意畫或判斷投影圖時，一定要注意x、y、z軸的方向，上面結(jié)構(gòu)模型中的原子也可以換為不同的原子，但在投影圖中的位置不變。6.典型晶體中配位數(shù)的判斷（1）最密堆積晶體的配位數(shù)均為12。如金屬晶體的面心立方最密堆積中距離最近原子的上、中、下層各有4個配位原子，配位數(shù)為12；六方最密堆積中距離最近原子的上、中、下層各有上、中、下層分別有3、6、3個配位原子，故配位數(shù)12；又如分子晶體中的干冰中CO2分子距離最近原子的上、中、下層各有4個CO2分子，故配位數(shù)為12。（2）體心立方堆積晶體的配位數(shù)為8。如金屬晶體中距離最近原子的8個頂點的原子都與體心原子形成金屬鍵，故配位數(shù)為8；又如CsCl型離子晶體中距離最近原子的每個離子被處在立方體8個頂點帶相反電荷的離子包圍，Cl-離子和Cs+離子的配位數(shù)都為8?；蛞源罅⒎襟w的面心Cs+離子分析，上、下層各有4個Cl-離子，配位數(shù)為8。（3）面心立方堆積晶體的配位數(shù)為6。如NaCl型離子晶體中距離最近原子的每個離子被處在正八面體6個頂點帶相反電荷的離子包圍，Cl-離子和Na+離子的配位數(shù)都為6。（4）配位數(shù)為4的幾種晶體。如ZnS型離子晶體中距離最近的S2-離子和Zn2+離子排列類似NaCl型，但相互穿插的位置不同，使S2-、Zn2+離子的配位數(shù)不是6，而是4；又如金剛石、碳化硅等原子晶體與ZnS型離子晶體類似情況，配位數(shù)均為4。二氧化硅原子晶體中，Si與O原子形成的是硅氧四面體中Si的配位數(shù)為4，而SiO2的原子比為1∶2，故O的配位數(shù)是2；再如CaF2型離子晶體，每個F-離子處于Ca2+離子圍成的正四面體中心，故F-離子的配位數(shù)是4，Ca2+離子的配位數(shù)為8。【變式突破】3.(1)鈉、鉀、鉻、鉬、鎢等金屬晶體的晶胞屬于體心立方，則該晶胞中屬于1個體心立方晶胞的金屬原子數(shù)目是____________。氯化銫晶體的晶胞如圖1，則Cs＋位于該晶胞的________，而Cl－位于該晶胞的________，Cs＋的配位數(shù)是____________。(2)銅的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，寫出此氫化物在氯氣中燃燒的化學(xué)方程式：_________。(3)圖3為F－與Mg2＋、K＋形成的某種離子晶體的晶胞，其中“○”表示的離子是________(填離子符號)。(4)實驗證明，KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖4所示)，已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表：離子晶體NaClKClCaO晶格能/(kJ·mol－1)7867153401則這4種離子晶體(不包括NaCl)熔點從高到低的順序是___________。MgO晶體中一個Mg2＋周圍與它最鄰近且等距離的Mg2＋有________個。4.（2023·山東菏澤·山東省鄄城縣第一中學(xué)?？既＃╄F、錳、鉻、鋅、銅及其化合物在生產(chǎn)生活中應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：(1)基態(tài)Fe原子的價電子排布式為。(2)第二電離能：(填“>”“<”或“=”)。(3)一種香豆素衍生物(CHP)可作為測定的熒光探針，其原理如圖所示。

①CHP所含元素(C、O、N)的電負(fù)性從大到小的順序為(填元素符號，下同)；其第一電離能從大到小的順序為。②CHP—Zn中N原子的雜化類型為。(4)的一種晶體中，氧原子的堆積模型為面心立方最密堆積(如圖所示)，Mn(Ⅱ)填充在氧原子圍成的正四面體空隙中，Mn(Ⅲ)填充在氧原子圍成的正八面體空隙中。

