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文檔簡介
第一章單元測試1【判斷題】封裝會使芯片包裹的更加緊實,因此提供散熱途徑不是芯片封裝要實現(xiàn)的功能。()A.對B.錯2【判斷題】按照封裝中組合使用的集成電路芯片的數(shù)目,芯片封裝可以分為單芯片封裝和多芯片封裝兩類。()A.對B.錯3【單選題】(2分)按照針腳排列方式的不同,針柵排列可以提供較高的封裝密度,其引腳形式為()。A.中心引腳形態(tài)B.底部引腳形態(tài)C.周邊引腳形態(tài)D.背部引腳形態(tài)4【單選題】(2分)針柵陣列式封裝的引腳分布形態(tài)屬于()。A.中心引腳B.底部引腳C.單邊引腳D.四邊引腳5.【多選題】正確答案:AD集成電路的零級封裝,主要是實現(xiàn)()。A.芯片內部不同功能電路的連接B.打碼C.鍵合引線D.芯片內部器件的互連第二章單元測試1【判斷題】硅晶圓可以直接用來制造IC芯片而無需經(jīng)過減薄處理工藝。()A.對B.錯2【判斷題】當金-硅的質量分數(shù)為69%和31%時能夠實現(xiàn)共熔,且共熔溫度最低。()A.對B.錯3【單選題】(2分)玻璃膠粘貼法僅適用于()。A.玻璃封裝B.陶瓷封裝C.塑料封裝D.金屬封裝4【單選題】(2分)以下芯片互連方式,具有最小的封裝引線電容的是()。A.TAB鍵合B.WB鍵合C.FC焊接D.Hot-WB鍵合5.【多選題】正確答案:AB集成電路芯片封裝的工序一般可分為()。A.前道工序B.后道工序C.第一工序D.第二工序第三章單元測試1【判斷題】軸向噴灑涂膠工藝的缺點為成品易受到水氣侵襲。()A.錯B.對2【判斷題】碳化硅是半導體,因此它不能作為陶瓷封裝的材料。()A.對B.錯3【單選題】(2分)陶瓷封裝工藝首要的步驟是漿料的制備,漿料成分包含了無機材料和()。A.玻璃粉末B.塑料顆粒C.有機材料D.陶瓷粉末4【單選題】(2分)金屬封裝所使用的的材料除了可達到良好的密封性之外,還可提供良好的熱傳導及()。A.保護B.支撐C.電屏蔽D.抗腐蝕5.【多選題】正確答案:ACD降低密封腔體內部水分的主要途徑有以下幾種()。A.避免烘烤后管殼重新接觸室內大氣環(huán)境B.抽真空工藝C.盡量降低保護氣體的濕度D.采取合理的預烘工藝第四章單元測試1【判斷題】雙列直插封裝的引腳數(shù)可達1000以上。()A.對B.錯2【判斷題】球柵陣列封裝形式的芯片無法返修。()A.錯B.對3【單選題】(2分)以下封裝方式中,具有工業(yè)自動化程度高、工藝簡單、容易實現(xiàn)量產的封裝形式為()。A.陶瓷熔封雙列直插式封裝B.塑料單列直插式封裝C.多層陶瓷雙列直插式封裝D.塑料雙列直插式封裝4【單選題】(2分)載帶球柵陣列封裝所用的焊球,其成分為()。A.65%Sn-35%PbB.90%Pb-10%SnC.10%Sn-90PbD.35%Sn-65%Pb5.【多選題】正確答案:ABD陶瓷熔封雙列直插式封裝結構簡單,其三個基本零部件為()。A.鍵合引線B.粘接底座C.陶瓷框架D.封裝蓋板第五章單元測試1【判斷題】凸點無法通過電鍍的方法獲得。()A.錯B.對2【判斷題】MicroBGA和QFN形成引出端的通用方法是蝕刻法。()A.錯B.對3【單選題】(2分)以下封裝方式擁有最高封裝密度的是()。A.倒裝焊B.載帶自動焊C.熱壓鍵合D.引線鍵合4【單選題】(2分)芯片尺寸封裝的封裝面積與裸芯片面積的比例為()。A.1.3:1B.1:1C.1.1:1D.1.2:15.【多選題】正確答案:ACD多芯片組件封裝的基板材料可以為()。A.陶瓷B.玻璃C.高分子材料D.金屬第六章單元測試1【判斷題】制造性能主要包括螺旋流動長度、滲透和填充、凝膠時間、聚合速率、熱硬化以及后固化時間和溫度。