《模擬電子技術與應用》課件19 場效應管的伏安特性_第1頁
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文檔簡介

增強型MOS管的伏安特性學習目標了解

1、MOS場效應管的漏源電壓與漏極電流之間的關系；2、MOS場效應管的柵源電壓與漏極電流之間的關系。掌握

1、增強型MOS管的輸出特性的特點；2、增強型MOS管的轉移特性的特點。增強型MOS管的伏安特性

（1）增強型NMOS管的伏安特性–輸出特性N溝道增強型MOS管輸出特性曲線64201020放大區(qū)恒流區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)可變電阻區(qū)各區(qū)的特點：可變電阻區(qū)

uDS較小，溝道尚未夾斷增強型MOS管的伏安特性64201020可變電阻區(qū)管子相當于受uGS控制的電阻uDS＜uGS–UGS(th)

或者uGD=uGS-uDS>UGS(th)各區(qū)的特點：放大區(qū)（恒流區(qū)、飽和區(qū)）增強型MOS管的伏安特性64201020放大區(qū)導電溝道預夾斷iD幾乎與uDS無關uDS>uGS–UGS(th)

或者uGD=uGS-uDS<UGS(th)iD只受uGS的控制各區(qū)的特點：截止區(qū)增強型MOS管的伏安特性64201020截止區(qū)uGS<UGS(th)iD=0沒有導電的溝道增強型MOS管的伏安特性

（2）增強型NMOS管的伏安特性–轉移特性N溝道增強型MOS管轉移特性曲線增強型MOS管的伏安特性管子工作于放大區(qū)時：上式中為與管子有關的參數(shù)。其中為本征跨導系數(shù)，W為溝道寬度，L為溝道長度。為MOS管的寬長比，在MOS集成電路設計中，寬長比是一個極為重要的參數(shù)。小結增強型MOS管的伏安特性這次課我們學習了MOS場效應管的伏安特性，重點對增強型MOS管的輸出特性和轉移特

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