已知：晶胞的體積為，表示阿伏加德羅常數(shù)，則該晶體的密度為(用含、V的代數(shù)式表示)?？键c精練1．（2024·河北邢臺·二模）硫化鋅是一種優(yōu)良的寬帶隙半導(dǎo)體鋰離子電池負(fù)極材料，具有在充電的同時合金化反應(yīng)的特點。在充電過程中負(fù)極材料晶胞的組成變化如圖：下列說法不正確的是A．當(dāng)完全轉(zhuǎn)化為時，和轉(zhuǎn)化為(合金相)，每轉(zhuǎn)移生成B．晶體中沿晶胞體對角線方向的一維空間上會出現(xiàn)“”的排布規(guī)律C．4種晶胞中，原子的空間利用率最低，中所構(gòu)成的四面體空隙全部被填充D．若的品胞參數(shù)為，則EF間的距離為2．（2024·廣西·二模）是某些太陽能薄膜電池的材料。下圖所示為的晶胞結(jié)構(gòu)，已知晶胞參數(shù)為apm，2號氧原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，下列說法不正確的是A．1號氧原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為B．晶胞中與Ca等距離且最近的O有4個C．元素在元素周期表中處于d區(qū)D．Ti和Ca原子間的最短距離為3．（2024·黑龍江·二模）氟化鉀鎂是一種具有優(yōu)良光學(xué)性能的材料，主要應(yīng)用于激光領(lǐng)域，其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖。表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是A．的配位數(shù)為12B．每個位于距其最近且等距的構(gòu)成的正四面體空隙中C．若位于晶胞的體心，則位于晶胞的面心D．若晶胞參數(shù)為anm，則晶體的密度是4．（2024·重慶·一模）一種含錫的多元金屬硫化物的晶胞結(jié)構(gòu)為四方晶系，已知金屬原子均呈四面體配位，晶胞棱邊夾角均為，其結(jié)構(gòu)可看作是由兩個立方體上下堆疊而成。如圖，甲為A的體對角線投影圖，乙為B的沿軸方向的投影圖，A中位置互換即為B，立方體棱長均為。下列說法錯誤的是A．該硫化物的化學(xué)式為B．晶胞中的配位數(shù)均為4C．晶胞中部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為、，則晶胞中原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可以為D．晶胞中和原子間的最短距離為5．（2024·江西萍鄉(xiāng)·二模）氧化鈰()常用作玻璃工業(yè)添加劑，在其立方晶胞中摻雜，占據(jù)原來的位置，可以得到更穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，這種穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)使得氧化鈰具有許多獨特的性能。晶胞中與最近的核間距為apm，下列說法正確的是A．已知M點原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0)，則N點原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1,0,1)B．晶胞中與最近且等距的的個數(shù)為6C．晶體的密度為D．若摻雜后得到的晶體，則此晶體中的空缺率為5%6．（2024·河北邢臺·一模）常用于制備磁芯、磁盤和傳感器等，它的晶胞(如圖)為等軸晶系。下列敘述錯誤的是已知：晶胞參數(shù)為，為阿伏加德羅常數(shù)的值。A．的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為B．氧離子構(gòu)成正八面體形C．和之間的距離為D．晶體密度為7．（2024·湖南·二模）一種基于的鋅基催化劑，可高效催化丙烷轉(zhuǎn)化為丙烯。立方的晶胞如圖，晶胞參數(shù)為，阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說法不正確的是A．該晶體的摩爾體積為B．與最近的有12個C．之間的最短距離為D．若坐標(biāo)取向不變，將點平移至原點，則點位于晶胞xy面的面心8．（2024·廣東·二模）是一種分析試劑，所含的5種元素在前四周期均有分布，基態(tài)的d軌道半充滿，基態(tài)M原子價層電子排布式為，E和M位于同一主族，X原子比E原子少一個電子。下列說法正確的是A．第一電離能：B．單質(zhì)的沸點：C．Z的單質(zhì)能與發(fā)生置換反應(yīng)D．和的VSEPR模型名稱相同9．（2024·河北滄州·二模）硫代硫酸鹽是具有應(yīng)用前景的浸金試劑。硫代硫酸根離子可看作中的一個原子被原子替代的產(chǎn)物。的晶胞形狀為長方體，邊長分別為、、，其結(jié)構(gòu)如圖所示，已知的摩爾質(zhì)量是為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法正確的是A．晶胞中的個數(shù)為3B．若晶胞中的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，則的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為C．的中心硫原子的雜化方式為D．該晶體的密度為10．（2024·河北滄州·二模）物質(zhì)的結(jié)構(gòu)決定其性質(zhì)。下列物質(zhì)性質(zhì)差異與其結(jié)構(gòu)因素不相符的是選項性質(zhì)差異結(jié)構(gòu)因素沸點：鄰羥基苯甲醛低于對羥基苯甲醛氫鍵類型熔點：高于價層電子數(shù)熔點：遠(yuǎn)高于(升華)晶體類型酸性：強(qiáng)于乙酸羥基的極性11．（2024·安徽·一模）一定條件下，K、CuCl2和F2反應(yīng)生成KCl和化合物X，化合物X的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(晶胞參數(shù)a≠c，α=β=γ=90°)，其中灰球代表Cu、黑球代表K、白球代表F。若阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯誤的是A．上述反應(yīng)中CuCl2與F2的物質(zhì)的量之比為1：2B．基態(tài)F原子核外電子有5種空間運動狀態(tài)C．Cu原子填充在由F原子構(gòu)成的八面體空隙中D．化合物X的密度12．（2024·福建·三模）全固態(tài)氟離子電池中的固態(tài)電解質(zhì)晶胞如圖。電池工作時，發(fā)生遷移。晶胞參數(shù)越大，可供離子遷移的空間越大，越有利于離子傳輸。F位點空缺也可使離子傳輸更加高效。下列說法不正確的是A．晶體中與Cs距離最近且相等的F有12個B．該固態(tài)電解質(zhì)的化學(xué)式為C．在Pb位點摻雜K，F(xiàn)位點將出現(xiàn)空缺D．隨Pb位點摻雜K含量的增大，離子傳輸效率一定提高13．（2024·寧夏銀川·二模）鈦硅分子篩是一種新型固體催化劑，可催化合成重要有機(jī)合成活性試劑甲乙酮肟()?；卮鹣铝袉栴}：(1)基態(tài)硅原子的核外電子空間運動狀態(tài)有種。(2)甲乙酮肟中同周期三種元素電負(fù)性由大到小的順序為，氮原子的雜化方式為，C=N與C—C鍵夾角(填“<”“>”或“=”)C=N與N—O鍵夾角。(3)TiO2和TiCl4均是制備鈦硅分子篩的重要中間體。①TiO2與光氣COCl2反應(yīng)可用于制取四氯化鈦。COCl2中σ鍵和π鍵的數(shù)目比為，其空間構(gòu)型為。②TiCl4與金屬Ti在高溫條件下可反應(yīng)生成TiCl3，TiCl3中Ti3+極易被氧化，還原性很強(qiáng)。試解釋Ti3+還原性強(qiáng)的原因。(4)TiO2晶胞如圖所示，若其晶體密度為ρg·cm-3，則阿伏加德羅常數(shù)的值NA=。14．（2024·內(nèi)蒙古錫林郭勒盟·三模）科技強(qiáng)國，我國科學(xué)家在諸多領(lǐng)域取得新突破。(1)芯片制造會經(jīng)過六個最為關(guān)鍵的步驟：沉積、光刻膠涂覆、光刻、刻蝕、離子注入和封裝。其中“刻蝕”過程可能用到刻蝕劑、及清洗劑。①基態(tài)F原子核外電子有種空間運動狀態(tài)，下列為氟原子激發(fā)態(tài)的電子排布式的是（填標(biāo)號）。A．