()A.對B.錯2【判斷題】封裝材料的化學性能包括反應化學元素或涉及化學反應的性能,包括離子雜質、離子擴散和易燃性。()A.對B.錯3【單選題】(2分)潮氣滲透可用以下哪種方法測定()。A.隔離池B.吸收因子C.稱重池D.膨脹系數(shù)4【單選題】(2分)材料的體積、面積或長度隨溫度的變化而變化,這是材料的()。A.熱應力系數(shù)B.熱失配系數(shù)C.熱應變系數(shù)D.熱膨脹系數(shù)5.【多選題】正確答案:AB液態(tài)聚合物樹脂轉變?yōu)槟z并最終變硬的過程是材料的()。A.變硬B.固化C.凝結D.后固化第七章單元測試1【判斷題】四邊扁平封裝最容易引發(fā)爆米花效應。()A.錯B.對2【判斷題】集成電路芯片的失效可發(fā)生在芯片的任何部位。()A.錯B.對3【單選題】(2分)下列封裝形式,最容易發(fā)生底座偏移的為()。A.薄型小尺寸封裝B.雙列直插式封裝C.單列直插式封裝D.球柵陣列封裝4【單選題】(2分)引起芯片翹曲的原因,是由于施加到元器件上的力()。A.不平衡B.消失C.過小D.過大5.【多選題】正確答案:AC芯片發(fā)生失效的機理包括()。A.磨損B.疲勞C.過應力D.過壓力第八章單元測試1【判斷題】在微電子器件的失效分析中,盡量不使用破壞性失效分析技術。()A.對B.錯2【判斷題】阻抗和連接性都屬于電學測試的內容。()A.錯B.對3【單選題】(2分)要觀察半導體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷,應使用()。A.透射電子顯微鏡B.光學顯微鏡C.原子力顯微鏡D.掃描電子顯微鏡4【單選題】(2分)以下電子產品的測試方法,屬于破壞性測試的為()。A.選擇性剝層B.透射電鏡掃描C.紅外光譜分析D.X射線檢測5.【多選題】正確答案:ABCD集成電路的電學測試包括功能測試和參數(shù)測試,以下屬于電學測試的為()。A.電壓B.電流C.阻抗D.電場強度第九章單元測試1【判斷題】產品鑒定用于評價電子封裝的原型。()A.對B.錯2【判斷題】早期失效主要由電子產品制造和組裝過程中的缺陷和瑕疵造成。()A.對B.錯3【單選題】(2分)溫度循環(huán)試驗是在溫度均值上應用一定幅值的溫度變化,溫度變化的速率是()。A.固定的B.與溫度沒有關系C.快速的D.可變的4【單選題】(2分)壽命周期載荷可分為工作載荷和()。A.環(huán)境載荷B.應力載荷C.性能載荷D.溫度載荷5.【多選題】正確答案:ABC鑒定加速試驗中,溫度相關的試驗包括()。A.功率溫度組合循環(huán)試驗B.溫度循環(huán)試驗C.熱沖擊試驗D.恒溫試驗第十章單元測試1【判斷題】生物集成電路芯片是一種新型的電子技術。()A.錯B.對2【判斷題】OLED又被稱為有機發(fā)光半導體。()A.對B.錯3【單選題】(2分)MEMS是以下哪種名詞的英文簡稱()。A.微機電系統(tǒng)B.射頻器件C.無源元件D.傳感器4【單選題】(2分)以下哪種材料具有生物相容性,能夠應用于生物MEMS和生物電子封裝()。A.金屬B.聚合物C.陶瓷D.玻璃5.【多選題】正確答案:ABCD以下哪些技術反映了當代電子產品未來的發(fā)展方向()。A.納米技術B.光電子學C.納米電子學D.生物芯片第十一章單元測試1【判斷題】按照膜厚的經(jīng)典分類,認為小于1μm的為薄膜,大于1μm的為厚膜。()A.對B.錯2【判斷題】印刷是厚膜漿料在基板上成膜的基本技術之一,厚膜中最常用的印刷是絲網(wǎng)印刷。()A.對B.錯3【單選題】(2分)典型的薄膜生長工藝一般采用物理氣相淀積法進行,以
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