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半導體閾值電壓修正若溝道長度L短到與漏-源結深rj相當時，閾值電壓VT與溝道長度L有關，此時VT隨L的減少而減少半導體閾值電壓修正VT隨L的變化:ΔVT的計算閾值電壓修正

VT隨L的變化:關系曲線VDS>0VBS>0閾值電壓修正VT隨W的變化:表面電荷窄溝道效應若溝道寬度W窄到與表面空間電荷區(qū)寬度xdT相當時，閾值電壓VT與溝道寬度W有關，此時VT隨W的減少而增加閾值電壓修正VT隨W的變化:ΔVT的計算閾值電壓修正

VT隨W的變化:關系曲線閾值電壓修正離子注入調整VT:原理p型半導體表面注入受主雜質Na（如B）→半導體表面凈摻雜濃度↑→表面更難以反型→VT↑受主注入劑量（單位面積注入的離子數(shù)）注入前的閾值電壓p型半導體表面注入施主雜質Nd（如P）→半導體表面凈摻雜濃度↓→表面更容易反型→VT↓施主注入劑量（單位面積注入的離子數(shù)）注入前的閾值電壓閾值電壓修正離子注入調整VT:注入雜質分布1、Delta函數(shù)型分布

2、階躍函數(shù)型分布

3、高斯函數(shù)型分布：更接近實際情況，分析較復雜。平均注入摻雜濃度注入前的摻雜濃度平均注入摻雜濃度注入前的摻雜濃度注入深度反型時，xdT<xI,VT由Ns決定；反型時，xdT>xI,VT由DI決定；閾值電壓修正短溝道效應窄溝道效應閾值電壓調整。漏源擊穿BVDS：漏pn結擊穿，與VDS、VGS均有關柵源擊穿BVGS：柵氧化層擊穿，只與VGS有關擊穿現(xiàn)象VGS↑＝BVGS→氧化層電場強度Eox>臨界電場強度EB＝(0.5~1)x107V/cm時，氧化層發(fā)生介電擊穿當氧化層厚度50nm時，BVGS=30V，若EB＝6x106V/cm，則要求工作電壓VGS<10V（安全余量為3）擊穿過程針孔→凹坑→空洞→崩塌電流I↑→溫度T↑→電流I↑，形成熱電正反饋擊穿場強的來源柵壓VGS：Eox≈VGS/tox柵感應電荷QI：Eox≈QI/toxCox發(fā)自S端的載流子（形成電流IS）受溝道電場的加速在D端附近發(fā)生雪崩倍增，產(chǎn)生的電子被漏極收集（加入ID），產(chǎn)生的空穴注入襯底（產(chǎn)生Isub）雪崩倍增形

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