B．

C．

D．②C、N、O、F四種元素的第一電離能由大到小的順序為。③氟硼酸銨（）中B的雜化方式為，的空間構(gòu)型為。(2)復(fù)興號高鐵車體材質(zhì)用到了Mn、Co等元素。Mn的一種配合物的化學(xué)式為[Mn(CO)5(CH3CN)]，CH3CN與Mn原子配位時，提供孤電子對的是（填元素符號），Mn原子的配位數(shù)為，CH3CN中鍵與鍵數(shù)目之比為。(3)超導(dǎo)材料具有型結(jié)構(gòu)（如圖），晶胞參數(shù)（晶胞邊長）為apm，該氮化鈦晶體的密度為（列出計算式即可）。15．（2024·天津?qū)幒印と＃┪覈茖W(xué)家制備了一種太陽電池，其結(jié)構(gòu)示意圖如下。(1)鋁元素屬于區(qū)(填“s”“d”“ds”或“p”)。(2)分子中60個碳原子都是等價的，均以近似雜化的方式形成3個不共平面的鍵，余下的1個p軌道電子互相重疊形成閉殼層電子結(jié)構(gòu)，電子云分布在分子籠的內(nèi)外層表面上。循環(huán)伏安測試表明：在溶液中可以逐步可逆地接受6個電子形成負(fù)離子，卻很難失去電子變?yōu)殛栯x子。(3)①中基態(tài)的電子排布式為。②中存在配位鍵的原因是。(4)某溶劑中，可以和形成分子間電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物，反應(yīng)方程式可表示為：，不同溫度下生成電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物的平衡常數(shù)如下表。溫度生成的K1.23290.96740.4923反應(yīng)：0(填“>”或?！?lt;”)，中是電子(填“給體”或“受體”)。(5)晶體結(jié)構(gòu)屬于氯化鈉型，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①的熔點和沸點比的高，請解釋原因。②晶體的密度約為晶胞的體積約為(列出計算式即可)。16．（2024·四川綿陽·三模）錳(Mn)、鈷(Co)、鎳(Ni)等過渡金屬元素化合物的應(yīng)用研究是前沿科學(xué)之一，回答下列問題：(1)的價電子排布式為。金屬錳可導(dǎo)電、導(dǎo)熱，有金屬光澤和延展性，這些性質(zhì)都可以用“理論”解釋。(2)已知金屬錳有多種晶型，γ型錳的面心立方晶胞俯視圖符合下列(填序號)，Mn原子的配位數(shù)為。A．B．C．D．(3)是一種紫色晶體，其中DMSO為二甲基亞砜，化學(xué)式為。DMSO中硫原子的雜化軌道類型為，中鍵角中鍵角(填“大于”“小于”或“等于”)，的中心原子價層電子對數(shù)為，元素S、Mn、N的電負(fù)性由大到小的順序為。(4)鎳和苯基硼酸在催化劑作用下可以合成丙烯醇()，該物質(zhì)與丙醛()相比，兩者沸點相差較大，原因是。(5)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，其中離子坐標(biāo)參數(shù)A為，B為，則C的離子坐標(biāo)參數(shù)為。一定溫度下，晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”，可以認(rèn)為作密置單層排列，填充其中(如圖乙)，已知的半徑為，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)值為NA，每平方米面積上具有該晶體的質(zhì)量為g(用含a、NA的代數(shù)式表示)。易錯專題08晶體結(jié)構(gòu)和晶胞計算聚焦易錯點：?易錯點一晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)?易錯點二晶胞計算典例精講易錯點一晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)【易錯典例】例1（1）晶胞有兩個基本要素：①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置，下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0,0,0）；B為（，0，）；C為（，，0）。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為______。②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm，其密度為__________g·cm-3（列出計算式即可）。③GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77.9℃，其原因是__________________。（2）單質(zhì)銅及鎳都是由______鍵形成的晶體。某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為_____。②若合金的密度為dg/cm3，晶胞參數(shù)a=________nm。③第ⅡA族金屬碳酸鹽分解溫度如下：BeCO3MgCO3CaCO3SrCO3BaCO3分解溫度100℃540℃960℃1289℃1360℃分解溫度為什么越來越高？_______________________。（3）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρg·cm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如左圖所示。該晶體的類型為_______,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol-1和MAsg·mol-1，原子半徑分別為rGapm和rAspm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_____。甲烷晶體的晶胞如右圖所示，該晶胞中含有個甲烷分子，此晶體在常溫、常壓下不能存在的原因______________________。【答案】（1）①(，，)；②③由于GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，所以離子晶體GaF3的熔沸點高（2）金屬；①3:1；②③陽離子半徑越小對氧的吸引力越大，奪取氧的能力越強(qiáng)（3）原子晶體；共價鍵；4甲烷分子間靠分子間作用力結(jié)合，所以甲烷晶體為分子晶體，而分子晶體熔沸點在常壓下很低，且甲烷的相對分子質(zhì)量很小，分子間作用力很小【解析】（1）①根據(jù)各個原子的相對位置可知，D在各個方向的1/4處，所以其坐標(biāo)是(，，)；根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，在晶胞中含有的Ge原子數(shù)是8×1/8+6×1/2+4=8，所以晶胞的密度=cm3；③由于GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，所以離子晶體GaF3的熔沸點高。（2）銅和鎳屬于金屬，則單質(zhì)銅及鎳都是由金屬鍵形成的晶體；①根據(jù)均攤法計算，晶胞中銅原子個數(shù)為6×1/2=3，鎳原子的個數(shù)為8×1/8=1，則銅和鎳原子的數(shù)量比為3：1；②根據(jù)上述分析，該晶胞的組成為Cu3Ni，若合金的密度為dg/cm3，根據(jù)ρ=m÷V，則晶胞參數(shù)a=nm；③在離子晶體中，離子半徑越小晶格能越大，所以在第ⅡA族金屬碳酸鹽中，陽離子半徑越小對氧的吸引力越大，就越容易導(dǎo)致碳酸根的分解，所以在第ⅡA族金屬碳酸鹽中，隨著原子序數(shù)的增加，原子半徑增大，碳酸鹽的分解溫度也增大。（3）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρg·cm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，熔點很高，所以晶體的類型為原子晶體，其中Ga與As以共價鍵鍵合。根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知晶胞中Ca和As的個數(shù)均是4個，所以晶胞的體積是。二者的原子半徑分別為rGapm和rAspm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為×100%＝；根據(jù)圖像知，甲烷分子間靠分子間作用力結(jié)合，所以甲烷晶體為分子晶體，而分子晶體熔沸點在常壓下很低，且甲烷的相對分子質(zhì)量很小，分子間作用力很小，所以在常溫常壓下甲烷以氣體形式存在而不能形成晶體?！