面向儲層預(yù)測的測井曲線環(huán)境校正方法研究-陽光杰科

面向儲層預(yù)測的測井曲線環(huán)境校正方法研究面向儲層預(yù)測環(huán)境校正與常規(guī)測井環(huán)境校正的區(qū)別

測井資料往往存在失真問題原因：擴(kuò)徑，泥漿侵入，泥巖蝕變、方法限制（橫波速度）常規(guī)環(huán)境校正不能滿足要求常規(guī)環(huán)境校正能滿足測井解釋要求，但往往忽略：泥巖段的校正－影響砂、泥界面反射系數(shù)彈性參數(shù)（聲波、密度）參數(shù)校正－地震的基礎(chǔ)

面向儲層預(yù)測環(huán)境校正評估三條標(biāo)準(zhǔn)：符合巖石物理的一般規(guī)律（巖石物理模型診斷）彈性參數(shù)之間的規(guī)律性合成記錄與井旁地震道的動力學(xué)特征要一致。基于以上問題，為了消除測井過程中的環(huán)境影響，得到反映原狀地層的真實(shí)測井彈性曲線以及砂泥巖界面，需要進(jìn)行面向儲層預(yù)測的測井曲線環(huán)境校正工作。紅框中藍(lán)色曲線為校正前的DEN，紅色曲線為校正后的DEN井眼校正實(shí)例異常點(diǎn)純砂巖理論線純泥巖理論線異常點(diǎn)已歸位純砂巖理論線純泥巖理論線泥漿侵入校正實(shí)例InvadedZone

Density,Vp,andVsbeforeandaftercorrection

校正前校正后泥漿侵入掩蓋了氣層的測井響應(yīng)，從而與下面的油層特征相近，侵入校正后，還原了真實(shí)氣層的低密度以及更低縱橫波速度比的特征。校正前

SEISMICSYNTHETICOFFSETSYNTHETIC校正后

SEISMICSYNTHETICOFFSETSYNTHETIC井震匹配檢驗(yàn)井資料保真性及校正效果（面向儲層預(yù)測）校正前后合成地震記錄與井旁地震道的相位與能量的對應(yīng)關(guān)系對比一、針對井眼的校正1.聲波曲線的校正a.砂巖層聲波時差校正方法采用深度與聲波時差的交會關(guān)系校正砂巖層擴(kuò)徑井段的聲波時差b.圍巖地層聲波時差校正方法如果圍巖地層滿足Faust公式的適用條件,在聲波時差曲線嚴(yán)重失真的情況下,利用Faust公式重構(gòu)聲波時差曲線：V=KHCRtd式中,K,C,d為與地域有關(guān)的經(jīng)驗(yàn)系數(shù);H為深度;V為聲波速度;

Rt為地層真電阻率。一、針對井眼的校正1.聲波曲線的校正上式中K,C,d參數(shù)的確定方法為：（1）選擇同一沉積環(huán)境下的井段,利用鄰井同一地層中質(zhì)量較好資料的電阻率與聲波時差曲線,通過Faust公式來求?。?）如果本井其它相同類型井段中有質(zhì)量好的資料,可以利用這些資料中的電阻率與聲波時差曲線通過Faust公式來求取以上公式簡化后變換為常用的表達(dá)式如下：

VP_faust=(K*(Depth*RT)0.1667)/3.281DT_faust=106/VP_f

其中，K是地層參數(shù)，一般在2000左右c.利用多曲線擬合校正失真聲波曲線常規(guī)曲線之間都是具備一定的相關(guān)性的，可以利用相同類型質(zhì)量較好井段的聲波與自然伽馬、深電阻率、中子等曲線進(jìn)行多元擬合，得到關(guān)系來對失真井段的聲波時差進(jìn)行校正。DT=f(GR,RT,CNL…)VSP資料可以提供準(zhǔn)確的時—深關(guān)系,因此可以用VSP的時-深關(guān)系對聲波曲線進(jìn)行校正。校正方法是用VSP標(biāo)定的主要目的層的時-深關(guān)系作為合成記錄上同一層的時-深關(guān)系,從井旁地震道中提取目的層子波,經(jīng)過不同時窗反復(fù)提取,使子波接近零相位,這時的合成記錄的主要波組與地面地震的主要波組接近,但有小時差。進(jìn)一步以VSP標(biāo)定的主要目的層的時-深關(guān)系點(diǎn)作為合成記錄的校正點(diǎn),求得相對時差,然后用時間漂移法,將合成記錄上的波組時間與井旁地震剖面波組時間相對應(yīng),這樣就得到了校正的聲波曲線。校正后的聲波曲線的層速度或?qū)拥钠骄俣然痉从潮編r性層段的速度特征。d.利用VSP資料校正VP一、針對井眼的校正1.聲波曲線的校正VSP提取的大層層速度精度較高,聲波速度具有很強(qiáng)的垂向分辨能力,用VSP提取的時深關(guān)系對聲波進(jìn)行校正后,有利于研究薄儲層的巖性物性。對兩者進(jìn)行綜合研究分析,能提高地層巖性解釋的精度。一、針對井眼的校正1.聲波曲線的校正e.基于井徑擴(kuò)徑量的聲波時差曲線校正DTc=DT-Δ0ds≤5cm（1.524in）50*（ds-5）/55cm＜ds≤10cm（1.524~3.05in）