窘忸}必備】一、判斷晶體類型的5種方法1．依據(jù)構(gòu)成晶體的粒子和粒子間的作用判斷(1)離子晶體的構(gòu)成粒子是陰、陽離子，粒子間的作用是離子鍵。(2)原子晶體的構(gòu)成粒子是原子，粒子間的作用是共價鍵。(3)分子晶體的構(gòu)成粒子是分子，粒子間的作用為分子間作用力。(4)金屬晶體的構(gòu)成粒子是金屬陽離子和自由電子，粒子間的作用是金屬鍵。2．依據(jù)物質(zhì)的分類判斷(1)金屬氧化物(如K2O、Na2O2等)、強(qiáng)堿(NaOH、KOH等)和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體。(2)大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅等)，氣態(tài)氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(除有機(jī)鹽外)是分子晶體。(3)常見的原子晶體單質(zhì)有金剛石、晶體硅、晶體硼等，常見的原子晶體化合物有碳化硅、二氧化硅等。(4)金屬單質(zhì)是金屬晶體。3．依據(jù)晶體的熔點判斷(1)離子晶體的熔點較高，常在數(shù)百至一千攝氏度以上。4．依據(jù)導(dǎo)電性判斷(1)離子晶體水溶液及熔化時能導(dǎo)電。(2)原子晶體一般為非導(dǎo)體。(3)分子晶體為非導(dǎo)體，而分子晶體中的電解質(zhì)(主要是酸和強(qiáng)極性非金屬氫化物)溶于水，使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂形成自由離子也能導(dǎo)電。(4)金屬晶體是電的良導(dǎo)體。5．依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷(1)離子晶體硬度較大或略硬而脆。(2)原子晶體硬度大。(3)分子晶體硬度小且較脆。(4)金屬晶體多數(shù)硬度大，但也有較低的，且具有延展性。注意上述總結(jié)的都是一般規(guī)律，具體比較時要具體問題具體分析，如金屬晶體的熔、沸點差別很大，如鎢、鉑等熔點很高，而汞、鎵、銫等熔點卻很低；金屬晶體的熔點不一定比分子晶體的熔點高，如Na的熔點為97.8℃，尿素的熔點為132.7℃；原子晶體的熔點不一定比離子晶體高，如MgO的熔點為2852℃，石英的熔點為1710℃。二、物質(zhì)熔沸點高低比較規(guī)律比較類型比較規(guī)律不同類型晶體原子晶體>離子晶體>分子晶體，金屬晶體的熔、沸點差別很大，如鎢、鉑等熔點很高，汞、銫等熔點很低同類晶體原子晶體看成鍵原子半徑和，半徑和越小，晶體的熔、沸點越高、硬度越大離子晶體依據(jù)靜電原理進(jìn)行分析，一般地說，陰、陽離子的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子鍵越強(qiáng)，相應(yīng)地晶格能越大，熔、沸點越高分子晶體注意，組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，相對分子質(zhì)量越大，熔沸點越高(若分子間存在氫鍵，則含有氫鍵的熔、沸點高些)。組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子晶體(相對分子質(zhì)量接近)，分子的極性越大，其熔、沸點越高。如CO>N2，CH3OH>CH3CH3金屬晶體看金屬離子半徑越小，離子電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，金屬熔、沸點就越高。如熔、沸點：Al>Mg>Na【變式突破】1.鈣鈦礦(CaTiO3)型化合物是一類可用于生產(chǎn)太陽能電池、傳感器、固體電阻器等的功能材料，回答下列問題：(1)基態(tài)Ti原子的核外電子排布式為____________。(2)Ti的四鹵化物熔點如下表所示，TiF4熔點高于其他三種鹵化物，自TiCl4至TiI4熔點依次升高，原因是____________?；衔颰iF4TiCl4TiBr4TiI4熔點/℃377﹣24.1238.3155(3)CaTiO3的晶胞如圖(a)所示，其組成元素的電負(fù)性大小順序是__________；金屬離子與氧離子間的作用力為__________，Ca2+的配位數(shù)是__________。(4)一種立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的金屬鹵化物光電材料的組成為Pb2+、I﹣和有機(jī)堿離子，其晶胞如圖(b)所示。其中Pb2+與圖(a)中__________的空間位置相同，有機(jī)堿中，N原子的雜化軌道類型是__________；若晶胞參數(shù)為anm，則晶體密度為_________g·cm-3(列出計算式)。(5)用上述金屬鹵化物光電材料制作的太陽能電池在使用過程中會產(chǎn)生單質(zhì)鉛和碘，降低了器件效率和使用壽命。我國科學(xué)家巧妙地在此材料中引入稀土銪(Eu)鹽，提升了太陽能電池的效率和使用壽命，其作用原理如圖(c)所示，用離子方程式表示該原理_______、_______?！敬鸢浮?1)1s22s22p63s23p63d24s2(2)TiF4為離子化合物，熔點高，其他三種均為共價化合物，隨相對分子質(zhì)量的增大分子間作用力增大，熔點逐漸升高(3)O＞Ti＞Ca；離子鍵；12(4)Ti4+；sp3；（5）2Eu3++Pb=2Eu2++Pb2+；2Eu2++I2=2Eu3++2I?【解析】(1)鈦元素是22號元素，故其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d24s2或[Ar]3d24s2；故答案為：1s22s22p63s23p63d24s2或[Ar]3d24s2；(2)一般不同的晶體類型的熔沸點是原子晶體>離子晶體>分子晶體，TiF4是離子晶體，其余三種則為分子晶體，故TiF4的熔點高于其余三種物質(zhì)；TiCl4、TiBr4、TiI4均為分子晶體，對于結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，則其相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力依次越大，熔點越高；故答案為：TiF4是離子晶體，其余三種則為分子晶體，故TiF4的熔點高于其余三種物質(zhì)；TiCl4、TiBr4、TiI4均為分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增強(qiáng)，故熔點依次升高；(3)CaTiO3晶體中含有Ca、Ti、O三種元素，Ca、Ti是同為第四周期的金屬元素，Ca在Ti的左邊，根據(jù)同一周期元素的電負(fù)性從左往右依次增大，故Ti>Ca，O為非金屬，故其電負(fù)性最強(qiáng)，故三者電負(fù)性由大到小的順序是：O>Ti>Ca，金屬陽離子和氧負(fù)離子之間以離子鍵結(jié)合，離子晶體晶胞中某微粒的配位數(shù)是指與之距離最近且相等的帶相反電性的離子，故Ca2+的配位數(shù)必須是與之距離最近且相等的氧離子的數(shù)目，從圖(a)可知，該數(shù)目為三個相互垂直的三個面上，每一個面上有4個，故Ca2+的配位數(shù)是12；故答案為：O>Ti>Ca；離子鍵；12；(4)比較晶胞(a)(b)可知，將圖(b)中周圍緊鄰的八個晶胞中體心上的離子連接起來，就能變?yōu)閳D(a)所示晶胞結(jié)構(gòu)，圖(b)中體心上的Pb2+就變?yōu)榱税藗€頂點，即相當(dāng)于圖(a)中的Ti4+；圖(b)中頂點上的I-就變成了體心，即相當(dāng)于圖(a)中的Ca2+；圖(b)面心上中的就變成了棱心，即相當(dāng)于圖(a)中的O2-；故圖(b)中的Pb2+與圖(a)中的Ti4+的空間位置相同；有機(jī)堿中N原子上無孤對電子，周圍形成了4個鍵，故N原子采用sp3雜化；從圖（b）可知，一個晶胞中含有Pb2+的數(shù)目為個，的數(shù)目為個，I-的數(shù)目為個，故晶胞的密度為，故答案為：Ti4+；sp3；；（5）從作用原理圖(c)可以推出，這里發(fā)生兩個離子反應(yīng)方程式，左邊發(fā)生Pb+2Eu3+=Pb2++2Eu2+，右邊發(fā)生I2+2Eu2+=2Eu3++2I-，故答案為：Pb+2Eu3+=Pb2++2Eu2+；I2+2Eu2+=2Eu3++2I-2．Cu及其化合物在醫(yī)藥、催化、材料等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。回答下列問題：(1)通過如圖1所示反應(yīng)可以實現(xiàn)銅離子的富集，進(jìn)行回收。

①基態(tài)銅原子的核外電子有種空間運動狀態(tài)。與Cu元素同周期，基態(tài)原子有2個未成對電子的金屬元素有種。下列狀態(tài)的銅中，電離最外層一個電子所需能量最高的是(填序號)。a.[Ar]3dl04s1b.[Ar]3d94s2c.[Ar]3d10d.[Ar]3d9e.[Ar]3d84s1②M所含元素的第一電離能由大到小順序是(用元素符號表示)。③化合物X中的中心銅離子的配位數(shù)是，圖1反應(yīng)中斷裂和生成的化學(xué)鍵有(填序號)。a.離子鍵

b.p－pσ鍵

c.極性鍵

d.氫鍵

e.配位鍵(2)4－甲基咪唑(

)也可與Cu2+形成配合物，4－甲基咪唑分子中1號N原子的孤電子對因參與形成大π鍵，電子云密度降低。1號N原子雜化方式為，(填“1”或“3”)號N原子更容易與Cu2+形成配位鍵。(3)圖2是MgCu2的拉維斯結(jié)構(gòu)，Mg以金剛石方式堆積，八面體空隙和半數(shù)的四面體空隙中，填入以四面體方式排列的Cu。圖3是沿立方格子對角面取得的截面。Mg原子的半徑為pm，該晶胞中原子的空間利用率為。(1)153dN＞O＞H＞C4ce(2)sp23(3)a()÷a3×100%[或]×100%【解析】（1）①基態(tài)Cu原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1，共占據(jù)15個軌道，有15種空間運動狀態(tài)；與Cu元素同周期，基態(tài)原子有2個未成對電子的金屬元素有Ti：[Ar]3d24s2，Ni：[Ar]3d84s2，Ge：[Ar]3d104s24p2三種金屬元素；a、[Ar]3dl04s1代表基態(tài)銅原子，b、[Ar]3d94s2代表激發(fā)態(tài)銅原子，c、[Ar]3d10代表基態(tài)Cu+，d、[Ar]3d9代表基態(tài)Cu2+，e、[Ar]3d84s1代表激發(fā)態(tài)Cu2+，同一元素，電離能逐級增大，基態(tài)更穩(wěn)定，故電離最外層一個電子所需能量最高的是d。②M所含元素為C、N、O、H，同一周期元素，從左向右第一電離能呈增大的趨勢，但第VA元素的第一電離能比相鄰元素的大，第一電離能由大到小順序是：N＞O>H>C。③由化合物X的結(jié)構(gòu)式可知，Cu與2個O、2個N形成配位鍵，中心銅離子的配位數(shù)是4；由圖1反應(yīng)中斷裂化學(xué)鍵有—O—H極性共價鍵，生成了配位鍵，故選c、e。（2）形成大π鍵時環(huán)上的原子都共平面，則1號N原子雜化方式為sp2；4一甲基咪唑分子中1號N原子的孤電子對因參與形成大π鍵，則1號N原子不易給出孤電子對，故3號N原子更容易與Cu2+形成配位鍵。（3）Mg原子之間最短距離為體對角線的1/4，由于邊長是apm，則體對角線是，則Mg原子之間最短距離為pm，故Mg原子的半徑為pm。由晶胞截面圖可知，Cu原子半徑為面對角線的八分之一，則。Mg原子位于頂點和面心，個數(shù)為，16個Cu原子位于體內(nèi)，該晶胞中原子的空間利用率為。易錯點二晶胞的計算【易錯典例】例2（1）Cu元素與H元素可形成一種紅色化合物，其晶體結(jié)構(gòu)單元如下圖所示。則該化合物的化學(xué)式為________。（2）下圖是由Q、R、G三種元素組成的一種高溫超導(dǎo)體的晶胞結(jié)構(gòu)，其中R為＋2價，G為－2價，則Q的化合價為________。（3）已知鑭鎳合金LaNin的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖，則LaNin中n＝________。(4)硼化鎂晶體在39K時呈超導(dǎo)性。在硼化鎂晶體中，鎂原子和硼原子是分層排布的，下圖是該晶體微觀結(jié)構(gòu)的透視圖，圖中的硼原子和鎂原子投影在同一平面上。則硼化鎂的化學(xué)式為________?！敬鸢浮浚?）CuH（2）＋3價（3）5(4)MgB2【解析】（1）根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可以判斷：Cu(eq\a\vs4\al\co1(●))：2×eq\f(1,2)＋12×eq\f(1,6)＋3＝6；H(eq\a\vs4\al\co1())：6×eq\f(1,3)＋1＋3＝6，所以化學(xué)式為CuH。（2）晶胞中Q、R、G的個數(shù)為：R有8×eq\f(1,8)＋1＝2，G有8×eq\f(1,4)＋8×eq\f(1,4)＋4×eq\f(1,2)＋2＝8，Q有8×eq\f(1,4)＋2＝4，則R、G、Q的個數(shù)之比為1∶4∶2，則其化學(xué)式為RQ2G4。由于R為＋2價，G為－2價，所以Q為＋3價。（3）晶胞中La、Ni的個數(shù)為：La有2×eq\f(1,2)＋12×eq\f(1,6)＝3，Ni有12×eq\f(1,2)＋6×eq\f(1,2)＋6＝15，化學(xué)式為LaNi5，所以n＝5。(4)每個Mg周圍有6個B，而每個B周圍有3個Mg，所以其化學(xué)式為MgB2?！窘忸}必備】1.均攤法計算晶胞中微粒數(shù)目：在使用均攤法計算晶胞中粒子個數(shù)時，要注意晶胞的形狀，不同形狀的晶胞，應(yīng)先分析任意位置上的一個粒子被幾個晶胞共用，如六棱柱晶胞中，頂點、側(cè)棱、底面上的棱、面心、體心依次被6、3、4、2、1個晶胞所共有。2.晶胞求算：若1個晶胞中含有x個微粒，則1mol晶胞中含有xmol微粒，其質(zhì)量為xMg(M為微粒的相對原子質(zhì)量)；又1個晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3g(a3為晶胞的體積，a為晶胞邊長或微粒間距離)，則1mol晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3NAg，因此有xM＝ρa(bǔ)3NA。求晶胞密度方法如下：3.晶胞結(jié)構(gòu)模型分析晶胞模型配位數(shù)681212原子半徑(r)和晶胞邊長(a)的關(guān)系2r＝a2r＝eq\f(\r(3)a,2)—2r＝eq\f(\r(2)a,2)一個晶胞內(nèi)原子數(shù)目12244.晶胞原子坐標(biāo)參數(shù)通過原子坐標(biāo)既能確定晶胞中各原子的相對位置，又可以計算原子間的距離，進(jìn)而可以計算晶胞的體積及晶體的密度。如①CsCl型離子晶體的離子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)：Cs＋為(0，0，0)；Cl－為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，\f(1,2)，\f(1,2)))。