Δ=50+50*（ds-10）/510cm＜ds≤30cm（3.05~9.146in）

250

ds＞30cm（＞9.146in）DT——校正前聲波時差（米制）DTc——校正后聲波時差（米制）ds=CAL-BS（鉆徑）代表擴(kuò)徑量當(dāng)ds<0時，不做井徑校正

2.密度測井曲線的環(huán)境校正：a.利用校正后的VP，通過Gardner公式，來校正失真密度：DEN_gardner=a*VP2+b*VP+c…………….(1)

其中，a,b和c為與巖性有關(guān)的可調(diào)系數(shù)推薦一、針對井眼的校正

2.密度測井曲線的環(huán)境校正：a.利用校正后的VP，通過Gardner公式，來校正失真密度：DEN_gardner=d*Vpf…………….(2)

其中，d和f為與巖性有關(guān)的可調(diào)系數(shù)一、針對井眼的校正b.利用多曲線擬合技術(shù)來校正密度：利用相同類型質(zhì)量較好井段的密度與自然伽馬、深電阻率、中子、聲波等曲線進(jìn)行多元擬合，得到關(guān)系來對失真井段的聲波時差進(jìn)行校正。DEN=f(GR,RT,CNL，DT…)一、針對井眼的校正

2.密度測井曲線的環(huán)境校正：c.利用測井公司校正圖版來校正密度曲線：左圖中，補(bǔ)償?shù)貙用芏染畯叫Ｕ龍D版可以校正的最大井徑是15英寸，圖版中，縱坐標(biāo)是密度校正量，橫坐標(biāo)是井徑。例如，dh=12in，DEN=2.2g/cm3,井中充滿泥漿，從圖版可以查得校正量為0.02g/cm3，所以校正后的密度值為：DENc=2.2+0.02=2.22g/cm3右圖中，巖性密度井徑校正圖版可以校正的最大井徑是25英寸，圖版中，縱坐標(biāo)是密度校正量，橫坐標(biāo)是井徑值dh與鉆頭直徑（8in）的差值和密度測井讀數(shù)DEN與泥漿密度ρm差值的乘積。例如，dh=325mm，DEN=2.45g/cm3，ρm=1.05g/cm3，（dh-200）*（DEN-ρm）=175，所以校正量為0.014g/cm3，校正后的密度值DENc=2.45+0.014=2.464g/cm3二、針對侵入的校正在鹽水泥漿、氣層和滲透性較好的地層中，會產(chǎn)生較深的泥漿侵入帶，它對測井曲線會產(chǎn)生比較嚴(yán)重的影響，尤其是視電阻率曲線。這時，想依據(jù)電阻率來校正速度和密度曲線，需要求取較準(zhǔn)確的地層真電阻率（Rt）。1.BatemanR.M和KonenC.E法a.對泥漿低侵（Rt>Rxo）地層當(dāng)（Rlld-Rlls）/Rlls>0.15時，用下式計(jì)算真電阻率Rt：侵入帶直徑Di：Di=223（Jd+0.17）2.267Jd=（Rt-Rlld）/（Rt-Rxo）當(dāng)（Rlld-Rlls）/Rlls≤0.15時，用Rt=1.1*Rlld近似求出Rt此外，當(dāng)（Rlld-Rlls）/Rlls≤0且（Rlld-Rxo）/Rxo>0或者（Rlld-Rlls）/Rlls≤0且（Rlld-Rxo）/Rxo<0時，不做校正，即Rt=Rlld二、針對侵入的校正b.淡水泥漿往往高侵（Rxo>Rt）

設(shè)α=（Rlls-Rlld）/（Rxo-Rlld）Jd=0.5981*α+0.0869Rt=(Rlld-Jd*Rxo)/(1-Jd)侵入帶直徑Di=12.727*101.208*αc.當(dāng)無沖洗帶測井時低侵：Rt=1.7*Rlld-0.7*Rlls高侵：Rt=2.4*Rlld-1.4*Rlls特別，當(dāng)Rlld/Rxo≥3時，此Rt/Rlld與圖版法相對誤差±10%2.GeorgeDR.和AsquithB.法Rt≈（Rlld/Rlls）0.1*（Rlld-0.29*Rxo）/0.713.用幾何因子理論與數(shù)值逼近法進(jìn)行泥漿侵入校正。

這種方法是根據(jù)深淺側(cè)向測井在侵入帶的近似幾何因子，采用計(jì)算機(jī)迭代逼近方法來對深淺側(cè)向測井進(jìn)行校正，求出地層真電阻率Rt和沖洗帶電阻率Rxo。4.時間推移法。用同一井段的泥漿侵入前、后測量的深感應(yīng)和深側(cè)向視電阻率曲線，經(jīng)過對比和數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，繪制單井泥漿侵入校正的經(jīng)驗(yàn)圖版，由此得出經(jīng)驗(yàn)校正公式，例如：Rild1=1.347(Rild2)1.062

Rlld1=0.659(Rlld2)1.187

式中，下標(biāo)為1的曲線為侵入前，下標(biāo)為2的曲線為侵入后電阻率三、