②NaCl型離子晶體的離子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)：Cl－為(0，0，0)，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，\f(1,2)，0))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，0，\f(1,2)))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0，\f(1,2)，\f(1,2)))；Na＋為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，\f(1,2)，\f(1,2)))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，0，0))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0，\f(1,2)，0))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0，0，\f(1,2)))。③ZnS型離子晶體的離子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)：Zn2＋為(0，0，0)，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，\f(1,2)，0))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，0，\f(1,2)))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0，\f(1,2)，\f(1,2)))；S2－為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(3,4)，\f(1,4)，\f(3,4)))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(3,4)，\f(3,4)，\f(1,4)))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,4)，\f(3,4)，\f(3,4)))，eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,4)，\f(1,4)，\f(1,4)))。注意在確定各原子的坐標(biāo)時，要注意x、y、z軸的單位標(biāo)準(zhǔn)不一定相同。5.典型晶胞結(jié)構(gòu)模型的投影圖晶胞結(jié)構(gòu)模型x、y平面上的投影圖注意畫或判斷投影圖時，一定要注意x、y、z軸的方向，上面結(jié)構(gòu)模型中的原子也可以換為不同的原子，但在投影圖中的位置不變。6.典型晶體中配位數(shù)的判斷（1）最密堆積晶體的配位數(shù)均為12。如金屬晶體的面心立方最密堆積中距離最近原子的上、中、下層各有4個配位原子，配位數(shù)為12；六方最密堆積中距離最近原子的上、中、下層各有上、中、下層分別有3、6、3個配位原子，故配位數(shù)12；又如分子晶體中的干冰中CO2分子距離最近原子的上、中、下層各有4個CO2分子，故配位數(shù)為12。（2）體心立方堆積晶體的配位數(shù)為8。如金屬晶體中距離最近原子的8個頂點的原子都與體心原子形成金屬鍵，故配位數(shù)為8；又如CsCl型離子晶體中距離最近原子的每個離子被處在立方體8個頂點帶相反電荷的離子包圍，Cl-離子和Cs+離子的配位數(shù)都為8?；蛞源罅⒎襟w的面心Cs+離子分析，上、下層各有4個Cl-離子，配位數(shù)為8。（3）面心立方堆積晶體的配位數(shù)為6。如NaCl型離子晶體中距離最近原子的每個離子被處在正八面體6個頂點帶相反電荷的離子包圍，Cl-離子和Na+離子的配位數(shù)都為6。（4）配位數(shù)為4的幾種晶體。如ZnS型離子晶體中距離最近的S2-離子和Zn2+離子排列類似NaCl型，但相互穿插的位置不同，使S2-、Zn2+離子的配位數(shù)不是6，而是4；又如金剛石、碳化硅等原子晶體與ZnS型離子晶體類似情況，配位數(shù)均為4。二氧化硅原子晶體中，Si與O原子形成的是硅氧四面體中Si的配位數(shù)為4，而SiO2的原子比為1∶2，故O的配位數(shù)是2；再如CaF2型離子晶體，每個F-離子處于Ca2+離子圍成的正四面體中心，故F-離子的配位數(shù)是4，Ca2+離子的配位數(shù)為8?！咀兪酵黄啤?.(1)鈉、鉀、鉻、鉬、鎢等金屬晶體的晶胞屬于體心立方，則該晶胞中屬于1個體心立方晶胞的金屬原子數(shù)目是____________。氯化銫晶體的晶胞如圖1，則Cs＋位于該晶胞的________，而Cl－位于該晶胞的________，Cs＋的配位數(shù)是____________。(2)銅的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，寫出此氫化物在氯氣中燃燒的化學(xué)方程式：_________。(3)圖3為F－與Mg2＋、K＋形成的某種離子晶體的晶胞，其中“○”表示的離子是________(填離子符號)。(4)實驗證明，KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖4所示)，已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表：離子晶體NaClKClCaO晶格能/(kJ·mol－1)7867153401則這4種離子晶體(不包括NaCl)熔點從高到低的順序是___________。MgO晶體中一個Mg2＋周圍與它最鄰近且等距離的Mg2＋有________個。【答案】(1)2體心頂點8(2)2CuH＋3Cl2eq\o(=,\s\up7(點燃))2CuCl2＋2HCl(3)F－(4)TiN>MgO>CaO>KCl12【解析】(1)體心立方晶胞中，1個原子位于體心，8個原子位于立方體的頂點，故1個晶胞中金屬原子數(shù)為8×eq\f(1,8)＋1＝2；氯化銫晶胞中，Cs＋位于體心，Cl－位于頂點，Cs＋的配位數(shù)為8。(2)由晶胞可知，粒子個數(shù)比為1∶1，化學(xué)式為CuH，＋1價的銅與－1價的氫均具有較強(qiáng)的還原性，氯氣具有強(qiáng)氧化性，產(chǎn)物為CuCl2和HCl。(3)由晶胞結(jié)構(gòu)可知，黑球有1個，灰球有1個，白球有3個，由電荷守恒可知n(Mg2＋)∶n(K＋)∶n(F－)＝1∶1∶3，故白球為F－。(4)從3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)知道，離子所帶電荷越多、離子半徑越小，離子晶體的晶格能越大，離子所帶電荷數(shù)：Ti3＋>Mg2＋，離子半徑：Mg2＋＜Ca2＋，所以熔點：TiN>MgO>CaO>KCl；MgO晶體中一個Mg2＋周圍與它最鄰近且等距離的Mg2＋有12個。4.（2023·山東菏澤·山東省鄄城縣第一中學(xué)?？既＃╄F、錳、鉻、鋅、銅及其化合物在生產(chǎn)生活中應(yīng)用廣泛。回答下列問題：(1)基態(tài)Fe原子的價電子排布式為。(2)第二電離能：(填“>”“<”或“=”)。(3)一種香豆素衍生物(CHP)可作為測定的熒光探針，其原理如圖所示。

①CHP所含元素(C、O、N)的電負(fù)性從大到小的順序為(填元素符號，下同)；其第一電離能從大到小的順序為。②CHP—Zn中N原子的雜化類型為。(4)的一種晶體中，氧原子的堆積模型為面心立方最密堆積(如圖所示)，Mn(Ⅱ)填充在氧原子圍成的正四面體空隙中，Mn(Ⅲ)填充在氧原子圍成的正八面體空隙中。

已知：晶胞的體積為，表示阿伏加德羅常數(shù)，則該晶體的密度為(用含、V的代數(shù)式表示)。【答案】(1)3d64s2(2)>(3)O＞N＞CN＞O＞Csp2，sp3(4)【解析】（1）Fe為26號元素，電子排布式是[Ar]3d64s2，價電子排布式3d64s2；故答案為：3d64s2；（2）鉻電子排布式3d54s1，失第二個電子要破壞3d層半滿結(jié)構(gòu)，而錳3d54s2，失第二個電子剛好使4s失完，錳失第一個電子能量較大，但第二個電子容易電離。但是由于4s和3d能級3d大，鉻會比錳大一點；故答案為：＞；（3）①元素的非金屬越強(qiáng)，電負(fù)性越大，則O＞N＞C，同周期元素，隨著原子序數(shù)增大，第一電離能越大，但ⅤA元素＞ⅥA元素，則N＞O＞C；故答案為：O＞N＞C；N＞O＞C；②由CHP—Zn結(jié)構(gòu)可知，N的價層電子對數(shù)分別為3、4，則雜化方式為sp2，sp3；故答案為：sp2，sp3；（4）根據(jù)；故答案為：?？键c精練1．（2024·河北邢臺·二模）硫化鋅是一種優(yōu)良的寬帶隙半導(dǎo)體鋰離子電池負(fù)極材料，具有在充電的同時合金化反應(yīng)的特點。在充電過程中負(fù)極材料晶胞的組成變化如圖：下列說法不正確的是A．當(dāng)完全轉(zhuǎn)化為時，和轉(zhuǎn)化為(合金相)，每轉(zhuǎn)移生成B．晶體中沿晶胞體對角線方向的一維空間上會出現(xiàn)“”的排布規(guī)律C．4種晶胞中，原子的空間利用率最低，中所構(gòu)成的四面體空隙全部被填充D．若的品胞參數(shù)為，則EF間的距離為2．（2024·廣西·二模）是某些太陽能薄膜電池的材料。下圖所示為的晶胞結(jié)構(gòu)，已知晶胞參數(shù)為apm，2號氧原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，下列說法不正確的是A．1號氧原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為B．晶胞中與Ca等距離且最近的O有4個C．元素在元素周期表中處于d區(qū)D．Ti和Ca原子間的最短距離為3．（2024·黑龍江·二模）氟化鉀鎂是一種具有優(yōu)良光學(xué)性能的材料，主要應(yīng)用于激光領(lǐng)域，其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖。表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是A．的配位數(shù)為12B．每個位于距其最近且等距的構(gòu)成的正四面體空隙中C．若位于晶胞的體心，則位于晶胞的面心D．若晶胞參數(shù)為anm，則晶體的密度是4．（2024·重慶·一模）一種含錫的多元金屬硫化物的晶胞結(jié)構(gòu)為四方晶系，已知金屬原子均呈四面體配位，晶胞棱邊夾角均為，其結(jié)構(gòu)可看作是由兩個立方體上下堆疊而成。如圖，甲為A的體對角線投影圖，乙為B的沿軸方向的投影圖，A中位置互換即為B，立方體棱長均為。下列說法錯誤的是A．該硫化物的化學(xué)式為B．晶胞中的配位數(shù)均為4C．晶胞中部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為、，則晶胞中原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可以為D．晶胞中和原子間的最短距離為5．（2024·江西萍鄉(xiāng)·二模）氧化鈰()常用作玻璃工業(yè)添加劑，在其立方晶胞中摻雜，占據(jù)原來的位置，可以得到更穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，這種穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)使得氧化鈰具有許多獨特的性能。晶胞中與最近的核間距為apm，下列說法正確的是A．已知M點原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0)，則N點原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1,0,1)B．晶胞中與最近且等距的的個數(shù)為6C．晶體的密度為D．若摻雜后得到的晶體，則此晶體中的空缺率為5%6．（2024·河北邢臺·一模）常用于制備磁芯、磁盤和傳感器等，它的晶胞(如圖)為等軸晶系。下列敘述錯誤的是已知：晶胞參數(shù)為，為阿伏加德羅常數(shù)的值。A．的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為B．氧離子構(gòu)成正八面體形C．和之間的距離為D．晶體密度為7．（2024·湖南·二模）一種基于的鋅基催化劑，可高效催化丙烷轉(zhuǎn)化為丙烯。立方的晶胞如圖，晶胞參數(shù)為，阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說法不正確的是A．該晶體的摩爾體積為B．與最近的有12個C．之間的最短距離為D．若坐標(biāo)取向不變，將點平移至原點，則點位于晶胞xy面的面心8．（2024·廣東·二模）是一種分析試劑，所含的5種元素在前四周期均有分布，基態(tài)的d軌道半充滿，基態(tài)M原子價層電子排布式為，E和M位于同一主族，X原子比E原子少一個電子。下列說法正確的是A．第一電離能：B．單質(zhì)的沸點：C．Z的單質(zhì)能與發(fā)生置換反應(yīng)D．和的VSEPR模型名稱相同9．（2024·河北滄州·二模）硫代硫酸鹽是具有應(yīng)用前景的浸金試劑。硫代硫酸根離子可看作中的一個原子被原子替代的產(chǎn)物。的晶胞形狀為長方體，邊長分別為、、，其結(jié)構(gòu)如圖所示，已知的摩爾質(zhì)量是為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法正確的是A．晶胞中的個數(shù)為3B．若晶胞中的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，則的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為C．的中心硫原子的雜化方式為D．該晶體的密度為10．（2024·河北滄州·二模）物質(zhì)的結(jié)構(gòu)決定其性質(zhì)。下列物質(zhì)性質(zhì)差異與其結(jié)構(gòu)因素不相符的是選項性質(zhì)差異結(jié)構(gòu)因素沸點：鄰羥基苯甲醛低于對羥基苯甲醛氫鍵類型熔點：高于價層電子數(shù)熔點：遠(yuǎn)高于(升華)晶體類型酸性：強(qiáng)于乙酸羥基的極性11．（2024·安徽·一模）一定條件下，K、CuCl2和F2反應(yīng)生成KCl和化合物X，化合物X的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(晶胞參數(shù)a≠c，α=β=γ=90°)，其中灰球代表Cu、黑球代表K、白球代表F。若阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯誤的是A．上述反應(yīng)中CuCl2與F2的物質(zhì)的量之比為1：2B．基態(tài)F原子核外電子有5種空間運動狀態(tài)C．Cu原子填充在由F原子構(gòu)成的八面體空隙中D．化合物X的密度12．（2024·福建·三模）全固態(tài)氟離子電池中的固態(tài)電解質(zhì)晶胞如圖。電池工作時，發(fā)生遷移。晶胞參數(shù)越大，可供離子遷移的空間越大，越有利于離子傳輸。F位點空缺也可使離子傳輸更加高效。下列說法不正確的是A．晶體中與Cs距離最近且相等的F有12個B．該固態(tài)電解質(zhì)的化學(xué)式為C．在Pb位點摻雜K，F(xiàn)位點將出現(xiàn)空缺D．隨Pb位點摻雜K含量的增大，離子傳輸效率一定提高13．（2024·寧夏銀川·二模）鈦硅分子篩是一種新型固體催化劑，可催化合成重要有機(jī)合成活性試劑甲乙酮肟()?；卮鹣铝袉栴}：(1)基態(tài)硅原子的核外電子空間運動狀態(tài)有種。(2)甲乙酮肟中同周期三種元素電負(fù)性由大到小的順序為，氮原子的雜化方式為，C=N與C—C鍵夾角(填“<”“>”或“=”)C=N與N—O鍵夾角。(3)TiO2和TiCl4均是制備鈦硅分子篩的重要中間體。①TiO2與光氣COCl2反應(yīng)可用于制取四氯化鈦。COCl2中σ鍵和π鍵的數(shù)目比為，其空間構(gòu)型為。②TiCl4與金屬Ti在高溫條件下可反應(yīng)生成TiCl3，TiCl3中Ti3+極易被氧化，還原性很強(qiáng)。試解釋Ti3+還原性強(qiáng)的原因。(4)TiO2晶胞如圖所示，若其晶體密度為ρg·cm-3，則阿伏加德羅常數(shù)的值NA=。14．（2024·內(nèi)蒙古錫林郭勒盟·三模）科技強(qiáng)國，我國科學(xué)家在諸多領(lǐng)域取得新突破。(1)芯片制造會經(jīng)過六個最為關(guān)鍵的步驟：沉積、光刻膠涂覆、光刻、刻蝕、離子注入和封裝。其中“刻蝕”過程可能用到刻蝕劑、及清洗劑。①基態(tài)F原子核外電子有種空間運動狀態(tài)，下列為氟原子激發(fā)態(tài)的電子排布式的是（填標(biāo)號）。A．

B．

C．

D．②C、N、O、F四種元素的第一電離能由大到小的順序為。③氟硼酸銨（）中B的雜化方式為，的空間構(gòu)型為。(2)復(fù)興號高鐵車體材質(zhì)用到了Mn、Co等元素。Mn的一種配合物的化學(xué)式為[Mn(CO)5(CH3CN)]，CH3CN與Mn原子配位時，提供孤電子對的是（填元素符號），Mn原子的配位數(shù)為，CH3CN中鍵與鍵數(shù)目之比為。(3)超導(dǎo)材料具有型結(jié)構(gòu)（如圖），晶胞參數(shù)（晶胞邊長）為apm，該氮化鈦晶體的密度為（列出計算式即可）。15．（2024·天津?qū)幒印と＃┪覈茖W(xué)家制備了一種太陽電池，其結(jié)構(gòu)示意圖如下。(1)鋁元素屬于區(qū)(填“s”“d”“ds”或“p”)。(2)分子中60個碳原子都是等價的，均以近似雜化的方式形成3個不共平面的鍵，余下的1個p軌道電子互相重疊形成閉殼層電子結(jié)構(gòu)，電子云分布在分子籠的內(nèi)外層表面上。循環(huán)伏安測試表明：在溶液中可以逐步可逆地接受6個電子形成負(fù)離子，卻很難失去電子變?yōu)殛栯x子。(3)①中基態(tài)的電子排布式為。②中存在配位鍵的原因是。(4)某溶劑中，可以和形成分子間電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物，反應(yīng)方程式可表示為：，不同溫度下生成電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物的平衡常數(shù)如下表。溫度生成的K1.23290.96740.4923反應(yīng)：0(填“>”或。“<”)，中是電子(填“給體”或“受體”)。(5)晶體結(jié)構(gòu)屬于氯化鈉型，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①的熔點和沸點比的高，請解釋原因。②晶體的密度約為晶胞的體積約為(列出計算式即可)。16．（2024·四川綿陽·三模）錳(Mn)、鈷(Co)、鎳(Ni)等過渡金屬元素化合物的應(yīng)用研究是前沿科學(xué)之一，回答下列問題：(1)的價電子排布式為。金屬錳可導(dǎo)電、導(dǎo)熱，有金屬光澤和延展性，這些性質(zhì)都可以用“理論”解釋。(2)已知金屬錳有多種晶型，γ型錳的面心立方晶胞俯視圖符合下列(填序號)，Mn原子的配位數(shù)為。A．B．C．D．(3)是一種紫色晶體，其中DMSO為二甲基亞砜，化學(xué)式為。DMSO中硫原子的雜化軌道類型為，中鍵角中鍵角(填“大于”“小于”或“等于”)，的中心原子價層電子對數(shù)為，元素S、Mn、N的電負(fù)性由大到小的順序為。(4)鎳和苯基硼酸在催化劑作用下可以合成丙烯醇()，該物質(zhì)與丙醛()相比，兩者沸點相差較大，原因是。(5)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，其中離子坐標(biāo)參數(shù)A為，B為，則C的離子坐標(biāo)參數(shù)為。一定溫度下，晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”，可以認(rèn)為作密置單層排列，填充其中(如圖乙)，已知的半徑為，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)值為NA，每平方米面積上具有該晶體的質(zhì)量為g(用含a、NA的代數(shù)式表示)。參考答案1．A【解析】A．ZnmS晶胞中，均攤的Zn2+和S2-均為4個，m=1，化學(xué)式為ZnS，當(dāng)完全轉(zhuǎn)化為時，Li+、Zn2+轉(zhuǎn)化為LiZn合金，生成1molLiZn轉(zhuǎn)移3mol電子，每轉(zhuǎn)移6mol電子，生成，A錯誤；B．根據(jù)的晶胞結(jié)構(gòu)，體對角線的一維空間上會出現(xiàn)“”的排布規(guī)律，B正確；C．和晶胞中的原子個數(shù)多于立方晶胞，而六方晶胞的體積比立方晶胞小，則4種晶胞中，原子的空間利用率最低，由晶胞結(jié)構(gòu)可知，中所構(gòu)成的四面體空隙全部被填充，C正確；D．若的晶胞參數(shù)為anm，將晶胞切三刀分為8個小立方體，則E在左后上立方體體心，則EF間的距離為nm=，D正確；故選A。2．B【解析】A．根據(jù)空間直角坐標(biāo)系以及2號氧原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，可以得到1號氧原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，故A正確；B．以頂點的鈣原子分析，該晶胞中與Cu等距離且最近的O有12個，故B錯誤；C．鈦元素位于元素周期表中第四周期ⅡB族，其價電子排布式為3d24s2，最后一個電子填充在d軌道，屬于元素周期表中d區(qū)元素，故C正確；D．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，鈣原子和鈦原子之間的距離為體對角線的一半即，故D正確；故答案選B；3．B【解析】A．由圖可知，與等距且最近的F-位于棱心，共12個，即的配位數(shù)為12，故A正確；B．每個位于距其最近且等距的構(gòu)成的正八面體體心中，故B錯誤；C．若位于晶胞的體心，則K+位于晶胞的頂點處，位于面心，故C正確；D．由均攤法可知，1個晶胞中含有Mg2+的數(shù)目為，F(xiàn)-的數(shù)目為，K+的數(shù)目為1，晶胞的質(zhì)量為：，密度為：，故D正確；故選B。4．D【解析】A．根據(jù)題意分析該晶胞是一個面心立方晶胞，S原子位于晶胞的頂點和面心，Cu、Fe、Sn分別位于體對角線上，因此用均攤法算出：S：4，Cu：2，F(xiàn)e：1，Sn：1，因此該硫化物的化學(xué)式為Cu2FeSnS4，A正確；B．晶胞中距離Sn和Cu最近其相等的S都是4個，晶胞中的配位數(shù)均為4，B正確；C．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為、，則晶胞中原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可以為，C正確；D．晶胞中和原子間的最短距離為立方體面對角線長的一半，為，D錯誤；故選D。5．D【解析】A．M點原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0，0），由圖可知，N點原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（1，1，1），故A錯誤；B．根據(jù)圖示，晶胞中與最近且等距的的個數(shù)為12，故B錯誤；C．根據(jù)均攤原則，晶胞中Ce4+的數(shù)目為4，O2-的數(shù)目為8，與最近的核間距為apm，是體對角線的，即邊長為pm，密度為：，故C錯誤；D．氧化鈰()晶胞中摻雜，占據(jù)原來的位置，未摻雜之前，每個晶胞中由4個Ce，8個O，若摻雜后得到的晶體，每個晶胞中Ce和Y共4個時，含有4×（0.8×2+0.1×3）=7.6個O，則此晶體中的空缺率為，故D正確；故選D。6．C【解析】A．根據(jù)圖中已知的兩個Ti原子的坐標(biāo)(0,0,0)和(1,1,1)，在體心位置，分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，故A正確；B．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，氧離子構(gòu)成正八面體形，故B正確；C．和之間的距離為體對角線的，即為，故C錯誤；D．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，晶胞中個數(shù)為1，O2-個數(shù)為=3，的個數(shù)為=，晶胞中含一個，晶胞的質(zhì)量為，晶胞的體積為，晶體的密度為==，故D正確。答案選C。7．A【解析】A．該晶體的摩爾體積為，故錯誤；B．將晶胞進(jìn)行平移操作，即可找到與最近的有12個，故正確；C．將晶胞中兩點的連線可得之間的最短距離，該線段平行于xy面，將該線段投影至xy面，可知其長度為晶胞面對角線長度的一半，即，故C正確；D．根據(jù)圖中所示坐標(biāo)系，點坐標(biāo)為點坐標(biāo)為，若將點平移至原點，晶胞中各點坐標(biāo)均由變?yōu)椋虼它c坐標(biāo)變?yōu)?，即晶胞xy面的面心，故D正確；故選A。8．C【分析】基態(tài)的d軌道半充滿，則Z核外電子排布：，Z為Fe元素；基態(tài)M原子價層電子排布式為，根據(jù)M元素可與E元素形成結(jié)構(gòu)，判斷M為S元素，E和M位于同一主族，則E為O元素，X原子比E原子少一個電子，則X為N元素，根據(jù)化合物化合價代數(shù)和為0，判斷Y為H元素。A．N核外電子排布處于半充滿的較穩(wěn)定狀態(tài)，其第一電離能大于相鄰族元素，則第一電離能：，A錯誤；B．Y、E、X單質(zhì)分別為、和，均為分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，范德華力越大，沸點越高，沸點：，B錯誤；C．鐵在高溫條件下可與水蒸氣反應(yīng)生成四氧化三鐵和氫氣，屬于置換反應(yīng)，C正確；D．中心元素S價層電子對數(shù)：，VSEPR模型為四面體形，中心元素N價層電子對數(shù)：，VSEPR模型為平面三角形，D錯誤；答案選C。9．C【解析】A．晶胞中的個數(shù)為，A錯誤；B．若晶胞中的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，為右上頂點，分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，B錯誤；C．硫代硫酸根離子可看作中的一個原子被原子替代的產(chǎn)物，的中心硫原子的雜化方式與的中心硫原子的雜化方式相同為，C正確；D．的摩爾質(zhì)量是，1nm=10-7cm，其密度應(yīng)為：，D錯誤；故選C。10．B【解析】A．對羥基苯甲醛中醛基和羥基相距較遠(yuǎn)，只能形成分子間氫鍵，使沸點升高，而鄰羥基苯甲醛中醛基和羥基相距較近，形成分子內(nèi)氫鍵，反而使沸點降低，A正確；B．鋰為金屬單質(zhì)，屬于金屬晶體，而N單質(zhì)N2為分子晶體，分子間作用力弱，熔點低，與價層電子數(shù)無關(guān)，B錯誤；C．AlF3為離子晶體，微粒間作用為離子鍵，AlCl3為分子晶體，熔點受分子間作用力影響，一般離子鍵作用強(qiáng)于分子間作用力，C正確；D．-CH3為推電子基，使得羧基上的羥基極性減弱，氫原子更難電離，酸性減弱，D正確；答案選B。11．D【解析】A．由晶胞結(jié)構(gòu)圖，晶胞中Cu的個數(shù)為，K的個數(shù)，F(xiàn)的個數(shù)，則Cu、K、F的個數(shù)比為1:2:4，所以化合物X的化學(xué)式為K2CuF4，反應(yīng)的方程式為4K+CuCl2+2F2=2KCl+K2CuF4，所以CuCl2與F2的物質(zhì)的量之比為1:2，A正確；B．基態(tài)F原子電子排布為1s22s22p5，電子占據(jù)5個原子軌道，有5種空間運動狀態(tài)，B正確；C．由晶胞結(jié)構(gòu)圖，Cu原子填充在由F原子構(gòu)成的八面體空隙中，C正確；D．化合物X的密度即晶體的密度，即ρ=，D錯誤；故選D。12．D【解析】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知：與Cs距離最近且相等的F有12個，故A正確；B．根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可知Pb的個數(shù)為=1，Cs的個數(shù)為1，F(xiàn)的個數(shù)為=3，化學(xué)式CsPbF3，故B正確；C．在Pb位點摻雜K，由于晶胞中多了K原子，使得F位點會出現(xiàn)空缺，故C正確；D．離子效率與F位點空缺晶